【課題】大量の２−カルボキシフェニル−ボロン酸の調製のための新規方法の提供。
【解決手段】４，４−ジメチル−２−フェニル−オキサゾリンのグリニャール試薬でのメタル化により、４，４−ジメチル−２−フェニル−オキサゾリンマグネシウムクロライドを製造し、次いで該化合物にホウ酸トリエステルを反応させ、さらに加水分解することにより、オキサゾール環の開環、エステルの加水分解を行い、４，４−ジメチル−２−フェニル−オキサゾリンボロン酸誘導体を調製する。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ低コストに、銅粒子を製造する方法および当該銅粒子を分散させた液体材料を用いた配線基板の製造方法、ならびに、当該銅粒子を製造するために用いられるギ酸銅錯体を提供すること。
【解決手段】本発明は、下記一般式（１）


（式中、Ｃｕは２価の銅、Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基を示す。）で表されるギ酸銅錯体の前記２価の銅が０価の銅に還元されるとともに、前記ギ酸配位子が二酸化炭素に酸化されるように前記ギ酸銅錯体を分解することにより銅粒子を得る銅粒子の製造方法、当該銅粒子を分散させた液体材料を基板に塗布する配線基板の製造方法、上記一般式（１）で表されるギ酸銅錯体を提供することを特徴とする。 （もっと読む）

オレフィン重合のための触媒を活性化するために有用な組成物が提供される。組成物は、少なくとも、担体、処理された有機アルミンオキシ化合物および少なくとも１個の活性プロトンを有するイオン化合物から誘導される。 （もっと読む）

【課題】２−シアノフェニルボロン酸を高純度に合成する方法を提供する。
【解決手段】ベンゾニトリル、リチウム２，２，６，６−テトラメチルピペリジドおよびトリアルコキシボランを反応させ、得られた２−シアノフェニルボロン酸を含む反応液に酸性水溶液を加えて、水に非混和性の有機溶媒の存在下ｐＨ７未満で接触処理した後、有機層から２−シアノフェニルボロン酸を得ることを特徴とする高純度２−シアノフェニルボロン酸の製造方法。 （もっと読む）

【課題】カルボニル炭素又はイミノ炭素へ炭化水素基を付加した求核反応体を温和な条件下であっても高選択的に得られる。
【解決手段】ＴＨＦ中で、塩化亜鉛（０．３３５ｍｍｏｌ）とＥｔＭｇＣｌ（４．３５ｍｍｏｌ）の存在下、ベンゾフェノン（３．３５ｍｍｏｌ）を加え、０℃にて２時間攪拌した。その後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、室温下３分攪拌した。続いて、酢酸エチルを加え、通常の分液処理を行った。抽出した有機層を洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過、濃縮した。中性シリカゲルカラム（ヘキサン：酢酸エチル＝５：１）にて生成物を分取し、対応する３級アルコールを収率８４％で得た。 （もっと読む）

式Ｉの７−シクロアミノ−１−シクロプロピル−１，４−ジヒドロ−８−メトキシ−４−オキソ−３−キノリンカルボン酸の製造方法。そのような製法の用途に好適な式（ＩＶ）のホウ酸エステル化合物。 （もっと読む）

【課題】 １３族金属を含有する薄膜を形成する場合に適した薄膜形成金属原料を提供する。
【解決手段】 化学式ＭＬ_３（式中、Ｍは、１３族原子を表し、Ｌは、オクタン−２，４−ジオン残基、２，２−ジメチル−６−エチルデカン−３，５−ジオン残基又は、２，２，６，６−テトラメチル−１−（２−メトキシエトキシ）ヘプタン−３，５−ジオン残基を表す。）で表されるβ−ジケトン金属錯体を含有してなる薄膜形成用原料及びこれを用いた化学気相成長法による薄膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ユニークな触媒活性を有するのみならず、熱安定性に優れる多核錯体、特に過酸化水素分解触媒において、フリーラジカルの発生を抑制しつつ水と酸素に分解できる触媒能を有する不均一系触媒を提供する。
【解決手段】下記(i)、(ii)、(iii)等の要件を備える配位子Ｌを１つ以上と、複数の金属原子とを含む、多核錯体及び該錯体の縮合体を提供する。
(i) 下記式（１）で示される１価の基及び／又は下記式（２）で示される２価の基を有すること。


(ii) 金属原子と配位する配位原子を５個以上有すること。
(iii) 前記配位原子から選ばれる少なくとも１つの配位原子が２つの金属原子に配位すること、又は前記配位原子から選ばれ、それぞれ異なる金属原子に配位する２つの配位原子をＡＭ１、ＡＭ２としたとき、ＡＭ１−ＡＭ２間を結ぶ共有結合の最小値が１以上４以下となる、ＡＭ１及びＡＭ２の組合せを有すること。 （もっと読む）

【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ビフェニレン誘導体、それを用いた耐酸化性有機半導体材料並びに有機薄膜、及び該ビフェニレン誘導体を簡便に経済的に製造する方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で示されるビフェニレン誘導体を製造する。


（ここで、置換基Ｒ^１〜Ｒ^８は、水素原子、フッ素原子、アリール基、複素環基であり炭素原子で置換結合する基、アルキニル基、アルケニル基、アルキル基、又はフッ素化アルキル基を示す。但し、Ｒ^１〜Ｒ^８は同時にフェニル基であることはできず、Ｒ^２及びＲ^３は同時に水素原子又はフッ素原子であることはできず、又Ｒ^６及びＲ^７が同時に水素原子又はフッ素原子であることはできない。） （もっと読む）

この発明は、カルボニル基の立体選択的アルキル化のための方法および中間体に関する。本発明は、特に、抗うつ剤エスシタロプラムの立体選択的調製を可能にする。ホウ酸もしくはボロン酸の誘導体は、キラル基をカルボニル基を含有する化合物に付加してアルキル化するための成分を架橋するのに有用であることを見出した。したがって前記ボレートおよびボロネートは、カルボニル基、およびホウ酸もしくはボロン酸の誘導体と反応可能なアンカー基を含有する化合物における、カルボニル基の不斉アルキル化方法に有用である。不斉アルキル化は、アルキル化するカルボニル基、およびホウ酸もしくはボロン酸の誘導体と反応可能なアンカー基を含有する化合物を、ホウ酸もしくはボロン酸の誘導体と混合し、キラルアルコールを添加し、有機金属化合物を添加することにより行われる。アルキル化反応の後、ボレートおよびボロネートは、加水分解により容易に除去することができる。 （もっと読む）

本発明は、新規のイミダゾキナゾリン誘導体、この製造方法およびこれを用いた有機電気素子に関する。本発明に係るイミダゾキナゾリン誘導体は、有機発光素子をはじめとする有機電気素子で正孔注入、正孔輸送、電子注入および輸送、または発光物質の役割をすることができ、本発明に係る素子は、効率、駆動電圧、安定性の面に優れた特性を示す。
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【課題】オキサゾール誘導体に関する。
【解決手段】一般式（１）（式中、Ｒ^１はアルキル基、アラルキル基、芳香族基等を表し、Ｒ^２は水素原子、アルキル基、アラルキル基、芳香族基等を表し、Ｒ^３及びＲ^４は同一又は相異ってアルキル基等を表し、Ｒ^３とＲ^４が一体となって環を形成してもよい。）


で示されるオキサゾール誘導体、それらの製造方法、およびそれらを用いたオキサゾリル基導入方法。 （もっと読む）

本発明は、下の構造式Ｉ
【化１】


を有する新規な化合物：及びその医薬上許容しうる塩、有用な組成物及び方法に関する。これらの新規な化合物は、認知障害、アルツハイマー病、神経変性及び認知症の治療又は予防する。
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【課題】色素や半導体、或いはそれらの中間体として用いることのできる、新規な塩素置換ポルフィリン化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表わされる構造である。
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【課題】高い成膜速度で安定してアルミニウム含有膜を形成し得る有機アルミニウム化合物及び該化合物を用いたアルミニウム含有膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の有機アルミニウム化合物はＡｌ（Ｒ¹ＮＨ）_n（Ｒ²Ｒ³Ｎ）_3-nで示される化合物である。但し、式中のＲ¹は炭素数１〜５のアルキル基であり、Ｒ²及びＲ³はそれぞれ炭素数１〜５のアルキル基であり、Ｒ²とＲ³は互いに同一であっても異なっていてもよく、ｎは１又は２の整数を示す。 （もっと読む）

アミドまたはアルコキシ基の導入されたモノシクロペンタジエニル配位子が配位された新しい遷移金属化合物、その合成方法及びこれを利用したオレフィン重合に係り、該遷移金属化合物は、シリコンブリッジ及びオキシド配位子などを有する従来の遷移金属化合物と異なり、フェニレンブリッジを有していて構造的に単量体の接近がさらに容易であり、かつ強固な五角環構造を安定的に維持でき、該遷移金属化合物を含む触媒組成物を使用し、立体障害の大きい単量体を用いて高分子量でありつつも０．９１０ｇ／ｃｃ未満の超低密度ポリオレフィン共重合体の製造が可能である。
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本発明は、一種以上のβ‐ジケチミナート配位子を含む金属含有化合物、およびそれを生成する方法と使用する方法を提供する。いくつかの実施形態では、金属含有化合物は非対称のβ‐ジケチミナート配位子を含むホモレプティックな錯体である。他の実施形態では、金属含有化合物は一種以上のβ‐ジケチミナート配位子を含むヘテロレプティックな錯体である。化合物は蒸着法を用いて金属含有層を堆積させるために利用できる。化合物を含む蒸着システムも提供される。β‐ジケチミナート配位子の源も提供される。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法により金属薄膜を製造する方法に有利に用いることのできる新規なβ−ジケトナト金属錯体を提供する。
【解決手段】 下記式で表わされる金属錯体：
【化１】


［上記式において、
Ｘは、特定構造のシリルエーテル基を表し、
Ｙは、上記のシリルエーテル基或はアルキル基を表し、
Ｚは、水素原子或はアルキル基を表し、
Ｍは、Ｌｕ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｖ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｉｔ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｆｅ、またはＡｇを表し、
ｎは、金属原子Ｍの価数を表す。
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本発明は、４−（ビフェニリル）アゼチジン−２−オンホスホン酸誘導体の製造方法に関する。
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本発明は、
式（１）：


で表わされる４−ビフェニリルアゼチジン−２−オン誘導体の製造方法に関する。
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