説明

Fターム[4G026BF44]の内容

セラミックスの接合 (5,845) | 中間材(接合剤) (1,378) | 中間材の形態 (403) | 粉体又は粒体 (231) | ペースト (194)

Fターム[4G026BF44]に分類される特許

121 - 140 / 194


【課題】 接着材ペーストを充填する際に接着材ペーストの流動性が低くなることを防止して、作業効率よく接着材ペースト層を形成することのできるハニカム構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 原料組成物を成形することにより、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された柱状のハニカム成形体を作製する成形工程と、上記ハニカム成形体を焼成してハニカム焼成体を作製する焼成工程と、保水剤を含む保水性接着材ペーストを調製する保水性接着材ペースト調製工程と、複数の上記ハニカム焼成体を上記保水性接着材ペーストを用いて接着してハニカム集合体を作製する接着工程とを含むことを特徴とするハニカム構造体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】半田流れによる回路の短絡や部品の接合不良が少なく動作信頼性に優れ、高い製造歩留りで容易に量産することが可能なセラミックス回路基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の表面に厚さが0.1〜0.5mmである複数の金属回路板3を接合し、上記金属回路板3の表面に半田層7を介して半導体素子8などの部品を一体に接合したセラミックス回路基板1の製造方法において、上記部品を半田接合する金属回路板3,3の少なくとも他の金属回路板3,3と隣接する周縁部に半田流れを防止する突起9、9aを形成する工程と、この突起9、9aの高さが5〜50μmの範囲であり、突起9、9aの幅が0.1〜0.5mmの範囲に調整する工程とを備え、上記突起9,9aとして、金属板素材をプレス成形により打ち抜いて所定の金属回路板とする際に、回路板周縁に形成されるばりをそのまま突起として利用することを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】はみ出し部を持ったセラミックス回路基板のクラック防止、曲げ強度向上、短絡防止等を図る。
【解決手段】セラミックス基板の少なくとも一方の面に複数の回路パターンに沿ったろう材層を形成し、当該ろう材層はAg−Cu―In−Ti系のろう材からなり、このろう材を介して金属板を接合し、当該金属板の不要部分をエッチング処理することにより前記金属板からなる回路パターンを形成すると共に、前記金属板の外縁からはみ出した前記ろう材層によるはみ出し部を形成したセラミックス回路基板において、前記はみ出し部の最大面粗さRmaxが5〜50μmであり、前記セラミックス基板と金属板の接合強度(ピール強度)が20kN/m以上であるセラミックス回路基板である。 (もっと読む)


【課題】ハニカムセグメント間の接合層の厚さを所望の厚さとし、ハニカムセグメントの接合時のずれを防止し、寸法不良が少ないハニカム構造体を形成することのできるスペーサー付ハニカムセグメント、及びそのスペーサー付ハニカムセグメントによって構成されたハニカム構造体を提供する。
【解決手段】ハニカムセグメント10は、その外周壁7の外周面7sの軸方向の一端側と他端側の両端面位置より軸方向内側の所定の領域内に、それぞれスペーサー11が備えられている。そして、スペーサー11は、外周面の一方の長辺7xから他方の長辺7xへ、その中心を経由する経路長の30〜80%を占めるように形成されている。つまり、スペーサーが短辺7yに沿った方向に並んで配置されているため、短辺7yの長さaに対して、スペーサー11の短辺方向の長さb+bがaの30〜80%となるように形成されている。 (もっと読む)


本発明は、粒子を含んだガスの濾過用のハニカムタイプのガスフィルタ構造に関し、この構造は、多孔質濾過壁によって隔てられた相互に平行な軸線を有して長手方向に隣接した流路の集合体を備え、各流出路は、6つの流入壁に共通の壁を有し、各共通壁は流出路の1面を構成し、各流出路は、ほぼ六角形で規則的な断面の流路を形成するために、ほぼ同一の幅aの6面から構成され、各流入路の少なくとも2つの隣接した面が異なる幅を有し、1つの同一の流出路と壁を共有する少なくとも2つの流入路が、その2つの流入路の間に幅bの共通壁を共有し、幅の比率b/aが1と同一である。
(もっと読む)


【課題】耐熱性に優れたハニカム構造体を提供すること。
【解決手段】本発明のハニカム構造体1は、多孔質のSiCセラミックスよりなるハニカム分体2と、二つのハニカム分体2の間に位置し、ハニカム分体2を接合するSiCハニカム用接合材層5と、を有するハニカム構造体1であって、SiCハニカム用接合材層5は、平均粒径(D50)が5μm以下のSiCよりなる微細粉末と、平均粒径(D50)が5〜100μmのSiCよりなる粗大粉末と、繊維長が10μm〜1mmの無機繊維と、各粉末および無機繊維が分散した分散媒と、有機バインダおよび/または無機バインダよりなるバインダと、を有する接合材より形成されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ハニカムセグメントに均等に加圧可能、かつ、外周にあるハニカムセグメントをバランスよく乾燥可能であり、安定的な接合幅を保ち、コスト削減を達成し得る、ダミーセグメントを使用するハニカムセグメント接合体の作製方法を提供する。
【解決手段】隔壁により仕切られ軸方向に貫通する複数のセルを有するハニカムセグメント3の複数個を、接合材4で接合することにより一体化する接合工程を含むセラミックスからなるハニカム構造体の製造方法であって、いずれかの隅部にハニカムセグメントセグメントの代わりにリサイクル可能なダミーセグメントを使用するハニカムセグメント接合体の作製方法。 (もっと読む)


【課題】炭化ケイ素よりなる接合構造用部材を、炭化ケイ素を含む接合剤で接合する際に、紐状導液部材を当該接合構造用部材の接合部近傍に容易かつ確実に取り付けることができ、かつ、接合作業の後は紐状導液部材を容易に切除することのできる炭化ケイ素接合構造用部材及び炭化ケイ素接合構造用部材の接合方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素接合構造用部材11は、炭化ケイ素を含む接合剤14を用いた焼結処理により他の炭化ケイ素接合構造用部材12と接合される接合部の近傍に、この焼結処理用の金属ケイ素を当該接合部に導くための紐状導液部材21を保持する保持部材11bを備える。 (もっと読む)


【課題】窒化アルミニウム焼結体よりなるチューブと高融点金属棒状体との接合部において高い気密性が得られるような電極構造体の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の電極構造体の製造方法は、窒化アルミニウム焼結体よりなるチューブ11の孔部に高融点金属棒状体12を遊嵌させ、該チューブ11と該棒状体12とを接合してなる電極構造体の製造方法であって、前記チューブ11に前記棒状体12を遊嵌させたときに、該チューブの接合予定面14と該棒状体の接合予定面15とが鈍角をなすように、該チューブ11が形成されており、前記チューブの接合予定面14と前記棒状体の接合予定面15との間に、窒化アルミニウムおよび高融点金属を含む混合ペーストを介在させ、該混合ペースト中の窒化アルミニウムと高融点金属とを焼結させて、該チューブ11と該棒状体12とを接合することを特徴とする。 (もっと読む)


ハニカム体に施用するためのセメント組成物を開示する。セメント組成物は、塞栓するセメント組成物、セグメントセメント、または後施用する人工表皮またはコーティングとして、施用することができる。セメント組成物は、一般に、100nmを超える粒径を有する実質的に無機粒子からなる無機粉末バッチ混合物を含む。セメント組成物はさらに、有機結合剤、液体溶媒、および1つ以上の随意的な加工助剤を含みうる。本開示のセメント組成物を施用したハニカム体およびその作製方法についても開示する。
(もっと読む)


【課題】一体的に接合された複数のハニカムセグメント間の接合材層の組織にばらつきが生じて強度特性が低下することを防止するハニカムセグメント接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】隔壁により仕切られ軸方向に貫通する複数のセルを有する導電性セラミックスにより形成されたハニカムセグメント10を接合材を介して積層し、複数積層されたハニカムセグメント10の最外周に位置するハニカムセグメント10によりも、内側に位置するハニカムセグメント10に高電圧を印加する。個々のハニカムセグメント10の軸方向の一方の端面から他方の端面に電流を流すことにより、ハニカムセグメント10を発熱させ、これにより接合材を乾燥させてハニカムセグメント10どうしを密着固定して接合する。 (もっと読む)


【課題】細孔や溝等を有する複雑な形状の炭化ケイ素セラミックス材であっても、前記細孔や溝等を接合材により閉塞させることなく、接合体を得ることができる炭化ケイ素セラミックス材の接合方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素セラミックス材同士を、シリコンを含むロウ材を用いて接合させる際、前記炭化ケイ素セラミックス材の非接合面に、予め、熱酸化法、CVD法またはプラズマ酸化法により、酸化膜を形成しておき、接合面間にロウ材を介在させて接合させる。 (もっと読む)


【課題】 局部的な温度変化により発生した熱応力を緩和でき、クラックが発生することがなく、強度、耐久性及び昇温特性に優れる排気ガス浄化用ハニカムフィルタを提供すること。
【解決手段】 多数の貫通孔が隔壁を隔てて長手方向に並設された柱状の多孔質セラミック部材が接着剤層を介して複数個結束され、上記貫通孔を隔てる隔壁が粒子捕集用フィルタとして機能するように構成された排気ガス浄化用ハニカムフィルタであって、
上記接着剤層の単位体積当たりの熱容量が上記多孔質セラミック部材の単位体積当たりの熱容量よりも低いことを特徴とする排気ガス浄化用ハニカムフィルタ。 (もっと読む)


【課題】 炭化ケイ素よりなる部材同士が炭化ケイ素を含む接合剤で接合された構造体において、接合剤等が部材の表面に盛り上がって露出することを防止することのできる炭化ケイ素構造体を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素構造体10は、炭化ケイ素よりなる第1の部材11と、炭化ケイ素よりなる第2の部材12とを有している。第1の部材11は凸部11aを有し、第2の部材12は第1の部材11の凸部11aに嵌まり合う非貫通の凹部12aを有し、この第1の部材11の凸部11aと第2の部材12の凹部12aとを含む接合部が接合剤13により接合されている。 (もっと読む)


本発明は、少なくとも1種類のセラミック材料と少なくとも1種類の超硬材料とを含有するセラミック複合材料部品を、少なくとも1つの他の部品に接合する方法において、該セラミック複合材料部品の1つ以上の接合表面を処理する工程、及び該処理された1つ以上の表面又は該表面の一部の上に、該セラミック複合材料部品に対してだけでなく少なくとも1つの他の部品に対しても、十分な熱を加えることによって、結合させることのできる材料を配置する工程と、を含む、上記方法に関する。本発明は、セラミック材料と少なくとも1種類の超硬材料とを含有するセラミック複合材料部品であって、少なくとも1つの他の部品に結合されたセラミック複合材料部品を有する物品において、該セラミック複合材料部品と該他の部品との間の境界面に含まれる、付着層、ろう付け可能な層、及び耐酸化性(ろう付け適合性)層から選ばれた少なくとも1つの層、又はそれらの組合せを有する、上記物品に及ぶ。 (もっと読む)


【課題】温度変化による反りが少なく、熱膨張を抑えた、優れた温度安定性を示すタンタル酸リチウム(LT)又はニオブ酸リチウム(LN)単結晶薄板を用いた複合基板を提供することを解決すべき課題とする。
【解決手段】 本発明の複合基板は、鉄、銅、マンガン、モリブデン、コバルト、ニッケル、亜鉛、炭素、マグネシウム、チタン、タングステン、インジウム、錫、レニウム、スカンジウム、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、銀、白金、金、イットリウム、ネオジウム、イリジウム、ゲルマニウム、バリウム、セシウム、ストロンチウム、ガリウム、セリウム及びその他の遷移元素から選ばれる少なくとも一種以上の添加元素を0.002wt%以上0.1wt%以下の割合で含有するLT単結晶又はLN単結晶からなる単結晶薄板と、該単結晶薄板の一面に接合された低熱膨張基板と、からなることを特徴とする。 (もっと読む)


【解決手段】ケイ素(Si)、炭化ケイ素(SiC)、およびホウ素(B)からなる(A)成分、6ホウ化ケイ素(SiB)及び/または4ホウ化ケイ素(SiB)からなる(B)成分、及びフェノール樹脂からなる(C)成分を含有する炭化ケイ素セラミックス用の接着剤組成物、及びこれを用いた接着方法。
【効果】本発明に係わる接着剤組成物および接着方法は、炭化ケイ素セラミックス部材を含む被接着部材を容易にかつ強固に接着することができ、また接合剤が被接着部材間から漏出することを防止できるので、接合体の外観を損なうことなく、また接合時における歩留まりを高く維持し、かつ強固に接着させることができる。半導体製造プロセスに使用される炭化ケイ素セラミックス成形体、エンジン部品、ケミカルプラント部品、あるいはエレクトロニクスプラント用品等の製造あるいは修理に好適に利用することができる。 (もっと読む)


【課題】高いアイソスタティック強度と高い改質率を有する触媒担持体を提供する。
【解決手段】2つの開口面および外周面を有し、前記2つの開口面間に延在するセルがセル壁によって区画されたセラミックブロックを有する触媒担持体であって、前記セラミックブロックは、組み合わされた際に、該セラミックブロックの外周部を構成する外周側ハニカムユニットと、前記セラミックブロックの中央部を構成する中央側ハニカムユニットとを、接着層を介して組み合わせることにより形成され、前記外周側ハニカムユニットは、該ハニカムユニットの外周面を構成する外周セル壁を有し、該外周セル壁は、前記セラミックブロックとして組み合わされた際に、該セラミックブロックの外周面を形成する最外周セル壁を有し、前記外周側ハニカムユニットは、前記最外周セル壁と接するセルの、前記最外周セル壁と接する側のコーナー部が曲面化されている、触媒担持体。 (もっと読む)


【課題】接着層および/またはコート層内でのマクロポアの形成を回避し得るハニカム構造体の製造方法。
【解決手段】セル壁で区画されたセルを有する複数のハニカムユニットを接着層で接合してセラミックブロックを形成する工程、またはセル壁で区画されたセルを有する一つのハニカムユニットでセラミックブロックを形成する工程と、前記セラミックブロックの外周部にコート層を設置する工程と、を有し、さらに、前記ハニカムユニットの接合面に、直径が1〜50μmの範囲の発泡材料の粒子を含む接着層用のペーストを設置する工程、および/または前記セラミックブロックの外周部に、直径が1〜50μmの範囲の発泡材料の粒子を含むコート層用のペーストを設置する工程と、前記発泡材料を発泡させる工程と、前記発泡材料を消失させ、直径100〜300μmの範囲の気泡痕を形成する工程と、を有するハニカム構造体の製造方法。 (もっと読む)


常に比較的高い電圧領域における出力電子機器の広まりによって、高い絶縁電圧と、高い部分放電耐性に関する要求は厳しくなっている。したがって、セラミックボディ(2)がメタライジング部(5,6;11)によってセラミックボディ(2)の表面(3,4)の少なくとも1つの領域においてカバーされており、セラミックボディ(2)が立体的に構造化されていて、同種又は種々異なる材料から成るメタライジング部(5,6)の少なくとも2つの層の間、及びメタライジング部の層(5;11)とセラミックスとの間の部分放電耐性が20pCより小さい、セラミックボディ(2)を備えた構成部材(1)を提案する。
(もっと読む)


121 - 140 / 194