【課題】アンモニアベースの浴からパラジウムおよびパラジウム合金をめっきするための高速方法を提供する。
【解決手段】パラジウム電気めっき浴として、パラジウム源の１種以上、アンモニウムイオン及び尿素から本質的になる組成物とし、少なくとも１０アンペア/ｄｍ２の電流密度を発生させてパラジウムを堆積させる方法。また、別の態様においては、パラジウム合金電気めっき浴として、パラジウム源の１種以上、合金形成金属源の１種以上、アンモニウムイオン及び尿素から本質的になる組成物とし、少なくとも１０アンペア/ｄｍ２の電流密度を発生させてパラジウム合金を堆積させる方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、錯化剤を含有せず、電気錫めっきを行う場合、特にバレルめっき法を用いて電気錫めっきを行う場合にカップリングレートが極めて小さく、かつはんだぬれ性の良好なめっき液及びめっき方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、（Ａ）第一錫イオン、（Ｂ）酸、（Ｃ）Ｎ，Ｎ−ジポリオキシアルキレン−Ｎ−アルキルアミン、アミンオキシドまたはこれらの混合物及び（Ｄ）固着防止剤を含有し、ｐＨ１以下のチップ部品用電気錫めっき液を提供する。 （もっと読む）

本発明は、パラジウムまたはパラジウム合金を金属支持体または導電性支持体上に電着するための電解質に関する。同時に、本発明は、前記の電解質を使用する、相応する電気化学技術的方法および特殊な好ましい、前記方法に使用可能なパラジウム塩に向けられている。 （もっと読む）

【解決課題】集積回路用のサブミクロン相互接続構造を製作する方法を提供する。
【解決手段】添加剤を含み、平坦で光沢があり延性があり低応力のＣｕ金属を付着させるのに通常用いられる浴からＣｕを電気めっきすることによって、ボイドのないシームレスな導体が得られる。ボイドまたはシームを残すことなくフィーチャを超充填できるこの方法の能力は独特であり、他の付着方法より優れている。この方法で電気めっきされたＣｕを利用する構造のエレクトロマイグレーションの抵抗は、ＡｌＣｕ構造または電気めっき以外の方法で付着されたＣｕを用いて製作された構造のエレクトロマイグレーションの抵抗より優れている。 （もっと読む）

【課題】積層型磁器コンデンサのような電子部品の電極に対する錫電解めっきにおいて、めっき膜の平滑性を高めて酸化を抑制し、チップ部品同士の「くっつき」を少なくして製品歩留りを高め、電流効率を高めて生産性を向上させる錫電解めっき液、錫電解めっき方法、および錫電解めっき電子部品の提供。
【解決手段】分岐したアルキル基を持つノニオン界面活性剤を単独で、又はカチオン界面活性剤とともに、さらにはアルキルイミダゾールとともに含有する錫電解めっき液。これを用いた錫電解めっき方法、その方法で得られた錫電解めっき電子部品。 （もっと読む）

【課題】 カドミウムを含有しない金、亜鉛、銅ベースの合金製の数１００μｍの厚さの部品あるいは層を電気鋳造する方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、電気鋳造する方法で製造した、８８〜９４重量％の金と、Ｘ（２と４の間の数）重量％の銅と／または銀と、２Ｘ重量％の亜鉛とを有する金合金の部品である。金合金の層を電気鋳造する本発明の方法は、（Ａ）金属基板をアノードを含むアルカリ電解浴内に浸すステップと、（Ｂ）前記基板の表面上に金属製イオンを堆積するために、アノードとカソードの間に電圧を生成することにより、前記層を電気鋳造するステップと、（Ｃ）８８〜９４重量％の金を含有する層を生成するために、電気メッキされた層が所定の厚さに達した時に、電圧を切るステップとを有する。前記浴は、シアン化金カリウムの形態の金塩と、シアン化銅の形態の銅塩と、酸化亜鉛の形態の亜鉛塩と、シアン化ナトリウムと、水酸化ナトリウムと、エチレンジアミン四酢酸と、表面活性剤と、を含み、前記基板は、カソードを形成する。 （もっと読む）

金属、または金属の化合物、例は、金属塩を備える液晶相から金属の化合物を電気化学的な手段により堆積するとき、イオン性界(表)面活性剤を普通に用いられる非イオン性界面活性剤の代わりに用いることによって、塩の高濃度を採用しうる。 （もっと読む）

【課題】従来の硫酸系光沢銅電解液と比べ、同等の光沢を有していながら均一な電析銅皮膜を安定して得ることの出来る硫酸系銅電解液を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド成分を含むことを特徴とする硫酸系銅電解液であり、当該ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド成分はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド銅水和物を用いて添加されたことを特徴とする硫酸系銅電解液を用いる。そして、ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド銅水和物は３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸ナトリウム水溶液に塩化第二銅を加えた混合溶液から有機溶剤を用いて晶析させるプロセスにより製造する。 （もっと読む）

【課題】従来市場に供給されてきた低プロファイル電解銅箔と比べて、更に低プロファイルで光沢のある電解銅箔を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、電解銅箔は厚さによらずに析出面側の表面粗さ（Ｒｚｊｉｓ）は１．０μｍ未満の超低プロファイルであり、且つ、当該析出面の光沢度［Ｇｓ（６０°）］は４００以上である電解銅箔とする。そしてこの電解銅箔は３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸及び／又はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドと環状構造を持つ４級アンモニウム塩重合体と塩素とを添加して得られた硫酸系銅電解液を用い電解して得る。 （もっと読む）

【課題】従来市場で使用されていた銅電解液ではなしえなかった光沢を有する電析銅皮膜の形成可能な硫酸系銅電解液を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸及び／又はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドと環状構造を持つ４級アンモニウム塩重合体と塩素とを添加して得られた硫酸系銅電解液を用いる。この銅電解液を用いて電析銅皮膜を形成することにより、その析出面側の表面粗さ（Ｒｚｊｉｓ）が１．０μｍ未満の低プロファイルであり、且つ、当該析出面の光沢度［Ｇｓ（６０°）］が４００以上であることを特徴とする電析銅皮膜が得られる。 （もっと読む）

本発明は基板上に乳濁液および／あるいは分散液形成物あるいは湿潤剤で構成される電解液から基板上に艶消し金属層を堆積する電解液及び工程に関する。本発明に従えば、異なった艶消しの程度を持つ多くの金属がポリアルキレン酸化物あるいはその誘導体、フッ化あるいはペルフッ化の疎水性鎖を持つ湿潤剤、あるいはポリアルキレン酸化物により置換された第４級アンモニウム化合物の添加の方法により電解液内の乳濁液および／あるいは分散液の形成によって製造される。さらに、テトラフルオロエチレン粒子は堆積された艶消し金属の表面の性質を変えるため電解質に添加される。 （もっと読む）

Ｓｎ^２＋イオン源、Ａｇ^＋イオン源、チオ尿素化合物及び／或いは第４級アンモニウム塩の界面活性剤を含む電解メッキ浴にバンプ下冶金構造を曝し、Ｓｎ−Ａｇ合金をバンプ下冶金構造に沈着させるため、外部から電子を電解浴に供給することからなる、マイクロ電子デバイス製造におけるバンプ下冶金構造上にハンダ・バンプを形成するためのプロセス。 （もっと読む）

【課題】 めっき液の劣化を抑制し安定して長期操業が可能な亜鉛−ニッケル合金めっき方法を提供する。
【解決手段】 亜鉛イオン、ニッケルイオン、好ましくはアミン類等のニッケル錯化剤及びアルカリ成分を含有する、ｐＨ１３以上の亜鉛−ニッケル系合金めっき液を使用する亜鉛−ニッケル合金の電気めっき方法であり、陰極槽と、アルカリ成分含有溶液である陽極液を収める陽極槽とをイオン交換膜等の隔膜によって分離し、陽極液にアルカリ成分を添加して陰極液のアルカリ成分濃度を制御するめっき方法を提供する。本発明では、電流量を指標として陽極液へ補給するアルカリ成分量を調節して上記めっき液をｐＨ１３以上に保持でき、陽極板はＣ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ及びこれらの合金でもよく、上記めっき液は更に、光沢剤、平滑剤、還元剤及び界面活性剤の群から選ばれる少なくとも１種を含有できる。 （もっと読む）

【課題】 非シアン系のもので、環境への負荷を軽減でき、また、カーボンナノファイバーを好適に膜中に取り込める金めっき液を提供する。
【解決手段】 金めっき液は、塩化金酸塩を主体とする非シアン系金めっき液において、界面活性剤とカーボンナノファイバーとを含むことを特徴とする。界面活性剤は０．０２〜５ｇ／ｌ、カーボンナノファイバーは０．１〜１０ｇ／ｌ含むと好適であり、特に界面活性剤は、トリメチルステアリルアンモニウムクロリドが好適である。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、微細な溝や孔などのパターンの部位にメソポーラス金属膜を、制御された状態で、定常的に、均一に形成する方法を提供することである。
【課題を解決する手段】
リオトロピック液晶を形成する界面活性剤に、純水に溶解した金属イオン源を加えた溶液を作成し、その溶液を水溶性の揮発性有機溶媒で希釈し、その希釈した溶液を基板に塗布して、前記溶媒を揮発させ、リオトロピック液晶を形成させ、形成されたリオトロピック液晶の周囲に存在下において金属を析出させてから、前記リオトロピック液晶を除去することを特徴とするメソポーラス金属膜の製造方法である。 （もっと読む）

本発明は、テトラアルキルアンモニウム、テトラアルキルホスホニウム、１，１−ジアルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−１−アルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−３−アルキルイミダゾリウム、またはビス（１−ヒドロキシアルキル）イミダゾリウムカチオンの少なくとも１つを含有し、該アルキル基または１−ヒドロキシアルキル基のアルキレン鎖が、それぞれ互いに独立して炭素原子数１〜１０である、イオン性液体中における、基板上へのタンタルおよび／または銅の電気化学的沈着方法に関する。 （もっと読む）

サブミクロン径の内部配線凹凸を有する半導体集積回路基板上をＣｕを電気メッキするための組成物と電気メッキする方法が提供される。この組成物はＣｕイオンとポリエーテル基を含む抑制剤からなる。この方法は、超充填速度で迅速なボトムアップ沈積をする超充填方法に関し、これにより垂直な方向での凹凸の底から凹凸の上部開口までＣｕ沈積が側面のＣｕ沈積よりも実質的に大となる。 （もっと読む）

本発明によるサテンニッケル皮膜の析出のためのめっき浴は少なくとも１つの第４級アンモニウム化合物と少なくとも１つのポリエーテルを含み、少なくとも１つのポリエーテルは少なくとも１つの強疎水性側鎖を有する。先行技術のめっき浴と比較して、この酸めっき浴は、操業期間、または加熱および冷却サイクル、またはろ過サイクルを延ばすことができ、活性炭を用いずに浴を連続的に操業するのに必要なろ過を行なうことができ、サテン光沢仕上げを生成するのに先行技術の浴よりも低いニッケルの濃度しか必要とせず、投入されている湿潤剤に対する浴の鋭敏性を低減させることができる利点を有する。 （もっと読む）

【解決手段】 水溶性銅塩、硫酸、塩素イオン、ブライトナー、キャリアー及びレベラーを含有し、レベラーが下記式（１）で示される４級化物又は下記式（２）で示される４級化物との共重合体


の一方又は両方である電気銅めっき浴並びにこれを用いて基板上に形成されたビアホールをビアフィルめっきする電気銅めっき方法。
【効果】 小径かつ高アスペクト比を有するビアホールを、ボイドを発生させることなく穴埋めすることができ、ビアホール、スルホール混在基板のめっきにも好適である。 （もっと読む）

【課題】 新規なめっき用レベリング剤、並びに該レベリング剤を含む、酸性銅めっき浴用添加剤組成物、および該添加剤組成物を含む酸性銅めっき浴を提供する。
【解決手段】 特定構造のジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイト−二酸化イオウ共重合体からなるめっき用レベリング剤、並びに、（Ａ）前記めっき用レベリング剤、（Ｂ）ポリマー成分および（Ｃ）ブライトナー成分を含む酸性銅めっき浴用添加剤組成物、および（Ｄ）銅イオン５〜７５ｇ／Ｌ、（Ｅ）有機酸および／または無機酸２０〜３００ｇ／Ｌを含む基本浴組成に、前記酸性銅めっき浴用添加剤組成物を配合してなる酸性銅めっき浴である。 （もっと読む）