【課題】微細パターンを精度良く形成するめっき基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかるめっき基板１００の製造方法は、無電解めっき法によりめっき基板を製造する方法であって、基板１０上に所定のパターン以外の領域に触媒層３２を設ける工程と、第１の金属を含む第１の無電解めっき液に基板を浸漬することにより、基板上に当該第１の金属を析出させて所定のパターンの第１の金属層３４を設ける工程と、第２の金属を含む第２の無電解めっき液に基板を浸漬することにより、第１の金属層の上面に当該第２の金属を析出させて第２の金属層３７を設ける工程と、を含み、第１の金属のイオン化傾向は、第２の金属のイオン化傾向より大きい。 （もっと読む）

【課題】鋼板の表面に、簡便な処理を施すことにより、安価で、特性に優れた接点部品または電池部品用材料を提供する。
【解決手段】第１の金属元素を含む表層部を有する金属シートからなり、金属シートは、Ｃｒ含有鋼板または表面処理鋼板を含み、前記表層部の最表面において、前記第１の金属元素の少なくとも一部が、前記第１の金属元素よりも標準電極電位が貴である第２の金属元素で置換されて、前記第２の金属元素が、粒子状の金属、酸化物または水酸化物の状態で前記最表面に析出している、接点部品または電池部品用材料。 （もっと読む）

【課題】ニッケルめっき皮膜上に置換析出型の金めっき皮膜を形成する際に用いる活性化液であって、安定したハンダ接合強度やワイヤーボンディング接続強度を有する置換型金めっき皮膜を形成することが可能であり、しかも安定性が良好で、長期間連続して使用可能な新規な処理剤を提供する。
【解決手段】(i) ニッケルイオンの錯化剤、
(ii)チオ尿素、チオ尿素誘導体、イソチオ尿素、イソチオ尿素誘導体及びこれらの塩からなる群から選ばれた少なくとも一種からなる酸化防止剤、
(iii) ヒドラジン及びヒドラジン誘導体からなる群より選ばれる少なくとも１種の成分、
(iv) アミノ基及びイミノ基からなる群より選ばれる含窒素基を２個以上含み、置換基を有することのあるエチレン基を該含窒素基の窒素原子間に有する化合物、並びに
(v)ニッケルと金の間の酸化還元電位を有する金属元素を含む化合物、
を含有する水溶液からなる置換析出型金めっきの前処理用活性化組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスなどの冷却用ヒートシンク局部の鍍金方法を提供する。
【解決手段】 鍍金液材料をヒートシンクの鍍金を必要とする領域１１１に対応する容器１２内に貯留し、鍍金を必要とする領域に接触させて、被鍍金領域に接触する容器壁により囲われた局部に鍍金層を形成する。
めっき液は、下地層としての亜鉛めっき、ニッケルめっきに適用することができると共に、不必要な箇所へのめっきがされないため、めっき材料の損失が無く、生産効率がよい。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、孔径が５０〜１０００ｎｍである細孔を有する金多孔質体の製造方法、および当該金多孔質体を提供することである。
【解決手段】本発明にかかる金多孔質体の製造方法は、例えば、モリブデン板を塩化金塩酸に１時間浸漬し、金ナノ粒子を析出させる工程（「コーティング工程」）、アルゴン雰囲気中９３０℃で１０分間、上記モリブデン板を加熱して金ナノ粒子同士を接合する工程（「焼結工程」）、および酸化雰囲気中で上記モリブデン板を９００℃程度まで加熱してモリブデン板を酸化および昇華させて除去する工程（「昇華工程」）を含む。上記製造方法により、例えば、孔径が１００〜３００ｎｍである細孔を有し、空孔率は１４．５％、厚さ５００ｎｍである膜状金多孔質体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】耳部とストラップ間にフィレットが良好に形成された高品質の鉛蓄電池用極板群を製造する。
【解決手段】複数の正極板１および負極板２の耳部１ａ、２ａにＳｎ層またはＰｂ−Ｓｎ合金層５を形成し、正極板１の耳部１ａ同士および負極板２の耳部２ａ同士をそれぞれ溶接する鉛蓄電池用極板群の製造方法において、前記Ｓｎ層またはＰｂ−Ｓｎ合金層を塩化錫／塩酸系浴または塩化錫＋塩化鉛／塩酸系浴を用いた置換メッキ法により形成し、かつ耳部同士の溶接をフラックスを用いずに行う。ストラップの形成に先立ち、耳部にＳｎ層またはＰｂ−Ｓｎ合金層を置換メッキ法により形成するので、耳部に残存するペーストや酸化皮膜は置換メッキ浴中で溶解または還元して除去される。従ってＳｎまたはＰｂ−Ｓｎ合金層が耳部に良好に置換メッキされる。また前記置換メッキ層は鉛合金溶湯との濡れ性がよいため耳部とストラップ間にフィレットが良好に形成される。 （もっと読む）

【課題】表面が外部に露出する状態でおかれる鋼材が海水等に含まれる塩化物イオンに接触して劣化して痩せ細ってしまうことを防止する。
【解決手段】鋼材表面に硝酸銀水溶液を塗布することにより銀鏡反応を起こさせて鋼材表面に銀鏡を発生させ、これによって鋼材表面を銀で被覆し、該被覆した銀に塩化物イオンが接触したときに難溶性の塩化銀になるようにし、これによって鋼材表面が塩化物イオンに接触して劣化して痩せ細ってしまうことを防止するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物、タリウム化合物、ヒドラジンなどの有毒な化学物質を用いることなく、かつ、ニッケル下地メッキ層中に、リンまたはホウ素等の不純物が含まれない、無電解メッキ液および無電解メッキ法を提供する。
【解決手段】スルホオキシド、具体的には、化学構造：Ｒ₁−Ｓ（＝Ｏ）−Ｒ₂（Ｒ₁とＲ₂はｎ＝１〜３のアルキル基）を有するスルホオキシド、または、テトラメチレンスルホオキシド（化学式：Ｃ₄Ｈ₈ＳＯ）を用いて、メッキ金属のハロゲン化物、硝酸塩、酢酸塩およびクエン酸塩のいずれかを添加して無電解メッキ液とする。 （もっと読む）

【課題】導通不良防止とともに抵抗値の低減化が可能な導電性粒子の製造方法、導電性粒子及び異方性導電材料を提供する。
【解決手段】表面に突起２を有する導電性粒子１の製造方法であって、コア粒子の表面に、正又は負の電荷を帯電させたニッケルメッキ層を形成する工程１、前記ニッケルメッキ層の表面に、１分子中に官能基Ａと反応性官能基Ｂとを有するキレート剤を前記官能基Ａを介して付着させる工程２、前記ニッケルメッキ層の表面に、前記キレート剤の前記反応性官能基Ｂを介して、前記ニッケルメッキ層に帯電させた電荷と逆の電荷を帯電させた樹脂微粒子又は無機微粒子を結合させる工程３、及び、無電解メッキ法により前記樹脂微粒子又は無機微粒子と前記ニッケルメッキ層とを金属メッキで被覆する工程４を有する導電性粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】プリント基板製造プロセスでのソルダーレジスト界面腐食の低減方法に関する。
【解決手段】方法は、ソルダーマスクが設けられているプリント基板を準備する工程、及びめっき浴に超音波を使用して浸漬めっき液をプリント基板にめっきする、プリント基板を浸漬めっき液で処理する工程を含む。めっきする間中、周波数約４０ｋＨｚの超音波を使用することが有効な結果を示すことが分かった。 （もっと読む）

【課題】生産性及び材料効率の高い湿式めっき法により、光輝性及び不連続構造の金属皮膜を高生産性・低コストで得る方法を提供する。
【解決手段】ポリイミド樹脂膜のイミド環を開環させてカルボキシル基を導入し、前記カルボキシル基に金属イオンを吸着させ、前記金属イオンを還元して金属皮膜を成膜するダイレクトメタライゼーションを用いた樹脂製品の製造方法であって、樹脂基材１１の上にポリイミド樹脂膜１２を形成し、ポリイミド樹脂膜１２の上に、前記カルボキシル基の導入、前記金属イオンの吸着、及び前記金属イオンの還元のいずれか一又は二以上において処理条件を不足側に制御して前記ダイレクトメタライゼーションを行うことにより、光輝性及び不連続構造の金属皮膜１３を成膜する。 （もっと読む）

【課題】多孔質層の孔径が大きく空孔率が高い場合においても多孔質層の崩壊を招くことなく金属担持多孔質シリコンを製造する。
【解決手段】一方の面に多孔質層を有するシリコン基体の前記多孔質層をめっき液に浸漬し、前記多孔質層に形成されたシリコン酸化物を溶解するとともに金属を析出させて金属担持多孔質シリコンを製造する方法であって、前記めっき液には、（４／酸化数）×モル体積がシリコンのモル体積より小さい第１金属イオンと、（４／酸化数）×モル体積がシリコンのモル体積より大きい第２金属イオンとが含まれている。 （もっと読む）

【課題】 無電解スズの有機スルホン酸メッキ浴において、優れたハンダ濡れ性のスズ皮膜を得る。
【解決手段】 可溶性第一スズ塩と有機スルホン酸とチオ尿素類を含有する無電解スズメッキ浴において、上記有機スルホン酸として、(Ａ)アルカンスルホン酸と(Ｂ)アルカノールスルホン酸の各アニオン部分を含有し、さらに(Ｃ)カルボン酸と(Ｄ)次亜リン酸類とを含有し、成分(Ａ)（アニオン換算）が０.５０モル／Ｌ以上、成分(Ｂ)（アニオン換算）が１.０モル／Ｌ以上、成分(Ｃ)（アニオン換算）が０.２モル／Ｌ以上、成分(Ｄ)が０.７５モル／Ｌ以上含有される無電解スズメッキ浴である。成分(Ａ)〜(Ｄ)の各種酸が所定濃度以上で含まれて有機一体的な相乗作用が働くため、ハンダ濡れ性の向上並びに良好なフィレットの形成に効果的に寄与する。 （もっと読む）

【課題】プリント回路基板に要求される半田付け性およびワイヤボンディング性を満足させることが可能なプリント回路基板のメッキ層形成方法を提供する。
【解決手段】半導体表面実装のためのワイヤボンディング部１２、１３および外部部品との接続のための半田付け部を含み、一定の回路パターンが形成されたプリント回路基板を用意する段階と、プリント回路基板のワイヤボンディング部１２、１３および半田付け部を除いた部分にフォトソルダレジスト層１４を形成する段階と、ワイヤボンディング部１２、１３および半田付け部に無電解パラジウムまたはパラジウム合金メッキ層１５を形成する段階と、パラジウムまたはパラジウム合金メッキ層１５上に、水溶性金化合物を含む置換型浸漬金メッキ液を接触させて無電解金または金合金メッキ層１６を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】銅表面の無光沢化および銅表面とレジストの密着力を確保し、現像あるいはレジスト剥離の際、銅表面にレジストが残らないことを可能とした銅表面の前処理方法及び配線基板を提供する。
【解決手段】銅表面にレジストまたはカバーレイを形成する際の前処理方法であって、銅表面に銅よりも貴な金属を離散的に形成する工程、その後、前記銅表面を酸化処理する工程を有する銅表面の前処理方法。 （もっと読む）

【課題】 置換銀メッキにおいて、光沢のある銀白色の美麗な銀メッキ皮膜を得る。
【解決手段】 可溶性銀塩と、チオ尿素類、スルフィド類、メルカプタン類などの含イオウ化合物からなる錯化剤とを含有する置換銀メッキ浴において、オルトリン酸、縮合リン酸及びこれらの塩よりなる群から選ばれたリン酸類の少なくとも一種を含有し、且つ、当該リン酸類の含有量が０.５モル／Ｌ以上である置換銀メッキ浴である。特定のリン酸類を所定以上の濃度で含有することで、銀皮膜が黒変したり、色調むらが発生するのを防止でき、光沢のある銀白色の美麗な銀皮膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】 浴中での銀イオンの安定性が改善され、十分な錯化力が得られるとともに、生産コストを低減できる、実用性に優れたシアン化物非含有銀系メッキ浴を提供することにある。
【解決手段】 本発明のシアン化物非含有銀系メッキ浴は、銀塩を含む可溶性塩と、下記一般式（Ｉ）等でそれぞれ示される化合物からなる群より選ばれた１種以上のスルフィド
系化合物とを含有する。
一般式（Ｉ）：
【化１】


（式中、ｎは２〜４の整数を表す。Ｒ₁及びＲ₂は同一又は異なって、Ｃ₁〜₃アルキル又は水酸基が置換してもよいＣ₂〜₆アルキレン基を表す。Ｍは、水素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウム又は有機アミンを表す。）で示される化合物。 （もっと読む）

【課題】 長期的な熱ストレスによる半田と半田接続用部材との接合部の強度低下を防ぐことができるＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき構造の半田接続用部材を備えた電子部品と、その製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の電子部品は、銅又はその合金の配線４、４’と、当該配線と他の部品１４とを半田１６で接続するため当該配線上に順次形成された、Ｎｉ又はその合金の層１０、１０’、Ｐｄ又はその合金の層１２、１２’、及びＡｕ又はその合金の層１４、１４’からなる半田接続用部材８ａ、８ａ’とを含む電子部品１であって、半田接続用部材８ａ、８ａ’、８ｂのうちの少なくとも一部においてＰｄ又はその合金層１２、１２’の厚さが０．０００５μｍ以上０．００５μｍ未満であることを特徴とする。Ｐｄ又はその合金層１２、１２’は、置換型の無電解めっき法により形成する。 （もっと読む）

【課題】 はんだ接続信頼性に優れるとともに、加熱処理によってもワイヤボンディングの成功が妨げられない接続用端子を提供すること。
【解決手段】 導体端子２上に、無電解ニッケルめっき皮膜３、無電解パラジウムめっき皮膜４、及び、無電解金めっき皮膜５が順次形成されている接続用端子であって、上記無電解ニッケルめっき皮膜３の厚さが０．１〜０．５μｍの範囲である、接続用端子。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性や疲労特性、耐食性の優れたＮｉ−Ｐめっきを施した耐摩耗性部材、およびプーリなどの軽量合金製動力伝達部品を提供する。
【解決手段】 Ｎｉ−Ｐめっき皮膜を設けた部材であって、前記Ｎｉ−Ｐ無電解めっき皮膜が、ＮＨ₄ 基：０．１〜１％を含むＮｉ合金からなるとともに、結晶子平均サイズが微細である結晶性めっき皮膜とし、めっきままの硬度が５００Ｈｖ以上、靱性が５０ｋＮ以上、めっき引張応力が５ｋｇｆ／ｍｍ² 以下である、耐摩耗性や疲労特性、耐食性の優れたＮｉ−Ｐ無電解めっき皮膜とする。 （もっと読む）