【課題】簡便かつ効率的な、金属不純物量が極めて少ない半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法及び該共重合体を製造するための重合開始剤の精製方法の提供。
【解決手段】本発明の重合体の製造に用いる重合開始剤の精製方法は、有機溶剤に溶解された重合開始剤の溶液を、公称孔径が１．０μｍ以下のフィルターに通液させて、重合開始剤溶液のナトリウム含有量を、重合開始剤の質量に対して、３００ｐｐｂ以下に低減させる、通液工程を含んでなるものである。さらに、本発明の半導体リソグラフィー用共重合体の製造方法は、上記の精製方法により精製された重合開始剤の存在下、ラジカル重合反応により、該半導体リソグラフィー用重合体を合成する、重合工程を含むものである。 （もっと読む）

【課題】ナノインプリント法によるパターン形成において、モールド充填性に優れるナノインプリント用感放射線性組成物、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】同一又は異なる分子中に芳香環及びフッ素原子を含み、フッ素原子に対する芳香環のモル比が６．０以下であるナノインプリント用感放射線性組成物である。上記ナノインプリント用感放射線性組成物は、［Ａ］下記式（１）で表される重合性化合物を含有することが好ましく、また、［Ｂ］フッ素化アルキル基を有する特定の構造のアルコールのアクリレートからなる群より選択される少なくとも１種の重合性化合物をさらに含有することが好ましい。
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【課題】高屈折率、高耐熱性に優れ、硬化物の応力を緩和できるフルオレン骨格を有する（メタ）アクリレートを提供する。
【解決手段】式（１）で表されるフルオレン骨格を有する（メタ）アクリレート。


（式中、環Ｚはベンゼン環又は縮合多環式芳香族炭化水素環、Ｒ^１はハロゲン原子、アルキル基又はシアノ基を示し、Ｒ^２はアルキレン基を示し、Ｒ^３は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ^４は炭化水素基などを示し、ｋは０〜４の整数、ｍは０又は１以上の整数、ｎは０又は１以上の整数、ｐは１以上の整数である。但し、環Ｚがベンゼン環であるとき、ｎは１以上の整数であり、少なくとも１つのＲ^４はアリール基である。） （もっと読む）

【課題】粒子径が１０ｎｍから１０μｍの範囲にある単分散性に優れたポリビスマレイミド架橋微粒子とその製造方法を与えることを目的とする。
【解決手段】下記一般式Ｉで示される繰り返し単位と一般式IIの繰り返し単位を併せ有するポリビスマレイミド架橋微粒子であり、該架橋微粒子は分散重合法により製造される。
【化１】


【化２】


（一般式ＩおよびIIにおいて、Ｑ_１は共に同一である２価の連結基を表す。） （もっと読む）

【課題】ラジカル重合性基を置換基として持つアントラセン化合物の、工業的に有用な重合方法を提供すること及び当該重合方法を用いて、光学材料として有用で、かつ、重合後においてはアントラセン骨格ではない多環化合物骨格を有する重合物を提供すること。
【解決手段】ラジカル重合可能な置換基を有するアントラセン化合物とジエノフィルを加熱することによりディールス・アルダー反応させた後に、ラジカル重合開始剤の作用により重合させることを特徴とする、ラジカル重合可能な置換基を有するアントラセン化合物の重合方法。 （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基の水素原子が環構造を有する酸不安定基で置換されている（メタ）アクリレートの繰り返し単位を含む重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物と、ジヒドロキシナフタレンのノボラック樹脂と、光酸発生剤とを含有するポジ型レジスト材料。
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、高反射の段差基板上での解像性と埋め込み特性と密着性に優れ、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好である。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはＥＢ描画によるフォトマスクの微細パターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高容量、高サイクル性を有するポリマー活物質の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で示されるジシアノアントラキノンジイミンポリマー。


（式中、Ｘは、炭素−炭素不飽和結合を有する重合性官能基から重合反応によって形成される有機基を表す。Ｒ¹〜Ｒ⁷は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、アミノ基、炭素数１〜１２の置換又は非置換の１価炭化水素基、又は炭素数１〜１２の置換又は非置換のアルコキシ基、アルキルチオ基又は各々のアルキル基が独立に炭素数１〜１２の置換又は非置換のアルキル基のジアルキルアミノ基を表す。波線は、結合の立体配置がシス型又はトランス型を表す。ｎは２以上の整数を表す。） （もっと読む）

【解決手段】（１）平均粒子径が８０ｎｍ以下の無機酸化物微粒子、
（２）（メタ）アクリル基を３個以上含有する化合物、
（３）（メタ）アクリル基を１個又は２個含有する化合物、
（４）Ｒ¹Ｒ²Ｒ³Ｒ⁴Ｎ⁺Ｘ^-（Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴はＣＨ₃、Ｃ₂Ｈ₅、Ｃ₂Ｈ₄ＯＣＨ₃、Ｃ₆Ｈ₁₃、Ｃ₈Ｈ₁₇から選択される基。ＸはＮ（ＳＯ₂ＣＦ₃）₂、ＢＦ₄、ＰＦ₆から選択される基）で表されるイオン性化合物、
（５）Ｌｉ⁺Ｙ^-（ＹはＣｌＯ₄、ＳＯ₂ＣＦ₃、ＳＯ₂Ｃ₂Ｆ₅、Ｎ（ＳＯ₂ＣＦ₃）₂、Ｎ（ＳＯ₂Ｃ₂Ｆ₅）₂、ＢＦ₄、ＰＦ₆から選択される基である。）で表されるイオン性化合物、
（６）ラジカル系光重合開始剤、
（７）（メタ）アクリル基を含有するフルオレン誘導体、
を含有してなる光硬化性樹脂組成物。
【効果】本発明の光硬化性樹脂組成物は無機酸化物微粒子とイオン性化合物の相乗効果により帯電防止性と分散安定性の両方の効果に寄与する。 （もっと読む）

【解決手段】酸不安定基で置換された（メタ）アクリレート、スチレンカルボン酸又はビニルナフタレンカルボン酸の繰り返し単位及び／又は酸不安定基で置換されたフェノール性水酸基を有する繰り返し単位と、マグネシウム、銅、亜鉛又はセシウムの（メタ）アクリレート、スチレンカルボン酸又はビニルナフタレンカルボン酸の塩の繰り返し単位とを共重合してなる高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。
【効果】本発明のレジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、露光後のパターン形状が良好で、その上特に酸拡散速度を抑制し、ラインエッジラフネスが小さい特性を示す。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＢ、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なレジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料とすることができる。 （もっと読む）

【課題】優れた現像性を示し、耐熱性、耐溶剤性に優れ、色移り、色ムラを低減した着色パターンを形成し得る着色感放射線性組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）色素多量体、（Ｂ）重合性化合物、（Ｃ）光重合開始剤、及び（Ｄ）有機溶剤を含有し、（Ｘ）色素骨格を含まない無機金属塩の染料固形分に対する含有量が０．１質量％以下である着色感放射線性組成物。 （もっと読む）

【課題】良好なＬＷＲとパターンプロファイル形状、及びパターン倒れ耐性において極めて優れた性能を示すレジスト組成物の提供。
【解決手段】少なくとも、（Ａ）１−アルキルシクロペンチル（メタ）アクリレート及び／又は１−アルキルシクロヘキシル（メタ）アクリレート構造の繰り返し単位を１つ以上有し、酸によってアルカリ溶解性が向上する高分子化合物、（Ｂ）高エネルギー線に感応し下記一般式（３）で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤、及び、（Ｃ）下記一般式（４）で示されるスルホン酸オニウム塩を含むレジスト組成物。


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【課題】 少ない紫外線照射量で配向の制御が可能な液晶配向性を有し、任意のプレチルト角を得ることができ、光安定性に優れた液晶の配向層用組成物及び溶剤等により浸食されない当該組成物を用いた光配向可能な液晶配向層を提供し、更に、当該液晶配向層を用いた液晶表示素子及び光学補償フィルム等の光学異方体を提供する。
【解決手段】 (a)光化学的に異性化可能な部位を有するポリマーと、(b)光化学的に架橋可能な部位を有するポリマーとを含み、前記(a)及び(b)が異なった構造を有することを特徴とする液晶の配向層用組成物及び当該組成物を用いた液晶配向層を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子線又は極紫外線を用いたフォトマスク・半導体素子の微細加工における技術課題を解決することであり、特に、高感度、高解像性（例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス（ＬＥＲ））、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足する化学増幅型レジスト組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスク、並びに、高分子化合物を提供する。
【解決手段】（Ａ）非酸分解性の多環脂環炭化水素構造を有する基で、フェノール性水酸基の水素原子が置換された構造を有する高分子化合物、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する、化学増幅型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）のレジストパターンの製造。
【解決手段】式（ａａ）、（ａｂ）で表される構造単位を有する樹脂（Ｘ）及び酸発生剤（Ｂ）を含有する組成物。


［式中、Ａ^aa1は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基等で表される基等；Ｒ^aa2は、脂肪族炭化水素基；Ｒ^ab2は芳香族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】硬化性、耐擦性及び厚膜硬化時の皺抑制に優れた紫外線硬化型インクジェット用インク組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）：
ＣＨ₂＝ＣＲ¹−ＣＯＯＲ²−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ−Ｒ³ ・・・（Ｉ）
（式中、Ｒ¹は水素原子又はメチル基であり、Ｒ²は炭素数２〜２０の２価の有機残基であり、Ｒ³は水素原子又は炭素数１〜１１の１価の有機残基である。）で表されるモノマーＡと、フルオレン骨格を有する（メタ）アクリレート前記（メタ）アクリレート、光重合開始剤と、を含む紫外線硬化型インクジェット用インク組成物である。 （もっと読む）

【課題】高い光屈折性及び蛍光特性を有し、樹脂原料等として好適な化合物及びこの製造方法、この化合物を含む組成物並びに硬化物を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、下記式（１）で表されるアントラセン誘導体である。


（式（１）中、Ｘは、（ｎ_１＋１）価の芳香族基であり、この芳香族基が置換基を有していてもよい。Ｙは、（ｎ_２＋１）価の芳香族基であり、この芳香族基が置換基を有していてもよい。ｎ_１及びｎ_２は、それぞれ独立して、１〜３の整数である。） （もっと読む）

【解決手段】カルボキシル基及び／又はフェノール性水酸基の水素原子が酸不安定基で置換されている繰り返し単位と、一般式（１）で示される基を有する繰り返し単位を含む重量平均分子量が１，０００〜５００，０００の範囲である高分子化合物をベース樹脂にしているポジ型レジスト材料。


（Ｘ、ＹはＣＨ又は窒素原子、ｍは１又は２、Ｒ¹は水素原子、又は炭素数１〜４のアルキル基であり、ｎは０又は１である。）
【効果】本発明のポジ型レジスト材料は、酸の拡散を抑える効果が高く、高解像性を有し、露光後のパターン形状とエッジラフネスが良好である。従って、特に超ＬＳＩ製造用あるいはＥＢ描画によるフォトマスクの微細パターン形成材料、ＥＵＶ露光用のパターン形成材料として好適なポジ型レジスト材料、特には化学増幅ポジ型レジスト材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】解像性に優れ、レジストパターンの波型の形状不良発生が少なくパターン変動を低減できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】酸の作用でアルカリ水溶液に可溶となる樹脂と感放射線性酸発生剤とを含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物であって、該樹脂が、ヒドロキシスチレンから導かれる重合単位と、酸に不安定な基を持つ特定の一般構造式で表される重合単位と、式（III）の重合単位とを含有する。
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【課題】解像性に優れ、レジストパターンの波型の形状不良発生が少なくパターン変動を低減できる化学増幅型ポジ型レジスト組成物に用いられるヒドロキシスチレン誘導体を提供する。
【解決手段】オキシアルキレン基で置換されていてもよいアントラセン基を含有する特定のヒドロキシスチレン誘導体。 （もっと読む）

【課題】硬化物の硬度及び屈折率が高いハードコート性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】分子内に少なくとも１つの（メタ）アクリロイル基を有し、かつ９，９−ビスアリールフルオレン骨格を有するフルオレン含有硬化性モノマーと、分子内に３以上の（メタ）アクリロイル基を有する多官能硬化性モノマーと、分子内に１つの（メタ）アクリロイル基を有する単官能希釈モノマーとを含むハードコート性樹脂組成物を調製する。この組成物の硬化物は、屈折率が１．５５以上であり、かつ鉛筆硬度が３Ｈ以上である。前記単官能希釈モノマーは、Ｃ_３−７アルキル（メタ）アクリレート（特に、分岐Ｃ_４−６アルキル（メタ）アクリレート）であってもよい。 （もっと読む）