【課題】高アスペクト比のホールやトレンチの多段構造を高い加工精度で容易に形成することができるシリコン構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンからなる基材１に凹部４の一部である初期凹部４ａを形成する初期凹部形成工程と、初期凹部４ａの凹部側壁４２ａに保護膜を形成する保護膜形成工程と、凹部側壁４２ａの保護膜に隣接した基材１の一部を隔壁１２として残存させて、初期凹部４ａに隣接する周回領域の基材１を深さ方向に異方性エッチングするエッチング工程と、残存した突起状の隔壁を酸化してシリコン酸化物を形成する突起状隔壁酸化工程と、酸化した突起状の隔壁を除去する突起状隔壁除去工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】優れた素子特性を得ることができるＭＥＭＳを提供する。
【解決手段】基板１０上に下部電極１２Ａを形成する工程と、下部電極１２Ａに隣接するように電気的にフローティング状態になる補助構造体１３Ａを基板１０上に形成する工程と、下部電極１２Ａ上、補助構造体１３Ａ上、及び基板１０上に犠牲膜を形成する工程と、犠牲膜上に上部電極１６を形成する工程と、犠牲層を除去し、上部電極１６を下部電極１２Ａの上方に空洞２１Ａを介して配置する工程とを具備する。下部電極１２Ａ上及び補助構造体１３Ａ上に形成された犠牲膜は上面が平坦であり、犠牲膜上に形成された上部電極１６は下面が平坦である。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの製造方法において、封止用のキャビティ内の真空度を高めることを目的とする。
【解決手段】シリコンを含む第１の基板１１の一方の主面１１ａ側に可動部１４ａを形成する工程と、シリコンを含む第２の基板２０の一方の主面２０ｃ側にキャビティ２０ｂを形成する工程と、第１の基板１１と第２の基板２０の少なくとも一方の主面に、酸素及び窒素のいずれかの原子を含むプラズマを照射する工程と、プラズマを照射した後、キャビティ２０ｂを可動部１４ａに対向させた状態で、第１の基板１１と第２の基板２０の各々の主面同士を真空中で接合することにより、キャビティ２０ｂ内を真空に保ちつつ、可動部１４ａを第２の基板２０で封止する工程と、封止の後、シリコンと上記原子とが反応する温度以上の温度に第１の基板１１と第２の基板２０をアニールする工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 （もっと読む）

【課題】入射角が大きな光に対する感度を向上させる。
【解決手段】マイクロ構造の製造方法は、シリコン基板５０の被エッチング部に等方性プラズマエッチングを行なうステップと被エッチング部の少なくとも側面に保護膜を形成するステップとを交互に実行する第１エッチング工程と、第１エッチング工程の実行後に、被エッチング部に等方性プラズマエッチングを行なう第２エッチング工程とを含み、シリコン基板５０の内部に向かい弧状に膨出する複数の凹部５０ｃから成るマイクロ構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】機能部を有する機能性素子が配線基板上に搭載されるとともに、少なくとも配線基板と機能性素子との接合部を保護するための封止層が設けられている電子部品において、封止層の機能部への侵入を防止し、当該機能部が動作できるような空間を、電子部品のサイズを大型化させることなく、また工程数を増大させることなく形成する。
【解決方法】配線基板の導電層における非接続領域を保護するための保護層を、前記配線基板の主面上において、前記配線基板上に搭載した機能性素子と相対向する位置であって、その機能部と相対向する位置を除く領域にまで延在させ、封止層を配線基板と機能性素子との接合部から前記機能性素子の前記機能部にまで延在させることなく、前記配線基板の前記主面と前記機能部との間に空隙を形成するようにして、電子部品を構成する。 （もっと読む）

【課題】ハニカムの繋ぎ目での変形が少ない高アスペクト比のハニカム構造体を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】所定の条件で塑性変形する薄膜層３０を、複数の凹部を有するテンプレート２５に密着させる工程と、凹部と薄膜層３０との間の空間のガス圧力により薄膜層３０を膨張延性させることで、複数個の隔壁３５を一定方向に形成し、複数個の隔壁３５及び各隔壁を連結する天井部３０Ｂからなる中空体を硬化させる工程と、天井部３０Ｂを除去する工程と、有し、天井部３０Ｂを除去した中空体の隔壁３５間を補強材により把持する工程と、中空体の天井部３０Ｂを除去した側に、新たに薄膜層８０を圧着して、再び中空体（隔壁）形成を行う。 （もっと読む）

【課題】テストレチクルを用いて露光システムの伝達関数を導出し、この伝達関数をマスクパターンの設計にフィードバックさせて、厚膜レジストに所望する三次元形状を精度よく形成することが可能な三次元デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】テストレチクルを用いて露光装置の周波数領域の伝達関数Ｈ１（ξ、η）を導出する工程Ｓ１と、前記テストレチクルを用いて露光・現像等の露光プロセスの周波数領域の伝達関数Ｈ２（ξ、η）を導出する工程Ｓ２と、これら伝達関数Ｈ１（ξ、η）、Ｈ２（ξ、η）及び所望する三次元形状の縦断形状プロファイルｄ（ｘ、ｙ）に基づいて、前記三次元形状の縦断形状プロファイルｄ（ｘ、ｙ）を形成するためのマスクパターンの透過率分布ｕ（ｘ、ｙ）を算出し、このマスクパターンを有するレチクルを製造する工程Ｓ３と、前記レチクルを用いて前記三次元形状からなる三次元デバイスを製造する工程Ｓ４とを含む。 （もっと読む）

【課題】デバイス等を形成する基板に、複数の開口面積と、深さとの異なる貫通穴をエッチングによって同時に形成する貫通穴形成方法を提供する。
【解決手段】第１基板面と当該第１基板面に相対する第２基板面とを有する基板に対し、第１基板面に複数の小穴を連接して形成し、小穴をエッチングによって削成することで第１穴を形成する第１穴形成工程と、小穴と小穴との隔壁となる基板と、小穴の底部となる基板とを熱酸化し基板に熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と熱酸化した隔壁および底部と基板に形成した熱酸化膜を除去する除去工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板側の電極表面と振動部材の下面とが十分に狭い間隙で対向した構造を有し、ねじり振動を利用するＭＥＭＳデバイスを容易に製造する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの製造方法は、基材と、浮き構造体と、浮き構造体の一部の領域に対して離隔対向するかさ上げ対向部とを備える、ＭＥＭＳデバイスを製造する方法であって、ＳＯＩ基板を用意する工程Ｓ１と、第１シリコン層をパターニングすることによって、かさ上げ対向部、支持梁部などを形成する工程Ｓ２と、第１領域を厚み方向の途中までエッチング除去する工程Ｓ３と、中間絶縁層の少なくとも一部をエッチングしてかさ上げ対向部と第２シリコン層との間の接続を断つ工程Ｓ４と、基材を貼り付ける工程Ｓ５と、第２シリコン層をパターニングすることによって浮き構造体を形成するとともに、かさ上げ対向部を外枠部から分離させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ストリート幅を大きくすること無くストリートに沿って変質層を形成することができ、分割することができるウエーハの分割方法を提供する。
【解決手段】デバイス領域とデバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハ２の分割方法であって、レーザー光線をウエーハ２の裏面側から内部に集光点Ｐを位置付けて照射し、ウエーハ２の内部に表面側に未加工領域を残して第１の変質層２５１を形成する第１の変質層形成工程と、ウエーハ２の裏面２bを環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着するウエーハ支持工程と、レーザー光線をダイシングテープに貼着されたウエーハ２の表面側から内部の未加工領域に集光点を位置付けて照射し、ウエーハ２の未加工領域に第２の変質層を形成する第２の変質層形成工程と、ウエーハ２に外力を付与し第１の変質層および第２の変質層が形成されたストリートに沿って破断する破断工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 基板とシート部材とによって構成される試料操作素子に対し、その操作構造での所望の領域を選択的に親水化処理することが可能な試料操作素子の表面処理方法、及び処理装置を提供する。
【解決手段】 下部基板１２と、上部シート部材１４とを有する試料操作素子１０を載置するステージ２０と、素子１０にレーザ光Ｌを供給するレーザ光源３０と、素子１０に対し、シート部材１４側からまたは基板１２側から所定の照射光軸Ａｘに沿って、シート部材と基板との間に形成された操作構造内にビームウエストが位置する集光条件でレーザ光Ｌを照射する集光光学系３５とによって表面処理装置１Ａを構成する。そして、試料操作素子１０の操作構造内において、レーザ発生プラズマにより、シート部材１４で操作構造を構成している凹状構造部の内側表面を親水化処理する。 （もっと読む）

【課題】可動基板をエッチングする際の深さ寸法のばらつきを抑制し、保持部の厚み寸法の精度を向上できる干渉フィルターの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の干渉フィルターの製造方法は、固定基板と、可動部５２１および保持部５２２を備えた可動基板５２と、固定反射膜と、可動反射膜５７と、を備える干渉フィルターの製造方法であって、固定基板を製造する固定基板製造工程と、可動基板５２を製造する可動基板製造工程と、固定基板と可動基板５２とを接合する基板接合工程と、を備え、前記可動基板製造工程は、第一母材５２４Ａおよび第二母材５２５Ａを、プラズマ重合膜５２６Ｃを介して接合させる母材接合工程と、プラズマ重合膜５２６Ｃをエッチングストッパーとして、第二母材５２５Ａをエッチングして、保持部５２２を形成する保持部形成工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】マイクロ流体デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
マイクロ流体チャネルを有する基板と、プライマ層及び前記プライマ層上に設けられマイクロ流体チャネルに関連して配置された導電層を含む導電性機構とを具備するマイクロ流体デバイスが提供される。前記プライマ層は、（i）有機ポリマーと、（ii）前記有機ポリマーを分散させた多孔性微粒子材料とを含む。前記有機ポリマーは、（ａ）ビニルラクタム反復単位を含むホモポリマーまたはコポリマー、（ｂ）セルロースエーテル、（ｃ）ポリビニルアルコール、及び（ｄ）未変性ゼラチンまたは変性ゼラチンからなる群から選択される。 （もっと読む）

【課題】櫛歯電極構造を高いアライメント精度で製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１５１の面１５１ａ上に櫛歯電極用マスクパターン１５２ａ，１５２ｂを形成し、これを介してシリコン基板１５３を貼り合わせる。シリコン基板１５１，１５３の面１５１ｂ，１５３ｂに、櫛歯電極用マスクパターン１５２ａ，１５２ｂを内包する粗櫛歯マスクパターン１５４，１５５を形成する。面１５３ｂの側からＤＲＩＥをおこなって、粗櫛歯マスクパターン１５５をマスクにしてシリコン基板１５３を選択的に除去し、さらに櫛歯電極用マスクパターン１５２ａをマスクにしてシリコン基板１５１を選択的に除去する。面１５１ｂの側からＤＲＩＥをおこなって、粗櫛歯マスクパターン１５４をマスクにして残存シリコン基板１５１ｃを選択的に除去し、さらに櫛歯電極用マスクパターン１５２ｂをマスクにして残存シリコン基板１５３ｃを選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】テーパ縁を実現するために、ＭＥＭＳデバイス内に層を形成するための方法が提供される。
【解決手段】特定のＭＥＭＳデバイスは、テーパ縁を有するようにパターン形成された層を含む。テーパ縁を有する層を形成するための１つの方法は、エッチング誘導層を使用することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、上方部分が下方部分よりも速い速度でエッチング可能な層を堆積することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、複数の反復エッチングを使用することを含む。テーパ縁を有する層を形成するための別の一方法は、リフトオフマスクの上に層が堆積され、そのマスク層が除去された後、テーパ縁を有する構造が残されるように、負の角度を含む開口を有するリフトオフマスクを使用することを含む。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの表面に形成されたデバイスを破壊することなく、ウェーハの内部に改質層を精度良く形成することができるレーザダイシング装置及び方法並びにウェーハ処理方法を提供する。
【解決手段】レーザ光を透過可能に形成されたウェーハテーブル２０の保持面２２ＡにはウェーハＷの裏面側が屈折液２６を介在させた状態で密着保持される。これにより、ウェーハが撓みなく平坦な状態で保持される。そして、レーザ光をウェーハＷの裏面側からウェーハテーブル２０を介して照射することにより、ウェーハＷの内部に改質層を精度良く形成することが可能となる。また、ウェーハＷの表面に一切触れることなく、ダイシング処理を行うことができる。したがって、ウェーハＷの表面に形成されたデバイスを破壊することなく、ダイシング処理を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 基板に沿った方向に相対的に移動可能な一対の対向電極を有するＭＥＭＳデバイスにおいて、他方の対向電極の下端部を削ることなく、一方の対向電極の下端部を短く削ることが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、半導体ウェハを準備する工程と、半導体ウェハの下側表面から第１導電体層と絶縁体層を貫通して第２導電体層に達する第１溝部を形成する工程と、前記第１溝部に導電体からなる保護部を形成する工程と、半導体ウェハの上側表面にレジストパターンを形成する工程と、反応性イオンエッチング法により第２導電体層に一対の対向電極を形成する工程と、反応性イオンエッチング法を継続して一方の対向電極の下端部を削る工程と、絶縁体層を選択的に除去する工程を備えている。その製造方法では、前記第１溝部は一対の対向電極が対向する方向に関して他方の対向電極の両側面の外側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性に影響を与えてしまうのを抑制することのできる静電容量式デバイスの製造方法および静電容量式デバイスを得る。
【解決手段】固定側基板２ａの両面に露出するようにシリコンを貫通させて形成した貫通シリコン２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂを固定電極２０ａ、２０ｂ、２１ａ、２１ｂとし、貫通シリコン２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂの外側露出面に金属膜２５を成膜するとともに、固定側基板２ａの表面における貫通シリコン２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂの外側露出面以外の部位に金属膜２５と離間するように金属膜２６を成膜する。そして、可動体基板１と固定側基板２ａとを陽極接合する際に、金属膜２５，２６を用いて、固定側基板２ａと可動体基板１との間に電位差を設ける一方、貫通シリコン２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂと可動体基板１とが同電位となるようにした。 （もっと読む）

【課題】機械的構造体の適切な、向上した及び／又は最適な動作のための制御された又は制御可能な環境を含むＭＥＭＳを提供する。
【解決手段】機械的構造体の少なくとも一部の上に犠牲層を堆積させ、該犠牲層の上に第１の封止層を堆積させ、犠牲層の少なくとも一部を露出させるように第１の封止層を貫通して少なくとも１つのベントを形成し、犠牲層の少なくとも一部を除去してチャンバを形成し、少なくとも１つの比較的安定したガスをチャンバに導入し、少なくとも１つのベント上又は少なくとも１つのベント内に第２の封止層を堆積させ、これにより、チャンバをシールし、この場合、前記第２の封止層が、半導体材料である。 （もっと読む）

【課題】反応や分析のステップ数や量を制限しない、且つ、製造が容易であるマイクロ流体システム用支持ユニットの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、（イ）第一の支持体に少なくとも一つの中空フィラメントを任意の形状に固定する工程、（ロ）中空フィラメント内の全部または一部にモノリス前駆体を充填する工程、（ハ）モノリス前駆体の全部または一部を反応させ、モノリス構造体を作製する工程、を備えることを特徴としたマイクロ流体システム用支持ユニットの製造方法である。 （もっと読む）