【課題】処理剤を用いて溶融シリコン中の不純物を除去する際、処理剤を溶融シリコンに確実に接触させることができ、不純物との反応に効率的に寄与させることが可能な、シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】系内の溶融シリコンの液面よりも下方に処理剤を押し込む、押込工程と、溶融シリコン中の不純物と処理剤とを反応させ、該不純物を系外に除去する、除去工程とを有する、シリコンの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】処理剤を用いて溶融シリコン中の不純物を除去する際、処理剤を無駄なく利用することができ、処理剤と不純物とを効率的に反応させることが可能な、シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】系内の溶融シリコンの液面よりも下方から処理剤を導入する、導入工程と、溶融シリコン中の不純物と処理剤とを反応させ、不純物を系外に除去する、除去工程とを有する、シリコンの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】従来のブロンズ法に代表される拡散法に替わる、珪化バナジウム及び珪化バナジウム線材の簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】酸化バナジウム、珪素及びアルミニウムを含有する原料粉末をテルミット反応に供することを特徴とする、Ｖ_３＋ｘＳｉ（但し、ｘは−１．３３≦ｘ≦２１）で示される珪化バナジウムの製造方法、並びに、当該珪化バナジウムを粉砕した後、金属製パイプに充填して伸線加工することを特徴とする、珪化バナジウム線材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】マグネシウムシリサイドとの相性が良好なドーパントを含有する新規な材料を提供する。
【解決手段】マグネシウムシリサイドにドープするドーパントとして、Ｃｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｔａ及びＺｎを用いる。本発明のマグネシウムシリサイドに含まれるドーパントの量は特に限定されないが、上記のドーパントの含有量は、原子量比で０．１０〜２．００ａｔ％であることが好ましい。また、本発明のマグネシウムシリサイドを焼結してなる焼結体は、熱電変換素子として好ましく用いることができる。 （もっと読む）

【課題】転化炉の転化反応ガスからホウ素化合物等の不純物を効果的に除去して高純度のトリクロロシランを製造する。
【解決手段】転化炉２内の反応により得られたトリクロロシランを含む転化反応ガスを蒸留してテトラクロロシランを分離した後、該テトラクロロシランを分離した後の混合流体をポリマーに接触させて反応させ、その反応により生じたホウ素化合物を含む反応流体を蒸留することにより、トリクロロシランを分離精製する。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴット中への酸素の溶け込みを低減可能なシリコンインゴット鋳造用積層ルツボを提供する。
【解決手段】シリコン原料を溶解し、鋳造してシリコンインゴットを製造するためのシリコンインゴット鋳造用積層ルツボであって、鋳型２の内側に設けられた、５０〜３００μｍの微細溶融シリカ砂３１をシリカ５で結合した内層スタッコ層３０を少なくとも１層含む内層シリカ層３と、内層シリカ層３の内側に設けられ、０．２〜４．０μｍの窒化ケイ素粉末４１を７５〜９０重量％含有するとともに残部が１０〜６０００ｐｐｍのナトリウムを含有するシリカ５から構成される混合体素地層４０を少なくとも１層含む窒化ケイ素コーティング層４と、を備え、窒化ケイ素コーティング層４の最表面の混合体素地層４０’が、平均粒径０．０１〜０．１μｍの水酸化バリウム又は炭酸バリウムを含有するシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ１を選択する。 （もっと読む）

【課題】均質なシリコンインゴットを歩留よく鋳造するために、離型性に優れ、かつ、鋳型内面の剥離や脱落を防止することができ、シリコンインゴットのクラック発生も防止することができ、しかも、形成が容易である離型層を備えたシリコン鋳造用鋳型及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン鋳造用鋳型１の内表面に形成される離型層３を、窒化珪素粉末の熱酸化による焼結体からなる第１の層３Ａと、第１の層３Ａの上に形成されたシリカからなる第２の層３Ｂとにより構成し、かつ、第２の層３Ｂは、鋳型内に充填されるシリコン融液面４ａとの接触部よりも上部にのみ形成する。 （もっと読む）

【課題】高品質な多結晶シリコンインゴットを作製する。
【解決手段】坩堝２０の周囲に配置された３ｎ個(ｎは自然数)の抵抗加熱ヒータに３相交流を供給し、３相交流によって生じる回転磁場を作用させつつ、坩堝２０内のシリコンを加熱して溶解させる加熱工程と、上記回転磁場を作用させつつ、坩堝２０の底部から上部に向けて冷却してシリコンを凝固させる冷却工程と備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴット中への酸素の溶け込みを抑制可能なシリコンインゴット鋳造用積層ルツボを提供する。
【解決手段】鋳型２の内側に設けられた、５００〜１５００μｍの粗大溶融シリカ砂３１をシリカで結合した外層スタッコ層３０を少なくとも１層含む外層シリカ層３と、外層シリカ層３の内側に設けられた、５０〜３００μｍの微細溶融シリカ砂４１をシリカで結合した内層スタッコ層４０を少なくとも１層含む内層シリカ層４と、を備え、内層シリカ層４の最表面の内層スタッコ層４０’が、平均粒径０．１〜０．０１μｍの水酸化バリウム又は炭酸バリウムを含有することを特徴とするシリコンインゴット鋳造用積層ルツボ１を選択する。 （もっと読む）

【課題】均質なシリコンインゴットを歩留よく鋳造するために、離型性に優れ、かつ、鋳型内面の剥離や脱落を防止することができ、シリコンインゴットのクラック発生も防止することができ、しかも、形成が容易である離型層を備えたシリコン鋳造用鋳型を提供する。
【解決手段】シリコン鋳造用鋳型１の内表面に形成される離型層３を、鋳型１内に充填されるシリコン融液面４ａとの接触部及びそれよりも上部３Ａが、イミド熱分解法により製造された窒化珪素粉末の熱酸化による焼結体からなり、シリコン融液面４ａとの接触部よりも下部３Ｂが、直接窒化法により製造された窒化珪素粉末の熱酸化による焼結体からなるような構成とする。 （もっと読む）

【課題】残留応力の発生を十分に抑制でき、転位の発生を抑制できる電磁誘導を利用したシリコンインゴットの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】無底冷却ルツボの下方に複数段の保温ヒーターと複数段の均熱ヒーターを連続して配置する構成とし、冷却ルツボの下端位置を原点として鉛直下方を正とする座標系に従い、最上段の保温ヒーターの温度監視用温度計の鉛直方向の設置位置を第１位置Ｚ₀とし、この第１位置Ｚ₀でのヒーター温度をＴ₀で表すとともに、最上段の均熱ヒーターの温度監視用温度計の鉛直方向の設置位置を第２位置Ｚ₁とし、この第２位置Ｚ₁でのヒーター温度をＴ₁で表した場合、第１位置Ｚ₀と第２位置Ｚ₁との間の各保温ヒーターの温度監視に用いられる各温度計の鉛直方向の設置位置をＺとし、各位置Ｚでのヒーター温度Ｔが下記（１）式の条件を満たすように、各保温ヒーターの出力を制御する。
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【課題】炭素や酸素等の不純物を含有するシリコン粉末から、それを放電プラズマ焼結法によって焼結するだけでは達成できない高純度なシリコン材料を得ることができるシリコン製造方法を提供する。
【解決手段】放電プラズマ焼結法によりシリコン粉末を焼結させた後（ステップＳ０２〜ステップＳ０４）、その焼結したシリコン粉末を容器内で溶融させて（ステップＳ１１〜ステップＳ１２）、高純度なシリコン材料の溶融体（例えば、不純物濃度がｐｐｍオーダーの溶融シリコン）を生成する。 （もっと読む）

【課題】酸性の清浄化浴中での多結晶シリコン破砕物の清浄化方法において、安定なプロセス管理を可能にすること
【解決手段】清浄化が複数の清浄化サイクルを有し、各清浄化サイクルで所定量の酸が消費され、計算機制御された計量供給システムのインテグレータを用いて、各清浄化サイクルにおいて消費されたそれぞれの酸量を合計して清浄化浴中の酸の現在の全消費量とし、清浄化浴中で、この計量供給システムの最適な計量供給量に一致する酸の全消費量に達した後に、この計量供給システムが、貯蔵容器から取り出した新たな酸の最適な計量供給量を清浄化浴に供給する、酸性の清浄化浴中での多結晶シリコン破砕物の清浄化方法 （もっと読む）

【課題】金属シリコンから速い速度でボロンを除去する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、水素、水蒸気、二酸化炭素及び酸素から選択される少なくとも１種と不活性ガスとの混合ガスをプラズマ化することによってジェット流を形成しておき、このジェット流にボロンを含有する金属シリコン粉末を供給することを特徴とする金属シリコンからのボロン除去方法である。本発明において、水素と不活性ガスとの混合ガスをプラズマ化することによって形成されるジェット流の中流に、水蒸気、二酸化炭素及び酸素から選択される少なくとも１種を供給することも好ましい。 （もっと読む）

【課題】金属シリコンからボロンを除去する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、ボロンを含有する金属シリコン粉末を還元性雰囲気下、１３００℃以上で熱処理することを特徴とする金属シリコンからのボロン除去方法である。前記金属シリコン粉末は、例えば（ａ）ボロンを含有する金属シリコンを非酸化性雰囲気下でアトマイズすることにより調製されるか、又は（ｂ）表面が１３００℃以上で酸化された金属シリコン粉末であることが好ましい。また、前記還元性雰囲気での熱処理温度が１４１４℃以下であることが好ましい。前記（ａ）の場合において、非酸化性雰囲気は、不活性ガスであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】操作が簡単で、しかも、汚染や異物混入が生じ難い多結晶シリコンロッドの破砕方法を提供すること。
【解決手段】中心軸Ｃの方向に力学成分を有する衝撃力Ｆ₁（第１の衝撃力）を、打撃等により、多結晶シリコンロッド１０の一方端部に加える。この衝撃力（打撃の力）Ｆ₁は、多結晶シリコンロッド１０の内部に弾性波（第１の弾性波）を発生させ、この弾性波により、多結晶シリコンロッド１０の中心軸Ｃを分断する破砕面１を有する多結晶シリコン塊に破砕する。第１の衝撃力の付与は、多結晶シリコンロッド１０の一方端部とは逆の端部である他方端部を固定した状態で行われることが好ましい。多結晶シリコンロッドは結晶粒の集合であり、ロッド内部では局所的に強度のばらつきがあるため、付加された衝撃力が局所的に強度の弱い部分に有効に作用し、長尺の多結晶シリコンロッドであっても全長に渡る破砕を実現させることができる。 （もっと読む）

【課題】より結晶成長に適した温度勾配を形成でき、品質の高い結晶を製造できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】上端に開口３１を有し、下端に底部３２を有するるつぼ３と、るつぼ３を包囲し、るつぼ３の上下方向に沿って第１の位置と第２の位置の間を移動できる加熱装置２とを有しており、加熱装置２が稼動すると、るつぼ３の底部３２の側から開口３１の側に向かう順に、第１の温度域２０１と、第１の温度域２０１よりも温度が高い第２の温度域２０２とがそれぞれ画成され、加熱装置２が前記第１の位置にあるときに、るつぼ３は第２の温度域２０２にあり、加熱装置２が前記第２の位置にあるときに、るつぼ３は第１の温度域２０１にあることを特徴とした結晶成長装置。 （もっと読む）

【課題】ナトリウムを内包したII型のシリコン系クラスレートを安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン系クラスレートの製造方法は、Ｓｉ粉末とＧｅ粉末とＮａとを混合して６５０℃以上の温度で加熱し、ＳｉとＧｅとＮａとからなる化合物を生成する陽圧加熱処理工程と、生成されたＳｉとＧｅとＮａとからなる化合物を、１０^−２Ｐａ以下の陰圧下で３００℃以上４５０℃以下の温度により２時間以上７２時間以下加熱する陰圧加熱処理工程とを備えている。Ｇｅ粉末は、Ｓｉ粉末とＧｅ粉末の総モル数に対する割合が１モル％以上２０モル％以下となるように使用されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、シリカを含む植物を加熱処理や化学、生物学的処理などをして得られる分解処理残分を原料として、安価に高純度の四塩化ケイ素を製造できる方法を提供することである。
【解決手段】本発明者らは、シリカを含む植物を加熱して得られる、炭素／シリカの質量比が０．２以上２．０以下である分解処理残分に、ＪＩＳ標準篩の呼び寸法で１．０ｍｍ以上４．８ｍｍ以下の金属ケイ素を、分解処理残分中のシリカ１００質量部に対して、１０〜４０質量部加えて塩素化反応を行うことにより、外部からの余分なエネルギー供給の必要がなく、高いシリカ反応率で四塩化ケイ素が製造できることを見出した。 （もっと読む）

【課題】配管閉塞等を生じさせることなく、塩化アルミニウムを効率的に除去する。
【解決手段】金属シリコンとテトラクロロシラン、水素を反応させて、その反応ガスを凝縮した後、その凝縮液を粗蒸留塔１３及び二次蒸留塔１５を有する蒸留系７で蒸留してトリクロロシランを精製するトリクロロシラン製造方法において、凝縮液中の塩化アルミニウム濃度が飽和溶解度以下となるように高温状態に維持し、その高温状態に維持したまま凝縮液を粗蒸留塔１３まで流通させ、粗蒸留塔１３において留出する液を二次蒸留塔１５で蒸留してトリクロロシランを精製するとともに、粗蒸留塔１３の底部より塩化アルミニウムが濃縮した液を抜き出し、その抜出し液を濃縮、乾燥させて塩化アルミニウムを含む固形物を排出する。 （もっと読む）