太陽電池を製造するためにウェハをコーティングするための方法において、ニッケル、銅又は銀などの金属が金属を含有するコーティング溶液内で連続的な工程によってウェハに沈着する。ウェハがコーティング溶液に挿入され、ウェハの第一の領域が既にコーティング溶液内で延びるが第二の領域が未だにコーティング溶液内で延びていない時点で、過電流が、さらなる過電流又は電流フローなしに、ウェハの残りのエリアの、ウェハがコーティング溶液に完全に挿入されて続いて起こるさらなる自動的なコーティングのための、コーティング溶液内に達するウェハの第一の領域における金属のガルバニック沈着を始めるために、第二の領域に印加される。
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【課題】平滑でない接着面にも適用可能であり、且つ、接着作業が容易な電極母材用ウレタンフォームブロックの接着方法を提供する。また、良好な導電性を有する電極用金属多孔体の効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】電極母材用のウレタンフォームブロック同士を該ウレタンフォームブロックの発泡方向に接着する方法であって、接着面間に厚さ１．０〜１０．０ｍｍの弾性を有する接着層を配置する工程と、配置した接着層を介してウレタンフォームブロックの接着面同士を接合させ、接着層を硬化させてウレタンフォームブロック同士を接着する工程とを含むことを特徴とする電極母材用ウレタンフォームブロックの接着方法である。また、当該接着方法を使用して接着したウレタンフォームブロックを用いて製造することを特徴とする電極用金属多孔体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】貫通電極用凹部の底部からのめっき膜の成長速度を遅くすることなく、貫通電極用凹部内に銅等の金属を、内部にボイド等の欠陥を生じさせることなく完全に充填することができるめっき方法を提供する。
【解決手段】表面に貫通電極用凹部１２を有する基板Ｗとアノードとをめっき液中に互いに対峙させて配置し、基板Ｗとアノードとの間に電圧を印加しながら基板Ｗとアノードとの間のめっき液を攪拌して貫通電極用凹部１２内へ金属を充填し、貫通電極用凹部内１２への金属の充填量に相関して、基板とアノードとの間のめっき液の攪拌条件を変化させる。 （もっと読む）

【課題】１５０℃から１８０℃の高温環境下で長時間晒されても、接触抵抗値の増加を抑え、めっき剥離を防止できるＳｎめっき付き銅又は銅合金を提供する。
【解決手段】Ｎｉ層２の平均厚さが０．１μｍ以上１．０μｍ以下、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の平均厚さが０．５５μｍを超え１．０μｍ以下、Ｓｎ層５の平均厚さが０．２μｍ以上１．０μｍ以下である。Ｃｕ−Ｓｎ合金層が組成の異なる２つの層からなり、Ｎｉ層に接する層３がε相からなり、平均厚さが０．５μｍを超え０．９５μｍ以下であり、Ｓｎ層と接する層４がη相からなり、平均厚さが０．０５μｍ以上０．２μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】平滑でない接着面にも適用可能であり、且つ、接着作業が容易な電極母材用ウレタンフォームブロックの接着方法を提供する。また、良好な導電性を有する電極用金属多孔体の効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】電極母材用のウレタンフォームブロック同士を該ウレタンフォームブロックの発泡方向に接着する方法であって、反応硬化しながら自己発泡する樹脂を接着面間に配置し、ウレタンフォームブロック同士を接着する工程を含むことを特徴とする電極母材用ウレタンフォームブロックの接着方法である。また、当該接着方法を使用して接着したウレタンフォームブロックを用いて製造することを特徴とする電極用金属多孔体の製造方法である。 （もっと読む）

本発明は、金属化された基体を調製するためのプロセスであって：この基体上に、少なくとも１つの金属イオンをキレート化し得る基を必要に応じて保有するポリマー型の化合物をグラフト化する工程と；少なくとも１つの金属イオンをキレート化し得るこのポリマー型の化合物を少なくとも１つの金属イオンと接触して配置する工程と、ポリマー型のこの化合物を、このキレート化された金属イオン（単数または複数）を還元するための条件に供する工程と、金属化された基体が得られるまでこのキレート化／還元工程を繰り返す工程とからなる工程を包含するプロセスに関する。本発明はまた、このプロセスにより得られる基体、およびその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板上の位置によるめっき被膜の厚みのバラツキを解消し、均一なめっき被膜を形成することのできるプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき液が満たされカソードが配設されためっき処理槽に基板をアノードに対向してめっき液中に浸漬させ前記基板を陰極に接続させ、基板とカソードとを通電させ、さらに基板とカソードとの間に磁界を発生させて、基板の導電層表面もしくは絶縁基材あるいは絶縁層の貫通孔または非貫通孔にめっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】特に、残留応力を低減しためっき層を形成することにより、応力腐食を防ぎ、耐食性に優れ、安定した電気接点を提供する。
【解決手段】引張り応力めっき層３ａと、圧縮応力めっき層３ｂの積層めっき膜によりめっき層を形成して、下地層３あるいは貴金属めっき層４とする。さらに、引張り応力めっき層３ａと、圧縮応力めっき層３ｂを複数積層しためっき構造とする。これにより、めっき内部に残留応力を低減しためっき層を得ることができ、さらに熱処理を行うことにより、残留応力をさらに除去することができる。めっきに用いるめっき浴の種類、またはめっき浴に添加する光沢剤の種類、めっき中の電流密度を変えることにより、引張り応力めっき層、および圧縮応力めっき層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 添加剤の種類が少ない銅めっき浴を用いて、導電処理した基板上の非貫通穴へ銅を良好に充填する方法を提供する。
【解決手段】 導電処理した基板上にある非貫通穴へ銅を充填する方法であって、水溶性銅塩、硫酸、及びブライトナーとレベラーとの両方の作用を有する重合体からなるフィリング添加剤とを含有するむ酸性銅めっき浴で前記基板をめっき処理することを特徴とする銅充填方法。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板上の位置によるめっき被膜の厚みのバラツキを解消し、均一なめっき被膜を形成することのできるめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液を貯蔵するめっき処理槽１と、めっき液に浸漬されるカソードを固定する固定（搬送）手段３と、前記めっき処理槽１内のカソード２に対向して配設されるアノード４と、前記固定搬送手段３を介してカソード２と前記アノード４とに通電する手段５とを備え、前記アノード４とカソード２との間に磁界制御手段６を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ボイド(void)およびシーム(seam)の発生を防止することができる自己組織化単分子膜形成方法、ならびに半導体素子の銅配線およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の銅配線形成方法は、半導体基板の上に配線形成領域を有する層間絶縁膜を形成する工程と、前記配線形成領域表面を含む層間絶縁膜上に自己組織化単分子膜(Self Assembled Monolayer)を形成する工程と、前記自己組織化単分子膜の表面に触媒粒子を吸着させる工程と、前記触媒粒子が吸着された自己組織化単分子膜上に無電解メッキ法で銅シード膜を形成する工程と、前記銅シード膜上に前記配線形成領域を埋め立てるように銅膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】めっきすべき銅箔表面部分のめっき液の流れが乱れない工夫をすることにより、銅箔の非めっき面へのめっき付着を防止すると同時に銅箔の幅方向における均一なめっき処理を可能とし、これにより同方向のめっきの膜厚分布や膜質のばらつきを改善した銅箔のめっき方法及びそのめっき装置を提供すること。
【解決手段】めっき液３を入れためっき槽４内に設置された陽極板６に対向して長尺の銅箔２を平行に走行させることにより銅箔２の片面を連続的にめっきする方法において、陽極板６の位置に対応する銅箔２の反対側の面（非めっき面）の全面もしくは両端付近の面に所定の間隔をおいて絶縁性の遮蔽板８を設けた状態で銅箔２の片面を連続的にめっきする。 （もっと読む）

【課題】従来とは別異の粗化面構造をもつ銅箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金箔基材と、銅又は銅合金箔基材の少なくとも一部を被覆し、且つ、銅又は銅合金箔基材表面に起立する平板状体を有する銅電着層と、を備えた積層銅箔。 （もっと読む）

【課題】電解銅箔と液晶ポリマー等の高耐熱性及び高周波特性に優れる樹脂基材との密着性を向上させ、且つ、安定化した銅張積層板製造に使用可能なロープロファイル銅箔の提供を目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため、銅箔の表面に微細銅粒子が析出形成した粗化処理面を備える粗化処理銅箔において、当該粗化処理面は、頭頂部角度θが８５°以下の突起形状の微細銅粒子２を含むものであることを特徴とする粗化処理銅箔を採用する。また、この銅箔を製造するために、硫酸銅系銅電解液を用いる電解法で、銅箔の表面に微細銅粒子が析出形成した粗化処理面を形成し粗化処理銅箔とする際に、当該硫酸銅系銅電解液として、ホルムアミジンジスルフィド濃度又はチオ尿素のいずれかを含む所定の組成の銅電解液を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの堆積および平坦化に関し、特に、局所堆積を使用して薄膜をより効果的に堆積させると共に、局所平坦化を可能にする装置および手法を提供する。
【解決手段】ウェーハ１０４の表面に金属層１０８を堆積させる電気メッキ装置１００が提供される。一例においては、陽極として帯電可能な近接ヘッド１０２を、ウェーハ１０４の表面に極めて近接して配置する。メッキ流体１１６を、前記ウェーハ１０４と前記近接ヘッド１０２との間に提供し、局所金属メッキ１０８を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高耐熱性及び好適なへたり性を備えたプリント基板端子用の銅合金すずめっき材。
【解決手段】Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎの順で電気めっきを施した後リフローめっきされた銅又は銅合金条であり、Ｎｉ相０．１〜０．８μｍ、Ｃｕ−Ｓｎ合金相０．１〜１．５μｍ、Ｓｎ相０．１〜１．５μｍであり；Ｃｕ−Ｓｎ合金相はＮｉを０．０５〜３．０ｗｔ％を含み、Ｓｎ相との界面において面積が３μｍ²未満の微細な結晶粒と３μｍ²以上の粗大な結晶粒が混在し、３μｍ²未満の各結晶粒の総面積をＳ_X、３μｍ²以上の各結晶粒の総面積をＳ_Yとしたとき、２０≦Ｓ_X／（Ｓ_X＋Ｓ_Y）×１００≦６０が成り立つプリント基板端子用に好適なへたり性をもつ銅合金すずめっき材であり、２〜２２重量％のＺｎを含有してもよく、更に必要に応じてＮｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｆｅ、Ａｇ及びＭｎの群から選ばれた１種以上を合計で２．０重量％以下含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】耐折曲げ性に優れ、特に、液晶画面駆動用半導体を実装するための半導体実装用として、耐折曲げ性に優れる銅被覆ポリイミド基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、スパッタリング法又は蒸着法によって金属シード層及びその上に銅層を形成し、さらにその上に電気めっき法、又は電気めっき法と無電解めっき法を併用する方法で銅めっき皮膜を形成してなる銅被覆ポリイミド基板であって、該銅めっき皮膜は、ダイナミックＳＩＭＳ法によるイオウの相対二次イオン強度が１０００カウント以下であることを特徴とする。また、電気めっき法で、不溶解性陽極を用い、かつ全量に対して鉄イオンを０．１〜１０ｇ／Ｌを含有する銅めっき液を用いるとともに、さらに、分解分の補充として添加する光沢剤の添加量を、そのイオウ量で、銅めっき液１ｍ^３かつ１時間当たり０．００５〜０．１ｍｇに制御することを特徴とする。 （もっと読む）

銅イオン源と、式Ｉの化合物から選ばれる少なくとも一種の抑制剤とを含む、空隙サイズが３０ナノメーター以下であるサブミクロンサイズの窪みを充填するための組成物。
【化１】


［式中、
−Ｒ¹基は、それぞれ独立して、エチレンオキシドと少なくとも一種の他のＣ３〜Ｃ４アルキレンオキシドのコポリマーであって、ランダムコポリマーであるものから選ばれ、−Ｒ²基は、それぞれ独立して、Ｒ¹またはアルキルから選ばれ、−ＸとＹは独立して、また各繰返単位のＸが独立して、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン及びＺ−（Ｏ−Ｚ）_m（但し、Ｚ基はそれぞれ独立してＣ２〜Ｃ６アルキレンから選ばれる。）から選ばれるスペーサー基であり、−ｎは０以上の整数であり、−ｍは１以上の整数である。］ （もっと読む）

【課題】銅めっき皮膜のエッチングファクターを向上させることにより、ファインピッチの微細回路を形成することが可能な銅張り積層板と銅張り積層板に成膜する銅めっき皮膜の成膜方法を提供する
【解決手段】１槽の銅めっき槽２８または複数の銅めっき槽１２、１３、１４中の銅めっき液に、ＰＥＧとＳＰＳとＪＧＢおよびクエン酸塩等のように、めっきされる銅に炭素および酸素を共析させる添加剤を添加し、該銅めっき液に樹脂フィルム１浸漬させることにより、樹脂フィルム１の少なくとも表面に、上流側の上記銅めっき層から下流側の上記めっき層に向けて、段階的または漸次、上記炭素および酸素の共析量が多くなる１層の銅めっき層８または複数層の銅めっき層４、５、６を形成する。 （もっと読む）

【課題】３００℃を超える温度が負荷されても、容易にキャリア箔の引き剥がしが可能なピーラブルタイプのキャリア箔付電解銅箔の供給を目的とする。
【解決手段】この目的達成のため、キャリア箔２／接合界面層３／耐熱金属層５／電解銅箔層４の層構成を備えるキャリア箔付電解銅箔において、ＧＤＳ分析装置を用いて、当該キャリア箔付電解銅箔の電解銅箔層側からキャリア箔側に向けて、当該耐熱金属成分の深さ方向プロファイルを測定したときの常態のピークの半価幅をＷ１、当該キャリア箔付電解銅箔を３００℃の大気雰囲気で１２０分間加熱した後の深さ方向プロファイルを測定したときの同ピークの半価幅をＷ２としたとき、（［Ｗ２］−［Ｗ１］）／［Ｗ１］≦０．３の関係を満たすことを特徴としたキャリア箔付電解銅箔を採用する。 （もっと読む）