【課題】挿入力が小さく、かつ、高温で使用しても接触抵抗の増大しないコネクタに使用されるCu合金条を実現する。
【解決手段】Cu合金条の母材であるCu合金１の上に、Ni2/Cu3/Sn4の、3層めっきを施す。その後リフローして表面までCu-Sn金属間化合物層５を形成する。その後、Cu-Sn金属間化合物層５の表面にSn４を薄くめっきする。このようにして、形成されたCu-Sn金属間化合物層５の表面の凹凸は小さくRmaxは0.5μｍ以下である。また、Cu-Sn金属間化合物層の表面に形成するSn層４の膜厚は0.3μｍ以上0.8μｍである。このような構成のCu合金条をコネクタに使用することによって、コネクタの挿入力が小さく、かつ、高温で使用しても接触抵抗の増大が無いコネクタを実現することが出来る。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕバリア上にダイレクトにめっきするプロセスにおいて、ボイドフリーの埋め込みを実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００の製造方法は、半導体基板上の絶縁膜１０１に凹部１０２を形成する工程（ａ）と、凹部１０２の側壁及び底部を覆うようにバリアメタル膜１０３を形成する工程（ｂ）と、第１の電界めっき処理により、バリアメタル膜１０３の表面に沿ってコンフォーマルな第１の導電膜１０４を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後、第２の電界めっき処理により、凹部内に第２の導電膜１０５を形成する工程（ｄ）とを有する （もっと読む）

【課題】コネクタ雌端子等の高い曲げ加工性を必要とする用途に必要な最低限の硬度を保持し、Ｎｉの上層への拡散を防ぎ、Ｎｉ系下地層内部の酸化を防ぎ、高い曲げ加工性を有するＮｉ下地層を備え、良好な接触抵抗性、耐摩耗性を維持しながら、曲げ加工性に優れた導電部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電部材１０は、Ｃｕ系基材１の表面に、平均厚みが０．１〜３．０μｍであるＮｉ系下地層２を介して、平均厚みが０．０５〜１．５μｍであるＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層３、平均厚みが０．０５〜２．０μｍであるＳｎ系表面層４がこの順に形成されるとともに、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層はさらに、Ｎｉ系下地層の上に配置されるＣｕ_３Ｓｎ層５と、該Ｃｕ_３Ｓｎ層の上に配置されるＣｕ_６Ｓｎ_５層６とからなり、Ｎｉ系下地層のホウ素含有量が５０〜８００ｐｐｍである。 （もっと読む）

【課題】反りが低減し、機械的強度が高くなり、平坦性が向上する金属充填微細構造体、および、その製造方法の提供。
【解決手段】１×１０⁶〜１×１０¹⁰／ｍｍ²の密度で、孔径１０〜５０００ｎｍ、深さ５０〜１０００μｍの貫通孔を有する絶縁性基材からなる貫通構造体の貫通孔内部に、貫通孔の深さの８０％以上の深さまで金属が充填されている金属充填微細構造体とその製造方法。 （もっと読む）

【課題】容易に作成可能なパターニングされたゲル状態のめっき用組成物を提供する。
【解決手段】ゲル化剤と、電気化学反応を行うための導電性イオンと、溶媒と、を有し、ゾル状態で開口１３を介して基板２０の上に吐出されゲル状態の所定のパターン形状。 （もっと読む）

【課題】ゲル状態のめっき用組成物２Ａを用いたパターニングされた金属膜３の容易な作製方法を提供する。
【解決手段】 ゲル化剤と、電気化学反応を行うための導電性イオンと、溶媒と、を有し、ゾル状態で基板２０の上に吐出されゲル状態の所定のパターン形状となっためっき用組成物２Ａを用いてゲル化剤と、電気めっき反応を行うための金属イオンと、溶媒としての水と、を有するめっき組成物２をゾル状態とするゾル化工程と、ゾル状態のめっき組成物２を基板２０上で所定のパターン形状とするパターン形成工程と、所定のパターン形状のめっき組成物２Ａをゲル状態とするゲル化工程と、ゲル状態のめっき組成物２Ａを用いて電気めっき反応を行う電気めっき工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】銅箔に均一なめっき厚さ・表面の良好なめっきを形成できる連続電解めっき装置を提供する。
【解決手段】電解槽内に設置されたアノード板２に対して平行にカソードとなる銅箔１を連続的に搬送し、アノード板２から銅箔１への電流を遮断する電流遮蔽板３を銅箔１の幅方向の両端部側に設けて、銅箔１に電解めっきを施す銅箔の連続電解めっき装置において、アノード板２の幅Ｗ２は、銅箔１の幅Ｗ１より広く、かつ電流遮蔽板３は、銅箔１の端部に近接した外側からアノード板２表面に垂直な方向にアノード板２の表面に近接する位置まで延出する第１の電流遮蔽面３ａと、第１の電流遮蔽面３ａに接続され、第１の電流遮蔽面３ａのアノード板２の表面近傍から屈曲してアノード板２の表面近傍に沿ってアノード板２の端部側に張り出された第２の電流遮蔽面３ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】高導電性と耐食性を両立し、燃料電池内で長期間安定して使用できる燃料電池用セパレータおよびその製造方法を提供することにある。
【解決手段】燃料電池用セパレータ１は、純アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる基板２と、基板２の上に形成されためっき層３とを備え、めっき層３が、基板２側に形成された銅層３ａと、銅層３ａの上に形成された錫層３ｂとを備え、錫層３ｂが最表層に形成されており、銅層３ａの厚さが０．１０μｍ以上であり、かつ、錫層３ｂの厚さを銅層３ａの厚さで除した値が０．１〜５０であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、簡便に、金属加工品、微細部品を製造するための金属膜（金型）のパターンおよびその形成方法を提供することにある。
【解決手段】シード膜２が成膜された基板３上に塗布された硬化性樹脂組成物４と、所定パターンを有するモールド５とを相対移動させて、硬化性樹脂組成物４に所定パターンを転写した状態で、硬化性樹脂組成物４を硬化させることで転写されたパターン形状を有する硬化樹脂４´を得る。硬化樹脂４´よりモールド５を取り外し、金属膜を形成する領域の残渣の硬化樹脂４´´を除去後、電鋳処理を経て金属膜１１を形成し、その後不要となった硬化樹脂４´を除去する工程を経て形成される。この際、プラスチックモールドと特定の重量平均分子量以下である重合性化合物を配合した可視光硬化性樹脂を使用することにより、より簡便な金属膜のパターンの製造プロセスが提供される。 （もっと読む）

【課題】金属被覆膜を形成する方法において、該被覆膜と成形品との密着性
が優れ、美麗な外観を有する金属メッキ方法を提供すること。
【解決手段】芳香族ポリカーボネート系樹脂成形品の表面の、少なくとも一部に、特定の方法で金属メッキ膜を形成する方法であって、特にストライクメッキ工程において、メッキ浴として硫酸銅又は硫酸ニッケルの溶液を用いる。また、該金属メッキされた成形品が、特定のヒートサイクル試験を行った場合に測定されるビスフェノールＡの量が１０μｇ／ｃｍ^２以下である。 （もっと読む）

先端の集積回路にみられる切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２１１，２１３，２６４，２７５ａ，２７５ｂ）において、長尺のルテニウム金属膜（２１４）に多段階で銅鍍金を行う方法である。長尺のルテニウム金属膜 （２１４）を利用すると、銅金属がトレンチ（２６６）及びビア（２６８）のような高アスペクト比の切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２６４，２７５ａ，２７５ｂ）を充填するあいだ、不要な微細気泡が形成を防ぎ、前記ルテニウム金属膜（２１４）上に長尺の銅金属層（２２８）を含むサイズの大きい銅粒（２３３）が鍍金形成される。銅粒（２３３）は銅が充填された切欠構造（２０６，２０７，２０８，２０９，２１１，２１３，２７５ａ，２７５ｂ）の電気抵抗を低下させ、集積回路の信頼性を向上させる。
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【課題】アスペクト比の高い開口部内に空隙を形成することなく銅層を埋め込むことの可能な電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】ウェハ上に銅層を形成する方法は、制御システムを有する電気めっきチャンバ内にウェハを配置する段階と、第１期間３０２の間にウェハに対する第１電力を正にパルス化する段階と、第１期間３０２に続く第２期間３０４の間にウェハに対する第２電力を負にパルス化する段階と、第２期間３０４に続く第３期間３０６の間にウェハに対する第３電力を正にパルス化する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】安定した接触抵抗を有するとともに、剥離し難く、また、コネクタとして用いる場合に挿抜力を小さくし、さらに耐熱性を高める。
【解決手段】Ｃｕ系基材１の表面に、Ｎｉ系下地層２を介して、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層３、Ｓｎ系表面層４がこの順に形成されるとともに、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層３はさらに、Ｎｉ系下地層２の上に配置されるＣｕ_３Ｓｎ層５と、Ｃｕ_３Ｓｎ層５の上に配置されるＣｕ_６Ｓｎ_５層６とからなり、これらＣｕ_３Ｓｎ層５及びＣｕ_６Ｓｎ_５合金層６を合わせたＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層３の凹部７の厚さＸが０．０５〜１．５μｍとされ、かつ、Ｎｉ系下地層２に対するＣｕ_３Ｓｎ層５の面積被覆率が６０％以上であり、また、Ｎｉ系下地層２が、Ｘ線回折による結晶面の相対Ｘ線強度において、（２２０）強度が５〜６０％であり、更に、ホウ素フリーである。 （もっと読む）

【課題】スルーホールとビアホールが混在した基板に対して、スルーホールへの付きまわり性が良好で、かつビアホールへの穴埋め性が良好な電気銅めっき浴及びその電気銅めっき浴を用いた電気めっき方法を提供する。
【解決手段】水溶性銅塩、硫酸、及び塩化物イオンを主構成成分とし、ジエチレントリアミン、アジピン酸及びε−カプロラクタムからなる重縮合物のエピクロロヒドリン変性物を加熱処理することによって生成したポリアミドポリアミンをレベラーとして含有させる。 （もっと読む）

【課題】ボイドのないポリマー層を、塗布液に用いる溶媒の沸点に関わらず、短い乾燥時間で形成することが可能な、ポリマー層の形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明のポリマー層の形成方法は、（ａ）ガラス転移温度が１８０℃以下のポリマーＰ、及び、該ポリマーＰを溶解する溶媒Ａを含む塗布液を、支持体上に塗布して塗膜を形成する工程と、（ｂ）該塗膜に、前記ポリマーＰを溶解しない、水及びアルコールの少なくとも一方を含む液体Ｂを接触させて、当該塗膜から溶媒Ａを取り除く工程と、（ｃ）該塗膜を乾燥する工程と、をこの順に含み、前記溶媒Ａと前記液体Ｂとが「溶媒Ａの沸点」＞「液体Ｂの沸点」の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】めっき動作を動的に制御することの可能な電気めっき方法を提供すること。
【解決手段】ウェハ２０上に銅層を形成する方法は、ウェハ２０を電気めっきチャンバ１０内に配置する段階であって、電気めっきチャンバ１０が少なくとも一つの電気コンタクト１８を通じてウェハ２０に電気的に接続される制御システム３４を有し、制御システム３４がウェハ２０に電力を提供する、段階と、ウェハ２０に給電して、ウェハ２０上に銅を電気めっきする段階と、電気めっき中にウェハ２０の電気特性を監視して、電気めっきチャンバ１０内の条件を変更すべきときを判断する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｃｏをメッキシードとして電解メッキによるＣｕ膜を成膜する場合に、Ｃｏの溶出を抑制してＣｏシード上に均質でかつ密着性の高いＣｕ膜を形成することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】表面にシード層としてＣｏ膜が形成された基板を準備し、Ｃｏ膜の上に硫酸銅溶液を主体とするメッキ液を用いて、電解メッキにより基板のＣｏ膜上にＣｕ膜を成膜するにあたり、基板表面をメッキ液に浸漬する前に、基板に対して、Ｃｏの表面電位がＣｏの酸化電位より低くなるような負の電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】少量のパラジウム使用量によっても水素気体に対する選択性が優秀であるとともに、耐久性の優れた分離膜を製造することができ、また、支持体の種類に係りなく水素気体分離膜の特性を改善することのできる水素気体分離用パラジウム合金複合膜の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）乾式スパッタリング蒸着法を用いて多孔性支持体の上部にパラジウムコーティング層を形成する段階；（ｂ）乾式スパッタリング蒸着法を用いて前記パラジウムコーティング層の上部に金属コーティング層を形成する段階；（ｃ）前記金属コーティング層を水素雰囲気下でリフローして合金層を形成する段階とを包含する。 （もっと読む）

【課題】 非貫通孔内、貫通孔内へのめっき充填と同時に被めっき面にめっき膜を薄く形成できる電解めっき方法を提供する。
【解決手段】 絶縁体２０Ａ、２０Ｂが接触した部分では、電解めっき膜３６の成長が遅くなる。即ち、絶縁体２０Ａ、２０Ｂにより鉄イオンがめっき界面に強制的に供給され、３価の鉄イオンが２価の鉄イオンに成る還元反応が起こり、銅の析出を抑える。絶縁体２０Ａ、２０Ｂが接触しない貫通孔３１ａ内では、めっき界面に３価の鉄イオンが濃度勾配により拡散するのみで強制的には供給されず、３価の鉄イオンの還元反応が低く、電解めっき膜３６が成長し、スルーホール導体４２を充填しながら、コア基板表面の電解めっき膜３６を薄く形成することができる。 （もっと読む）

【課題】銅被覆ポリイミド基板の銅めっき被膜層の厚み分布の均一性を向上させる銅被覆ポリイミド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シード層付長尺ポリイミドフィルム２を幅方向が略水平方向になるように搬送してシード層の表面に、複数の不溶解性陽極１４を用い、搬送方向に対して段階的に電流密度を上昇させる湿式めっき法を用いて銅めっき被膜層を成膜する銅被覆ポリイミド基板２の製造方法で、その複数の不溶解性陽極１４の中で印加される電流の電流密度が３５ｍＡ／ｃｍ^２以上となる不溶解性陽極１４は、その不溶解性陽極１４の上端から下端に向かって少なくとも４０ｃｍの位置までは、銅被覆ポリイミド基板２の銅めっき被膜層幅の８０％〜９０％の陽極幅を有し、さらに複数の不溶解性陽極１４が、搬送方向において電気的に２群以上に分割され、かつ分割されたそれぞれの不溶解性陽極が、各群毎に独立して電流密度が制御されていることを特徴とする。 （もっと読む）