【課題】ＭＥＭＳトランスデューサの製造工程において、アニール処理によって生じる絶縁層の内部応力による基板の反りや破損を、新たに工程を増やすことなく防止する。
【解決手段】第一絶縁層と第一導電層と第二絶縁層と第二導電層とが形成された後に、第一導電層に到達するコンタクトホールを形成するとともに溝部Ｈ３を形成するために、第一絶縁層と第二絶縁層とをエッチングした後、第一導電層または第二導電層の応力を緩和するためのアニール処理を施す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、する封止型デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の封止型デバイスは、固定部と前記固定部の内側に位置する可動部を有する第１基板と、前記第１基板の前記固定部及び前記可動部の上方を覆う第２基板と、前記第１基板の前記固定部と前記第２基板との間に配置され、前記第１基板と前記第２基板との間を封止する第１封止部材と、前記第１基板の前記固定部と前記第２基板との間に配置され、前記第１封止部材の外周部において前記第１基板と前記第２基板との間を封止する第２封止部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 金属基板に形成した圧電膜の特性を向上させることが可能で、かつ、ミラーの反射性能を低下させない光走査素子及びその製造方法を提供すること。
【解決方法】 金属基板に形成された、ミラー２と、ミラー２を保持するヒンジ部１と、ヒンジ部１を保持する金属フレーム３と、ヒンジ部１に捩れ振動を生じさせる振動部とを有し、振動部はヒンジ部１から離れた金属フレーム３上に形成された圧電膜１０と上部電極４とからなり、圧電膜１０が金属基板に形成された窪み５の中に形成されている。圧電膜を形成した後、熱処理を施し、その後、圧電膜が形成された側の面に鏡面研磨が施されている。 （もっと読む）

【課題】 電極を保護しながら、可動部の形状精度を向上することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 本願の半導体装置の製造方法は、まず、第３層１６の一部を除去して可動部１６ｂを形成し、次いで、可動部１６ｂを形成するために除去された部位の下方に位置する第２層と、形成された可動部１６ｂの下方に位置する第２層１４を除去する。次いで、可動部１６ｂを形成する際に除去された部位に充填材２４を埋め込む。次いで、充填材２４を埋め込んだ状態で、半導体装置の表面に電極１８を形成する。電極１８を形成した後、埋め込んだ充填材２４を除去する。 （もっと読む）

【課題】デバイス構造が形成された基板と、これを封止する基板を陽極接合する際に電気的な接続を確実に行うことができる配線接続方法を提供する。
【解決手段】第１の基板４０と第２の基板４５とが陽極接合され、かつ前記第１の基板と前記第２の基板とが、純度９９．９質量％以上で、平均粒径０．００５μｍ〜１．０μｍの金、銀、白金及びパラジウムから選択される１種以上の金属からなる多孔質金属５１，５２を介して電気的に接続されたデバイス４、及び第１の基板の接続電極部及び第２の基板の接続電極部の少なくとも一方に多孔質金属（バンプ）を形成し、前記第１及び第２基板の接続電極部同士がバンプを挟んで対向するように前記第１及び第２基板を重ね合わせた後、両基板を陽極接合すると同時に多孔質金属を介して前記第１及び第２基板の接続電極部間を電気的に接続する配線接続方法。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングを用いてシリコン基板における凹部の底部に垂直な開口を設けることができるシリコン基板の加工方法を提供する。
【解決手段】第１の開口４の底部に、パターン開口１０を有するパターニングマスク１４’を用いて、プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより第２の開口５を形成するシリコン基板の加工方法であって、前記プラズマに対する前記第１の開口内の露出を妨げる遮蔽構造１１’を前記シリコン基板内又は上に形成した状態で前記反応性イオンエッチングを行うシリコン基板の加工方法である。これにより、第２の開口の傾きの原因である、プラズマモールディング効果と呼ばれるシースの歪みを緩和することが出来る。 （もっと読む）

【課題】拡散のプロセスやウェットエッチング液の性質、状態によらずに振動子を作製するための製造方法を提供する。
【解決手段】基板表面に高濃度不純物層を形成する工程と、高濃度不純物層上にマスクを形成する工程と、マスクを振動子の形状にパターニングする工程と、ドライエッチングによりパターニングした振動子の下方を残して少なくとも基板に達するまで高濃度不純物層を除去する工程と、ウエットエッチングにより高濃度不純物層の下方を除去して梁状の振動子を形成する工程と、高濃度不純物層上に形成したマスクを除去する工程と、
を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ディスク下面に犠牲層の残渣が発生せず、きれいに除去されるようにする。
【解決手段】ディスク型の振動子構造体１と、該振動子構造体１の両側に前記ディスク型振動子構造体の外周部に対して所定の空隙ｇを有して、それぞれ対向して配置される一対の駆動電極２，２と、該駆動電極２，２に同相の交流バイアス電圧を印加する手段と、前記ディスク型振動子構造体１と前記駆動電極２，２との間の静電容量に対応した出力を得る検出手段とを備えた静電駆動型のディスク型振動子において、前記ディスク型振動子構造体１がディスクの中心に貫通孔１ａを有し、ワイン・グラス・モードで振動される。 （もっと読む）

【課題】緩く傾斜する傾斜形状を有する微細構造体を良好に製造する方法を提供する。
【解決手段】感光性樹脂へレーザ光を照射して微細構造体を得る微細構造体の製造方法であって、基板に感光性樹脂を塗布する塗布工程と、感光性樹脂に照射するレーザ光の光量を設定する光量設定工程と、感光性樹脂に、前記設定した光量に応じて、レーザ光の光量を変調させつつスキャニングする露光工程と、露光された前記基板を現像する現像工程と、を備える。製造する微細構造体は、角度が１０度以下の傾斜形状を含む。感光性樹脂は、感光性樹脂を感光、現像した後のレジスト残膜量と露光量とを対応づけたレジスト感度曲線のうち、レジスト残膜量の上限値の３０％から７０％までの範囲において、レジスト感度曲線の傾きが０．２８（μｍ／ｍＷ）より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】支持構造を有するＭＥＭＳデバイス、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスの実施形態は、導電性の移動可能層を含み、該移動可能層は、ギャップによって導電性の固定層から隔てられ、導電性の移動可能層内のくぼみの上にある剛性の支持構造もしくはリベットによって、または導電性の移動可能層内のくぼみの下にある柱によって支持される。特定の実施形態では、リベット構造の部分は、移動可能層を通って下の層に接触する。他の実施形態では、剛性の支持構造の形成に使用される材料を、ＭＥＭＳデバイスと電気的に接続する不動態化を経ないと曝されるであろうリードを不動態化して、これらのリードを損傷またはその他の干渉から保護するためにも用いることができる。 （もっと読む）

【解決手段】(i)基板上への犠牲膜パターン形成段階、(ii)犠牲膜パターン上への無機材料膜形成段階、(iii)犠牲膜パターンの形状を持つ空間を形成する段階を含むマイクロ構造体の製造方法において、(i)段階は、(A)クレゾールノボラック系樹脂と1,2-ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物のいずれかと、架橋剤を含む光パターン形成性犠牲膜形成用組成物で犠牲膜を成膜する工程、(B)該犠牲膜に第1の高エネルギー線照射を行う工程(C)現像でポジ型犠牲膜パターン形成工程(D)該犠牲膜パターンに第2の高エネルギー線照射を行う操作及び加熱操作を含み、クレゾールノボラック樹脂間に架橋を形成する工程、を含む。
【効果】高精度な平面形状及び適切な側壁形状を有し、熱耐性に優れる犠牲膜パターンが得られる。 （もっと読む）

【課題】従来技術の封止方法の欠点が無い新規の封止方法を提供すること。
【解決手段】二つの要素(100、102)間の封止方法であって、前記二つの要素のうちの第一要素(100)の面に第一封止材料(104)を生成するステップと、前記二つの要素のうちの第二要素の一つの面に、前記第一封止材料とは異なる第二封止材料(108)を生成するステップと、前記二つの要素を、前記第一封止材料および第二封止材料の融解温度未満の温度Tcで前記封止材料が互いに押し付けられる熱圧着により、固定するステップと、を含み、前記第一封止材料および第二封止材料がそれぞれ、前記固定するステップ中に前記封止材料の相の成分の相互拡散により他方の封止材料の相と反応できる少なくとも一つの相を有し、それにより温度Tcよりも高い融解温度を有する少なくとも一つの別の固相を形成するように、前記第一封止材料および前記第二封止材料が選ばれる、方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、射出成形で得られる樹脂基板をマイクロ流路デバイスとして用いる場合であってもウェルドラインの発生が問題とならないようなマイクロ流路デバイスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明のマイクロ流路デバイスの製造方法は、一方の面に流路用溝が形成された樹脂基板と、前記流路用溝が形成された面を覆うように配置される樹脂フィルムとを、貼り合わせて接合体を得る貼着工程と、前記接合体を加熱処理する加熱工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エッチングの異方性と、エッチングレートとを高めることができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】
エッチング方法では、接地された真空槽１１内に処理対象物である基板Ｓを搬入する以前に、真空槽１１に供給される成膜ガスを下部電極１３への高周波電力の供給によってプラズマ化して、該真空槽１１の内壁１１ｂに絶縁膜Ｉを形成する絶縁膜形成工程を実施する。その後、真空槽１１内に供給されるエッチングガスを真空槽１１内に配設された下部電極１３への高周波電力の供給によってプラズマ化して真空槽１１内に搬入された基板Ｓを該プラズマによってエッチングするエッチング工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、全般的に適用可能でありながら、特定の加工および方法論的要求に適応することができる加工を可能にする、容易で柔軟性のある方法を創造することにある。
【解決手段】広スペクトル帯域幅を有するレーザ・パルスによって材料を加工する方法および装置、ならびに前記方法を実行する装置を提供する。本発明によれば、レーザ・パルスの１つまたは数個のスペクトル・パラメータ、即ち、スペクトル振幅および／またはスペクトル位相および／またはそのスペクトル偏波を、好ましくは測定加工変数に応じて、材料を加工するために、あるいは前記加工の実行の間に、特定的に改変する。本発明は、広スペクトル帯域幅、特にフェムト秒パルスおよびピコ秒パルスを有するレーザ・パルスによって材料を加工するために用いられる。 （もっと読む）

【課題】加工対象物に均一なテクスチャー構造を転写する。
【解決手段】フォトリソグラフィにより、面方位が（００１）の単結晶シリコン基板１０の表面に、マトリックス状に配列された正方形が露出するように、網の目状にレジスト２０を形成する（ステップＳ３，Ｓ４）。次に、単結晶シリコン基板１０をエッチングする（ステップＳ５）。次に、溶剤を用いてレジスト２０を剥離する（ステップＳ６）。次に、単結晶シリコン基板１０の表面にダイヤモンドを成膜する（ステップＳ７）。次に、ダイヤモンド４０が成膜された単結晶シリコン基板１０からフッ硝酸を用いて単結晶シリコン基板１０を除去する（ステップＳ８）。次に、スパッタ法を用いてダイヤモンド４０の表面に白金を成膜し、型が完成する。 （もっと読む）

【課題】センサデバイスをパッケージ化する際に、製造コストを低減し、他の素子の仕様に合わせて接続関係を容易に変更でき、基板とパッケージとの接合の信頼性を向上させ、パッケージ化されたセンサデバイス全体の低背化を可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板と、第１基板上に配置され、可動部を有するＭＥＭＳ素子と、ＭＥＭＳ素子の可動部の周辺に非連続に配置された第１支持部と、第１支持部に固定されて少なくとも可動部を覆う第２基板と、第１支持部よりも外側に配置された第１端子と、第１端子に電気的に接続されて、可動部の変位に基づく電気信号を伝達する第１配線と、を具備し、第１配線は、第１支持部の非連続な部位を通ることを特徴とするセンサデバイス。 （もっと読む）

【課題】気密性の高い貫通電極及びこれを用いた微小構造体、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性を有する基板１０の所定領域１１を貫通トレンチ２０で囲み、周囲から絶縁分離した貫通電極１００において、
前記貫通トレンチ内の深さ方向における所定部分を塞ぐように充填された第１の成長膜４０と、
前記貫通トレンチの両側面の間を横断する横断部５５を含み、該横断部の底面部が前記第１の成長膜の内側に接触するように充填された第２の成長膜５０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基台が有する凹部の表面を被覆することのできるセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るセンサの例によるフローセンサは、一方の面にキャビティ２５を有する基台２０と、基台２０の一方の面の上に設けられるセンサ薄膜３０と、を備える。センサ薄膜３０は、キャビティ２５に通ずるスリット３６を有している。キャビティ２５の断面形状は、例えば舟形凹状であり、キャビティ２５の表面Ａは、原子層堆積法により形成された膜Ｘで被覆されている。 （もっと読む）

【課題】動作部位へのダストの混入を防止しつつ、アライメント等の問題点を少なくとも部分的に解消すること。
【解決手段】本発明は、ＭＥＭＳ素子を搭載した素子基板にキャップ基板が接合されたＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、キャップ基板５０の原料基板に素子基板の切断パターンに沿って非貫通のトレンチ３００を形成する工程と、素子基板の原料基板に、トレンチが形成されたキャップ基板の原料基板を接合する接合工程と、少なくとも非貫通のトレンチが貫通するまで、接合されたキャップ基板の原料基板をエッチングするエッチング工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）