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Fターム[4K022DA03]の内容

化学的被覆 (24,530) | 被膜反応 (2,044) | 化学メッキ、無電解メッキ (1,706) | 置換メッキ (192)

Fターム[4K022DA03]に分類される特許

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【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金の局所的な溶解を防ぐこと。
【解決手段】半導体基板の表面に形成されたアルミニウムを主成分とする電極の表面を、硝酸濃度が9mol/リットル以上20mol/リットル以下の硝酸溶液に浸漬することでデスマット処理を行う(ステップS3)。ついで、電極の表面に第1ジンケート処理を行い亜鉛置換膜を形成し(ステップS4)、この亜鉛置換膜を、硝酸濃度が9mol/リットル以上20mol/リットル以下の硝酸溶液に浸漬することで剥離する(ステップS5)。ついで、電極の表面に第2ジンケート処理を行い電極の表面に亜鉛置換膜を形成し(ステップS6)、この亜鉛置換膜の表面に無電解めっき処理によってめっき皮膜を形成する(ステップS7)。 (もっと読む)


【課題】厚みの均一な無電解パラジウムめっき皮膜が形成された被めっき体を提供する。
【解決手段】被めっき体と、無電解ニッケルめっき皮膜と、無電解ニッケル-パラジウムめっき皮膜と、無電解パラジウムめっき皮膜と、置換金めっき皮膜と、を有し、前記無電解ニッケルめっき皮膜、前記無電解ニッケル-パラジウムめっき皮膜、前記無電解パラジウムめっき皮膜及び前記置換金めっき皮膜の順序に積層され、前記置換金めっき皮膜が最表層に位置してなる、めっき析出物。 (もっと読む)


本発明は、AlまたはCu表面上に、接合可能な金属被覆を以下に記載の順で有する基板に関する:(a)Ni−P層、(b)Pd層、および任意的に、(c)Au層、ここで、Ni−P層(a)の厚さは0.2〜10mであり、Pd層(b)の厚さは0.05〜1.0mであり、そして任意的なAu層(c)の厚さは0.01〜0.5mであり、そしてNi−P層(a)のP含量は10.5〜14重量%である。得られるNi−P/Pd積層の堆積内部応力は、34.48MPa(5,000psi)以下である。さらに、このような基板の調製プロセスを記述した。 (もっと読む)


ニッケル含有金属および金含有金属で順次にめっきされる外部銀含有電気端子を備えるLTCCデバイスが記載されている。 (もっと読む)


【課題】別途の追加装備なしで、既存の装備を用いて無電解金メッキ時のニッケルメッキ層の過置換を防止でき、低コストで優れた品質のニッケル−金メッキ層を形成できるニッケル−金メッキ方法及び印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るニッケル−金メッキ方法は、対象物を無電解ニッケル−金メッキする方法であって、対象物の表面に第1ニッケルメッキ層を形成する工程と、第1ニッケルメッキ層上に第2ニッケルメッキ層を形成する工程と、第2ニッケルメッキ層上に金メッキ層を形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム又はアルミニウム合金とめっき層との間に高い密着性が得られるアルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面にアルミニウム又はアルミニウム合金を有する被処理物を、アルミニウムと置換可能な金属の塩又は酸化物を含有する酸性又はアルカリ性のアルミニウム酸化皮膜除去液に浸漬し、アルミニウム又はアルミニウム合金表面にそのアルミニウム酸化皮膜を除去しつつ除去液中に含まれるアルミニウムと置換可能な金属の置換金属層を形成する工程、置換金属層を除去することなく亜鉛置換処理を行って、置換亜鉛被膜を形成する工程、置換亜鉛被膜と共に置換金属層を、酸化作用を有する液で除去する工程、及び、再び亜鉛置換処理を行って、置換亜鉛被膜を形成する工程を備えるアルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法。 (もっと読む)


【課題】触媒材料として有効な硫化ニッケルにおいて、触媒能を増強させるために3次元的な微細構造を備えた比表面積の大きい硫化ニッケル膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に多孔質の銅メッキを形成するなどして作製した比表面積が100mm2/mm3以上の大比表面積を有する銅基材に対し、チオ尿素とニッケル成分を含むめっき液を付与して置換反応を起こすことにより、大比表面積の基材上に均一な硫化ニッケル膜が形成された多孔質体を得る。 (もっと読む)


【課題】ニッケルめっき被膜と金めっき被膜間で発生する剥離や金めっき被膜のフクレの発生を顕著に防止し、はんだ接合及びワイヤー接合等に優れた無電解金めっき被膜を有する接続端子部を提供する。
【解決手段】接続端子部の基材上に、無電解ニッケル又は無電解ニッケル合金からなるめっき被膜、置換型無電解金めっき被膜、還元型無電解金めっき被膜の順に積層した構造の被膜層を有する接続端子部であって、前記置換型無電解金めっき被膜のピンホールの数が、25μm当たり3個以下であることを特徴とする接続端子部。 (もっと読む)


【課題】ダマシン銅配線等おける無電解銅めっきでシード層を形成した際の、成膜均一性、および密着性を、単体の金属上に無電解銅めっきを行った場合と比較して向上させ、さらに、銅シード層の成膜に先立つバリア層と触媒金属層との二つの層形成の煩雑さを解消して、超微細配線の形成が可能な、薄くかつ均一な膜厚でシード層を成膜しためっき物を提供することを目的とする。
【解決手段】基材上に、無電解めっき液に含まれる銅イオンと置換めっきが可能でかつ銅に対してバリア性を持つ金属Bと、銅に対してバリア性を持つ金属Aからなる銅拡散防止用バリア合金薄膜が形成され、該銅拡散防止用バリア合金薄膜が、前記金属Aを15原子%以上、35原子%以下とする組成であり、その上に無電解置換めっきにより銅薄膜が形成されたことを特徴とするめっき物。 (もっと読む)


【課題】マイグレーションを防止でき、導通性を高く維持でき、粒子の凝集に起因する短絡も防止できるような導電性粒子を提供することである。
【解決手段】導電性粒子は、樹脂粒子、および樹脂粒子を被覆する金属被覆層を備えている。金属被覆層が、無電界メッキされた内側銅メッキ層および置換メッキされた外側錫メッキ層を備えている。銅メッキ層の膜厚が0.040μm以上、0.120μm以下であり、錫メッキ層の膜厚が0.030μm以上、0.110μm以下であり、金属被覆層全体の膜厚が0.070μm以上、0.150μm以下である。 (もっと読む)


【課題】LTCC基板の配線パターン間の金異常析出不具合、金とニッケルめっき皮膜間の密着不良、はんだはじき現象、およびはんだ継ぎ手の強度劣化などの問題の発生を低減する。
【解決手段】略中性の次亜リン酸塩を還元剤とする無電解ニッケルめっき液を用いて金属焼結体配線パターンの上に形成されたニッケル−リン合金の第一層構造と、形成される層構造が7重量パーセント以上のリンを含有し、イオウ成分を含有しない無電解ニッケルめっき液を用いて第一層構造の上に形成された非晶質でイオウを含有しないニッケル−リン合金の第二層構造と、置換型無電解金めっき液を用いて第二層構造の上に形成された金の第三層構造と、還元型無電解金めっき液を用いて第三層構造の上に形成された金の第四層構造とを有する。 (もっと読む)


【課題】合金粉末の製造原料として添加する高純度な合金成分金属を準備する必要性を大幅に減じ、かつ製造工程数が少なく、合金粉末製造時の反応時間を大幅に短縮することができる合金粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】溶融塩を用いた2種以上の金属からなる合金粉末の製造方法において、(a)溶融塩を準備するステップと、(b)前記溶融塩へ、合金粒子の核となる金属A粒子を供給するステップ、および、前記溶融塩へ、前記金属Aより貴(イオン化傾向が小さい)な金属Bを溶解させるステップと、そして(c)前記金属Aと、金属Bのイオンとの置換反応により金属A粒子の表面に金属Bを析出させ、同時に、金属A粒子の表面からの相互拡散により金属A及びBを合金化させるステップとを含んでいる前記合金粉末の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】粒子が2個以上結合した連結粒子が少なく信頼性の高い導電接続ができる導電性微粒子、及び、連結粒子が少ない導電性微粒子を得ることができる導電性微粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】基材微粒子と、前記基材微粒子の表面に形成された下地金属層と、前記下地金属層の表面に形成された導電層とを有する導電性微粒子であって、シースフロー電気抵抗方式粒度分布計を用いて粒子径分布を測定した場合、平均粒子径の1.26倍以上の粒子径を有する導電性微粒子の比率が8%以下である導電性微粒子。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき時に配線パターン間に発生する金の異常析出を抑制し、所望の配線パターンに損傷を与えない無電解めっき方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の無電解めっき方法は、ガラスセラミックからなる絶縁基材と金属焼結体配線パターンとから構成されるガラスセラミック配線基板において、金属焼結体配線パターンの表面に無電解ニッケルめっき皮膜を形成する無電解ニッケルめっき工程と、無電解ニッケルめっき皮膜上に置換型無電解金めっき皮膜を形成する置換型無電解金めっき工程と、置換型無電解金めっき皮膜上に還元型無電解金めっき皮膜を形成する還元型無電解金めっき工程とを含む無電解めっき方法であって、上記無電解ニッケルめっき工程と置換型無電解金めっき工程との間、または上記置換型無電解金めっき工程と還元型無電解金めっき工程との間にガラスエッチング処理工程を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 穏やかな生産環境の下、従来よりもコストを抑えて、電子部品として良好な特性の導電体を形成できる導電体の製造方法及びそれにより得られる導電体を提供すること。
【解決手段】 導電体の製造方法は、被着体上に、直径が0.001μm〜1μmであり長さが0.01μm以上である微細繊維を全繊維量の50質量%以上含む繊維分散液を塗布して乾燥することにより、被着体表面の被覆率が1%〜80%である繊維層を形成する工程と、繊維層を無電解めっき液と接触させて微細繊維の少なくとも一部を導電性金属で被覆する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】 アルミニウム素地上の酸化皮膜を除去するとともに、アルミニウム素地へのアタック性を抑え、平滑性が高く、めっき外観の優れためっき皮膜を形成させるための表面処理に用いられるアルミニウム又はアルミニウム合金の金属置換処理液を提供する。
【解決手段】 少なくともアルミニウムと置換可能な金属の塩とアルカリ化合物とを含有するアルミニウム又はアルミニウム合金上の金属置換処理液において、アルカリ化合物として、水酸化第4級アンモニウムを含有させる。 (もっと読む)


【課題】リン酸塩等のような環境負荷物質を含まず、(リン酸塩+石鹸)皮膜と同等或いはそれ以上の潤滑性および耐焼付き性を発揮する皮膜を備えた塑性加工用金属材料を製造するために有用な方法を提供すること。
【解決手段】母材金属の表面にめっき層である第1層を形成し、次いでめっき層が形成された母材金属を液状の脂肪酸に浸漬することにより、めっき層の上に第2層を形成することを特徴とする塑性加工用金属材料の製造方法。 (もっと読む)


銅又は銅合金基材の表面の耐腐食性を向上させるための方法を開示する。該方法は、浸漬置換めっきによって銅又は銅合金基材の表面上に貴金属を含む金属表面層をデポジットする工程、並びに貴金属表面と相互作用し保護する少なくとも1つの官能基を含む第一有機分子と、銅表面と相互作用し保護する少なくとも1つの官能基を含む第二有機分子とを含む水性組成物に電子デバイスを暴露する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】無電解めっき溶液内の銅イオン及びアンチモンイオンを除去するための装置及び方法を提供する。また、最小限の設備で無電解めっき溶液内の銅イオン及びアンチモンイオンを除去し、これを再使用可能にする装置及び方法を提供する。
【解決手段】互いに連通されるように連続的に配置された複数個の隔室10、12と;前記隔室10内に陽極板14及び陰極板16を含んで配置された不純物除去部と;前記不純物除去部に電源を供給するための電源供給部と;を含み、前記電源供給部から供給される電流の電流密度が0.05A/dm以上、10A/dm以下である無電解錫めっき液の不純物除去装置。 (もっと読む)


【課題】黒色度が高く、遮光性に優れるだけでなく、耐熱性にも優れ、しかも、環境負荷が小さく、安価なコアシェル型銀錫複合粒子の製造方法及びコアシェル型銀錫複合粒子並びに黒色材料、黒色遮光膜、黒色粒子分散液を提供する。
【解決手段】本発明のコアシェル型銀錫複合粒子1は、平均粒子径が1nm以上かつ300nm以下であり、錫を主成分としかつ核となる錫微粒子2が、銀、銀錫合金、銀及び銀錫合金のいずれか1種からなる微細孔を有する膜である外殻層3により被覆された構造である。 (もっと読む)


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