【課題】省エネルギー，省スペース，メンテナンスフリー化を達成し、気体中のサブミクロン粒子を容易に集塵し、かつガス吸収を同時に処理できる大型化の容易な高効率の気液接触装置・放散装置の提供。
【解決手段】気体と液体とを接触・混合させる気液接触方法および気液接触装置であって、気液接触装置１は、筒状の容器２の上流部に螺旋状の羽根体を内設した静止型流体混合器を第１の気液接触部３に配置し、第１の気液接触部３の下流部に螺旋状の羽根体を内設した静止型流体混合器を第２の気液接触部４に配置し、第１および第２の気液接触部３，４の上方に散水ノズル２２，２３を配置し、容器２の上流部から加圧または減圧された異種物質を含有している気体を導入し、散水ノズル２２，２３から液体を供給・噴霧し、第１の気液接触部３ではガス速度を２０〜１５０ｍ／ｓ、第２の気液接触部４ではガス空塔速度を０．５〜２０ｍ／ｓで通流させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造工程等から排出される粉化物を含む排ガスの浄化筒において、排ガスから有害成分を除去して浄化するとともに、粉化物を浄化筒内部で捕捉し、かつ短期間で圧力損失の問題を起こさない浄化筒を提供する。
【解決手段】 排ガスの導入口、浄化剤の充填部、粉化物捕捉具、及び浄化されたガスの排出口を備えた粉化物を含む排ガスの浄化筒であって、粉化物捕捉具が、外周縁が浄化筒の内壁面に密着し孔を有する円盤、及び該円盤の孔の縁部に上端部が密着するように収納した通気性の凹形状の容器を有し、該凹形状の容器のガス流路上流側の表面に粉化物捕捉材が設けられてなる粉化物を含む排ガスの浄化筒とする。 （もっと読む）

【課題】析出物の発生を抑制する有害ガスの無害化処理方法およびその方法を実施するためのスクラバーを提供する。
【解決手段】本発明のスクラバー１０は、水素化物系ガスを含む処理対象ガスを導入するガス導入口１２と、処理対象ガスを排出するガス排出口１４と、ガス排出口１４においてアルカリ水溶液を補給するアルカリ補給装置３６と、ガス導入口１２において中性水を補給する中性水補給装置２６と、アルカリ水溶液と中性水が混合した処理液を貯留する貯留槽２２と、貯留槽２２に貯留された処理液をガス導入口１２に移送する処理液循環ポンプ２４を備えている。 （もっと読む）

【課題】析出物の付着を抑制するスクラバーのガスインレット部の構造を提供する。
【解決手段】スクラバーのガスインレット部１０は、環状の外円筒管１２と、その内側に同心円状に配され内円筒管１４と、さらにその内側に同心円状に配されたインレットデバイス１６と、ガス導入本管１８で構成されている。インレットデバイス１６は上下が開口された筒状体であり、上部開口から処理対象ガスを下方のガス導入本管１８に導入するガス流路２０を形成している。インレットデバイス１６と内円筒管１４の間に形成された水流路３０はインレットデバイス１６の下端部３２より下方の位置でガス流路２０と連通し、内円筒管１４と外円筒管１２の間に形成されたアルカリ水溶液流路２２は内円筒管１４の下端部２４より下方の位置でガス流路２０と連通している。 （もっと読む）

【課題】優れたガス吸蔵性能及びガス分離性能を有する金属錯体を提供すること。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）；
【化１】


（式中、Ｘ及びＲ^１〜Ｒ^１２は明細書に定義されるとおりである。）で表されるジカルボン酸化合物（Ｉ）と、周期表の２族及び７〜１２族に属する金属のイオンから選択される少なくとも１種の金属イオンと、該金属イオンに二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマを用いてシランガスを効果的に分解するための手段を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、プラズマを用いたシランガス除去装置に関する。本発明の一実施形態によるシランガス除去装置は、既設定された周波数の電磁波を発振する電磁波供給部と、前記電磁波供給部から供給された前記電磁波及び渦流ガスからプラズマを発生させる放電管と、前記放電管に前記渦流ガスを供給する渦流ガス供給部と、前記放電管で発生された前記プラズマとシランガスとの反応により二酸化珪素及び水が生成される反応炉と、前記放電管内に前記プラズマの発生のための初期電子を供給する点火部と、前記反応炉の上端に形成され、前記反応炉内部の前記プラズマに前記シランガスを供給するシランガス供給部と、前記反応炉で生成された前記二酸化珪素及び水を排出するガス排出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】充填筒に充填したガス処理剤を有効に使用し、充填筒の交換の際にも排ガスを系外に放出することなく充填筒を安全に交換することができる排ガス処理方法を提供する。
【解決手段】ガス処理剤をそれぞれ充填した複数の充填筒１０，２０に排ガスを導入し、該排ガス中の有害成分を除去処理する排ガス処理方法において、前記複数の充填筒の内の一つの充填筒１０に前記排ガスを導入して前記有害成分の除去処理を行い、該充填筒１０から導出した処理ガスを検出手段３０に導入して前記有害成分の有無を検出し、該検出手段から導出される処理ガスを他の充填筒２０を経由して排出するとともに、該検出手段で有害成分を検出したときに、排ガスの導入を他の充填筒２０に切り換えた後、該一つの充填筒１０内の有害成分をパージし、パージガスを検出手段３０を通じて他の充填筒２０に導入し、検出手段３０で有害成分が検出されなくなったら新たな充填筒に交換する。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇を抑えつつ、従来よりも簡便に、ケイ素の水素化物を含む気体中からケイ素の水素化物を除去する。
【解決手段】ケイ素の水素化物を含む気体中から前記ケイ素の水素化物を除去するガス処理方法であって、ケイ素の水素化物を含む気体からなる直径１０μｍ以下の気泡と水とを接触させることを特徴とするガス処理方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】熱交換器に対する二酸化ケイ素の堆積を確実に防止すると共に、設備のイニシャルコストやランニングコスト及びメンテナンスコストの低減化を図り、排気処理の効率を高める。
【課題を解決するための手段】
本発明に係る排気処理システム１は、有機シリコンが濃縮された濃縮排気を燃焼させて浄化処理する燃焼装置３と、燃焼装置３から排出された高温排気と受熱側ガスとの間で熱交換させる熱交換器４，５と、を備え、熱交換器４，５から排出された放熱後の排気の温度が所定温度以上となるように制御されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＰＦＣガスによる高温腐食に対して、すぐれた耐食性を有し、かつ、排ガス処理装置を軽量化・小型化する排ガス処理装置用部材を提供すること。
【解決手段】基材の表面にＮｉ−Ａｌ合金層を形成した半導体・液晶製造装置からの排ガス処理装置用部材であって、基材の材質がＮｉ−Ｃｒ−Ｍｏ合金またはＮｉ−Ｃｒ−Ｆｅ合金であり、Ｎｉ−Ａｌ合金層が厚さ：１０〜２００μｍであり、組成：Ａｌ；１０〜６０重量％で、ＣｏとＭｏとＦｅとＷの含有量の合計が２５重量％以下で、残部：Ｎｉと不可避不純物であることを特徴とする排ガス処理装置用部材基材により、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体、液晶などの製造工程から排出されるシラン系化合物を含む排ガス及びＰＦＣｓを含む排ガスを同時に分解処理する排ガス処理装置及び排ガス処理方法に係り、コンパクトであり、シリカの除去が簡単で省エネルギーの処理ができるようにした。
【解決手段】筒状の電気ヒータ３により予備分解部２１となる外筒側と本分解部２２となる内筒側とに区画した二重筒状の分解部２を形成し、シラン系化合物を含む排ガス及びＰＦＣｓを含む排ガスを同時に予備分解部２１の一端側に導入して、予備分解部２１及び本分解部２２の他端側において、予備分解部２１からの予備分解された予備分解ガスを反転させて本分解部に導入するとともに、添加ガスを導入して予備分解ガスに混合し、予備分解部２１及び本分解部２２で分解処理された処理ガスを、本分解部の一端側から放出するようにして、コンパクトでシリカの除去が簡単な省エネルギーの処理を可能とした。 （もっと読む）

【課題】吸気管の詰まりが生じない気液混合攪拌装置を提供する。
【解決手段】導水管２の内部に吸気管１３を装着して、吸気管の下端から排出されるガスを導水管内の水と混合させる気液混合攪拌装置において、吸気管内に可撓性チューブ１８を挿着して該可撓性チューブの下端部１８ｃを前記吸気管の下端部１３ｃに対向させ、前記吸気管の下端部側と前記可撓性チューブの下端部側とを離間させて内側流水路６を形成するとともに、前記吸気管に、前記内側流水路と連通する分水孔２２を貫設する。 （もっと読む）

【課題】 高い分解処理能力を従来よりも長時間にわたって維持することができるフッ素含有ガスの分解処理剤を提供する。
【解決手段】 主成分として水酸化カルシウムとおよび水酸化アルミニウムを含み、前記主成分100質量％に対して、ＣＯ_２の含有量が0.1質量％以上２質量％以下である分解処理剤である。この分解処理剤を用いれば、分解処理剤とフッ素含有ガスとの反応速度の適正化が図られ、フッ素含有ガスの高い分解処理能力を長時間にわたって維持することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置から排出されたガスを洗浄することができる排ガス処理装置を提供する。
【解決手段】
排ガス処理装置１は、内部に液体３１が貯留されるチャンバー１０と、チャンバーに、チャンバーに貯留される液体の液面よりも上方に形成された空間に臨んで設けられたガス導入口２０及びガス排出口５０と、チャンバー内に設けられた隔壁部３０により画成され、ガス導入口及びガス排出口に連通するガス流路４０と、ガス排出口に接続され、チャンバーから排出されたガスが通過するガス排出路５１と、ガス排出路に介設され、チャンバー内を排気する排出手段とを備えた排ガス処理装置であって、ガス排出路の排出手段より下流側から分岐して前記ガス流路の一端側に連通する循環路６０を備えている。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に用いられる薄膜シリコンを成膜するためのプラズマＣＶＤ装置から排出される排ガスを処理する装置を小型化する技術を提供する。
【解決手段】半導体製造装置２０から排出された混合ガスをポンプ１２を用いてフィルタ部３０に送出し、フィルタ部３０で高次シランを除去した後、深冷分離を利用した分離部４０を用いて混合ガスを水素とモノシランとに分離する。分離されたモノシランは、シランガス除害部５０により除害される。また、分離された水素は、水素ガス排気部６０により大気に放出される。 （もっと読む）

【課題】排ガス中の非水溶性有機溶剤成分を除去し、ＶＯＣガスの発生を抑制する。
【解決手段】排ガス処理装置１は、容器１１及び容器１１内に水を噴霧する噴霧器１２を有するスクラバーユニット１０と、外部装置から排出された非水溶性有機溶剤を含む第１ガスＧ１を容器１１に供給する第１配管２１と、水溶性有機溶剤を含む第２ガスＧ２を、第１配管２１を介して、又は直接、容器１１に供給する第２配管２２と、を備える。容器１１内において、噴霧器１２から噴霧された水により、前記水溶性有機溶剤及び前記非水溶性有機溶剤が吸着除去された第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２の混合ガスＧ３’は、第３配管２３を介して容器１１から排出される。 （もっと読む）

【課題】四塩化ケイ素を亜鉛によって還元し、高純度シリコンを製造する亜鉛還元法シリコン製造において副生する反応排ガスを適正に処理・回収する処理装置を提供することを課題とした。
【解決手段】本発明は、亜鉛還元法によるシリコン製造に於ける生成排ガスの処理において、該生成排ガスを塩化亜鉛水溶液を循環した塔の上部から導入して吸収させるガス吸収溶解機構、該塩化亜鉛水溶液の循環機構、該生成排ガスを吸収した塩化亜鉛水溶液の濾過機構、該生成排ガスを吸収した塩化亜鉛水溶液の濃度調整機構、並びに前記処理を行った塩化亜鉛水溶液の保持機構を有する排ガスの処理装置である。 （もっと読む）

【課題】 有害成分を含む排ガスを、浄化剤と接触させることにより有害成分を除去するとともに、有害成分による浄化筒の破過を検知剤により検知する浄化筒であって、浄化筒が破過する前の検知剤の変色を一箇所の覗窓で正確に検知することが可能で、有害成分の浄化筒下流側への流出を防止できる浄化筒を提供する。
【解決手段】 浄化筒の内壁面の水平断面と同等の大きさの外形状を有し外周に沿って切欠部を有する仕切板を１枚使用し、該仕切板を浄化筒の内壁に密着して配置するとともに、有害成分の検知剤の充填部及びその覗窓を、仕切板の切欠部の近辺に一箇所設ける。または、前記のような仕切板を２枚使用し、切欠部の位置が互いに反対側となるように、有害成分の浄化剤の予備充填部の最上流部及び最下流部に配置するとともに、有害成分の検知剤の充填部を、上流側の仕切板の切欠部の近辺に設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、トリメチルシラノールの脱着率の低いトリメチルシラノール用吸着剤、前記吸着剤を担持したケミカルフィルタ、及び前記ケミカルフィルタを設置した半導体素子製造装置又は半導体素子製造用クリーンルーム、並びにトリメチルシラノールの除去方法を提供することにある。
【解決手段】前記課題は、ＢＥＴ法により求められる比表面積が１３５０ｍ^２／ｇ以下であり、且つ嵩密度が０．６００ｇ／ｍＬ以上である活性炭からなることを特徴とするトリメチルシラノール用吸着剤、又は前記活性炭を半導体素子製造におけるフォトリソグラフィ工程の排気に接触させることを特徴とするトリメチルシラノールの除去方法によって解決することができる。 （もっと読む）

【課題】像担持体の帯電むらを発生させることなく，余分な電力を消費すると言った運転効率の低下を招かない画像形成装置を提供すること。
【解決手段】 少なくとも，転写部材表面に未定着のトナー像を付着させる転写手段と，前記転写手段によって転写されたトナー像を前記転写部材に加熱定着させる定着手段と，前記定着手段近傍の空気を定着装置近傍から排気する排気ダクトとを備えてなる画像形成装置であって，前記排気ダクト内に設けられた帯電手段と，当該画像形成装置に設定された印刷条件を検知する印刷条件検知手段と，前記帯電手段に与える流れ込み電流の値を，前記印刷条件検知手段によって検知された印刷条件あるいは環境条件に応じて制御する制御手段と，を備えてなる画像形成装置。 （もっと読む）