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Fターム[4G146AB06]の内容

炭素・炭素化合物 (72,636) | 炭素、炭素化合物−形状 (4,341) | 繊維状、ウィスカー (1,152)

Fターム[4G146AB06]に分類される特許

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【課題】高さ方向で直線性が高くその配向や密集した構造をそのまま応用したり、多層CNTをほぐして容易に使用できる絡み合いが少ない多層CNT集合構造を提供する。
【解決手段】基板1上に触媒微粒子9の作用で成長した複数の多層CNT2aが集合した構造2であって、上記構造2を構成する多層CNT2aのc面間隔[nm]をx軸、下記に定義されるピーク面積内のX線強度ピーク値からの半値幅[nm]をy軸として、y軸方向からは次式(1)(2)で示す2つの直線で挟まれる領域内で、かつ、x軸方向からは0.338nm≦x≦0.355nmの範囲の領域内にある多層CNTが集合した構造。
y=2.1x+0.71…(1)
y=3.5x+1.15…(2)
ただし、上記ピーク面積は上記構造に入射したX線が該構造内を回折して別側複数位置から出射する際、各位置の変化に伴い形成される出射X線強度のピーク波形の面積である。 (もっと読む)


【課題】従来よりも高強度な炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクを提供する。
【解決手段】炭素繊維と、樹脂とを混合後、焼成成形してなる焼成体にシリコンを溶融含浸して得られる炭素繊維複合材であって、X線回折法による、前記炭素繊維の炭素002面の面間隔d002が、3.36〜3.43であることを特徴とする炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクである。炭素繊維はピッチ由来の前駆体から焼成して得られた炭素繊維であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノウォールの選択成長方法を提供すること。
【解決手段】SiO2 からなる基板100上に、正方形が三角格子状に配列されたパターンのTi膜101を形成した。次に、SiO2 基板100上にカーボンナノウォールを成長させた。そして、Tiからのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも長く、SiO2 からのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも短い時間で成長を終了させた。ここで、SiO2 からのカーボンナノウォールの成長開始時間は、Tiからの成長開始時間よりも長い。その結果、SiO2 基板100上のうち、Ti膜101が形成されずにSiO2 が露出している領域にはカーボンナノウォールが成長せず、Ti膜101上にのみ、カーボンナノウォール102が形成された。 (もっと読む)


【課題】分散安定剤を使用せずに金属ナノ粒子を成膜する。
【解決手段】内部が真空状態に保持され、ウエハWが載置された処理容器150と、金属含塩溶液を超音波により霧化し、霧化された金属塩溶液の液滴Mbを処理容器150内に放出する超音波噴霧器110と、放出された金属塩溶液の液滴Mbが処理容器150の内部をウエハWに向けて移動する際に通過する空間Aに配設され、放出された金属塩溶液の霧状の液滴Mbを熱分解する温度調整器152とを備える。これにより、熱分解により金属塩溶液の霧状の液滴Mbから生成された金属ナノ粒子MaをウエハWに成膜する。 (もっと読む)


【課題】ナノマテリアルの分散状態を瞬間的に封じ込めた高分散複合凝集体を作製し、高分散複合凝集体から、分散に関する情報を客観的、全体的に引き出す分散評価技術、および、それを応用した欠陥導入技術を提供する。
【解決手段】多層カーボンナノチューブ(以下MWCNT)とそれよりも粒径が小さく、空隙率(吸油量)の大きなカーボンブラック(以下CB)を混合し、超音波分散させると、CBはMWCNTの分散状態を封じ込めたような高分散複合凝集体を形成する(魔法の立体網効果)。この高分散複合凝集体を示差熱分析にかけると、600℃付近でCBが自然発火する。このときMWCNTは熱的ダメージを受け欠陥が生じ燃焼温度が低下する。その熱的なダメージの受け方に分散性が反映することを応用すると、客観的に全体的に分散に関する情報を得ることができる(複合化燃焼法)。 (もっと読む)


【課題】灯油等の炭化水素油の流れに生じるムラの発生を低減でき、脱硫器内の空間を有効利用することも可能な金属担持繊維状活性炭の製造方法を提供する。
【解決手段】比表面積が800〜4,000m/gで且つ全細孔容積が0.5〜1.5cm/gである繊維状活性炭に、金属成分を含む含浸液を浸透させ、0〜40℃で12〜36時間放置し、その後に該金属成分が浸透した繊維状活性炭を焼成することを特徴とする金属担持繊維状活性炭の製造方法である。 (もっと読む)


分子インプリントされた炭素の調製が記載されている。分子インプリントされた炭素は、目的とする特定のテンプレート分子に分子レベルでインプリントされると、テンプレート分子の少なくとも一部に対応する被分析物に対し、きわめて選択的になる表面をもつ。分子インプリントされた炭素を含むデバイス、および被分析物を検出する方法でのこのデバイスの使用も記載されている。一例として、ジブチルブチルホスホネート(DBBP)は、化学兵器の代替物であるが、これをテンプレート分子として使用した。エレクトロスピニングされた分子インプリントされたSU−8および熱分解したポリマー(PP)の固相マイクロ抽出(SPME)デバイスを調製し、このデバイスが水系マトリックスからDBBPを優先的に抽出する能力を、妨害物質が存在する状態、存在しない状態で、非インプリント型SU−8およびPP SPME繊維と比較することによって評価した。
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【課題】繊維強化複合セラミックス材料の全領域におけるセラミックス繊維に、厚さ寸法がほぼ均一な被膜(すべり層)を、容易に形成することができる繊維強化複合セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】加熱分解で炭素を生成する有機材料を溶媒に溶解させた液体に、セラミックス繊維を浸漬する工程(S1)と、前記有機材料を溶解させた液体からセラミックス繊維を取り出し、前記セラミックス繊維を乾燥させ、セラミックス繊維に有機材料膜を形成する工程(S3)と、前記セラミックス繊維とセラミックススラリーとにより、所定形状の成形体を形成する工程と、前記成形体を焼成し、前記有機材料を加熱分解させ、セラミックス繊維に形成された有機材料膜を炭素質層となす工程(S4)とを備える。 (もっと読む)


【課題】基板を連続的に供給した場合でも、基板全体に均質なカーボンナノチューブを生成し得るCVD装置を提供する。
【解決手段】炉本体2内に設けられた反応室15にカーボンナノチューブ生成用の金属触媒粒子が付着された基板Kを導くと共にカーボンを含む原料ガスGを供給し加熱する熱CVD法によりカーボンナノチューブを形成し得る加熱炉1を具備するCVD装置であって、反応室15における基板Kの下方を区画壁61により複数の反応空間部15a〜15cに区画すると共に、これら各反応空間部の底壁部32〜34にカーボンを含む原料ガスGを供給し得るガス供給管52〜54をそれぞれ設け、さらにこれらガス供給管から供給する原料ガスの供給量をカーボンナノチューブの成長に応じて増加させるようにしたものである。 (もっと読む)


【課題】高い透明導電性をもつカーボンナノチューブ透明導電複合材を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの直径が1.5nm以下の状態で平均長さが1μm以上5μm以下のカーボンナノチューブを用い、かつ、平均カーボンナノチューブ長さをXμmとした場合、カーボンナノチューブ層バルク体積抵抗率ρ(Ωcm)が4.0×10−5Ωcm以上、式(1)で表される値以下である透明導電複合材。
ρ=7.3361×10−7−9.5978×10−6+3.7979×10−5−1.8550×10−5X+2.9732×10−5 (1) (もっと読む)


【課題】本発明における目的は、半導体性・金属性の混合した単層カーボンナノチューブからなる材料から、半導体性・金属性のそれぞれを工業的に大量、簡便、高効率に分離選別する手法、分離選別する装置、分離選別した分散溶液を提供することにある。
【解決手段】単層カーボンナノチューブを非イオン性界面活性剤溶液中へ分散した単層カーボンナノチューブ含有ミセル分散溶液に対して直流電圧を印加し、各ミセルが全体として正電荷を有する金属性単層カーボンナノチューブの濃縮されている単層カーボンナノチューブ含有ミセル分散液層と、各ミセルが全体としては極めて弱い電荷しか有しない半導体性単層カーボンナノチューブ含有ミセル分散液の層との、少なくとも2層に分離する工程を有する。 (もっと読む)


例えば、熱及び/又は化学ガスを封じ込めるための封じ込めシステム、例えば、遮断セグメント、遮蔽セグメント及び/又は分割セグメントを含むことができる炭素系封じ込めシステムが記載されており、各セグメントは壁を形成する壁パネル等の複数のパネルとすることができる。
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【課題】ナノ物質の半導体の性質を利用した半導体装置においては、金属性ナノ物質により半導体装置の半導体特性劣化する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、はじめに、複数のナノ物質に含まれる半導体性ナノ物質と金属性ナノ物質のうち、半導体性ナノ物質の導電性を低下させる。次に、金属性ナノ物質に、金属性ナノ物質を切断する作用を促進する切断促進物質を付着させる。次に、切断促進物質が付着した金属性ナノ物質を切断する。 (もっと読む)


【課題】
分散性、貯蔵安定性に優れた分散樹脂フリーのカーボンブラック分散液を提供すること。
【解決手段】
塩基性官能基を有する有機色素誘導体または塩基性官能基を有するトリアジン誘導体と、分子量300以下の塩基との存在下で、有機溶剤中に炭素材料を分散する。
用途としては、当該炭素材料分散液を使用したされたディスプレイコーティング、また当該炭素材料分散液を使用して電極合材層が形成された電池用電極、それを用いたリチウムイオン二次電池などがある。 (もっと読む)


ナノチューブファブリック層内の密度、多孔率及び/又は間隙を制御する方法を開示する。一実施形態では、ナノチューブファブリック内のラフト化の度合いを制御することによりこれが達成される。当該方法は、ナノチューブ塗布溶液中に拡散した個々のナノチューブ要素の濃度を調整することを含む。高濃度の個々のナノチューブ要素は、このナノチューブ塗布溶液を使用して形成されるナノチューブファブリック層内のラフト化を促進する傾向にあり、他方、低濃度はラフト化を抑制する傾向にある。別実施形態では、当該方法は、ナノチューブ塗布溶液中に拡散したイオン粒子の濃度を調整することを含む。低濃度のイオン粒子は、このナノチューブ塗布溶液を使用して形成されるナノチューブファブリック層内のラフト化を促進する傾向にあり、他方、高濃度はラフト化を抑制する傾向にある。別実施形態では、これら両方の濃度パラメータが調整される。
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本願は、線状パターンのグラフェンを利用して形成されるグラフェンファイバーの製造方法、これにより製造されたグラフェンファイバー及びこれの用途に関し、グラフェンファイバーは、電線及び同軸ケーブルなど多様な分野に適用可能である。
すなわち、基板上に複数の線状パターンを含む金属層を形成し、線状パターンの金属層上に炭素ソースを含む反応ガス及び熱を提供して反応させることで線状パターンのグラフェンを形成し、基板をエッチング溶液内に含浸させて線状パターンの金属層を選択的に除去することで、基板から線状パターンのグラフェンを分離して、エッチング溶液中に複数の線状グラフェンを分散させ、及び分散した複数の線状グラフェンをエッチング溶液の外部に引き出してグラフェンファイバーを形成することを含む、グラフェンファイバーの製造方法等である。 (もっと読む)


【課題】触媒電極層と炭素繊維シートとの接触面積を増やしつつも、セパレータと炭素繊維シートとの接触抵抗を上げることのない炭素繊維シート及び該炭素繊維シートの製造方法を提供する。
【解決手段】炭素繊維シートの触媒電極層と接する側の面(以下、A面ともいう)の表面を構成する繊維に多くの微細孔を発現させて、炭素繊維の表面積を増やし、炭素繊維シートと触媒電極層との接触面積を増大させるとともに、セパレータの接する面即ちA面の裏側面(以下、B面ともいう)の表面を構成する面には微細孔を発現させないで、炭素繊維シートとセパレータとの接触抵抗の増大を抑制することにより、燃料電池性能を向上させる。 (もっと読む)


【課題】ナノカーボン被覆耐火原料を使用した耐火物において、とくにその熱間強度を向上させること。
【解決手段】耐火原料粒子の表面の少なくとも一部にカーボンナノファイバーおよび/またはカーボンナノチューブが被覆されたナノカーボン被覆耐火原料を含む耐火原料配合物に有機樹脂を添加して混練し、得られた坏土を成形後熱処理して製造される耐火物であって、有機樹脂から得られる残炭量が耐火原料配合物全体の質量に対して1.2質量%以上10.0質量%以下であるナノカーボン被覆耐火原料を使用した耐火物。 (もっと読む)


【課題】生産時のハンドリングおよび実用に適した強度を有するカーボンナノチューブ撚糸およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】カーボンナノチューブを含む撚糸であって、該カーボンナノチューブが分子間で架橋構造が形成しているカーボンナノチューブ撚糸。このカーボンナノチューブ撚糸は、カーボンナノチューブを含む撚糸に電子線を照射することをより製造することができる。 (もっと読む)


【課題】生産性や歩留まりが高いCNTワイヤの製造方法を提供すること。
【解決手段】表面にFe−Al層を有する基板上に、CNTを複数形成する工程と、複数のCNTの一部を引き出す工程とを有することを特徴とするCNTワイヤの製造方法であって、蛍光X線測定に基づき算出したFe−Al層の組成比Fe/Alと、蛍光X線測定に基づき算出したFe−Al層の膜厚とが、下記の条件1、条件2、及び条件3のうちのいずれかを充足することを特徴とする。条件1:組成比Fe/Alは0.52〜0.75の範囲にあり、且つFe−Al層の膜厚は4〜7.9nmの範囲にある。条件2:組成比Fe/Alは0.23〜0.52の範囲にあり、且つFe−Al層の膜厚は5.8〜7.9nmの範囲にある。条件3:組成比Fe/Alは0.52以下であり、且つFe−Al層の膜厚は5.8nm以下であり、且つFe膜厚が1.6nmより厚い範囲にある。 (もっと読む)


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