本発明は、フィッシャー・トロプシュ合成に改質ガスを提供することによって、脂肪族および芳香族Ｃ２〜Ｃ６炭化水素を製造するプロセスに関する。本プロセスに使用される改質ガスは、Ｎｉ／Ｌａ触媒上での炭化水素供給物の自己熱乾式改質により生成され、合成ガス（Ｈ₂およびＣＯ）、酸素（Ｏ₂）および必要に応じて、メタン（ＣＨ₄）、二酸化炭素（ＣＯ₂）および不活性ガスからなる群より選択されるさらに別の成分から実質的になる。 （もっと読む）

本発明は、式（ＩＩ）で表される芳香族塩素化合物又は芳香族臭素化合物を調製するための新規方法に関し、ここで、該方法は、水性塩酸又は水性臭化水素酸の存在下で亜硝酸ナトリウム又は亜硝酸カリウムを用いて式（Ｉ）をジアゾ化し、次いで、場合により追加量の塩化水素若しくは臭化水素又はアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の塩化物若しくは臭化物の存在下で、鉄（ＩＩ）化合物又は鉄（ＩＩＩ）化合物を用いて変換することによる。 （もっと読む）

【課題】メタノールからポリオキシメチレンジメチルエーテルを生成する方法の提供。
【解決手段】メタノールと酸化剤とを触媒の存在下において接触反応させる。上記触媒は少なくとも１種類のＶＩＢ族金属成分と、少なくとも１種類のＶＩＩＩ族金属成分と、酸触媒活性を示す少なくとも１種類の分子篩とを含有し、上記少なくとも１種類のＶＩＢ族金属成分の含有量（金属酸化物換算）は、触媒の総重量に対して約０．５〜約５０重量％であり、上記少なくとも１種類のＶＩＩＩ族金属成分の含有量（金属酸化物換算）は、触媒の総重量に対して約０．２〜約２０重量％であり、上記酸触媒活性を示す少なくとも１種類の分子篩の含有量は、触媒の総重量に対して約４０〜約９５重量％である。 （もっと読む）

鉄を含有する触媒の存在下におけるジアセトキシベンゾイルクロリドとグリニャール試薬との反応を含む、アシルベンゼンの調製方法が提供される。アシルベンゼンは、リスベラトロールの多段階調製方法のために非常に有用な中間体である。 （もっと読む）

イソブテン、イソプレン、およびブタジエンは、脱水素化によりＣ_４および／またはＣ_５オレフィンの混合物から得られる。Ｃ_４および／またはＣ_５オレフィンは、Ｃ_４およびＣ_５アルコール、たとえば、熱化学的プロセスまたは発酵プロセスによりバイオマスから製造される再生可能なＣ_４およびＣ_５アルコールの脱水により得ることができる。イソプレンまたはブタジエンは、ポリイソプレン、ポリブタジエン、合成ゴムたとえばブチルゴムなどのようなポリマーを形成するよう重合させることができ、加えて、ブタジエンは、メチルメタクリレート、アジピン酸、アジポニトリル、１，４−ブタジエンなどのようなモノマーに変換することができ、これは、次いで、ナイロン、ポリエステル、ポリメチルメタクリレートなどを形成するよう重合させることができる。 （もっと読む）

【課題】金属系の酸化剤や触媒を使用することなく、アルデヒド又はケトンを効率よく製造できる芳香族アルコールの酸化方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る芳香族アルコールの酸化方法は、比表面積が２０ｍ^２／ｇ以上の炭素材料、酸素含有ガス及び硝酸又はアルカリ金属水酸化物の存在下で、芳香族アルコールを酸化する方法である。 （もっと読む）

【課題】非対称型（２つのベンゾイルに異なる置換基を有するもの）の２，７−ジメトキシナフタレン化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で示されるジメトキシナフタレン骨格を有する化合物。
【化１】


（式中、Ｒ¹及びＲ²は、ＯＨ、ハロゲン、ＮＯ₂、ＮＨ₂、ＣＯＯＲ³、ＯＣＯＣＨ₃及びＣＨ₂Ｒ⁴から選ばれる基であり、Ｒ¹とＲ²が同一であることはない。また、Ｒ³はＨまたはＣＨ₃であり、Ｒ⁴はハロゲンまたはＯＨである。また、Ｍｅはメチル基を示す。） （もっと読む）

【課題】プロピレンのアンモ酸化反応によるアクリロニトリルの製造に際して、過剰量のアンモニアが少ない条件下で、アクリロニトリルを高収率で生産することができる触媒を得ること。
【解決手段】プロピレンと、分子状酸素と、アンモニアとを反応させてアクリロニトリルを製造する際に用いる触媒であって、下記一般式（１）
Ｍｏ_aＢｉ_bＣｅ_cＤ_dＥ_eＧ_gＪ_jＭ_mＯ_n・・・（１）
（式（１）中、Ｄは鉄又は鉄及びクロムを示し、Ｅはニッケル及びコバルトからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を示し、Ｇはマグネシウム、亜鉛及びマンガンからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を示し、Ｊはカリウム、ルビジウム及びセシウムからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を示し、Ｍはタングステン及びアンチモンからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｇ、ｊ及びｍは、それぞれ各元素の原子比を示し、１０．５≦（ａ＋ｍ）≦１３．３、０．０５≦ｂ≦１、０．０５≦ｃ≦１、０．３≦ｄ≦４、２≦ｅ≦１０、０≦ｇ≦６、０．０３≦ｊ≦０．３、０≦ｍ≦３であり、ｎは酸素以外の構成元素の原子価を満足する酸素原子の原子比を示す。）
で表される元素組成を有し、各元素の前記原子比から下記式（２）及び（３）により算出されるα及びβが、０．０６≦α≦０．３３、０．００４≦β≦０．０１６を同時に満たす酸化物と、
α＝１．５ｄ／（ｅ＋ｇ）・・・（２）
β＝ｊ／（１．５ｄ＋ｅ＋ｇ）・・・（３）
前記酸化物を担持した担体と、
を有するアンモ酸化触媒。 （もっと読む）

【課題】サイクロンを内部に有する流動層反応器を用いて気相反応を行う方法において、サイクロンディプレッグの触媒による閉塞を低減し、さらにはディプレッグ内に滞留している触媒の劣化を抑制して触媒の性能を長期に渡り保持できる気相反応方法を提供すること。
【解決手段】（１）触媒層を含む流動層反応器に原料ガスを供給する工程、
（２）前記原料ガスを前記触媒層に通過させて生成ガスを得る工程、
（３）前記生成ガスを前記触媒層から排出してサイクロンに導入したのち、前記生成ガスを前記流動層反応器から排出する工程、
（４）前記生成ガスが前記サイクロンに導入される際に同伴する触媒をサイクロンディプレッグ中に回収する工程、
（５）前記サイクロンディプレッグ中に回収した前記触媒をサイクロンディプレッグ下部に設けられたトリクルバルブを用いて前記触媒層に戻す工程、
を含む気相反応方法であって、
前記工程（５）において前記トリクルバルブ内で前記触媒を流動化させることを含む、気相反応方法及びそれに好適な気相反応装置。 （もっと読む）

【課題】プレート式反応器に粒子状の充填物を充填する際に、伝熱プレート間の隙間に充填物を均一に充填することができる方法を提供する。
【解決手段】プレート式反応器における伝熱プレート間の隙間に充填物を投入するにあたり、前記充填物の安息角をθ（°）、前記伝熱管の軸方向における前記充填物の投入位置から前記充填区画の端までの距離をＢ（ｍ）、前記充填層の最高点の高さの設計値の１０％（ｍ）をＥとしたときに、ＢがＥ／ｔａｎθ以下となる投入位置から充填物を前記隙間に投入する。 （もっと読む）

【課題】 目的とするオレフィンを高収率で得ることができる、オレフィンの製造法の提供。
【解決手段】 第６族金属、第７族金属、第８族金属、第９族金属、第１０族金属及び第１１族金属からなる群から選ばれる一種以上の金属元素ならびにヨウ素元素を含む化合物を触媒として用いる、β水素原子を有するカルボン酸またはその誘導体からのオレフィンの製造法。 （もっと読む）

【課題】医薬品、農薬、液晶及び高分子の原料として有用なモノスルホン酸エステルの製造方法の提供。
【解決手段】１，２−エタンジオール誘導体を、リチウム、ベリリウム、ホウ素、マグネシウム、アルミニウム、ケイ素、リン、カルシウム、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、ストロンチウム、イットリウム、ジルコニウム及びモリブデン等からなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む金属触媒及び塩基の存在下、有機溶媒中で、一般式：Ｒ^２ＳＯ_２Ｘで表されるスルホン酸ハライドと反応させる、下記一般式（ＩＩ）：


で表されるモノスルホン酸エステルの製造方法。 （もっと読む）

【課題】オレフィン化合物と酸素と水からカルボニル化合物をより効率的に製造する方法を提供すること。
【解決手段】１）パラジウム触媒、２）式[X_aM_bM'_cO_d]^n-(式中、XはP, Si, Sから選ばれる元素を表し、aは1又は2の整数を表し、M及びM'はMo, W, Ta, Nbから選ばれる元素を表し、b、cは0以上の整数であり、dは、１以上の整数を表す。) で表されるヘテロポリアニオンを有するヘテロポリ酸、３）バナジウム化合物、及び４）リン化合物又は塩基性物質又は両者を含む、含水液相中で、オレフィンを分子状酸素と反応させることを特徴とするオレフィンに対応するカルボニル化合物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】メタクリル酸選択率の高いメタクリル酸合成用触媒を製造できる方法を提供する。
【解決手段】特定の組成を有するメタクリル酸合成用触媒であって、
少なくともモリブデン、リン及びバナジウムを含む溶液又はスラリー（Ａ液）とＺ元素を含む溶液又はスラリー（ＣＩ液）とを混合しＡ−ＣＩ混合液を調製する工程と、
Ａ−ＣＩ混合液とアンモニウムを含む溶液又はスラリー（Ｂ液）とを混合しＡ−ＣＩ−Ｂ混合液を調製する工程と、
Ａ−ＣＩ−Ｂ混合液とＺ元素を含む溶液又はスラリー（ＣＩＩ液）とを混合しＤ液を調製する工程と、
Ｄ液を乾燥し熱処理する工程とを含み、
Ｄ液のアンモニウム量をモリブデン１２モルに対し０．５〜５モルとし、Ｄ液のｐＨを２．０以下とするメタクリル酸合成用触媒の製造方法。 （もっと読む）

【課題】十分な触媒活性を有し、メタクロレイン及びメタクリルの選択性、収率の優れた触媒の製造方法を提供する。
【解決手段】
イソブチレン又は第三級ブチルアルコールを酸素を用いて気相接触酸化してメタクロレイン及びメタクリル酸を製造する際に用いられる、少なくともモリブデン及びビスマスを触媒成分として含むメタクロレイン及びメタクリル酸製造用触媒の製造方法において、
該触媒成分の原料化合物と水を含む混合溶液又はスラリーを調製する工程、
該混合溶液又はスラリーの含水率が２０〜５０質量％になるまで濃縮する工程、
前記混合溶液又はスラリーに、濃縮前、濃縮中又は濃縮後のいずれかに有機バインダーを添加する工程、及び
前記有機バインダーの添加された濃縮物を成型して成型体を得る工程、
を有することを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】 触媒活性を良好に回復させつつ、触媒寿命をも向上させることができるメタクリル酸製造用触媒の再生方法を提供する。
【解決手段】 リン、モリブデン及びアルカリ金属元素を含む組成のヘテロポリ酸化合物からなる新品触媒をメタクリル酸の製造に使用して得られた使用済触媒からメタクリル酸製造用触媒を再生する方法であって、前記使用済触媒にモリブデン化合物及び水を混合し、その後、乾燥し、焼成する各工程を含み、かつ、再生された触媒を構成するヘテロポリ酸化合物のアルカリ金属元素に対するモリブデンの原子比が、前記新品触媒を構成するヘテロポリ酸化合物のアルカリ金属元素に対するモリブデンの原子比よりも小さくなるように、前記使用済触媒に対するモリブデン化合物の混合量を調整する。 （もっと読む）

【課題】プレート式反応器における充填による触媒の損壊を抑制する技術を提供する。
【解決手段】プレート式反応器において対向する伝熱プレート１間の隙間が、伝熱プレート１間の間隔Ｐ、伝熱プレート１を構成する伝熱管５−１〜５−３の特定の管径Ｈ、及び前記隙間に充填される触媒の最短粒径Ｄで表される特定の関係を満たすプレート式反応器を構成し、又はこのような関係を満たす最短粒径を有する触媒を既存のプレート式反応器における伝熱プレート１間の隙間に充填する。 （もっと読む）

【課題】効率よく生成物を生成させるために、多量の原料ガスを反応器に流入させても、反応器の差圧の上昇を抑制することができ、生成物の収率の低下を招かないような反応方法を提供する。
【解決手段】供給された原料ガスを反応させる触媒層を備え、その触媒層と熱交換を行い除熱及び加熱ができる反応器において、
触媒層を備えない状態において、常温の空気を、反応器出口圧力を常圧とし熱媒による加熱なしで、触媒層容積あたり標準状態換算で空間速度を７，２００（１／ｈｒ）として前記反応器に流入させた場合の前記反応器の差圧が５０Ｐａ以下であり、
前記触媒層が、原料ガスの入口から出口に向かって複数の反応帯域に分割され、前記複数の反応帯域は原料ガスの入口から出口に向かって触媒充填時の空隙率を減少させるように配置されている反応器を用いる反応方法により課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】比較的低い温度で、高カロリーガス中にメタン以外の飽和炭化水素ガス成分を高濃度に生成することができる新規なルテニウム系の高カロリーガス製造用触媒を提供することにあり、このような高カロリーガス製造用触媒により、省エネルギーで高効率に高カロリーガスを製造する技術を提供することにある。
【解決手段】鉄族元素を担持させてある金属酸化物担体に、さらに、ルテニウムを湿式還元法により担持させてある。 （もっと読む）

本発明は、蒸気相中の酢酸から酢酸ビニルモノマー（ＶＡＭ）を製造するための一体化した多段の経済的な方法を提供する。最初に、酢酸を、水素化触媒組成物上で選択的に水素化して、アセトアルデヒドを形成する。そのように形成されたアセトアルデヒドは、無水酢酸との反応によってエチリデンジアセテートへ変換することができる。それに続く工程において、そのように形成されたエチリデンジアセテートを、熱分解して、ＶＡＭおよび酢酸を形成する。或いは、最初の工程で形成されたアセトアルデヒドを、ケテンと選択的に反応させて、ＶＡＭを形成することができる。本発明の態様において、シリカ上に担持された白金および鉄上での酢酸および水素の反応は、蒸気相中において約３００℃の温度で選択的にアセトアルデヒドを生成し、それを、白金担持触媒上で選択的に水素化して、エタノールを形成し、そしてＮＡＦＩＯＮ触媒上で脱水して、約１８５℃の温度でエチレンを形成し、それを、分子酸素、酢酸と混合し、そしてチタニア上に担持されたパラジウム／金／カリウム触媒上で反応させて、約１５０℃〜１７０℃の温度でＶＡＭを形成する。 （もっと読む）