【課題】ナトリウムを内包したII型のシリコンクラスレートを安定して大量に製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンクラスレートの製造方法は、シリコンウエハとＮａとを混合して６５０℃以上の温度で加熱し、ＳｉとＮａとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、生成されたＳｉとＮａとからなる化合物を、１０^−２Ｐａ以下の陰圧下で３００℃以上４５０℃以下の温度により１時間以上加熱する陰圧加熱処理工程とを備えている。Ｎａは、シリコンクラスレートを生成するために用いられるＳｉに対するモル比が１．０よりも大きくなるように供給されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】より低屈折率の膜を成膜するための、シリカ膜前駆体材料及びこれを用いたシリカ膜を提供するものであり、更には、成膜時間をより短くすることができ、ガスバリア性をも付与可能な、反射防止成形体及びガスバリア反射防止成形体を、提供する。
【解決手段】シリカ前駆体であるシラザン化合物と、有機アミン化合物と、ｔｅｒｔブトキシカルボニル基を有する化合物とを含有するシリカ膜前駆体材料。シリカ膜前駆体材料を塗布することで得られる屈折率が、１．００〜１．４０のシリカ膜。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。また、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を絶縁膜上に形成した後、種結晶上に、第２の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように第１の微結晶半導体膜を形成し、第１の微結晶半導体膜上に、第１の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を広げず、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を成膜する第３の条件で第２の微結晶半導体膜を形成し、第２の微結晶半導体膜上に、第２の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を埋めつつ、結晶成長を促す第４の条件で、第３の微結晶半導体膜を積層形成する。 （もっと読む）

【課題】
防曇性能に優れ、高硬度かつ高付着性のシリカ膜を得る。
【解決手段】
本発明は、ＪＩＳ Ｋ５６００−５−４に基づき測定される鉛筆硬度が３Ｈ以上の硬度を有し、ＩＵＰＡＣの分類においてミクロ孔に分類される細孔であってＢＥＴ測定値に基づく平均直径２ｎｍ以下の細孔で構成される多孔質膜表面の親水性領域中に、Ｓｉ−ＣＨ_３結合を有する疎水性領域を分散して成るシリカ膜に関する。 （もっと読む）

【課題】膜表面に１００ｎｍ以上の長さのクラックや膜剥離がない、ルチル型二酸化チタンで被覆された薄片状物質、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】表面にルチル型酸化スズを含有する薄片状基材を準備する、薄片状基材準備工程、
酸性の加水分解性チタン化合物溶液に超微粒子を分散させて被膜形成薬液を調製する、被膜形成薬液調製工程、
前記被膜形成薬液中に前記薄片状基材を浸漬し、中和反応により、前記超微粒子を含むルチル型の二酸化チタン被膜を該基材表面に析出させる、被膜析出工程、
前記被膜を析出させた薄片状基材を乾燥する、乾燥工程
を有することを特徴とする、二酸化チタンで被覆された薄片状物質の製造方法。 （もっと読む）

【課題】有効利用率が高く、物質移動を促進し得る表面構造を備え、ろ過材や触媒担体、吸着材などとして実用的な材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】シリカ材料を、半球カップ状、ボウル状、あるいは皿状に湾曲した二重薄膜構造を有し、膜厚が１０〜１００ｎｍのものとして使用する。望ましくはその直径をナノサイズからマイクロサイズレベルのものであって、さらに望ましくはその表面にＣＨ_３（メチル）基を備えたものとする。 （もっと読む）

【課題】撥水性能及び透明性の両方に優れた撥水膜を有する撥水性部材を提供する。
【解決手段】基材と、前記基材の表面を被覆する撥水膜とを有する撥水性部材であって、前記撥水膜は、親水性シリカ微粒子からなる親水性シリカ被膜中に、最短径に対する最長径の比が３以上８以下である扁平状のフッ素樹脂粒子を含む第１被膜と、前記第１被膜の表面に形成された、疎水性シリカ微粒子からなる疎水性シリカ被膜である第２被膜とから構成されることを特徴とする撥水性部材とする。 （もっと読む）

【課題】 シリコン膜の結晶成長の速度を速くする技術を提供する。
【解決手段】 気相成長装置１０は、気相成長室３６と、加熱室８と、混合室３８と、トリクロロシランガスを貯蔵する第１貯蔵庫４２と、塩酸ガスと反応するシラン系ガスを貯蔵する第２貯蔵庫４０を備えている。加熱室８は、第１貯蔵庫４２と混合室３８に連通しており、トリクロロシランガスを加熱した後に混合室３８に供給している。混合室３８は、第２貯蔵庫４０と気相成長室３６に連通しており、加熱室８から供給されたガスとシラン系ガスを混合させて、その混合ガス３４を気相成長室３６に供給している。加熱室８の室内温度は、混合室３８の室内温度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】薄膜太陽電池に多元系硫化物薄膜を用いる際に好適な電気伝導性・強度を有する裏面電極材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ニッケルとシリコンを同時にスパッタ堆積し、これを熱処理することでＮｉＳｉ_２薄膜を基材表面に固定化し、この表面に硫化物薄膜を固定化させる。あるいは、ニッケルとシリコンを同時にスパッタ堆積し、さらに硫化化合物となる金属化学種またはこれらの硫化物を堆積し、これを硫黄雰囲気下にて加熱することにより基材表面にＮｉＳｉ_２と硫化物の積層薄膜を同時に固定化させる。 （もっと読む）

【課題】高効率で、且つ高容量の非水電解質二次電池を提供する。
【解決手段】本発明の非水電解質二次電池は、正極と、負極と、非水電解質とを備え、前記負極は、負極集電体と、前記負極集電体の上に形成された負極活物質含有層とを含み、前記負極活物質含有層は、ケイ素と、酸素と、水素とを構成元素として含む負極活物質を含み、前記酸素の前記負極活物質中での含有量は、前記ケイ素に対して原子比で０．５以上１．５以下であり、前記負極活物質を構成する水素は、前記負極活物質を構成する酸素と結合していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、カーボンナノチューブの分散性を維持しつつ高い導電性を示す導電性複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】分子内にスルホン酸基を有する分散剤（Ａ）とカーボンナノチューブを含有する組成物（Ｂ）を基材上へ製膜する第一の工程、および組成物（Ｂ）が製膜された面にオーバーコート剤を積層する第二の工程を含む導電性複合体の製造方法であって、第一の工程における導電層の表面抵抗値Ｒ_Ａと第二の工程を経た後の導電層の表面抵抗値Ｒ_Ｂとの関係がＲ_Ａ＞Ｒ_Ｂとなることを特徴とする導電性複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】種々の金属イオンについて室温で高いイオン伝導性を示し、安価かつ簡便に製造可能な無機固体イオン伝導体とその製造方法およびそれを用いた電気化学デバイスを提供する。
【解決手段】無機固体イオン伝導体は、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ニオブ、酸化スズ、および酸化インジウムからなる群より選択される１または複数からなる非晶質の金属酸化物と、前記金属酸化物中に含有された１価、２価、または３価の金属イオンとを含み、２５℃（室温）において１×１０^−７Ｓ・ｃｍ^−１以上のイオン伝導度を有する。 （もっと読む）

【課題】誘電率の上昇を抑制しつつも多孔質層の表面を改質できる半導体装置の製造方法および多孔質層の改質方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０２上に、表面にＳｉＨ基を有する多孔質絶縁層１１４を形成する工程と、ＳｉＨ基をＳｉＯＨ基に酸化させ、かつ多孔質絶縁層１１４のＳｉ原子と結合を形成しない改質物質を含む液体を多孔質絶縁層１１４の表面に接触させる工程と、を含む （もっと読む）

【課題】基体上に低反射膜を形成するための、単層膜において低屈折率且つ低反射率を有し、より簡便な方法で大面積の成膜が容易な低反射膜形成用塗布液およびその調製方法およびそれを用いた低反射部材を提供する。
【解決手段】基材に低反射膜を形成するための低反射膜形成用塗布液であって、コロイダルシリカに対して、酸化物換算で５質量％以上、４０質量％以下のニオブ化合物を含む分散液からなることを特徴とする低反射膜形成用塗布液。長径５ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の棒状コロイダルシリカ、粒径５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下の球状コロイダルシリカ、およびニオブ化合物を用いる。 （もっと読む）

【課題】 多孔質膜自体の化学的・物理的特徴に極力影響を与えず、かつ特殊な装置や真空工程を必要としない簡易な工程により、表面に封止層を有する多孔質膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 基材上に多孔質膜を形成する工程と、支持体上に無機酸化物前駆体の縮重合体を含むゲル膜を形成する工程と、前記基材上に形成された前記多孔質膜と前記支持体上に形成された前記ゲル膜とを密着させて積層体を得る工程と、前記積層体を加熱することで前記ゲル膜を硬化する工程と、硬化した前記ゲル膜上の前記支持体を除去する工程とを有する多孔質膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ポリマーが熱により変質することを抑制してポリマーの表面に好適に成膜できる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】超臨界流体に酸化剤のオゾンガスと酸化物用原料のＴＥＯＳとを供給し、構造体１及びその周囲を２００℃の温度で加熱することによって、酸化物であるＳｉＯ₂を生成させ、このＳｉＯ₂によって構造体１のマイクロ流路３の内壁全面（従ってポリマーであるＰＤＭＳ膜９の表面）に酸化物層５であるＳｉＯ₂層を形成する。これにより、従来に比べて低い温度で酸化物層５を形成できるので、ポリマーが変質する等の問題が生じないという顕著な効果を奏する。また、ポリマー表面を隙間無く覆う様に酸化物層５を形成できるので、親水性やガス透過防止性を高めることができるという利点もある。 （もっと読む）

【課題】シラザン化合物を用いることで高価な真空装置を使用せず、低温処理ができ且つ短時間の処理で、蒸着法によるシリカ膜に匹敵する酸素ガスバリア性能を、合成樹脂成形体に付与させた酸素ガスバリア成形体を提供する。
【解決手段】合成樹脂成形体１と、この合成樹脂成形体表面の一部又は全部に設けられるシリカ膜２とを備え、前記シリカ膜が、シラザン化合物を前駆体とするものであって、前記シラザン化合物に、紫外線照射を行うと同時に加熱処理を行うことで形成され、酸素ガス透過度が、０．５ｍｌ／ｍ^２・ｄａｙ未満である酸素ガスバリア成形体。 （もっと読む）

【課題】極めて微細な中空シリカ粒子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】〔１〕レーザ回折／散乱法によって測定される体積平均粒子径が０．０５〜０．４５μｍで、最大粒子径が体積平均粒子径の５倍以内であり、空孔率が２０〜７０体積％、ＢＥＴ比表面積が３０ｍ²／ｇ未満、９８質量％以上がＳｉＯ₂である中空シリカ粒子、及び〔２〕疎水性有機化合物（ａ）と、第四級アンモニウム塩（ｂ）、及び加水分解によりシラノール化合物を生成するシリカ源（ｃ）を含有する水溶液を調製する工程（I）、得られた水溶液を１０〜１００℃の温度で撹拌して、シリカから構成される外殻を有し、かつ核に疎水性有機化合物（ａ）を有するコアシェル型シリカ粒子の水分散液を調製する工程（II）、得られたコアシェル型シリカ粒子を分離し、９５０℃以上の温度で焼成して、中空シリカ粒子を得る工程（III）を有する中空シリカ粒子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】独立した及び／又は無傷の薄膜の製造のための単純で費用効果の高い方法を提供する。
【解決手段】基材を用意すること、前記基材上に炭素含有犠牲層を堆積させること、前記炭素含有犠牲層上に薄膜を堆積させること、前記炭素含有犠牲層及び前記薄膜を有する前記基材を高温で酸素に暴露して酸素を炭素含有犠牲層と反応させて二酸化炭素を生成させ、前記基材から無傷で除去された前記薄膜をもたらすことを含む、独立した薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、サセプタとリングにひびや割れを発生させることなく、サセプタ表裏面の雰囲気遮蔽性を高め、ウェーハ裏面側へのエピタキシャル層の形成を抑制することを目的とする。
【解決手段】 エピタキシャル気相成長装置であって、サセプタの下面に、サセプタとリングとの間隙からのガスの流通を抑制するための石英製カバー部材が設けられており、石英製カバー部材は、少なくともサセプタの下面に固定されて石英製カバー部材を支持している支持部と、リングの内径よりも外径が大きく、支持部から少なくとも反応容器の側壁に向けて水平に延びる延伸部とを有するものであることを特徴とする気相成長装置を提供する。 （もっと読む）