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Fターム[4G072HH01]の内容

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Fターム[4G072HH01]に分類される特許

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【課題】表面ダストの含量が少なくコスト的に好ましい多結晶シリコンを提供する。
【解決手段】多結晶シリコン破砕破片を含有する多結晶シリコンであって、前記破砕破片の少なくとも90%が明細書中に記載のサイズを有する前記多結晶シリコンにおいて、シリコンダスト粒子の割合が、400μm未満の粒子サイズについては15ppmw未満であり、50μm未満の粒子サイズについては14ppmw未満であり、10μm未満の粒子サイズについては10ppmw未満であり、かつ1μm未満の粒子サイズについては3ppmw未満であることと、さらに、金属による表面汚染が、0.1ppbw以上で100ppbw以下であることと、を特徴とする前記多結晶シリコンによって解決される。 (もっと読む)


【課題】下地板を用いた薄板の製造において、下地板を融液から引き上げるときの薄板の剥がれおよび割れを防止する。
【解決手段】主面110と、主面110を取り囲む側面とを有する下地板100が準備される。側面は、先端部121と、先端部121につながる側方部131と、先端部121に対向する後端部141とを有する。後端部141は側方部131に後端角部151を介してつながっている。後端角部151は、側方部131と後端部141との間の角が面取りされた部分である。次に、薄板の材料の融液中に主面110を浸漬することによって、主面110上に薄板が成長させられる。そして、融液から先端部121を引き上げた後に後端部141を引き上げることによって、融液から主面110が取り出される。融液から取り出された主面110から薄板が取り外される。 (もっと読む)


【課題】原料融液に下地板を浸漬させることにより、下地板表面に薄板を製造する薄板製造装置および製造方法において、薄板の板厚のむらの発生を防止して、板厚を制御することのできる薄板製造装置および薄板製造方法、ならびに坩堝を提供する。
【解決手段】本発明は、原料融液に下地板を浸漬させることにより、下地板表面に薄板を製造する薄板製造装置であって、原料融液を内部に充填可能な坩堝と、坩堝内の原料融液に下地板を浸漬させる浸漬部とを備える。坩堝は、坩堝本体と、下地板の浸漬方向に応じて原料融液の表面の液流の方向を制御する制御部とを含む。 (もっと読む)


【課題】保温装置の外枠の溶損等を防止して、金属不純物による汚染のない、太陽電池の基板材として好適な多結晶シリコンを製造することができるシリコンの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】無底冷却モールドと、加熱用誘導コイルと、前記モールドの下方に配置され、凝固したシリコンを徐冷する保温装置を有し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させるシリコンの電磁鋳造装置であって、前記保温装置13の外枠16の構成部材として非導電性部材が使用されている電磁鋳造装置。前記非導電性部材を、特に溶損の大きい外枠の特定の面のみ、または外枠全面の上部のみに使用することもできる。非導電性部材としては、アルミナ、炭化珪素が望ましい。 (もっと読む)


【課題】より放電容量を高めることが可能な負極活物質を提供すること、さらに、該負極活物質を用いた高性能な蓄電装置を提供するである。
【解決手段】複数の結晶領域を含むシリコン結晶体であって、前記シリコン結晶体は一方向の伸張方向を有し、前記複数の結晶領域は略一致する一の結晶方位(優先方位ともいう)をそれぞれ有し、前記伸張方向と前記優先方位は略一致するシリコン結晶体を形成することである。さらに、当該シリコン結晶体を負極活物質として適用し、蓄電装置を作製することである。 (もっと読む)


【課題】Siヒュームが発生した場合であっても、冷却ルツボの直下でインゴットの鋳肌表面の温度変動を正確に監視できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー1内に配置した無底冷却ルツボ7にシリコン原料11を投入し、ルツボ7を囲繞する誘導コイル8からの電磁誘導加熱により原料11を溶解させ、この溶融シリコン12をルツボ7から引き下げながら凝固させてインゴット3を連続鋳造する電磁鋳造装置において、チャンバー1の側壁に監視窓15を設け、監視窓15とルツボ7の直下におけるインゴット3の鋳肌表面近傍との間にわたり耐熱管17を設け、耐熱管17のインゴット3側の端面が耐熱板18で閉塞されており、監視窓15の外部の放射温度計16により耐熱管17内を通して耐熱板18の温度を測定し、この温度に基づいてインゴット3の鋳肌表面温度の変動を監視する。 (もっと読む)


【課題】電磁誘導加熱にプラズマ加熱を併用して、太陽電池の基板材として用いられる、太陽電池としての変換効率が高く維持された多結晶シリコンインゴットを製造することができるシリコンインゴットの製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】無底冷却モールド1と、加熱用誘導コイル2を有し、さらに、加熱源としてプラズマトーチ3を有し、電磁誘導加熱とプラズマ加熱を併用するシリコンインゴットの製造装置であって、前記プラズマトーチ内に配設されたプラズマ電極12として銅(Cu)を用いる製造装置。前記プラズマ電極を陽極とし、被加熱物であるシリコン11を陰極とすれば(図1(c)参照)、電極の消耗を僅少に抑えるとともに、太陽電池を構成したときの変換効率を向上させ得るので望ましい。本発明の製造方法は、この装置を用いて容易に実施することができる。 (もっと読む)


【課題】被処理物を炉体の中央に対して近い位置で投入可能な被処理物投入装置を提供する。
【解決手段】内部に設けられた炉体にて被処理物を溶融する処理装置に対し、被処理物を外部から投入するための被処理物投入装置において、前記処理装置の内部に投入される被処理物が通過可能な被処理物通路12を備え、前記被処理物通路12のうちで、被処理物の前記通過方向を基準とした下流端12aが、前記炉体の中央を通る垂直線Cを含む中央領域の位置と、前記中央領域から外れた位置との間で移動可能に構成されている。 (もっと読む)


【課題】冷却ルツボへのシリコン原料の投入に伴ってシリコン原料がプラズマトーチと接触するのを防止し、溶融シリコンの金属不純物汚染を抑制するとともに、シリコン原料の融解を安定させることができるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】導電性を有する無底冷却ルツボ7に原料導入管10を通じてシリコン原料11を投入し、冷却ルツボ7を囲繞する誘導コイル8からの電磁誘導加熱、および冷却ルツボ7の上部に挿入されたプラズマトーチ13からのプラズマアーク加熱によりシリコン原料11を融解させ、この溶融シリコン12を冷却ルツボ7から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット3を連続鋳造する電磁鋳造装置において、冷却ルツボ7の側壁に貫通穴7cが形成され、この貫通穴7cに原料導入管10が接続されている。 (もっと読む)


【課題】底部における酸素濃度が局所的に高くなる部分を少なくして、多結晶シリコンの生産歩留まりを大幅に向上させることができる多結晶シリコンインゴット製造装置、多結晶シリコンインゴットの製造方法及び多結晶シリコンインゴットを提供する。
【解決手段】断面矩形状をなす坩堝20と、この坩堝20の上方に配設された上部ヒータ43と、坩堝20の下方に配設された下部ヒータ33と、を有し、坩堝20内に貯留されたシリコン融液3を、その底面21から上方に向けて一方向凝固させる多結晶シリコンインゴット製造装置10であって、坩堝20の底面21側において坩堝20の側壁部22の少なくとも一部を加熱する補助ヒータ50を備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電磁鋳造法による連続鋳造の際に、チャンバー内で自然対流する雰囲気ガスに起因して、溶融シリコンが金属不純物で汚染されることを防止できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー1内に配置した無底冷却ルツボ7にシリコン原料11を装入し、誘導コイル8からの電磁誘導加熱によりシリコン原料11を融解させ、この溶融シリコン12を冷却ルツボ7から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット3を連続鋳造する電磁鋳造装置において、チャンバー1の側壁の上部と下部に連結され、冷却ルツボ7の上方の雰囲気ガスを導入して冷却ルツボ7の下方に送り出す通気管15を備え、この通気管15の経路に集塵機20および磁選機21を設ける。 (もっと読む)


【課題】シリコン溶湯表面を高温に保つための保温手段として、簡便な構造で製作が容易であり、しかも、るつぼの加熱下に交換可能なリング状の保温蓋を用い、るつぼを加熱したままで数十チャージ分のシリコンを連続的に処理することが可能なシリコン精製装置及びこれを用いたシリコン精製方法及び精製方法を提供する。
【課題手段】真空ポンプを具備した減圧室内に、シリコンを収容する上端開口の黒鉛製るつぼと、該るつぼを加熱する加熱装置を備えたシリコン精製装置であって、前記るつぼの上部において該るつぼの開口部を覆うと共にるつぼ内のシリコン溶湯表面より小さい面積の排気開口を有するリング状の保温蓋を備え、該保温蓋が、前記減圧室内において、前記るつぼの加熱中に交換可能であることを特徴とするシリコン精製装置、及びこれを用いたシリコン精製方法である。 (もっと読む)


【課題】体積の均一な球状の半導体材料を提供する。
【解決手段】板状の半導体材を分割し複数の半導体分割片を形成する第一の工程と、半導体分割片のそれぞれを、複数の装填部を有する基材の各装填部内に装填する第二の工程と、装填部内に装填された半導体分割片を加熱して、装填部内で融解した後に、融解された溶融体を冷却して固化する第三の工程と、を有している製造方法とした。これによって、板状の半導体材を分割し、半導体分割片にする事により、それぞれの半導体分割片の体積のバラツキを抑える事ができ、粉体を用いる場合と比較して、融解、固化され得られた球状の半導体材の体積を均一にできる。この事により、光−電気変換性能を一定にする事ができ、球状半導体型太陽電池モジュールの組立工程での工程不良や、外観不良を低減できる。 (もっと読む)


【課題】原料のルツボ内への供給時における金属の持ち込みを極力少なくすることができる多結晶シリコンの鋳造方法を提供する。
【解決手段】無底の冷却ルツボを用い、電磁誘導により多結晶シリコンを連続的に鋳造する多結晶シリコンの鋳造方法であって、原料として、最大粒径が40mmであり、かつ、粒径が0.6mm〜3mmのものが0〜40%、粒径が3mmを超え40mm以下のものが100〜60%である高純度シリコンを使用する。これにより、重金属による汚染が少なく、良好な変換効率を維持できる太陽電池の基板材としての多結晶シリコンを、簡素で小型の原料供給配管を採用した電磁鋳造装置を使用して容易に製造することができる。 (もっと読む)


【課題】回収シリコンくず、特に酸化珪素及び炭化珪素を含む回収シリコンくずからシリコンを効率的に再生して回収するシリコン回収方法を提供することを目的とする。また、回収シリコンくずをそのまま利用可能なフェロシリコンに再生させるシリコン回収方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るシリコン回収方法は、溶融スラグの基に、酸化珪素、または、酸化珪素及び炭化珪素を含む回収シリコンくずをアーク放電により再溶解し、シリコンに再生させるシリコン回収方法であって、前記溶融スラグの温度が1750℃以上で再溶解を行うことにより実施される。 (もっと読む)


【課題】シリコン塩化物の製造に用いられ、塩化物が含まれるシリコン含有粉末を、腐食性ガスを発生させることなく、処理することができるシリコン含有ペレットの製造方法を提供する。
【解決手段】金属シリコン粉末を、塩化水素を含有するガスまたは水素と塩化珪素を含有するガスと流動層内で反応させて目的のシリコン塩化物を得て、流動層から排出されるシリコン塩化物含有ガスからシリコン含有粉末を分離工程で分離してシリコン塩化物を製造する際に、分離されたシリコン含有粉末の少なくとも一部を系外へ取り出し、成型工程で取り出されたシリコン含有粉末と非含水性バインダーを混合した後に圧縮成型することを特徴とするシリコン含有ペレットの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】多結晶シリコンウエハと単結晶ウエハの双方の機能又は機能の異なる2以上の多結晶シリコンウエハを備えたハイブリッドシリコンウエハを提供する。
【解決手段】一方を溶融状態とし他方を固体状態として相互に一体化した、同心円状の比抵抗が2桁以上異なる2種類以上の単結晶シリコン又は多結晶シリコンを主成分とするウエハからなることを特徴とするハイブリッドシリコンウエハであり、高比抵抗のシリコン又はシリコンを主成分とするインゴット1を、坩堝2内の中心部又は偏芯させた一部に配置すると共に、前記坩堝とインゴット周囲の空隙部に、前記インゴットよりも比抵抗が2桁以上低いナゲット3又は粉末状のシリコンを充填し、前記ナゲット又は粉末状のシリコンを選択的に溶解して、前記インゴットと一体化させて複合体とし、これをさらにウエハ状に切り出すことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】鋳造されたシリコンインゴットの外周に存在する金属不純物により汚染された領域を縮小でき、シリコンインゴットから切り出したウェーハを太陽電池に用いた際に光電変換効率を向上させることができるシリコンインゴットの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】無底の冷却ルツボを用い、電磁誘導により多結晶シリコンを連続的に鋳造するシリコンインゴットの連続鋳造方法であって、鋳造されるシリコンインゴットを冷却して均熱する際に、900℃以下に保持して均熱することを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造方法である。これによりシリコンインゴットが高温に滞在する時間が短くなるので、シリコンインゴット外周表面に導入された金属不純物が分子の拡散運動により外周表面から内部に侵入する範囲を狭くでき、インゴット外周に形成される金属不純物で汚染された領域を縮小できる。 (もっと読む)


【課題】保持容器から不純物が混入することを防止することができる保持容器、および保持容器の製造方法を提供する。
【解決手段】金属元素、シリコン元素およびゲルマニウム元素から選択された選択元素を主成分とする溶融物を保持する保持容器であって、溶融液と接触する内面が一体的に形成された保持容器本体4を備え、保持容器本体4は、選択元素を主成分として含み、保持容器本体の選択元素の含有率(質量%)は、溶融物の選択元素の含有率(質量%)以上である。 (もっと読む)


【課題】擬似体液溶液に液浸した時に有孔シリコンが経時的に溶解するように有孔シリコン領域を含むことを特徴とする、再吸収性シリコンの提供。
【解決手段】シリコンウェハーを50重量%の水性HFの電解質を含む電気化学的セルにおいて陽極化して有孔シリコン領域20を持つウェハー10を作製する。
【効果】擬似体液溶液に液浸した時、ある種の有孔シリコンが該有孔シリコン20と近接領域のバルクシリコン22の両方にアパタイト沈着物の沈着を生じさせることを示した。このアパタイトの沈着は、適当な形態の有孔シリコンが生物活性であり、またそれ故生物適合性でもあることの示唆を与えるものであり、有孔シリコンの形態は擬似体液溶液に溶解し、再吸収性生体用材料特性を示唆している。 (もっと読む)


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