【課題】金属珪化物の正方晶の薄膜を常温下で製造できる方法を提供する。
【解決手段】エアロゾル薄膜堆積法を用い、金属珪化物の微粒子をキャリアガスと混合してエアロゾル化したものを、常温減圧下の雰囲気で、ノズルを通じて所定の速度で基板に噴射し、衝撃固化現象を利用して微粒子を基板上に付着させることによって、金属珪化物の薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いたとき、薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好な薄膜トランジスタの半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性が高く、屈曲後や経時保存後も高いガスバリア性を維持し、生産性が高く安価に製造可能なガスバリア性フィルムとその製造方法、及び該ガスバリア性フィルムを有する有機電子デバイスを提供することである。
【解決手段】金属酸化物を含むガスバリア層を有するガスバリア性フィルムの製造方法において、該ガスバリア性フィルムを絶対湿度が０．００１〜３ｇ／ｍ^３の環境下において、水と反応する材料を該ガスバリア層表面に接触させることを特徴とするガスバリア性フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高品質なシリコン膜を高速で結晶成長させる技術を提供する。
【解決手段】 １２００℃〜１４００℃に加熱されているとともに１５００ｒｐｍ〜３５００ｒｐｍで回転している基板６に向けて、基板の表面に直交する方向から、塩化シランガス１８を供給する。このときの塩化シランガス１８の供給量を、基板６の表面１ｃｍ^２当たり２００μｍｏｌ／分以上とする。 （もっと読む）

【課題】吸湿性を小さく改善した酸化マグネシウム粉末を簡易な方法で製造する。また、この酸化マグネシウム粉末を含み、耐湿特性、加工性に優れかつ熱伝導性が良好な電気絶縁層のための熱硬化性樹脂組成物を製造する。
【解決手段】酸化マグネシウム粉末は、シリカ含有量が１〜６質量％である酸化マグネシウムを原料として使用し、これを１６５０℃〜１８００℃で焼成することにより、表面にシリカ膜を形成する。熱硬化性樹脂組成物は、前記酸化マグネシウム粉末の平均粒径ｄ１を、１０μｍ≦ｄ１≦８０μｍの範囲とし、熱硬化性樹脂固形分と酸化マグネシウム粉末を合わせた体積中に、前記酸化マグネシウム粉末の含有量が２０〜８０体積％となるように混合する。酸化マグネシウム粉末の一部を他の無機充填材に置換えることができる。無機充填材の平均粒径は、０．１〜５０μｍ、含有量は１５〜３０体積％が好ましい。 （もっと読む）

【課題】低温で且つ迅速にＳｉＯ_２系セラミックス膜を形成する方法により、効率良くガスバリアフィルムを得て、最終的に得られるセラミックス膜のガスバリア性、耐傷性等の膜特性を向上したガスバリアフィルム及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリ珪素化合物を含有する塗工液をプラスチックフィルム支持体に塗布した後、該塗布されたポリ珪素化合物をＶＵＶ光によりセラミックに転化させたガスバリアフィルムであって、該ポリ珪素化合物の下記数式で定義する分散度が、３．００以上２０．００以下であることを特徴とするガスバリアフィルム及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸素プラズマ耐性に優れたシリカ膜を形成することができ、且つ、安定性に優れたシリカ膜前駆体組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシランと溶媒と酸触媒を混合してアルコキシシランの加水分解反応及び縮重合反応を生じさせた後、前記アルコキシシランのアルコキシ基１モルに対し、０．００５〜０．２モルのシリル化剤を添加して前記縮重合反応により生じたアルコキシシランの重合体の反応末端をシリル化する。 （もっと読む）

【課題】金属珪素と二酸化珪素の蒸着用材料は、加熱時に蒸気圧が高いために蒸発しにくく、さらに溶融型の蒸着用材料であるため、より大きい熱衝撃が必要となり、蒸着用材料が飛散してスプラッシュが発生しやすい。また蒸着速度の低下の問題、蒸着膜のバリア性の低下の問題もある。本発明の課題は、スプラッシュ現象の発生を抑制し、高いガスバリア性を付与できる蒸着用材料を提供することである。
【解決手段】金属珪素と、二酸化珪素と、酸化マグネシウム粉末とを含有してなる加熱方式の蒸着用材料であって、珪素とマグネシウムの合計の原子数と、酸素の原子数の比（Ｏ／（Ｓｉ＋Ｍｇ））が１．０〜１．８であり、マグネシウムと珪素の原子数の比（Ｍｇ／Ｓｉ）が０．０２〜０．５０であることを特徴とする蒸着用材料。 （もっと読む）

【課題】
シリカ膜の形成において、膜厚が厚くクラックの発生を抑えたシリカ膜の容易な形成方法およびそれにより形成されるシリカ膜を提供する。
【解決手段】
本発明は、使用する紫外線を透過する基体にプレカーサを塗布し、プレカーサ塗布面の裏面側より紫外線を照射する方法により、膜厚が厚くクラックの発生を抑えたシリカ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】異物による成膜不良を抑制し良好な成膜を実現する成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、プラズマ反応を用いて当該基材１００の成膜面１００ａに連続的に薄膜層を形成する成膜方法であって、基材１００の搬送経路に沿って、有機ケイ素化合物と酸素とを含む成膜ガスの放電プラズマを、プラズマ強度が主として有機ケイ素化合物の完全酸化反応を生じる強度である第１の空間と、主として有機ケイ素化合物の不完全酸化反応を生じる強度である第２の空間と、が交互に連続するように生じさせ、第１の空間および第２の空間と重なるように基材１００を搬送し、第１の空間または第２の空間を通過した後に、表面が基材１００より柔らかい搬送ロール２２，２３で成膜面１００ａを保持しながら、基材１００を搬送する。 （もっと読む）

【課題】 温度が６０℃で湿度が９０％（ＲＨ）という様な過酷な湿熱環境下でもバリア性が劣化せずに表示デバイス内部に水が浸入しないという良好なバリア性を有すると共に、端面からの酸素及び水蒸気の浸入をも防ぐことができるガスバリア性フィルム積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】 プラスチック材料からなる基材フィルムの一方の面に、第１の耐候性コート層、蒸着層、及び、第２の耐候性コート層を、この順に設けたガスバリア性フィルム積層体において、該第１の耐候性コート層、及び又は、第２の耐候性コート層が、架橋性基を有するフッ素含有共重合体と該架橋性基と反応する硬化剤とにより形成されたフッ素系樹脂からなることを特徴とするガスバリア性フィルム積層体を提供することにより上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性が高く、屈曲後も高いガスバリア性を維持する、安定性の高いガスバリア性フィルムを提供すること、生産性が高く安価に製造可能な該ガスバリア性フィルムの製造方法を提供すること、及び、該ガスバリア性フィルムを有する有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】支持体側から第１の高ガスバリア性領域、水分トラップ領域、第２の高ガスバリア性領域をこの順に有するガスバリア性フィルムにおいて、支持体から第１の高ガスバリア性領域までのＪＩＳ Ｋ ７１２９Ｂ法に従って測定した水蒸気透過率（水蒸気透過度：２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）（ＷＶＴＲ（ｇ／ｍ^２／ｄａｙ））が２×１０^−２〜１×１０^−３のガスバリア性を有し、第２の高ガスバリア性領域がケイ素化合物層、水分トラップ領域がシラザン化合物由来の窒素原子を含有するケイ素化合物層、からなることを特徴とするガスバリア性フィルム。 （もっと読む）

【課題】 従来の薄膜誘電体は、薄膜化することにより特性が劣化する。
【解決手段】 ナノグラニュラー構造を有する薄膜誘電体：（イ）組成：一般式Ｆｅ_ａＣｏ_ｂＮｉ_ｃＭ_ｗＮ_ｘＯ_ｙＦ_ｚ，Ｍ成分はＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ及び/又はＴａ，組成比ａ,ｂ,ｃ,ｗ,ｘ,ｙ,ｚは原子比率（％）で、０≦ａ≦６０，０≦ｂ≦６０，０≦ｃ≦６０，1０＜ａ+ｂ+ｃ＜６０，１０≦ｗ≦５０，０≦ｘ≦５０，０≦ｙ≦５０，０≦ｚ≦５０，２０≦ｘ+ｙ+ｚ≦７０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である；（ロ）構造：Ｆｅ，Ｃｏ及び/又はＮｉからなり、かつｎｍサイズを有する金属グラニュールが、Ｍ成分とＮ，Ｏ及びＦの少なくとも1種とからなる絶縁体マトリックスに分散している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スループット、成膜均一性を低下させることなく、電極の接続面へのプロセスガスの回り込みを抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハwが導入される反応室11と、反応室11にプロセスガスを供給するガス供給機構12と、反応室11よりガスを排出するガス排出機構13と、ウェーハwを載置するウェーハ支持部材15と、ウェーハ支持部材15を載置するリング16と、リング16と接続され、ウェーハwを回転させるための回転駆動制御機構17と、リング16内に設置され、ウェーハwを所定の温度に加熱するために設けられるヒータ18と、ヒータ18と接続され、ねじ込み用凹部19aを有する電極部品19と、ねじ込み用凹部19aで電極部品19と接続されるねじ込み部21aを有する電極21と、を備える。 （もっと読む）

【課題】空隙の発生を抑制しつつ、迅速に開口を埋め込むことができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】Siからなる金属膜２０２上に絶縁膜２０４が形成されたウエハ１２であって、絶縁膜２０４の一部に開口部２０６が形成されこの開口部２０６に金属膜２０２が露出したウエハ１２を処理室１０６内へ搬送し処理室１０６内へ少なくともDCSとCl₂とを供給してウエハ１２の金属膜２０２上に選択的に第１のSi膜２５２を形成し、処理室１０６内へ少なくともDCSを供給してウエハ１２の絶縁膜２０４及び第１のSi膜２５２上に第２のSi膜２５４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 良質のシリコン酸化膜を狭いスペース内に低温で形成できるようにする。
【解決手段】 本実施形態は、シラザン結合を有するポリマーを有機溶媒に溶解した溶液を回転塗布してポリマー膜を形成するスピンコーティングユニットと、前記スピンコーティングユニットにより前記ポリマー膜が形成された基板を当該ポリマー膜に触れることなく酸化ユニット内に搬送する搬送機構と、前記搬送機構により基板が搬送されると、前記ポリマー膜に過酸化水素を含む加熱した水溶液への浸漬処理、過酸化水素を含む加熱した水溶液の噴霧処理、及び、過酸化水素蒸気を含む反応ガスへの曝露処理、の何れかを行うことにより前記ポリマー膜をシリコン酸化膜に転換する酸化ユニットと、を備え、前記スピンコーティングユニットによるポリマー膜の形成処理および前記酸化ユニットによる前記ポリマー膜のシリコン酸化膜への転換処理を１装置内にて完了することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】｛１１０｝面からの傾斜角度が小さくてもヘイズレベルが良好で、かつシリコン単結晶エピタキシャル層の層厚均一性も良好であり、更に表面欠陥の少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板の主表面上にシリコン単結晶エピタキシャル層を気相成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記シリコン単結晶基板として、主表面が｛１１０｝面または｛１１０｝面からのオフアングル角度が０．５度未満のものを用い、かつ前記気相成長工程では、前記シリコン単結晶基板温度を１１７０℃〜１１９０℃として気相成長することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、太陽電池の基板として用いることによって太陽電池の変換効率の低下を抑制することのできる多結晶シリコン及びその鋳造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の多結晶シリコンは、FT−IR法(ASTM F121−79)で測定した格子間酸素濃度が1.0×10¹⁷atoms/cm³以下であり、該多結晶シリコンウェーハを基板として用いた太陽電池の変換効率の低下率が3%以下であることを特徴とする。
また、本発明の多結晶シリコンの鋳造方法は、冷却銅モールドの酸素含有率が低く、且つチャンバ内の酸素分圧が低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造バッチ間において安定したデバイス特性を有するシリコンエピタキシャルウエーハ製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板上にシリコンエピタキシャル層をシリコン原料ガスから気相成長させる工程を有するシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法であって、複数のシリコン原料ガスのロットを用いてシリコンエピタキシャルウエーハが製造される場合において、前記シリコン原料ガスのロットに含まれる炭素含有化合物濃度のうち最大となる濃度を最小濃度値とし、１０００ｐｐｍｗを最大濃度値とし、該最小濃度値以上該最大濃度値以下の炭素含有化合物を、前記シリコン原料ガスに混入し、又は前記シリコン原料ガスと供に気相成長装置内に供給することにより、前記シリコンエピタキシャル層を気相成長させる。 （もっと読む）

【課題】従来よりも水透過量を向上させ、水透過量の経時低下を抑制したシリカ膜を提供することにある。
【解決手段】多孔質基材上に形成されたシリカ膜１であって、そのシリカ膜の水の昇温脱離分析における５００℃の水の脱離イオン強度が２００万／ｇ以上であるシリカ膜１である。多孔質基材１１上に、エタノール溶媒で水濃度が０．０３〜３質量％のシリカゾルを付着させ、露点が−７０〜０℃の風を送風することによりシリカゾルを乾燥させ、その後、２００〜４００℃で焼成することによりシリカ膜１を製造する。 （もっと読む）