本発明は、改善された寿命及び負電荷キャリアの改善された輸送を示す有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）に関する。前記有機発光ダイオードは、負電荷キャリアの輸送及び還元に関する安定性がトリアリール化されたルイス酸単位、特にペルアリール化されたボラン単位により決定される有機半導体材料をベースとする。これにより、発光層の改善された寿命が生じ、これは一方でデバイスの寿命を延長し、運転の間の明度の後調節を抑制する。さらに、本発明は、トリアリール化されたルイス酸、例えばペルアリール化されたボラン単位により発光層中の発光区域の状態及び発光色に適切に影響を及ぼすことができる有機発光ダイオードに関する。 （もっと読む）

OLEDディスプレイ・デバイスが：発光画素アレイと、OLEDを駆動信号で選択的に駆動する手段とを含み、発光画素アレイの各画素が、赤色、緑色及び青色のOLEDと、赤色、緑色及び青色のOLEDによって画定されたガモットに対してディスプレイ・デバイスのガモットを拡張する1つ以上の付加的な有色OLEDとを有しており、この付加的なOLEDの輝度効率又は経時輝度安定性が、赤色、緑色及び青色のOLEDのうちの少なくとも1つの輝度効率又は経時輝度安定性よりも高く；そして、OLEDを駆動信号で選択的に駆動する手段により、ディスプレイ色精度を維持しつつ、全電力使用量全体を低減し、又はディスプレイの寿命を延ばす。種々の実施態様によれば、本発明は、改善された電力効率、より長い全寿命、正確な色相を有する拡張された色ガモット、及び改善された空間画質を有するカラー・ディスプレイ・デバイスを提供する。
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本発明は、単独で利用されてもある程度の光をなお吸収する導電性ポリマーのような基本材料を有する中間層（１１）に関する。コロイド粒子（１２）と組み合わせられると、この中間層（１１）はほぼ完全に透明になる。その中に含まれるコロイド粒子（１２）のためにほぼ完全に透明である中間層（１１）を備えるエレクトロルミネセント装置は、改善された効率をもち、従って、同じ発光特性に対してはより少ないエネルギーを必要とする。
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白色光を出す有機発光ダイオード（OLED）デバイスであって、a）アノードと；b）このアノードの上に配置された正孔輸送層と；c）この正孔輸送層の上に配置された青色発光層と；d）この青色発光層の上に配置された電子輸送層と；e）この電子輸送層の上に配置されたカソードとを備え；正孔輸送層が、青色発光層の全体または一部と接触している層を備えていて、特定の一般式を持つ発光ナフタセン化合物を含んでいることを特徴とするデバイス。
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アクティブマトリックス表示装置は複数の画素を有している。各画素は光学的フィードバック機能のための光検出デバイス（８４）を有している。各画素は、光検出デバイス（８４）の近くであって光検出デバイスの実質的に入力面の高さに、ディスプレイ基板の薄膜層から形成された光ブロック構造（１００）を有している。この構造により、ほぼ横方向から光検出デバイスへの光（ｇ）の経路が防止される。

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双安定性に基づくエレクトロルミネセントデバイス、及びその使用方法。そのデバイスは電圧の印加により低抵抗状態と高抵抗状態との間を交互する。双安定電気デバイスは、双安定挙動を示す有機材料を二つの電極が挟むようになっている。その双安定素子につながれた有機発光ダイオードは、導電時に光を放射する。段階付けられた光出力を作り出すためには、ターンオフ電圧とターンオン電圧の中間であり一定なバイアス電圧と、パルス時間幅において変動するか、追加電圧において変動するか、又はその両方において変動する電気パルスを、その双安定素子に印加するための回路が提供される。そのパルスが印加されるにつき追加電圧がバイアス電圧に重畳される。双安定素子を通る電流、そして、したがって、そのパルスを終えた後のダイオードにより放射される光の明るさが、パルス時間幅や追加電圧を変化させることでコントロールされる。 （もっと読む）

アクティブマトリックスＥＬ表示装置は画素を有している。この画素は、ＥＬ表示素子と、駆動トランジスタと、駆動トランジスタのアドレスを制御するのに使用される電圧を記憶する記憶コンデンサと、を有している。各画素は、表示素子の光出力に従って駆動トランジスタを制御するために、記憶コンデンサのディスチャージを制御する光依存デバイスも有している。記憶コンデンサが光依存デバイスの出力に応答してディスチャージされる場合に前記記憶コンデンサのディスチャージの速度を増加させるために、回路が駆動トランジスタに対応付けられている。コンデンサのディスチャージの速度を改善することによって、全てのグレーレベルに対して、経年変化の差異が確実に良好に補償される。
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本発明は、表示画素（３）の行列と、表示画素（３）へ結合された行及び列電極（１１，１２）とを有する表示パネル（２）を有するアクティブマトリクス表示装置（６）に関する。表示画素（３）の夫々は、列電極（１１）を介してプログラミング電流（Ｉ_ｐｒｏｇ）を受け、放射素子（１４）を駆動するためにプログラミング電流（Ｉ_ｐｒｏｇ）を再現するよう構成された電流ミラー回路を有する。表示装置（６）は、プログラミング電流（Ｉ_ｐｒｏｇ）が印加される前に較正電圧（Ｖ_ｃａｌ）が夫々の列電極（１１）で印加されるところの較正相を実行するよう更に配置される。
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アクティブマトリックス型表示装置は表示画素の配列を有し、各画素はＥＬ表示素子、表示素子の輝度を検出する光依存性デバイス、及び表示素子を流れる電流を駆動する駆動トランジスタ回路を有する。駆動トランジスタは光依存性デバイスの出力に応じて制御され、それにより、経時変化補償が実行可能にされる。光依存性デバイスはＥＬ表示素子の発光材料の領域に対して横方向に配置されている。故に、光依存性デバイスはステップ・カバレッジ問題を引き起こさないとともに、画素開口率に影響を及ぼすことなく画素配置に集積化される。さらに、光依存性デバイスは、表示素子領域の大きい部分からの光入力を受光するように、発光材料の領域の全長に沿って延在することが可能である。
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アクティブマトリクスディスプレイは、セレクト電極ＳＥを駆動するセレクト駆動部ＳＤと、データ電極ＤＥへデータＤを供給するデータ駆動部ＤＤとを有する。画素１０は、データ電極ＤＥとセレクト電極ＳＥとの交点に結合される。画素１０は、発光素子Ｌと画素駆動回路ＰＤとを有する。画素駆動回路ＰＤは、電源電極ＰＥを介して電源電圧ＶＢを、データ電極ＤＥを介してデータを受け取って、発光素子Ｌの輝度を制御する。電力供給源ＰＳは、電源電圧ＶＢを供給する。電源電極ＰＥは、セレクト電極ＳＥと同じ方向又はデータ電極ＤＥと同じ方向に延在する画素のラインの画素駆動回路ＰＤへ電源電圧ＶＢを供給するよう配置される。画素１０のラインに結合された画素１０によって引き起こされる電源電極ＰＥ上の負荷ＡＬ、ＭＡ、ＩＬが決定され、電源電圧ＶＢのレベルは、負荷ＡＬ、ＭＡ、ＩＬに依存して制御される。
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本発明は、広い範囲の輝度で光放射を作り出すのに使用され、特に例えばＯＬＥＤ型の画面又は表示装置に対して改善された画素を作るのに使用することができるマイクロエレクトロニクス装置に関する。
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本発明は改良された有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）装置、特に効率が高まったカラーディスプレイ装置に関する。複数の画素を含むディスプレイ装置であって、各画素は少なくとも２つの異なるタイプのサブ画素を含み、第１のサブ画素のタイプは第１のタイプのＯＬＥＤ材料を含むＯＬＥＤ素子を含み、第２のサブ画素のタイプは第２のタイプのＯＬＥＤ材料を含むＯＬＥＤ素子を含み、ここで、前記第１及び第２のタイプのサブ画素は複数の連続接続されたＯＬＥＤ素子を含む有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ディスプレイ装置が記載される。異なるタイプのＯＬＥＤ材料がカラーアクティブマトリックス型ＯＬＥＤディスプレイのようなディスプレイに使用される場合に連続接続されたサブ画素を採用することにより、サブ画素の駆動電位のバランスを容易にし、これによって、効率の改良されたディスプレイ装置の製造を可能にする。 （もっと読む）

本発明は表示画面に関し、前記表示画面は、発光体の配列を形成するよう発光体の行及び発光体の列に配された発光体、配列の各発光体に関連付けられ前記発光体に電力を供給する第１の電流調整器及び前記第１の電流調整器のゲート電極に電位を蓄積する第１の蓄電コンデンサーを有する第１のアドレス指定回路、を有する。画面は、発光体の少なくとも１つの第２のアドレス指定回路を有する。第１及び第２のアドレス指定回路は、同一の発光体と関連付けられる。第２の回路は、発光体の第２の電流調整器及び第２の電流調整器のゲート電極に電位を蓄える第２の蓄電コンデンサーを有する。本発明は、前記画面のアドレス指定方法に関する。
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本発明は、トランスミッタの行及びトランスミッタの列に従って分布した光トランスミッタ（４，６，８）と、トランスミッタ放射制御手段（２，１０，２０，３０，４０，４２，４４，４６，４８，５０）とから成る画像表示スクリーンに関する。制御手段は、網目状のトランスミッタに夫々結合され、ガイドラインに沿って互いに隣接するように置かれた複数の変調トランジスタ（１４，２４，３４）と、変調トランジスタの閾値トリガ電圧を補償する複数の補償トランジスタ（４８）とを有する。単一の補償トランジスタ（４８）は、列の変調トランジスタ（１４，２４，３４）の全ての閾値トリガ電圧を補償するために、列の変調トランジスタ（１４，２４，３４）の全てへ接続されている。前記補償トランジスタ（４８）は、同じガイドラインに沿って列の変調トランジスタ（１４，２４，３４）の延長上に形成される。本発明のスクリーンの制御方法も開示される。
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本発明は、その夫々が電力供給手段（Ｖ_ｄｄ）によって電力供給を受ける光トランスミッタ（２）の回路網と、閾値トリガ電圧を有し、その端子の１つへロギングデータ（Ｕ_ｃ、Ｉ_ｄａｔａ）を印加することによってアドレス指定可能であり、トランスミッタ（２）を制御するためのドレイン電流（Ｉ_ｄ）が流れる電流変調器（１４）と、プログラミング段の間にドレイン電流（Ｉ_ｄ）をロギングデータ（Ｕ_ｃ）と比較する手段を有する閾値トリガ電圧補償手段（１２）とから成るアクティブマトリクスに画像を表示するための装置に関する。トランスミッタ電力供給手段（Ｖ_ｄｄ）は、プログラミング段の間、トランスミッタに電力供給を行う。
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アクティブマトリクスＥＬ表示装置は、画素駆動トランジスタのゲートとソース又はドレインとの間に直列に接続された第１及び第２のキャパシタを有する。画素へのデータ入力は、第１及び第２のキャパシタの間の接点へ供給され、それによって、画素データ電圧から導出される電圧へと第２のキャパシタを充電する。駆動トランジスタ閾値電圧から導出される電圧は、第１のキャパシタに蓄積される。放電トランジスタは、第１及び第２のキャパシタの間の接点と、表示装置の全ての画素のための共通ラインとの間に接続されている。この装置は、閾値電圧測定動作のための放電シンク／ソースとして共通ラインを使用する。この目的のためにデータラインの使用を回避することによって、画素は、閾値測定が起こる場合に非アドレス指定状態になることができる。
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アクティブマトリクス電界発光表示装置は、列方向に電源ライン２６を有する。分離トランジスタ３０は、夫々の画素の駆動トランジスタ２２を画素表示素子２から分離するため設けられる。装置は２つのモードで動作する。第１のモードで、分離トランジスタ３０は、夫々の画素に関して駆動トランジスタ２２を表示素子２から分離し、画素駆動信号が行毎に順に配列の全ての画素へ供給される。第２のモードで、分離トランジスタ３０は、駆動トランジスタ２２を表示素子２へ結合し、電流が表示素子に流される。この表示装置で、画素駆動信号は、行毎に１つの相で表示配列に取込まれる。電源ラインが列にある場合に、画素駆動信号の取込み中、電流は一度に電源ラインに沿って１つの画素のみへ供給される。垂直クロストークが回避されるように、この時間中に如何なる表示素子によっても電流は引き込まれない。これは画素データが画素に正確に蓄えられることを可能にする。 （もっと読む）

陰極５０と、陽極２０と、陰極５０と陽極２０の間に介在する発光層４０からなり、陽極２０の少なくとも発光層４０に接する部分が、ランタン、セリウム、ネオジウム、サマリウム、ユーロピウムから選ばれる少なくとも１つ以上の元素と、クロム、タングステン、タンタル、ニオブ、銀、パラジウム、銅、ニッケル、コバルト、モリブデン、白金、シリコンから選ばれる少なくとも１つ以上の元素を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。この素子では、陽極から発光層に正孔が効率よく注入され、有機ＥＬ素子の駆動電圧のさらなる低電圧化、及び低電圧駆動による長寿命化が可能になる。 （もっと読む）

本発明は、能動的なマトリックスディスプレイの画素もしくはセグメントの少なくとも一つの有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）のための電子制御セルに係るものであり、そのセルは入力を有する少なくとも一つの制御回路（６，６１，６２）を含み、そして制御ライン（５、５’）に到来する制御信号により作動してＯＬＥＤをオンにする。セルは、制御ラインに接続されたキャパシタＣを持つ制御信号の容量性蓄積回路と、選択ライン（３，３’）の選択信号Ｖｓｅｌにより作動して、この選択信号により制御信号Ｖｃｏｍ（２）を容量性蓄積回路に加えたり、加えないようにしたりする一つの選択回路（４，４１，４２）とを含んでいる。本発明によればキャパシタＣに並列な抵抗Ｒｆを介してキャパシタを放電することにより蓄積は一時的なものとなる。
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基板に支持され、ポリシリコンＴＦＴ(10)及びアモルファスシリコン薄膜ＰＩＮダイオード(12)を含む回路を有するアクティブマトリックス型画素デバイス、例えばＥＬ表示装置、が提供される。ポリシリコンアイランドが形成された後に、アモルファスシリコン層がＰＩＮダイオード用に堆積されることにより、アモルファスシリコンは高温処理にさらされなくなる。ＴＦＴはドープされたソース／ドレイン領域(16a、17a)を有し、その一方(17a)はまた、ダイオードにＮ型又はＰ型のドープ領域を提供する。有利なことに、フォトダイオードに別個のドープ領域を設けることが不要になり、処理コストが削減される。反対導電型にドープされたソース／ドレイン領域(16b、17b)を有する第２のＴＦＴ(10b)が、ダイオードに他方のドープ領域(16b)を提供し、真性領域(25)が２つのＴＦＴ間にそれぞれのポリシリコンアイランドの各々に重なるように横方向に配置される。
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