【課題】低い誘電率および誘電損失係数と高い熱安定性を有する硬化性環状ホスファゼン系化合物およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】６つの置換位置を持っている環状ホスファゼン物質に２〜６つの硬化性反応基を導入し、残りの位置に様々な構造の置換基を導入する方法で硬化度や分子の分極化および自由体積などを調節することにより、低い誘電率および誘電損失係数と高い熱安定性および界面接着力を有する物質を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ＲＮＡまたはＤＮＡウイルス（例えば、ＨＩＶ、ＨＢＶまたはＨＳＶ）に対して抗ウイルス活性を有する新規化合物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）：


を有する新規化合物が提供されている：ここで、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｚ、Ｘおよび＊は、本明細書中で定義されている。また、式（Ｉ）の化合物を使用する抗ウイルス方法およびそれを合成する方法が提供されている。他の目的は、イオン交換樹脂またはキラル媒体の調製で有用な化合物を提供することにある。さらに他の目的は、このような化合物を製造する中間体および方法を提供することにある。 （もっと読む）

【課題】難燃性樹脂のモノマーとして使用できる新規な２官能性リン含有化合物及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下式で示されるビス（アルキルフェニル）ホスフィン類のアルキル部分を誘導化した新規な２官能性ホスフィン化合物。


［式中、式中、Ｒは、炭素原子数１〜４のアルキル基、炭素原子数２〜４のアルケニル基、炭素原子数６〜２０アリール基又は炭素原子数１〜４のアルキル基で置換された炭素原子数６〜２０のアリール基を表し、Ｘ^１は、互いに独立に、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、炭素原子数２〜６のアシルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基又はトルエンスルホニルオキシ基を表し、ｍは、０又は１であり、Ａは、酸素原子又は硫黄原子を表す。］ （もっと読む）

【課題】本発明は工業化生産に適するロスバスタチンカルシウム中間生成物の調製方法を提供する。この方法は簡単で、コントロールし易く、収率が高く、純度が良く、コストが相対的に低い。
【解決手段】


式Iに示されているロスバスタチンカルシウム中間生成物の調製方法は次のとおりである。a)クロロエチレンやマンガン及びR-エポキシクロロプロパンのグリニャール反応を行わせ、b)シアン化ナトリウムを入れて求核置換反応を行わせ、c)アルコールを入れて加アルコール分解反応を行わせ、d)アルカリ性溶剤を入れてハイドロキシ基を保護し、e)混合物に対しる酸化反応を行わせ、f)トリフェニルホスファンを入れるとともにアルカリの存在する条件でWittig反応を行わせることによって、式Iの化合物が得られる。本発明の方法は穏やかで、操作が簡単で、プロセスが安定であるので、工業化の大規模生産に適している。 （もっと読む）

【課題】スピントラップ剤として優れた特性を有するニトロン化合物を容易な方法で収率よく、廉価に製造することができ、且つ安定性に優れた新規合成中間体およびその製造法を提供する。
【解決手段】置換基を有していてもよい２−オキソ−１，３，２−ジオキサフォスフォリナン−２−イル基を有するニトロアルカン化合物とα，β−不飽和カルボニル化合物を反応させることにより得られる下式で示される新規カルボニル化合物、および該カルボニル化合物を還元的に環化するニトロン化合物の製造法。


［式中Ｒ_１およびＲ_２は、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、カルボキシル基、炭素数１〜４のアルコキシカルボニル基又はカルバモイル基を表し、Ｒ_３およびＲ_４は、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】潤滑油の耐焼き付き性能及び耐摩耗性を顕著に向上させるリンモリブデン化合物を提供する。
【解決手段】下式（１）で表されるリンモリブデン化合物。
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【課題】リン酸エステル型ポリグリセリンと同等又はそれ以上の分散機能を有し、かつ耐加水分解性性に優れた顔料分散剤を提供する。
【解決手段】本発明のポリグリセリン誘導体又はその塩は、ポリグリセリン中の水酸基のうち１以上、且つポリグリセリンの縮合度以下の数の水酸基が、下記式（１）
【化１】


（式中、Ｒ¹は水素原子又は水酸基を示し、Ｒ²は直鎖状又は分岐鎖状のアルキレン基を示す）
で表されるホスホン酸基又はホスフィン酸基を含む置換基で置換されている構造を有する。 （もっと読む）

本発明は、式（Ｉ）の化合物、並びにその塩、Ｎ−オキシド、第四級アミン、及び立体異性体に関するが、Ｒ^１からＲ^８は請求項で定義されたとおりである。本発明は、式（Ｉ）の化合物の調製のための中間体及び方法にさらに関する。本発明は、特に真菌感染症の予防又は治療のための薬剤として使用するための式（Ｉ）の化合物にも関する。

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【課題】改質O−（2,6−ジクロロ−4−メチルフェニル）−O,O−ジメチルホスホロチオエートの製造方法を提供すること。
【解決手段】O−（2,6−ジクロロ−4−メチルフェニル）−O,O−ジメチルホスホロチオエートと、酸水溶液と、を接触させて、該O−（2,6−ジクロロ−4−メチルフェニル）−O,O−ジメチルホスホロチオエートを改質する工程を含む改質O−（2,6−ジクロロ−4−メチルフェニル）−O,O−ジメチルホスホロチオエートの製造方法。 （もっと読む）

光学的に純粋又は光学的に非常に富化された、式（１）［ここで、Ｒ_０は、Ｃ_１−Ｃ_１２−アルキル（非置換であるか、又は１〜２個のＣ_１−Ｃ_４−アルコキシで置換されている）；シクロペンチル又はシクロヘキシル（非置換であるか、又は１〜３個のＣ_１−Ｃ_４−アルキルもしくはＣ_１−Ｃ_４−アルコキシで置換されている）；あるいはベンジル、フェニル又はナフチル（非置換であるか、又は１〜３個のＣ_１−Ｃ_４−アルキル、Ｃ_１−Ｃ_４−アルコキシ、Ｃ_１−Ｃ_４−フルオロアルキルもしくはＣ_１−Ｃ_４−フルオロアルコキシ、Ｆ又はＣｌで置換されている）であるか、あるいは、Ｒ_０は、−ＣＲ_５Ｒ_６ＯＨ又は−ＣＲ_５Ｒ_６ＯＳｉ（Ｃ_１−Ｃ_８−アルキル）_３（ここで、Ｒ_５及びＲ_６は、Ｈ、非置換Ｃ_１−Ｃ_１２アルキル、置換Ｃ_１−Ｃ_１２アルキル、非置換Ｃ_４−Ｃ_８シクロアルキル、置換Ｃ_４−Ｃ_８シクロアルキル、非置換アリール、置換アリールからなる群より独立して選択されるか、又はＲ_５及びＲ_６は、非置換５〜６員脂肪族炭素環又は置換５〜６員脂肪族炭素環を形成することができる）であり、各々Ｒ_１及びＲ’_１は、独立して、水素であるか、又はＲ_０の意味を有し、Ｒ_１、Ｒ’_１及びＲ_０は、同じであるか異なっていることができ、Ｒ_２及びＲ_３は、独立して、Ｃ−結合炭化水素基又はヘテロ炭化水素基であり、そして各々両方のＲ_４は、Ｃ_１−Ｃ_６−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル、メチルフェニル、メチルベンジル又はベンジルであるか、あるいは両方のＲ_４は一緒になって脂肪族Ｃ_４−Ｃ_６炭素環を形成する］のキラルな化合物。これらの配位子の金属錯体は、不斉付加反応、特に水素化のための、均一系触媒である。
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本発明は、ホスフィン酸ソース物質（Ｉ）を、オレフィン（ＩＶ）を用いて、触媒Ａの存在下で、アルキル亜ホスホン酸、その塩またはエステル（ＩＩ）に変換するステップと、次いでこれをＣ＝Ｃ二重結合、Ｃ＝Ｏ二重結合、またはＣ＝Ｎ二重結合を持つ化合物を用いて、化合物（ＩＩＩ）タイプ、式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６は、同じであるか、または異なっており、相互に独立して何よりも特にＨ、Ｃ_１〜Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６〜Ｃ_１８−アラルキルを意味し、Ｘは、何よりも特にＨ、Ｃ_１〜Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_１８−アリール、および／またはＭｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｈを表わし、Ａは、ＯＨ、ＮＨ_２、ＮＨＲ、ＮＲ^２、またはＯ−ＣＯ−Ｒ^８を意味し、Ｗは、鉱酸、カルボン酸、ルイス酸、または有機酸を表わし、ｎは、０から４の整数または分数を表わし、さらに触媒Ａは、各種遷移金属、および／または各種遷移金属化合物、および／またはいずれか一つの遷移金属および／またはいずれか一つの遷移金属化合物に、少なくとも一つのリガンドを結合した触媒系であり、に変換するステップとからなることを特徴とする、一官能化ジアルキルホスフィン酸、そのエステルおよびその塩を製造する方法、ならびにその使用に関する。
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本発明は、式（１）に示す化合物を含む電子デバイス、特に有機エレクトロルミネセント素子及び対応する化合物及び有機エレクトロルミネセント素子におけるその用途に関する。
【化１】
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式（１）：［式中、Ｒ_１は、Ｃ_１−Ｃ_８−アルキル、非置換のシクロペンチル、シクロヘキシル、ノルボルニルもしくはアダマンチル、又は１〜３個のＣ_１−Ｃ_４−アルキルもしくはＣ_１−Ｃ_４−アルコキシによって置換されているシクロペンチルもしくはシクロヘキシル、又は非置換であるか、１〜３個のＣ_１−Ｃ_４−アルキル、Ｃ_１−Ｃ_４−アルコキシ、Ｃ_１−Ｃ_４−フルオロアルキル又はＣ_１−Ｃ_４−フルオロアルコキシ、Ｆ及びＣｌによって置換されているベンジル、フェニル、ナフチル及びアントリルであり、Ｒ_２及びＲ_３は、各々独立して、Ｃ−結合炭化水素基又はヘテロ炭化水素基であり、Ｒ_４は、Ｃ_１−Ｃ_４−アルキル、シクロペンチル、シクロヘキシル、フェニル、メチルフェニル、メチルベンジル又はベンジルである］の配位子を調製する方法であって、（ａ）式（Ａ）：（式中、Ｒ_４は上記定義のとおりである）の化合物を、アミン側鎖のオルト位で立体選択的にメタル化し、式Ｒ_１−ＰＸ２（ここで、Ｒ_１は上記定義のとおりであり、Ｘは、Ｃｌ又はＢｒである）のジハライドと反応させ、立体選択的加水分解により、ＳＰＯ基を含む化合物を得て、式Ｈ−ＰＲ_２Ｒ_３（ここで、Ｒ_２及びＲ_３は、上記定義のとおりである）の第二級ホスフィンとの反応により、式（１）の化合物を得ること、を含む方法。本方法によって得られた新規な配位子及びそれらの金属錯体。
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本発明は、モノカルボキシ官能化ジアルキルホスフィン酸、−エステル及び−塩の製造方法であって、
ａ）ホスフィン酸源（Ｉ）を、触媒Ａの存在下にオレフィン（ＩＶ）と反応させて、アルキル亜ホスホン酸、それの塩またはエステル（ＩＩ）とし、
ｂ）こうして生じたアルキル亜ホスホン酸、それの塩またはエステル（ＩＩ）を、触媒Ｂの存在下に式（Ｖ）の化合物と反応させて単官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＶＩ）とし、及び
ｃ）こうして得られた単官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＶＩ）を触媒Ｃの存在下に反応させて、次式
【化１】


のモノカルボキシ官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＩＩＩ）とし、この際、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７は、同一かまたは異なり、互いに独立して、中でも、Ｈ、Ｃ_１−Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６−Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アルキルアリールを意味し、そしてＸ及びＹは、同一かまたは異なり、そして互いに独立してＨ、Ｃ_１−Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６−Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アルキルアリール、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ及び／またはプロトン化された窒素塩基を表し、そして触媒Ａは、遷移金属、及び／または遷移金属化合物、及び／または遷移金属及び／または遷移金属化合物と少なくとも一つの配位子から構成される触媒系であり、そして触媒Ｂは、過酸化物形成化合物、及び／またはパーオキソ化合物、及び／またはアゾ化合物、及び／またはアルカリ−及び／またはアルカリ土類金属、−水素化物及び／または−アルコレートであり、そして触媒Ｃは酸または塩基である、前記方法に関する。
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本発明は、以下：
ａ）ホスフィン酸源（Ｉ）を、触媒Ａの存在下でオレフィン類（ＩＶ）と反応させてアルキル亜ホスホン酸、その塩もしくはエステル（ＩＩ）とすること、
ｂ）そのようにして得られたアルキル亜ホスホン酸、その塩もしくはエステル（ＩＩ）を、触媒Ｂの存在下で式（Ｖ）のアセチレン性化合物と反応させて、モノ官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＶＩ）とすること、
ｃ）そのようにして得られたモノ官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＶＩ）を、触媒Ｃの存在下でシアン化水素源と反応させて、モノ官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＶＩＩ）とすること、および
ｄ）そのようにして得られたモノ官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＶＩＩ）を、還元剤と反応させるか、または触媒Ｄの存在下で水素と反応させて、モノアミノ官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＩＩＩ）［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６は同一であるかまたは異なっており、そして互いに独立してＨ、Ｃ_１−Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６−Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アルキル−アリールであり、そしてＸはＨ、Ｃ_１−Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６−Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アルキル−アリール、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｈおよび／またはプロトン化窒素塩基であり、そしてＹは鉱酸、カルボン酸、ルイス酸または有機酸であり、ｎは０〜４の整数または分数であり、そして触媒Ａ、Ｂ、ＣおよびＤは遷移金属、遷移金属化合物、および／または遷移金属および／または遷移金属化合物および少なくとも１つの配位子からなる触媒系である］
とすること、を特徴とする、モノアミノ官能化ジアルキルホスフィン酸類、−エステル類、および−塩類の製造方法に関する。

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モノアミノ官能化ジアルキルホスフィン酸類、そのエステル類および塩類の製造方法、ならびにこれらの使用。
本発明は以下：
ａ）ホスフィン酸源（Ｉ）を、触媒Ａの存在下でオレフィン類（ＩＶ）と反応させてアルキル亜ホスホン酸、その塩もしくはエステル（ＩＩ）とすること、
ｂ）そのようにして得られたアルキル亜ホスホン酸、その塩もしくはエステル（ＩＩ）を、触媒Ｂの存在下で式（Ｖ）のアリルアミン（Ｖ）と反応させて、モノアミノ官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＩＩＩ）とすることを特徴とし、式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９は同一であるかまたは異なっており、そして互いに独立してＨ、Ｃ_１−Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６−Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アルキル−アリールを表し、そしてＸはＨ、Ｃ_１−Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６−Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アルキル−アリール、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋおよび／またはプロトン化窒素塩基であり、そしてＹは鉱酸、カルボン酸、ルイス酸または有機酸であり、ｎは０〜４の整数または分数を表し、そして触媒Ａは遷移金属および／または遷移金属化合物、および／または遷移金属および／または遷移金属化合物および少なくとも１つの配位子からなる触媒系であり、そして触媒Ｂは、ペルオキシド形成化合物および／またはペルオキソ化合物および／またはアゾ化合物である、
モノアミノ官能化ジアルキルホスフィン酸類、−エステル類、−塩類の製造方法に関する。

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本発明は、ビニレン類／ニトリル類を用いたモノカルボキシ官能化ジアルキルホスフィン酸、−エステル及び−塩の製造方法であって、
ａ）ホスフィン酸源（Ｉ）を触媒Ａの存在下にオレフィン（ＩＶ）と反応させてアルキル亜ホスホン酸、それの塩またはエステル（ＩＩ）とし、
ｂ）こうして生じたアルキル亜ホスホン酸、それの塩またはエステル（ＩＩ）を触媒Ｂの存在下に式（Ｖ）のアセチレン系化合物と反応させて、単官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＶＩ）とし、及び
ｃ）こうして生じた単官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＶＩ）を触媒Ｃの存在下にシアン化水素源と反応させて、単官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＶＩＩ）とし、及び
ｄ）こうして生じた単官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＶＩＩ）を触媒Ｄの存在下に反応させて、次式
【化１】


のモノカルボキシ官能化ジアルキルホスフィン酸誘導体（ＩＩＩ）とし、ここで
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６は同一かまたは異なりそして互いに独立して、中でも、Ｈ、Ｃ_１−Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６−Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アルキルアリールを意味し、そしてＸ及びＹは同一かまたは異なりそして互いに独立してＨ、Ｃ_１−Ｃ_１８−アルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アリール、Ｃ_６−Ｃ_１８−アラルキル、Ｃ_６−Ｃ_１８−アルキルアリール、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｃｅ、Ｂｉ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ及び／またはプロトン化された窒素塩基を表し、触媒Ａ、Ｂ及びＣは、遷移金属、及び／または遷移金属化合物、及び／または遷移金属及び／または遷移金属化合物と少なくとも一つの配位子から構成される触媒系であり、そして触媒Ｄは酸または塩基である、ことを特徴とする上記方法に関するものである。
（もっと読む）

本発明は、ビスホスファイトの製造のための段階式プロセスを提供する。工程（ａ）に於いて、このプロセスは、三塩化リンを芳香族ジオールと、スラリー中で反応条件下で、第二の芳香族ジオールの存在下で接触させて、ホスホロモノクロリダイト、第二の芳香族ジオール及び過剰のＰＣｌ₃を含む混合物を製造することによって、高収率でホスホロモノクロリダイトを製造する。このスラリーは、５モル％よりも少ない窒素塩基を含み、有機溶媒は、その低い塩化水素溶解度のために選択される。過剰のＰＣｌ₃を除去した後、窒素塩基を添加して、ビスホスファイトを生成するための、ホスホロモノクロリダイトと第二の芳香族ジオールとの縮合を実施する。本発明は、特に、上記の経路による、６，６’−（３，３’，５，５’−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル−２，２’−ジイル）ビス（オキシ）ジジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピンの製造プロセスを提供する。 （もっと読む）

本発明は、生物学的関心を有する少なくとも１つのガスに装填された多孔性結晶有機金属構造体（ＭＯＦ）でできた固体、及びこれを調製する方法に関する。本発明のＭＯＦ固体は、生物学的関心を有するガスを、調節されたやり方で吸着し、放出することができる。製薬分野において、かつ／又は化粧品分野における適用に使用することが可能である。食品業界においても使用することが可能である。 （もっと読む）

【課題】基質を水素化する触媒機能を有する新規なヒドリド金属錯体の提供。
【解決手段】下記構造式（４）又は（６）で表されるヒドリド金属錯体。該金属錯体は反応中、脱水素化した低原子価金属錯体へと可逆的に変化し、その際ベンズアルデヒド誘導体のような基質を水素化してベンジルアルコール誘導体とすることができる。更に、例えば（４）の金属錯体とプロトンから水素を発生させると共に、前記脱水素化された低原子価金属錯体に電子を保持させ水素分子から電子を取り出すができる。
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