【課題】めっき液噴流方向を均一化すると共に、ポンプに負荷を掛けることなく噴射ノズルからのめっき液流量（圧力）を増加させる手段を備えた半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造装置は、めっき処理槽１と、ウェハー支持部３と、めっき液噴射ノズル土台配管１２と、ウェハー２の被処理面に向かってめっき液を噴射する複数のめっき液噴射ノズル１３とを備えている。複数のめっき液噴射ノズル１３の各々は、ベンチュリ構造型のノズルである。めっき液噴射ノズル１３から噴射されためっき液の一部は、めっき処理槽１の上部から底部に向かって流動し、めっき液噴射ノズル１３から噴射されるめっき液と合流して、ウェハー２の被処理面に向かって再度噴射される。 （もっと読む）

【課題】触媒吸着性、めっき密着強度、成形性、耐衝撃性、耐熱性のいずれもが優れためっき用樹脂組成物、及び樹脂めっき製品を提供する。
【解決手段】本発明のめっき用樹脂組成物は、質量平均粒子径が0.20〜0.50μｍのゴム状重合体(d1)に、特定の単量体成分(a)をグラフト重合したグラフト共重合体(A-1)10〜30質量％と、質量平均粒子径が0.06〜0.15μｍのゴム状重合体(d2)に単量体成分(a)をグラフト重合したグラフト共重合体(A-2)5〜20質量％と、特定の共重合体(B)5〜50質量％と、ポリカーボネート樹脂(C)20〜70質量％とを含有し、グラフト共重合体(A-1),(A-2)と共重合体(B)とポリカーボネート樹脂(C)の合計100質量％に対する、ゴム状重合体(d1),(d2)の合計の割合が10〜20質量％であり、グラフト共重合体(A-1),(A-2)と共重合体(B)とポリカーボネート樹脂(C)の合計100質量部に対して、特定の酸化防止剤(D)を1〜8質量部配合している。 （もっと読む）

【課題】生理活性化作用のある光を発生する発光装置を提案すること。
【解決手段】天然に存する薬石の抽出液が触媒として添加されたメッキ液を用いて加工したメッキ製品を懐中電灯などの発光装置の給電回路部品として用いる。発光装置の光源ランプからは薬石特有の波動振動を有する光が発生し、この光を生体に当てると、その波動が生体の細胞の活性化等の効果をもたらす。メッキ液用添加剤は、ミネラル鉱石、多元素共存特殊天然鉱石、トルマリン等の薬石に含まれているミネラル成分を含み、ミネラル成分には、少なくともカルシウム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、ケイ素、塩素イオン、および、硫酸イオンが含まれている。ミネラル成分は、薬石を粉砕し、粉末状になるまで細かくすりつぶした後、この粉末を水と混合して攪拌し、濾過することにより得られたものである。 （もっと読む）

【課題】表裏両面が均一な形状で特にリチウムイオン二次電池のケイ素系活物質の特性を充分に発揮させて該二次電池の高容量と充放電の長寿命を同時に達成できる負極集電体用圧延銅箔または圧延銅合金箔を提供し、該圧延箔を用いた負極電極を提供することを課題とする。
【解決手段】銅或いは銅合金からなる未処理圧延箔の表裏両面に、パルス陰極電解粗化処理又は直流陰極電解粗化処理で銅又は銅合金からなる一次粗化処理層が設けられ、該一次粗化処理層表面に平滑メッキ処理により銅又は銅合金からなる二次粗化処理層が設けられているリチウムイオン二次電池の負極集電体用圧延箔、その製造方法である。
前記負極用圧延箔を集電体とし、該集電体の両面にケイ素系活物質を積層してなるリチウムイオン二次電池負極電極、その製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 半導体の上に直接電着する方法を提供する。
【解決手段】 本開示は、半導体材料の少なくとも１つの表面上に金属又は金属合金を電着する方法を提供する。本発明の方法は、半導体材料の少なくとも１つの表面上の、電着された金属膜による完全な被覆を提供する。本開示の方法は、半導体材料を準備することを含む。半導体材料の少なくとも１つの表面上に、電着プロセスによって金属膜が付けられる。用いる電着プロセスには、最初に低電流密度を加え、所定の時間後に電流密度を高電流密度に変える電流波形が用いられる。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ又はＣｕ合金からなる下地基材に対するバリア性を高め、Ｃｕの拡散をより確実に防止して耐熱性を向上させ、高温環境下でも安定した接触抵抗を維持する。
【解決手段】Ｃｕ又はＣｕ合金からなる基材の上に、Ｎｉ−Ｗ合金層、Ｃｕ層又はＣｕ−Ｓｎ合金層からなる中間層、Ｓｎ又はＳｎ合金からなる表面層がこの順で形成され、Ｎｉ−Ｗ合金層の厚さが０．１〜１．０μｍ、Ｎｉ−Ｗ合金層中のＷ含有量が１０〜３５ａｔ％であり、かつ中間層の厚さが０．２〜１．０μｍ、表面層の厚さが０．５〜２．０μｍである。 （もっと読む）

【課題】低粗度でありながら絶縁性樹脂基材と強固な引きはがし強さが得られ、吸湿処理後、活性処理液浸漬後に引きはがし強さの劣化率が小さく、活性処理液浸漬後にしみ込み量が少なく、エッチング性に優れた処理銅箔を提供すること。
【解決手段】絶縁性樹脂基材に接着される処理銅箔１面に粗化処理層、クロメート層及びシランカップリング剤層が順次設けられており、当該処理銅箔１面の十点平均粗さRzが1.0μm〜2.7μmであり、かつ、当該処理銅箔１面177μm²の表面積を可視光限界波長408nmのバイオレットレーザーを使用して測定した前記粗化処理層を形成する粗化粒子２（局部山頂）の平均間隔S５が0.210μm以下（但し0は含まない）であることを特徴とする銅張積層板用処理銅箔。 （もっと読む）

【課題】 生産性を損なわず、また、伸線加工性を劣化させることなく、Ｃｏ塩を配合しないゴムとの接着性に優れ、かつ時間が経過しても接着強度の劣化が少ない、ゴムとの接着性に優れた極細めっき鋼線を提供する。
【解決手段】 極細鋼線の表面に複層めっきを設けた極細めっき鋼線であって、線径が０．１〜０．４ｍｍであり、前記複層めっきは、前記鋼線の表面に設けた平均厚さ２０〜５００ｎｍの被覆Ｃｕめっきと、最表層に設けた平均厚さ１０〜５０ｎｍの接着Ｃｕめっきと、前記被覆Ｃｕめっきと前記接着Ｃｕめっきとの間に設けた拡散防止層とからなるゴムとの接着性に優れた極細めっき鋼線。拡散防止層は、平均厚さ２〜２５ｎｍのＮｉめっき、Ｃｏめっき、Ｃｒめっきのいずれか１種であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電子部品のリード端子などに適用した場合に、ウイスカの発生を防止でき、特殊な処理を施すことなくメッキできるメッキ被覆材の提供など
【解決手段】この発明のメッキ被覆材は、鉄を主成分とする基材と、この基材の表面に形成される錫と銅の合金のメッキ膜と、を備え、その合金の銅の含有率が１０ｗｔ％以上かつ３５ｗｔ％以下となるようにした。また、そのメッキ膜の厚さは、５μｍ以上かつ２０μｍ以下となるようにした。 （もっと読む）

【課題】 低粗度でありながら絶縁性樹脂基材と強固な引きはがし強さが得られ、吸湿処理後、活性処理液浸漬後に引きはがし強さの劣化率が小さく、活性処理液浸漬後にしみ込み量が少なく、エッチング性に優れた処理銅箔を提供すること。
【解決手段】 絶縁性樹脂基材に接着される処理銅箔面に粗化処理層、クロメート層及びシランカップリング剤層が順次設けられており、当該処理銅箔面の十点平均粗さRzが1.0μm〜2.7μmであり、かつ、局部山頂の平均間隔Sが0.0230mm以下（但し0は含まない）であることを特徴とする処理銅箔。 （もっと読む）

【課題】 生産性を損なわず、また、伸線加工性を劣化させることなく、Ｃｏ塩を配合しないゴムとの接着性に優れ、かつ時間が経過しても接着強度の劣化が少ない、ゴムとの接着性に優れた極細めっき鋼線を提供する。
【解決手段】 線径が０．１〜０．４ｍｍであり、表面に、平均厚さが５０〜５００ｎｍであるめっき層を有し、該めっき層は、質量％で、Ｃｕ：６５〜８０％、Ｃｏ：０．５〜５％、Ｍｏ：０．１〜５％を含有し、残部がＺｎ及び不可避的不純物からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ系基材の表面に下地Ｎｉめっき層を有する最表面にＳｎめっきが施された、高温での暴露時に優れた接触抵抗性を有する導電性部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ系基材１の表面に、Ｎｉ系下地層３を介して、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層４、Ｓｎ系表面層５がこの順に形成されるとともに、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層はさらに、Ｎｉ系下地層の上に配置されるＣｕ_３Ｓｎ層６と、Ｃｕ_３Ｓｎ層の上に配置されるＣｕ_６Ｓｎ_５層７とからなり、これらＣｕ_３Ｓｎ層及びＣｕ_６Ｓｎ_５層を合わせたＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層のＳｎ系表面層と接する面に凹凸を有しており、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層の凹部に対する凸部の厚さの比率が１．２〜５であり、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層の後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて測定した大傾角粒界比率が８０％以上であり、Ｎｉ系下地層中に０．１〜２．０重量％のＺｎを含有する。 （もっと読む）

【課題】導電層の表面上に銅を堆積させる銅めっき浴を提供する。
【解決手段】めっき浴は、特定のベンゾイミダゾールと特定のエポキシド含有化合物との反応生成物である平滑化剤を含み、ある範囲の電解質濃度にわたって、基体表面上に実質的に平坦な銅層を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】表面めっき層としてＳｎ被覆層が形成された銅又は銅合金板材からなる嵌合型端子において、嵌合時の摩擦係数、挿入力をさらに低減する。
【解決手段】Ｓｎ被覆層の表面に、１〜２５質量％の潤滑剤を分散含有する、厚さ０．１〜０．５μｍの樹脂層が形成された嵌合型端子用銅又は銅合金板材。樹脂層は、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂の１種又は２種以上からなり、潤滑剤は、ポリエチレンワックス、カルナウバワックス、マイクロクリスタリンワックス、ラノリン、フッ素樹脂ワックスの１種又は２種以上からなる。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーションの影響を低減できるＣｕ配線を備えた半導体装置
及びその製造方法を目的とする。
【解決手段】
Ｃｕ配線１０を備える半導体装置１において、
Ｃｕ配線１０の断面構造は、側部及び下部をバリアメタル２０に接し、上部を絶縁膜３
０に接し、絶縁膜３０に接するＣｕ配線１０の上部のグレインサイズが、Ｃｕ配線１０の
中央部のグレインサイズより小さ。さらに、バリアメタルに接するＣｕ配線１０の側部及
び下部のグレインサイズが、Ｃｕ配線１０の中央部のグレインサイズより小さい。 （もっと読む）

【課題】ＰＣＢの製造に使用される銅電気めっき浴において、浴の均一電着性に影響を及ぼさずに、すなわち、浴が効果的にブラインドバイアおよびスルーホールを充填しつつ、平滑な銅堆積物を可能とする銅電気めっき浴を提供する。
【解決手段】平滑化剤として、１種以上の特定の窒素含有化合物および１種以上の特定のエポキシド含有化合物との反応生成物を含み、銅イオン源、電解質を含む、導電層の表面上に銅を堆積させる銅電気めっき浴。 （もっと読む）

【課題】表裏両面が均一な形状で特にリチウムイオン二次電池のケイ素系活物質の特性を充分に発揮させて該二次電池の高容量と充放電の長寿命を同時に達成できる負極集電体用銅箔を提供し、該銅箔を用いた負極電極を提供することを課題とする。
【解決手段】無酸素銅からなる未処理圧延銅箔の表面にパルス陰極電解粗化処理で金属銅からなる第一粗化処理層が設けられ、該第一粗化処理層表面に平滑銅メッキ処理による第二銅メッキ層が設けられているリチウムイオン二次電池の負極集電体用銅箔、その製造方法である。 （もっと読む）

【課題】相手側部品との接触側最表面に、適正で制御可能な平面視形状を有するＳｎ被覆層及びＣｕ−Ｓｎ合金被覆層を有し、端子の小型化にも対応可能な嵌合型接続部品を提供する。
【解決手段】表面被覆層として複数の平行線として観察されるＳｎ被覆層群Ｘを含み、該Ｓｎ被覆層群Ｘを構成する個々のＳｎ被覆層１ａ〜１ｄの両側にＣｕ−Ｓｎ合金被覆層２が隣接して存在する。部品挿入方向の最大高さ粗さＲｚが１０μｍ以下である。銅板材の打抜き加工時にプレス加工により表面粗化処理を行い、銅板材表面に複数の平行線として観察される凹部を形成し、次いで銅板材にＣｕめっき及びＳｎめっきを行い、リフロー処理して製造する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基材に設けられた微細孔への金属の充填率が高く、かつ、金属充填に伴う残留応力によって微細構造体に反りが発生することを防止することができる金属充填微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基材に設けられた貫通孔１０１，１０２等の平均開孔径が１０〜５０００ｎｍであり、平均深さが１０〜１０００μｍであり、前記貫通孔の密度が１×１０⁶〜１×１０¹⁰個／ｍｍ²である絶縁性基材に、前記貫通孔への金属の仮想充填率が１００％よりも大きくなるように、電解めっき処理により前記貫通孔へ金属を充填する工程、絶縁性基材の表面に付着した金属を研磨処理により除去する工程を有し、前記貫通孔内部に充填される金属の結晶粒子径と、前記絶縁性基材の表面に付着する金属の結晶粒子径と、の差が２０ｎｍ以下となるように前記電解めっき処理を実施することを特徴とする金属充填微細構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ボイド、ディッシング、及びエロージョンの発生を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜に幅の異なる複数の開口部３６，３７を形成し、次いで、絶縁膜の上面、及び幅の異なる複数の開口部内にシード層３８を形成し、次いで、第１の成長速度により、シード層の表面を覆う第１のめっき膜７１を形成し、次いで、第１の成長速度よりも速く、かつボイドを生じさせない第２の成長速度により、第１のめっき膜の表面に第２のめっき膜７２を形成し、次いで、第２の成長速度よりも速い第３の成長速度により、第２のめっき膜上に第３のめっき膜７３を形成し、その後、シード層及び第１乃至第３のめっき膜のうち、絶縁膜の上面よりも上方に形成された部分を研磨により除去することで、開口部内に少なくとも第１及び第２のめっき膜よりなる導電部を形成する。 （もっと読む）