【課題】半導体パッケージや電子部品の実装基板で用いられるワイヤボンディングの接合性を向上させる。
【解決手段】ワイヤ１２の先端に形成されたボール１４の表面にフェムト秒レーザを照射して縞状の第１の凹凸１６を形成する。次に、ボール１４を第１の電極２０に接触させて超音波振動を印加しながら押し潰すことにより、ワイヤ１２を第１の電極２０にボンディングする。ここで、第１の凹凸１６が延びる方向は、超音波振動の振幅方向に直交する。これにより、接合界面の結晶が微細化されるため、低荷重でも塑性変形がしやすく、金属拡散接合しやすくなり、接合性が向上する。 （もっと読む）

【課題】大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の炭化珪素基板１１の第１の側面Ｓ１と、第２の炭化珪素基板１２の側面Ｓ２とが互いに面するように、処理室６０内にベース部３０および第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。処理室６０の内面の少なくとも一部は、Ｔａ原子およびＣ原子を含む吸収部５２によって覆われている。第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２を互いに接合するために、炭化珪素が昇華し得る温度以上に処理室６０内の温度が高められる。温度を高める工程において吸収部５２の少なくとも一部が炭化される。 （もっと読む）

【課題】Ａｕ−Ｓｉ共晶接合の接合信頼性を高めることができる接合方法を提供する。
【解決手段】２枚の基板１，２をＡｕ−Ｓｉ共晶接合により接合する接合方法であって、第１のシリコン基板１０を用いて形成された第１の基板１と第２のシリコン基板２０を用いて形成された第２の基板２とを用意する。接合装置のチャンバ内で第１の基板１のＡｕ膜１３と第２の基板２の第２のシリコン基板２０とが接触するように両基板１，２を重ね合わせて荷重を印加した状態で、両基板１，２をＡｕ−Ｓｉの共晶温度よりも高い規定温度まで昇温する昇温過程、両基板１，２の加熱温度を上記規定温度に所定時間だけ保持する温度保持過程、両基板１，２を室温まで降温させる降温過程を順次行うようにし、降温過程では、両基板１，２を上記規定温度から急速冷却する。 （もっと読む）

【課題】金属長尺材から作成されたジャンパー線を回路基板上の電気回路間をつなぐ部分に運搬して超音波振動で接合する作業の効率化を図る。
【解決手段】回路基板８を水平面内で前後方向および左右方向に移動する搭載台装置２と金属長尺材１３からジャンパー線１７を作る整形装置３とジャンパー線１７を整形装置３から接合装置５の側に運搬する搬送装置４とシャンパー線１７を回路基板８の上の複数の電気回路９の間をつなぐ部分に超音波振動で接合する接合装置５とが互いに独立しており、搭載台装置２が装置本体１の中央部に配置され、整形装置３が装置本体１の左部に配置され、搬送装置４が装置本体１の前部に配置され、接合装置５が装置本体１の後部に配置され、整形装置３及び搬送装置４による作業と搭載台装置２及び接合装置５による作業とが同じ作業時間内で互いに並行して行われるように制御装置６によって相関関係を保ちながら動くように制御される。 （もっと読む）

【課題】ウェハを加圧する加圧モジュールに流体を利用する場合、圧力伝達部材と圧力伝達部材に取り付けられている他の構造体との境界から、加圧された流体の漏出が問題となる。
【解決手段】上記課題を解決するために、外部から出入させる流体を制御することにより被加圧体を加圧する加圧モジュールは、被加圧体に流体による加圧圧力を伝達する圧力伝達板と、圧力伝達板との間に空間を形成するように圧力伝達板を支持する基台部と、流体が圧力伝達板に直接接触しないように空間に介在し、圧力伝達板に密着して流体による加圧圧力を伝達する圧力シートとを備える。 （もっと読む）

【課題】一方の金属部材を他方部材に接合しても、長期にわたって接合の信頼性を得る金属部材の接合方法及び接合金属部材ユニットをもたらす。
【解決手段】平面視で平行状の対向２辺を有したリッド３をパッケージ本体２に接合する際に、前記対向２辺で、各辺の中央付近から当該辺の一方の端部ア、エまでローラー電極４、４を通電しつつ押圧移動して接合Ａ１、Ａ１を行う一端方向接合工程と、各辺の前記中央付近から当該辺に沿って前記移動の方向とは反対方向の他方の端部イ、ウまでローラー電極４、４を通電しつつ押圧移動して接合Ａ２、Ａ２を行う他端方向接合工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】接合対象をより安定して取り扱うこと。
【解決手段】カートリッジと、そのカートリッジが載せられるキャリッジと、静電チャックと、その静電チャックを駆動する圧接機構とを備えている。そのカートリッジは、所定領域の表面粗さが所定の表面粗さより大きくなるように、形成されている。このとき、そのカートリッジは、ウェハがその所定領域に接している場合で、ウェハが静電引力によりその静電チャックに吸着されているときに、ウェハとともにその静電チャックに吸着されないで、その静電チャックが移動しても移動しない。この結果、このような接合装置は、その静電チャックの吸着力を変化させることなく、かつ、ウェハに所定の加工を施すことなく、ウェハをより安定して取り扱うことができる。 （もっと読む）

【課題】接合基板に発生する反りをより低減すること。
【解決手段】第１基板の第１基板表面と第２基板の第２基板表面とに粒子を照射することにより、その第２基板表面とその第１基板表面とを活性化させるステップＳ２と、その第１基板の温度とその第２基板の温度との温度差を小さくするステップＳ３と、所定温度差よりその温度差が小さくなった後に、その第２基板表面とその第１基板表面とを接触させることにより、その第２基板とその第１基板とを接合するステップＳ４とを備えている。このような接合方法によれば、その温度差が所定温度差より小さくなる前に接合された他の接合基板に比較して、その第２基板とその第１基板との熱膨張に起因する反りをより低減することができる。 （もっと読む）

【課題】
各々の部品が有する形状や特性を接合後も損なうことなく、かつ接合の信頼性が高く実用に耐えうる接合体を提供すること。
【解決手段】
接合されている２つ以上の精密部品のうち、少なくとも１つが非晶質相を主相とする合金からなる場合において、非晶質相を主相とする合金の結晶化温度以下の温度帯で溶解する、一般式（１）にて示される組成式によって構成された接合母材を接合界面に用いた精密部品の接合体及び非晶質相を主相とする合金からなる部材の接合界面側にＡｕ, Ｐｔ, Ｐｄ及びＮｉのうち少なくとも何れか１種を含有する箔層と、一般式（１）にて示される組成式によって構成された接合母材を接合界面に用いた精密部品の接合体
一般式（１）：Ａｕ_100-xＭ_x
但し、ＭはＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎのうち少なくとも１種を必ず含む任意の元素群であり、ｘは原子％で、１７．５≦ｘ≦４０である。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダに塵埃をなるべく付着させないような技術が求められている。
【解決手段】複数の半導体基板を接合して製造される半導体デバイスの製造方法であって、重ね合わされた複数の半導体基板を加熱して接合する接合ステップと、接合ステップにより接合された複数の半導体基板を冷却室で冷却する冷却ステップと、接合ステップに先立って複数の半導体基板を冷却室に載置し、複数の半導体基板の温度と冷却室の温度差によって生じる熱泳動により複数の半導体基板に付着した塵埃を除去する塵埃除去ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】基板接合過程において、加熱される接合基板の温度分布の均一化を図る。
【解決手段】複数の基板を挟んだ一対の基板ホルダを保持する保持部と、保持部に保持された一対の基板ホルダを誘導加熱する誘導加熱部とを備える加熱装置が提供される。加熱装置は、一対の基板ホルダを備え、一対の基板ホルダの少なくとも一方は、誘導加熱部からの磁場により渦電流を生じる導電部材が配される。一対の基板ホルダの少なくとも一方は、導電部材に供給される電圧により基板を静電吸着する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの直径が大きくなる傾向にある近年、重ねあわされる互いのウェハ全面において均一に加圧加熱することが困難になってきている。
【解決手段】ウェハを加圧加熱する加圧加熱モジュールは、軸方向に押圧力を発生させるアクチュエータに接続された支柱部と、押圧力を受けた支柱部に押圧されるヒータプレートと、ヒータプレートに押圧及び加熱されるステージ部を備え、支柱部がヒータプレートを押圧する第１の押圧面は、ヒータプレートがステージを押圧する第２の押圧面より小さい。 （もっと読む）

【課題】コストを低減した複合材料の製造方法および複合材料を提供する。
【解決手段】複合材料１０の製造方法は、以下の工程を備えている。開口部を有する表面を含む金属基材１１を準備する。２００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する熱伝導性粒子を含む粉末と、金属基材１１を構成する材料と異なる金属材料を含む金属粉末とを、金属基材１１の表面１１ａの開口部に供給する。粉末と、金属粉末と、金属基材１１とを摩擦攪拌することにより、複合材料部１２を形成する。複合材料１０は、表面１１ａを有する金属基材１１と、金属基材１１の表面１１ａに配置された複合材料部１２とを備えている。複合材料部１２は、２００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する熱伝導性粒子を含み、かつ金属基材１１を構成する金属材料を含む合金であり、熱伝導性粒子は、複合材料部において１０ｖｏｌ％以上７０ｖｏｌ％以下の体積含有率を有する。 （もっと読む）

【課題】接合しようとする一対の基板の接合面を１台の処理設備により効率よく短時間でプラズマ処理し、それに続いて容易に基板の接合をする。
【解決手段】プラズマ基板表面処理接合装置は、接合する一対の基板１８、２８の接合面をプラズマ処理するためのプラズマ電極３２と、そのプラズマ処理した一対の基板１８、２８の接合面を当接して接合するホルダ押し上げロッド３１とを有する。一対の基板１８、２８を互いに対向させた状態で位置決めピン２４と位置決め孔１４とにより相互に位置決めする。前記ホルダ押し上げロッド３１により基板の接合面を互いに離間して対向させ、その接合面の間にプラズマ電極を挿入してプラズマを形成し、基板１８、２８の接合面を同時にプラズマ処理する。その後基板１８、２８の接合面を当接するよう基板を移動し、基板１８、２８を加圧して圧着する。 （もっと読む）

【課題】コストを低減した複合材料の製造方法および複合材料を提供する。
【解決手段】複合材料１０の製造方法は、熱伝導性粒子を含む相を金属基材１１の表面１１ａの開口部に供給する工程と、相と接触する金属基材１１と、相とを摩擦攪拌する工程とを備えている。複合材料１０は、表面１１ａを有する金属基材１１と、金属基材１１の表面１１ａに配置された金属基複合材料１２とを備えている。金属基複合材料１２は、金属基材１１を構成する金属材料と、５０ｖｏｌ％以上７０ｖｏｌ％以下の体積含有率を有する熱伝導性粒子とを含む。 （もっと読む）

【課題】接合部の接合強度および密閉性能を向上させることができる密閉容器の製造方法を提供する。
【解決手段】筒体１０の開口部に、この開口部を封止する蓋体３０を摩擦攪拌接合によって固定して構成される密閉容器の製造方法において、蓋体３０の外周面に、筒体１０の内周面との当接面３１を蓋体３０の外周面から内側に下がって形成して、当接面３１に凹溝３２を形成し、蓋体３０の当接面３１を筒体１０の内周面に当接させ、蓋体３０の段差側面３３と筒体１０の開口端面１３を突き合せた状態で、段差側面３３と開口端面１３との突合部２に沿って回転ツール５０を一周させ、突合部２に塑性化領域３を形成しつつ、凹溝３２に塑性流動化されたメタルを流入させて、蓋体３０を筒体１０に固定する。 （もっと読む）

【課題】電気部品の多くがはんだ付けによって実装されているが、はんだは鉛とスズを主成分とする合金であるため、その使用が禁止される傾向にあるため、はんだを用いないで電気部品の電気接続が可能な接続装置を提供する。
【解決手段】処理室にマイクロ波電力と共に水素ガスを供給し、水素ガスの還元性気体の中で表面波プラズマを発生させるプラズマ発生装置を備え、酸化被膜２４、２５が形成された電気接続端子２２とプリント配線２３ａを接合させてコネクタ２０をプリント配線基板２３に配置した後、プリント配線基板２３を前記処理室に収容して表面波プラズマに晒し、上記した酸化被膜２４、２５や汚れなどを還元して電気接続端子２２をプリント配線２３ａに接続し、コネクタ２０をプリント配線基板２３に実装した構成としてある。 （もっと読む）

【課題】被接合物への付着物を低減し、良好な接合状態を実現することが可能な接合技術を提供する。
【解決手段】両被接合物９１，９２の接合表面のそれぞれに向けてエネルギー波（例えばビーム照射部１１，１２による原子ビーム）を照射することにより、両被接合物９１，９２の接合表面のそれぞれを活性化する。その後、表面活性化処理が施された両被接合物９１，９２の少なくとも一方を移動する。移動後において対向状態を有する両被接合物９１，９２の対向空間の側方から当該対向空間に向けてエネルギー波（例えばビーム照射部３１によるイオンビーム）を照射することにより、両被接合物９１，９２の接合表面を活性化するとともに、両被接合物９１，９２を接近させて当該両被接合物を接合する。 （もっと読む）

【課題】電気部品への熱影響を排除した電気部品の接続方法および接続装置、並びに熱影響を排除した複合部品を提供する。
【解決手段】本発明の電気部品の接続方法は、基板ＷのパッドＰに電気部品ＥＰのリードＬを重ね合わせて配置し、重複配置されたパッドＰおよびリードＬの重複部を含む近傍領域に、ノズル３０から金属微粒子Ｇを気体の噴流に乗せて噴射して衝突固着させ、常温かつ常圧下においてパッドＰにリードＬを接続固定するように構成される。 （もっと読む）

【課題】ガス抜き通路の存在を前提とし、伝熱性を高めることができる半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】想像線で示す発熱性半導体素子１４の真下に、接合層２１が配置されている。同様に、想像線で示す発熱性半導体素子１５の真下に、接合層２２が配置され、発熱性半導体素子１６の真下に、接合層２３が配置され、発熱性半導体素子１７の真下に、接合層２４が配置されている。
【効果】発熱性半導体素子で発生した熱は、図面上から下へ最短距離を進むため、効果的に排熱される。 （もっと読む）