【課題】銅合金条の表面にＮｉ／Ｃｕ／Ｓｎの３層めっきを施した後、リフロー処理を行う場合、リフロー後に最表面にＳｎまたはＳｎ合金層が残存し、金属間化合物相が表面に露出することがない銅合金条の製造方法を提供する。
【解決手段】銅合金条の製造方法において、Ｃｕ合金母材１の表面にＮｉ層２のめっきを施した後、続いてＣｕ層３のＣｕめっき、Ｓｎ層４のＳｎめっきを、Ｓｎのめっき厚さ／Ｃｕのめっき厚さ比が６以下となるように施した後、リフロー処理を行う。 （もっと読む）

【課題】電気銅めっきを行う際に、めっき液中のアノード側で発生するスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供する。
【解決手段】電気銅めっきを行うに際し、アノードとして含リン銅を使用し、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２以上である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を１０〜１５００μｍとし、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２未満である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を５〜１５００μｍとしたアノードを用いて電気銅めっきを行うことを特徴とする電気銅めっき方法。 （もっと読む）

【課題】超ファインピッチの配線としても幅方向の断面（横断面）の表面が平坦となる配線をセミアディティブ法で製造できるセミアディティブ用硫酸系銅めっき液及びこれを用いたプリント配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セミアディティブ用硫酸系銅めっき液であって、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸又はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドから選択された少なくとも一種と環状構造を持つ４級アンモニウム塩重合体と塩素とを含み、銅濃度が２３〜５５ｇ／Ｌであり、硫酸濃度が５０〜２５０ｇ／Ｌである。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕ含有膜の表面に形成される金属含有膜の成膜性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、以下の工程を含むものである。基板（半導体素子や層間膜が形成された半導体基板など）にＲｕ含有膜を形成する工程（Ｓ１００）、Ｒｕ含有膜の表面と接するように、Ｒｕより酸化還元電位が低い金属を含有する膜を形成する工程（Ｓ１０２）、基板をめっき液に浸漬させて、当該膜にめっき液を接触させる工程（Ｓ１０４）、基板をめっき液に浸漬させた状態で、当該膜を電気分解により除去してＲｕ含有膜を露出させるとともに、露出したＲｕ含有膜の表面に金属含有膜を電解めっきにより形成する工程（Ｓ１０６）。 （もっと読む）

【課題】優れた防眩性能を示しながら、白ちゃけによる視認性の低下を防止でき、高精細の画像表示装置に適用した場合においても、ギラツキを発生せずに高いコントラストを発現することができる防眩フィルムの製造方法、ならびに、当該製造方法において好適に用いられる金属金型の製造方法を提供する。
【解決手段】２種以上のセグメントからなるブロック共重合体をモデルとして、計算機シミュレーションによりブロック共重合体のミクロ相分離構造を計算する工程と、該ミクロ相分離構造に基づいて、エネルギースペクトルが空間周波数０．０２５〜０．１２５μｍ^-1の範囲内において極大値を示すミクロ相分離パターンを作成する工程と、該ミクロ相分離パターンを用いて、透明基材上に凹凸表面を形成する工程とを含む防眩フィルムの製造方法、および当該製造方法において好適に用いられる金属金型の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】バスダクトに用いられる母線（アルミブスバー）に良好な導電性と防錆性を付与するためのメッキ方法及びその装置を提供する。
【解決手段】メッキ工程として、脱脂処理工程１１０、第１の洗浄工程１２０、エッチング工程１３０、第２の洗浄工程１４０、硝酸活性化工程１５０、第３の洗浄工程１６０、亜鉛メッキ工程１７０、第４の洗浄工程１８０、銅メッキ工程１９０、第５の洗浄工程２００、錫メッキ工程２１０、および後処理工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】電解メッキ工程において、安定した給電が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、有効チップ領域である第１の領域２０と、第１の領域２０の周縁を囲む第２の領域３０と、を有した半導体ウエハー１を用意する工程と、第２の領域３０に樹脂突起４０を形成する工程と、第１の領域２０及び第２の領域３０に第１の導電層５０を形成する工程であって、第１の導電層５０は樹脂突起４０の上に位置する第１の部分５１を有するように、第１の導電層５０を形成する工程と、第１の導電層５０の上にレジスト層６０を形成する工程と、少なくとも第１の導電層５０の第１の部分５１の上に位置するレジスト層６０を除去する工程と、第１の導電層５０の第１の部分５１に給電して、電解メッキにより第１の導電層５０の上に第２の導電層９０を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】凹凸表面を有する構造部材の製造を容易にするとともに、その表面が摩耗した場合でも凹凸表面を維持することのできる構造部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の構造部材１０の製造方法は、金属基材１１の表面１１ａに、断面形状が略三角形の溝１２を連続して多数個形成する工程Ａと、溝１２上に、メッキにより、溝１２の断面形状に沿って一様な厚みをなし、かつ、材質の異なる第一の金属膜１４と第二の金属膜１５を交互に積層してメッキ多層膜１３を形成する工程Ｂと、を有することを特徴とする。また、本発明の構造部材１０は、金属基材１１の表面１１ａに形成された断面形状が略三角形の連続する溝１２上に、溝１２の断面形状に沿って一様な厚みをなし、かつ、材質の異なる第一の金属膜１４と第二の金属膜１５を交互に積層されてなるメッキ多層膜１３が設けられたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、プラスチック材料の金属での被覆方法に関し、この方法は、プラスチック材料を、１ｂａｒで１００℃未満の融点を有する少なくとも１種の塩を含有する組成物を用いて前処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた耐熱性を有するとともに、腐食が生じにくいめっき付き銅条材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ系基材の表面に複数のめっき層を有し、その表層部分を構成する平均厚さ０．０５〜１．５μｍのＳｎ又はＳｎ合金からなるＳｎ系めっき層４の上に、硬度が１０〜２０Ｈｖで平均厚さが０．０５〜０．５μｍに形成したＳｎ−Ａｇ被覆層５が形成され、該Ｓｎ−Ａｇ被覆層５は、Ｓｎ粒子１１とＡｇ_３Ｓｎ粒子１２とを含み、Ｓｎ粒子１１の平均粒径が１〜１０μｍで、Ａｇ_３Ｓｎ粒子１２の平均粒径が１０〜１００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】レアメタルの使用量を抑えつつ、鉛フリーはんだに対するはんだ付け性（濡れ性）及び摺動性を両立して向上しながら、しかもウィスカの発生を抑制ないし防止することができるめっき被膜を有する接続端子部材を提供する。
【解決手段】導電性基材の外側にスズもしくはスズ合金からなる第１めっき層と、該第１めっき層の表面にインジウムからなる第２めっき層とを有する多層めっき材料をリフローしてなる接続端子部材であって、前記第１めっき層について、前記接続端子部材の挿抜部における厚さを０．３〜３μｍとし、前記接続端子部材のはんだ付け部における厚さを前記挿抜部の厚さより厚くし、前記第２めっき層の厚さを０．０５〜０．２μｍとした被膜接続端子部材。 （もっと読む）

【課題】所定の被処理面に対して高品質な表面処理を実施することが可能な表面処理装置および表面処理システム、表面処理方法、これによって処理された帯状薄体を提供する。
【解決手段】表面処理装置１０は、帯状薄体Ｓにおける被処理面に沿って表面処理液Ｘを流下させて表面処理を行う装置であって、帯状薄体Ｓに対して所定の微小な隙間ｄを介して近接配置された壁部１２ｂと、この隙間ｄ内において流下する表面処理液Ｘを供給する供給部１３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】貫通シリコンビア形成時におけるビア内側壁の銅シード層のカバレッジが良好で均一な銅配線層を有するめっき物を提供することを目的とする。
【解決手段】基材上にバリア層として形成された、タングステン及びタングステンと合金化した際に銅に対するバリア性を有する金属（Ａ）との合金薄膜、その上に無電解置換銅めっきにより銅シード層、さらに前記無電解置換銅めっきを実施したのと同一のめっき液を用いた電気銅めっきにより銅配線層がこの順番で形成されてなる、貫通シリコンビアを有するめっき物。 （もっと読む）

【課題】導電部材としての使用時に良好な特性を有する多層にめっきが施された銅合金条材を連続的に効率良く得る。
【解決手段】銅条材を連続的に走行させながら複数のめっき浴に挿通して、Ｎｉ又はＮｉ合金、Ｃｕ又はＣｕ合金、Ｓｎ又はＳｎ合金を順にめっきしてリフロー処理することにより、Ｎｉ系下地層、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層、Ｓｎ系表面層を順に形成する方法であって、各めっき層を、無機酸を主成分とするめっき浴中にて不溶性アノードを使用した電解めっきにて形成するとともに、Ｎｉ又はＮｉ合金によるめっきは浴温４５〜５５℃、電流密度２０〜５０Ａ／ｄｍ^２、Ｃｕ又はＣｕ合金によるめっきは浴温３５〜５５℃、電流密度２０〜６０Ａ／ｄｍ^２、Ｓｎ又はＳｎ合金によるめっきは浴温１５〜３５℃、電流密度１０〜３０Ａ／ｄｍ^２とし、それぞれレイノルズ数１×１０^４〜５×１０^５とする。 （もっと読む）

【課題】はんだを使用せずに、より高温の環境においても、積層される上下の部材の熱応力を効果的に緩和することのできる金属基複合材料を使用した積層構造体を提供する。
【解決手段】材料Ａ１と、材料Ｂ５と、材料Ａ１と材料Ｂ５との間に挟まれた材料Ｃ４とからなり、材料Ａ１および材料Ｂ５の線膨張係数が、α_ａ＜α_ｂの関係を満たし（ここで、α_ａは材料Ａ１の線膨張係数を表し、α_ｂは材料Ｂの線膨張係数を表わす）、材料Ｃ４は２元素からなるマトリックス材および微粒子を含み、緻密状態２および多孔質状態３を含み、材料Ｃ４の材料Ａ１に接する側が緻密状態２であり、材料Ｂ５に接する側が多孔質状態３であることを特徴とする積層構造体１０。 （もっと読む）

【課題】レアメタルの使用量を抑えつつ、鉛フリーはんだに対するはんだ付け性（濡れ性）の向上はもとより、ウィスカの発生を抑制ないし防止することができるめっき被膜材を提供する。
【解決手段】導電性基材４に第１めっき層１ａを形成し、該第１めっき層１ａの表面に第２めっき層２ａを形成しためっき材からなるリードフレーム１０ａであって、前記第１めっき層１ａが、スズ、スズ−銀合金、スズ−ビスマス合金、スズ−銅合金、及びスズ−銀−銅合金の群から選ばれる少なくとも１種からなり、第２めっき層２ａがインジウムからなり、前記第１めっき層の厚さを５μｍ超１０μｍ以下とし、かつ第２めっき層の厚さを０．０５μｍ以上０．４μｍ以下としたリードフレーム１０ａ。 （もっと読む）

【課題】エッチングによってパターン形成する際に、確実にファインピッチの導体回路を形成できる銅めっき皮膜の成膜方法および銅張り積層板とその製造方法を提供する。
【解決手段】硫酸銅めっき液中に浸漬した樹脂フィルム２に電流を印加することにより、樹脂フィルム２の表面に銅めっき皮膜１８を成膜する銅めっき皮膜の成膜方法において、樹脂フィルム２に銅めっきを析出させる負電流密度の析出電流パルスを印加して銅めっきを形成した後に、当該銅めっきを溶解させる正電流密度の溶解電流パルスを印加して銅めっきの表面側を溶解するとともに、析出電流パルスの印加時間に応じて溶解電流パルスの印加時間を変化させることにより、上記銅めっきの析出量と銅めっきの溶解量との比率を９：１以上で１８：１以下の範囲内となるように制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】安定した接触抵抗を有するとともに、剥離し難く、また、コネクタとして用いる場合に挿抜力を小さくかつ安定させ、しかもヒューズとして用いた場合にも良好な溶断特性を有する。
【解決手段】Ｃｕ系基材１の上に形成したＮｉ系下地層３と、表面を形成するＳｎ系表面層５との間に、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層４が形成されるとともに、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層４は、さらに、Ｎｉ系下地層３の上に配置されるＣｕ_３Ｓｎ層６と、Ｃｕ_３Ｓｎ層６の上に配置されるＣｕ_６Ｓｎ_５層７とからなり、Ｃｕ_３Ｓｎ層６及びＣｕ_６Ｓｎ_５層７を合わせたＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層４のＳｎ系表面層５と接する面の表面粗さが、算術平均粗さＲａで０．０５〜０．２５μｍであり、かつ、粗さ曲線の最大谷深さＲｖで０．０５〜１．００μｍであり、また、Ｃｕ_３Ｓｎ層はＮｉ系下地層を覆っており、その面積被覆率が６０〜１００％である。 （もっと読む）

【課題】基板上に存在する、アスペクト比（深さ／開口径）が５以上の導電処理した非貫通穴に短時間で銅を良好に充填する方法を提供する。
【解決手段】基板上に存在する、アスペクト比（深さ／開口径）が5以上の導電処理した非貫通穴に銅を充填する方法であって、酸性銅めっき浴として、水溶性銅塩、硫酸、塩素イオン、ブライトナー及びジアリルアミン類と二酸化硫黄との共重合体を含む酸性銅めっき浴を用いて、周期的電流反転銅めっきして非貫通穴に銅を充填することを特徴とする銅充填方法。 （もっと読む）

【課題】挿入抵抗および接触電気抵抗を小さくすることができるめっき材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣｕまたはＣｕ合金からなる基材上に、少なくともＣｕ−Ｓｎ合金中間層と、Ｓｎ表面層とをこの順序で有することを特徴とするめっき材料において、前記Ｃｕ−Ｓｎ合金中間層の表面粗さを表すパラメータである十点平均粗さＲｚμｍと最大高さＲｙμｍとの関係が、Ｒｙ／Ｒｚ＜１．３を満たし、かつ、前記十点平均粗さＲｚと、前記Ｓｎ表面層の平均厚さｔμｍが、Ｒｚ（６−π）／６≦ｔ≦Ｒｚ（６−π）／６＋０．３を満たす関係にある。 （もっと読む）