【課題】帯状の基板を搬送しつつ連続的に活物質層の形成と、リチウムの付与を行なうにあたって、単一の真空容器内で差圧構造を設けて、両処理を安定して実施できる生産性に優れたリチウム二次電池用負極の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】真空中で、帯状の基板の表面上に、負極を形成するリチウム二次電池用製造装置は、活物質形成エリア１０とリチウム付与エリア５０の間にスリット部を設けて分離された差圧構造であり、基板４を搬送する搬送機構と、搬送機構によって保持されている基板の表面上に、蒸着可能領域５内で活物質層を形成するための活物質形成手段と、リチウム付与可能領域５５内でリチウムを付与するためのリチウム付与手段と、活物質層を酸化するガスノズル２２と、圧力を制御するガスノズル６２とを収容する真空容器１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｍｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ系多結晶体であって、性能指数が高い、熱電変換素子および、熱電変換モジュールの提供。
【解決手段】Ｓｂ、Ｐ、Ａｓ、Ｂｉ、Ａｌから選択される少なくとも１種のドーパントＡでドーピングされたＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ中に、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選択される少なくとも１種の遷移金属Ｂの元素および/または遷移金属Ｂのシリサイドが分散していることを特徴とする下記式（１）で表されるＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ・Ａａ・Ｂｂ多結晶体。Ｍｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘ・Ａａ・Ｂｂ、式（１）［ただし、式（１）中のｘは０〜1、ａはＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘに対するドーパントＡの含有量であって０．０１〜５ｍｏｌ％であり、ｂはＭｇ_２Ｓｉ_１−ｘＳｎ_ｘに対する遷移金属Ｂの含有量であって０．０１〜５ｍｏｌ％である。］ （もっと読む）

【課題】電流の流れる方向に電気抵抗率が低く、操業時のシード(種棒)の保持性と操業後の折れ易さを兼ね備えたシード保持部材、該シード保持部材を用いた多結晶シリコン製造装置、及び該シード保持部材の製造方法を提供する。
【解決手段】シーメンス法で多結晶シリコンを製造する炉の底部に設置された電極部５に装着され、種棒となるシード４の下端部を保持する黒鉛製のシード保持部材６は、押出し材から成り、押出し材の押出し方向がシードと略平行となる（シード保持部材６の軸芯方向Ａが押出し方向と略一致する）ように構成されている。シード保持部材６の曲げ強度は１０〜２５ＭＰａが好ましく、１５〜２５ＭＰａであるのがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】クロロシラン類留出物中から不純物を効率よく除去し、クロロシラン類を高純度に精製すること。
【解決手段】水素化工程１０１および塩素化工程１０２ではトリクロロシランを含む粗クロロシラン類が得られる。不純物転化工程１０３では、蒸留補助剤として有機化合物が添加され、リン不純物およびホウ素不純物が高沸点物に転化される。精製工程１０４に送られてくるクロロシラン類留出物中には、クロロシラン類の他、有機化合物の過剰分と不純物の転化により生じた高沸点物が含まれている。精製工程１０４に送られてきたクロロシラン類留出物は、蒸発器１０４ａに導入され、トリクロロシラン類を蒸発させる。クロロシラン類の蒸気は蒸留塔１０４ｂに供給される。高沸点物に転化された不純物は釜残として残す。蒸発器１０４ａにおいて蒸発した蒸気は蒸留塔１０４ｂに供給され、トリクロロシランを主成分とするクロロシラン類の分離と精製が行われる。 （もっと読む）

【解決手段】一方向凝固法により金属ケイ素を精製する方法であって、溶融した金属ケイ素を撹拌翼により最大線速５０ｃｍ／ｓｅｃ以下で撹拌しながら一方向凝固する金属ケイ素の精製方法。
【効果】遠心法や沈降法等の他の工程を特に行わないで一方向凝固法だけでも金属ケイ素中の炭化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化カルシウム等の不純物を効率よく低減することができる。 （もっと読む）

【課題】導電性が高く、かつ放充電時体積変化が抑制されたシリコン二次粒子を提供すること。
【解決手段】５０〜１００ｎｍ粒径のシリコン微粒子を核とし、該核の周囲にアモルファスグラファイトのカーボンシェルが形成された被覆シリコン微粒子が凝集してなる、シリコン二次粒子。このシリコン二次粒子は、５０〜１００ｎｍ粒径のシリコン微粒子０．１〜１．０質量部が１００質量部の純水にコロイド状に浮遊する上澄みを有する溶液を調製し、上澄みに、０．３〜３．０質量部のアニリンを添加し溶解させ、５〜２０質量部の過酸化水素水を添加し、攪拌しながらシリコン微粒子を核としてアニリンを重合させて、周囲にポリアニリンシェルが形成されたシリコン微粒子を製造し、シリコン微粒子を凝集させて二次粒子を製造し、乾燥させた後、６５０〜７５０℃で焼成し、ポリアニリンシェルをカーボンシェルに変性させることによって得ることができる。 （もっと読む）

【解決手段】不純物としてＰを含有するシリコンとスラグを加熱してそれぞれを溶融し、シリコンとスラグを溶融状態で接触させてシリコン中のＰをスラグに吸収させ、次いでこれらを冷却・固化し、Ｐを吸収させたスラグをシリコンから分離除去する第一工程を少なくとも１回行った後、得られたシリコンを解砕し、これを無機酸を含む水溶液にて処理する第二工程を行うことによりシリコン中に含まれるＰを除去するシリコンの精製方法であって、スラグの組成が、少なくとも１種の塩基性酸化物を含み、この塩基性酸化物と、中性酸化物、酸性酸化物、アルカリ金属ハロゲン化物、及びアルカリ土類金属ハロゲン化物から選ばれる混合物からなり、かつ酸性酸化物を含む場合は、酸性酸化物の含有量が塩基性酸化物の含有量よりも少ない組成であるシリコンの精製方法。
【効果】従来の精製方法よりも安価に効率よくシリコン中のＰを除去することができる。 （もっと読む）

【課題】溶融シリコンの異物汚染を抑制できるシリコンインゴットの電磁鋳造方法の提供。
【解決手段】チャンバー１内を真空引きする際、シャッター３０によって無底冷却ルツボ１０の上端開口を遮蔽し、不活性ガス導入管４の遮断弁５を閉にし、通気管２０、真空引き用配管２３の各遮断弁２１、２５を開にした状態で、排気管７の排気ポンプ８を作動させることなく、真空引き用配管２３の真空ポンプ２４を作動させ、その後にチャンバー１内を不活性ガスで満たす際、ガス導入管４の遮断弁５を開に切り換えた状態にし、その後にシリコン原料１４を溶解しながら連続鋳造する際、シャッター３０を退避させてルツボ１０の上端開口を開放し、通気管２０、真空引き用配管２３の各遮断弁２１、２５を閉に切り換えた状態で、排気ポンプ８を作動させ、その後にチャンバー１内でインゴット１９を冷却する際、通気管２０の遮断弁２１を開に切り換えた状態にする。 （もっと読む）

【課題】
ある程度の繰り返し使用を可能とし、るつぼの確保にかかるコストダウンを図るとともに、産業廃棄物の排出を抑え、るつぼの交換頻度の低下に伴う太陽電池用ポリシリコンの製造効率を向上させることが可能なポリシリコン融解用るつぼ及びその製造方法の提供。
【解決手段】
アルミナからなるポリシリコン融解用るつぼであって、ポリシリコン融液と接触する側のるつぼ本体表面に形成され、前記アルミナの融点よりも低温度で融解する低温融解層と、前記低温融解層の層上に窒化シリコンを含むコーティング層とを備えたポリシリコン融解用るつぼ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンを所望の大きさの塊に破砕して、最大目的寸法の管理ができるとともに、破砕時に微粉の発生を抑えることができる、多結晶シリコン破砕物の製造方法および多結晶シリコンの破砕に適した破砕装置を提供する。
【解決手段】破砕装置１は、塊状の多結晶シリコンを破砕する１次破砕手段１０と、１次破砕手段により破砕された多結晶シリコン破砕物のうち、サイズの大きい多結晶シリコン破砕物を破砕する２次破砕手段２０とを有しており、１次破砕手段１０の各ロール３に設けられる破砕歯５は、その先端面５５が球面状に形成されるとともに、側面５６が円錐面状に形成され、２次破砕手段２０の各ロール３に設けられる破砕歯５は、その先端面５５が球面状に形成されるとともに、側面５６が円柱面状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】充放電を繰り返した場合の体積エネルギー密度に優れる非水電解質二次電池用負極合金材料を提供する。
【解決手段】ＴｉＦｅＳｉ合金相、又は、ＴｉＦｅＳｉ_２合金相を含有する合金を用いる。これは、Ｔｉ、Ｆｅ及びＳｉを含有し、これらの原子比をＴｉ：Ｆｅ：Ｓｉ＝ａ：ｂ：ｃ（ａ＋ｂ＋ｃ＝１００）としたとき、ｃ≦６９である合金を含むものである。組成がＴｉＦｅＳｉ_２である合金よりも、組成がＴｉＦｅＳｉである合金の方が、放電容量、サイクル容量維持率共に優れる結果となった。 （もっと読む）

【課題】金属級シリコン材料からボロンおよびその他の不純物を効率的に除去でき、且つ連続的な処理が可能で、且つコンパクトな装置構成で、高純度シリコンの量産が可能なシリコンの精製方法を提供する。
【解決手段】金属級シリコンまたはシリカ粉末１を、２４００℃程度のオゾン含有酸素ガス雰囲気のプラズマ領域８に投入し、前記粉末に含まれるボロンを酸化して気化物として除去し、粉末１ａとして回収し、ボロン除去後の粉末１ａを、還元性雰囲気のプラズマ領域２８に投入し、還元処理により酸素を除去して、シリコン粉末１ｂとして回収し、前記シリコン粉末を加熱して溶湯１ｃとなし、電磁石３５の磁場中に前記溶湯を流すことで、金属不純物元素をトラップして除去する。さらに、金属不純物元素を除去したシリコンの溶湯１ｃを、遠心噴霧によりシリコンの粉末１ｄとなして回収する。 （もっと読む）

【課題】 リチウムイオン２次電池やハイブリットキャパシタなど、充放電時にリチウムイオンの移動を伴う蓄電デバイスの導電性に優れるＳｉ系合金負極材料を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ相とＳｉとＣｕとの金属間化合物であるＳｉｘＣｕｙ合金からなるＳｉｘＣｕｙ相の複合相からなる粉体であり、かつ、ＳｉｘＣｕｙ相の組成がｘ＜ｙであり、ＳｉｘＣｕｙ相からなる金属間化合物相の平均硬さが８００ＨＶ以下であることを特徴とするＳｉ系合金負極材料。 （もっと読む）

【課題】水を還元する能力の大きな低下なしに大気中で容易に扱われ得るアルカリ金属シリサイド組成物を提供する。
【解決手段】アルカリ金属とケイ素とを混合する工程、および、生じる混合物を温度約４７５℃以下に加熱する工程を包含する、アルカリ金属シリサイド組成物の製造方法、およびこの方法により得られる組成物。組成物は乾燥Ｏ_２と反応しない。約１８．２、２８．５、２９．５、３３．７、４１．２、４７．４、および５６．２から選択される２θ角を有する少なくとも三つのピークを含有する粉末Ｘ線回折パターンおよび約１８ｐｐｍにおいて固体状態^２３Ｎａ ＭＡＳ ＮＭＲスペクトルピークを有する。組成物は水と反応して水素ガスを発生させる。 （もっと読む）

【課題】
シリコン基材から、表面安定性の高い、粒径が少なくとも数百ｎｍ以下のシリコン（Ｓｉ）微細粒子を形成し、それを用いて太陽電池を創製する。
【解決手段】
シリコン基材から粉砕後、ビーズミル法で粉砕して得た，少なくとも粒径数百ｎｍ以下のＳｉ微細粒子を、フッ化水素酸水溶液（ＨＦ）のみに分散させて処理することで、処理直後のＳｉ粒子表面のＳｉＯ_２層がほぼゼロ、また、大気中で１ヶ月放置しても、そのＳｉＯ_２層厚は高々０．６ｎｍ程度と、自然酸化膜成長の小さい、表面安定性の高いＳｉ微細粒子が実現でき、それを用いて太陽電池を創製した。 （もっと読む）

【課題】ナトリウムを内包したII型のシリコンクラスレートを安定して大量に製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコンクラスレートの製造方法は、シリコンウエハとＮａとを混合して６５０℃以上の温度で加熱し、ＳｉとＮａとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、生成されたＳｉとＮａとからなる化合物を、１０^−２Ｐａ以下の陰圧下で３００℃以上４５０℃以下の温度により１時間以上加熱する陰圧加熱処理工程とを備えている。Ｎａは、シリコンクラスレートを生成するために用いられるＳｉに対するモル比が１．０よりも大きくなるように供給されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉインゴット結晶の製造に際し、融液内成長においてSiインゴット結晶を大きく成長させることができるとともに、歪みが十分低減され、かつ生産効率が良いＳｉインゴット結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉインゴット結晶のルツボ融液内成長において、融液上部よりも下部の方が高温となる温度分布を有するＳｉ融液の表面近傍でＳｉ種結晶を用いて核形成させ、Ｓｉ種結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を成長させる第１の工程と、成長したインゴット結晶の一部を融液内から融液と分離しない程度に引き上げる第２の工程と、融液内に残った結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を引き続き成長させる第３の工程とを含み、上記第２及び第３の工程を順次複数回繰り返してインゴット結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】シリコン芯線と他の導電部材の間での火花放電の発生を抑制し、多結晶シリコンの生産性の向上を図ること。
【解決手段】シリコン芯線は単結晶シリコン又は多結晶シリコンの円柱形状のインゴットから切り出され（Ｓ１０１）、切断化工時に生じた残留歪を除去する目的で、取りしろが通常５０μｍ〜２００μｍ程度となるようなフッ酸と硝酸の混酸溶液によるエッチング処理が行われ（Ｓ１０２）、そのエッチングの後に多結晶シリコンの析出反応に用いられる（Ｓ１０３）。エッチング処理の工程でシリコン芯線表面に厚い酸化膜が形成され、これが火花放電を引き起こす原因となる。そこで、本発明では、シリコン芯線をフッ酸と硝酸の混酸溶液でエッチングして表面の加工歪みを除去する工程に続いて、シリコン芯線の表面をフッ酸溶液で洗浄して表面酸化膜を除去する工程（Ｓ１０４）を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体材料用シリコンについて、アルミニウムおよび鉄の洗浄効果に優れた洗浄方法とその多結晶シリコン塊、洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体材料用シリコンを用意する工程と、逆浸透精製処理と、イオン交換精製処理とを行った純水を用意する工程と、前記純水を用いて半導体材料用シリコンを洗浄する工程と、前記洗浄によって、純水洗浄後のシリコン表面に残留するアルミニウムおよび鉄が低減された半導体材料用シリコンを得る工程と、を含む洗浄方法および洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】モールド内に投入した原料の落下に伴う溶融シリコンの跳ね上げによるプラズマトーチの先端へのシリコンの付着を抑制し、サイドアークの発生を防止することができる多結晶シリコンの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】電磁誘導加熱とプラズマアーク加熱を併用する連続鋳造方法であって、プラズマトーチを、原料３の投入方向に対して垂直の方向に走査させるか、または、モールド２の断面における２本の対角線により形成される４つの角のうちの角度がθの２つの角に含まれるいずれか一の方向もしくは二以上の方向に走査させるとともに、原料のモールド内への投入を、当該投入側のモールド側壁に対して直角の方向で、かつ、投入する原料がモールドの中心にあるプラズマトーチに衝突する（原料の落下点がモールドの中心から外れる）ように、投入角度および高さを調整して行う。 （もっと読む）