【課題】 導体層パターンを容易に生産性よく作製するためのめっき方法、また、耐久性のよいめっき用導電性基材を使用するめっき方法、さらに、めっき速度が速く従って生産効率のよいめっき方法を提供する。
【解決手段】 導電性基材の表面に、絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部が形成されているめっき用導電性基材にめっきにより金属を析出させることを特徴とするめっき方法。めっき用導電性基材にめっきを形成するための凹部が絶縁層に幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されている上記絶縁層はダイヤモンドライクカーボン又は無機材料からなることが好ましい。 （もっと読む）

本開示は、ミクロ構造を形成する物品及び方法を記載する。方法は、くぼんだ表面を伴う１つ以上のくぼんだ形状を含む構造化表面領域を有する基材を提供する工程を含む。構造化表面領域は、実質的に平坦域を有さない。方法は、機能材料及び液体を含む流体組成物を構造化表面領域上に配置する工程を含む。方法は、液体を流体組成物から蒸発させる工程を含む。機能材料は、構造化表面領域の残余が、実質的に機能材料を有さないように、くぼんだ表面上に集まる。
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【課題】微粒子がめっき膜中に均一に分散されるとともに、ピンホール、ボイド、及びノジュールの発生が抑制される複合めっき膜の形成方法、並びに、ワイピング耐性、耐インク性、及び吐出安定性に優れたインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】高圧流体と、微粒子を含むめっき液とを混合して攪拌した混合流体に、めっきを施すべき被めっき体を接触させて複合めっき膜を形成する。インクジェット記録ヘッドを製造する場合、ノズルプレート１１のインク吐出側とは反対側の面にめっき用保護膜１４を形成し、好ましくは、超臨界二酸化炭素と、撥液性微粒子及び界面活性剤を含むめっき液とを混合して攪拌した混合流体にノズルプレートを接触させてインク吐出側の面に複合めっき膜１６を形成する。めっき後、ノズルプレートからめっき用保護膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉや金属層の種類が限定されずＳｉの酸化膜除去処理によっても金属層が剥離することのない電極及びその形成方法、並びに前記電極を備える半導体デバイスを提供する。
【解決手段】表面に活性化処理されたＳｉを有する基板１１上に、第１の末端にＣＨ基、ＣＨ_２基、ＣＨ_３基のいずれかを有し、第２の末端にアミノ基、メルカプト基、フェニル基、カルボキシル基のいずれかを有する有機分子の薄膜（有機分子膜）１２ａを形成する有機分子膜形成工程と、前記有機分子膜１２ａ表面に触媒金属１２ｂを付与する触媒化工程と、前記有機分子膜１２ａに触媒金属１２ｂを付与した密着層１２表面に無電解めっき法により金属層１３を形成する無電解めっき工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】孔径大きさが４ｎｍを越えてもっと大きく、しかも均一な孔大きさを有する大細孔径メソポーラス金属を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、次の工程を含む。
（１）大きさ（粒径）が５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内で、しかも均一な周期性を有するリオトロピック液晶を形成できる界面活性剤と、水溶性金属塩と、揮発性有機溶媒と、水とを、混合する（前駆体溶液の調製）；
（２）前記前駆体溶液から揮発性有機溶媒を優先的に揮散させて、大きさ（粒径）が５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内で、しかも均一な大きさのリオトロピック液晶を形成させる；
（３）液晶中に溶存する金属イオンを還元することで、前記リオトロピック液晶の周囲に金属を析出させる；
（４）更に水性溶媒で処理してリオトロピック液晶を洗い去り、空隙を形成させる。 （もっと読む）

【課題】絶縁体又は半導体の表面に、超臨界流体又は亜臨界流体を使用するとともに誘導共析現象を利用して短時間で厚いめっき層を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】絶縁体としてのガラス基板試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用して無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を利用して短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１ｎｍ以上１００μｍ以下のものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】高精度のメッシュパターン等の精細画像を精確に形成することが可能な無電解メッキ用前処理剤を提供すること、及び光透過性、電磁波シールド性、外観性、及び視認性に優れ、高精度のメッシュパターンを有する光透過性電磁波シールド材を、簡易に得ることができる光透過性電磁波シールド材の製造方法を提供すること。
【解決手段】無電解めっき用触媒微粒子と、合成樹脂とを含む無電解めっき前処理剤であって、剪断速度２４０ｓ^-1における粘度Ｂに対する剪断速度２．４ｓ^-1における粘度Ａの比（Ａ／Ｂ）で定義されるチキソトロピーインデックスが５以上であることを特徴とする無電解めっき前処理剤。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れた金属膜、金属パターンを、低エネルギーで、且つ、簡易に形成しうる表面金属膜材料の作製方法、及び金属パターン材料の作製方法を提供すること。
【解決手段】（１）基板に、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基、ラジカル重合性基、及び、ラジカル発生部位を有するポリマーを接触させた後、該ポリマーに対して露光を行い、該基板上にポリマー層を形成する工程と、（２）該ポリマー層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、（３）該めっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、を有することを特徴とする表面金属膜材料の作製方法、並びに、（４）該作製方法により得られた表面金属膜材料のめっき膜をパターン状にエッチングする工程を有することを特徴とする金属パターン材料の作製方法。 （もっと読む）

【課題】基板の面内で均一な膜厚を有するめっき処理膜を形成すること
【解決手段】この半導体装置の製造装置は、基板を回転可能に保持する保持機構と、基板上の被処理面にめっき処理を施すための処理液を供給するノズルと、保持機構に保持された基板を被処理面に沿った向きで回転させる基板回転機構と、保持機構に保持された基板上の被処理面と対向する位置で、ノズルを被処理面に沿った方向に移動させるノズル移動機構と、ノズルによる処理液の供給およびノズル移動機構によるノズルの移動動作を制御する制御部とを具備する。 （もっと読む）

【課題】硬質樹脂からなる第１の成形体と軟質樹脂からなる第２の成形体とを備えるメッキ用二色成形体において、軟質樹脂からなる成形体におけるメッキ処理による変色が十分に抑制され、十分なメッキ処理耐性を有するメッキ用二色成形体を得ることが可能なメッキ付二色成形用熱可塑性ポリウレタン樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】有機ジイソシアネート（Ａ）と、１，２−ビニル体を含有し且つ平均官能基数が２．０以下であるポリブタジエンポリオール（ｂ１）を主成分とする高分子ポリオール（Ｂ）と、炭素数２〜１０の脂肪族ジオール（ｃ１）を主成分とする鎖延長剤（Ｃ）とを含有することを特徴とするメッキ付二色成形用熱可塑性ポリウレタン樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 高分子材料に対する金属被膜の密着性を高めためっき前処理方法，めっき方法及びこれら方法による導電性繊維を用いた被覆電線を提供する。
【解決手段】 有機金属錯体を含む超臨界流体を高分子材料の表面に接触させる接触工程と、この接触工程で高分子材料に含浸又は付着した前記有機金属錯体をめっき用金属触媒に還元して活性化する活性化工程とを備える高分子材料のめっき前処理方法において、前記超臨界流体における処理中に、前記高分子材料を、少なくとも活性化工程での処理温度と同じかそれよりも高い温度であって、前記高分子材料が熱分解する温度よりも低い温度まで昇温し、所定時間加熱する加熱工程を設けた。加熱工程は、高分子材料から流体を除去して行ってもよく、また、その双方で行ってもよい。 （もっと読む）

【課題】めっき工程に過マンガン酸を含む酸性のエッチング液で処理する工程がある場合であっても、めっき処理中のめっき皮膜とプラスチック表面の良好な密着性や生産性が得られるプラスチック表面への金属めっき方法を提供すること。
【解決手段】プラスチック表面を過マンガン酸を含む酸性のエッチング液でエッチング処理し、次いで、プラスチック表面に触媒付与処理および触媒活性化処理し、最終的に電気金属めっきを行うプラスチック表面への金属めっき方法であって、何れかの処理の後にプラスチック表面を温水溶液で処理することを特徴とするプラスチック表面への金属めっき方法。 （もっと読む）

【課題】 金属イオンを光還元して金属構造体を製造する方法において、従来の技術よりも加工分解能を大幅に改善することができる方法を提供する。より具体的には、金属構造体を構成する金属結晶の成長を抑制することで加工分解能を改善した金属構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 金属結晶の成長を抑制することができる物質を金属イオンが分散した媒体中に添加することで、当該金属イオンが光還元されて生成される金属結晶の成長を防ぎ、これにより当該金属結晶からなる金属構造体の加工分解能を改善する。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、デバイスの製造に関する。一実施形態として、基板洗浄及び集積回路用のキャップ層の無電解析出の方法を提供する。この方法は、金属及び誘電体ダマシンメタライゼーション（金属化）層を含む表面を有する基板上で実行される。この方法は、基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に基板の表面をさらす工程と、キャップ層を析出させるのに十分な無電解析出溶液に基板表面をさらす工程と、を備える。本発明の別の実施形態として、基板を洗浄するための溶液及び無電解析出を実現するための溶液を提供する。 （もっと読む）

【課題】合金粉末の製造原料として添加する高純度な合金成分金属を準備する必要性を大幅に減じ、かつ製造工程数が少なく、合金粉末製造時の反応時間を大幅に短縮することができる合金粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】溶融塩を用いた２種以上の金属からなる合金粉末の製造方法において、（ａ）溶融塩を準備するステップと、（ｂ）前記溶融塩へ、合金粒子の核となる金属Ａ粒子を供給するステップ、および、前記溶融塩へ、前記金属Ａより貴（イオン化傾向が小さい）な金属Ｂを溶解させるステップと、そして（ｃ）前記金属Ａと、金属Ｂのイオンとの置換反応により金属Ａ粒子の表面に金属Ｂを析出させ、同時に、金属Ａ粒子の表面からの相互拡散により金属Ａ及びＢを合金化させるステップとを含んでいる前記合金粉末の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面層に形成された非貫通孔内に、めっき法を用いて金属等が空隙を形成することなく充填されている複合材料と、その複合材料の製造方法を提案する。
【解決手段】シリコン１００の表面から形成された非貫通孔の底部に位置する第１金属が起点となって、その非貫通孔が、自己触媒型無電解めっき法を用いた実質的に第２金属又は前記第２金属の合金１０６により充填されることにより、高精度に充填された、換言すれば、空隙の形成されにくい複合材料が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細孔酸化物膜中に金属を、微細孔酸化物膜の両端部よりも中心部に多く存在する分布パターンで分布させて、かつ、薄膜化した複合体を提供すること。
【解決手段】 （イ）微細孔酸化物膜の細孔に金属が充填され、前記細孔が前記金属により閉塞されてなる金属充填層が（ロ）多孔質基材の上に積層されてなる複合体であって、充填された金属が微細孔酸化物膜の両端部よりも中心部に多く存在する分布パターンで分布してなる複合体。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化パラジウムを容易に水に溶解できるようにして、還元時の収率を大幅に向上させ、金属パラジウム触媒を効率よく生産する。
【解決手段】印刷用めっき触媒の製造方法は、ハロゲン化パラジウムを含有する水溶液を調製する工程を有し、前記水溶液を用いて印刷用めっき触媒を製造する印刷用めっき触媒の製造方法であって、前記水溶液が無機アニオンを含有することを特徴とする。無機アニオンの含有量は前記ハロゲン化パラジウム１質量部に対して、０．５質量部以上５０質量部以下であることが好ましい。無機アニオンはハロゲンイオン又はロダンイオンである。 （もっと読む）

【課題】直径が０．５〜２．５μｍである高分子纎維の外部に８０〜１５００nm厚さの磁性金属層を形成して、これを熱処理して高分子纎維だけ選択的に取除くことで形成された、電磁波吸収用中空型金属纎維。
【解決手段】本発明による電磁波吸収用中空型金属纎維は、０．５μｍ以上２．５μｍ未満の孔１２が長さ方向で穿孔されて、０．０８μｍないし２μｍの厚さの金属層１４で構成される。 （もっと読む）

【課題】 スズ又はスズ合金メッキ浴に添加する皮膜結晶の微細化剤において、良好な皮膜外観を経時安定的に付与する。
【解決手段】 (Ａ)第一スズ塩と、第一スズ塩及び第４周期から第６周期の第VIII、IＢ、IIＢ、IIIＡ、IVＡ、ＶＡ属から選ばれた金属（例えば、銀、銅、ビスマスなど）の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、(Ｂ)酸又はその塩と、(Ｃ)ベンゾアゾール環の２位のメルカプト基にＣ₃〜Ｃ₆アルキレンが結合した特定の２−メルカプトベンゾアゾール誘導体を含有するスズ及びスズ合金メッキ浴である。上記Ｃ₃〜Ｃ₆アルキレンの結合により、酸化や開裂を起こし難くなるため、メッキ作業が進行しても微細化作用が減退することなく持続し、良好な皮膜外観を経時安定的に付与できる。 （もっと読む）