【課題】配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】めっき法を用いてＣｕ配線２０を形成する際、まず第１の電流密度の条件で第１の平均粒径を有する第１の金属膜を形成し、次いで、第１の電流密度よりも高い第２の電流密度の条件で第１の平均粒径よりも大きい第２の平均粒径を有する第２の金属膜を形成する。その後、第１，第２の金属膜の上部に所定元素を導入し、導入後、第１，第２の金属膜上にキャップ膜を形成する。
【選択図】図５
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【課題】銅からなる金属層の電解析出のための経済的で簡単な方法を見出す。
【解決手段】高い電流密度の箇所でも一様な光沢性、高い破断伸びと引っ張り強さ並びに一様な層厚分布を備えた微細結晶構造の金属層を、パルス電流乃至パルス電圧法を用いて、電解析出するための方法にして、ａ）陰極として複雑に形作られた被加工物上に、ｂ）貴金属又は貴金属の酸化物で被覆され不活性で寸法安定な不溶解性陽極を使用して、ｃ）c1)析出されるべき金属のイオン、c2)光沢性、破断伸び及び引っ張り強さの制御のための添加化合物、並びにc3)少なくとも１種の電気化学的に可逆な酸化還元系の化合物であって、その酸化形態によって析出されるべき金属のイオンを、対応する金属部分の分解によって形成するような酸化還元系の化合物、を含有する析出溶液から、上記金属層を電解析出し、c4)上記陽極は、穴を明けられているか、陽極メッシュであるか、エキスパンドメタルの形状である、電解析出方法。 （もっと読む）

【課題】小径でアスペクト比の大きいビアホールであっても、ボイドの発生しない緻密な導電体を形成可能な電気めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液７を蓄えためっき槽８と、このめっき槽８中に浸漬され、主表面に被めっき体１を固定するとともに前記被めっき体１に形成した配線２と電気的に接続する給電リング１８を備えたカソード電極９と、このカソード電極９と対向して設けられ、めっき液７に通電するためのアノード電極１２と、貫通孔１７を有し前記アノード電極１２およびカソード電極９間に設けられた電流遮蔽板１１と、めっき槽８からの余剰なめっき液７を蓄えるためのリザーブ槽１５と、このリザーブ槽１５のめっき液７を底部から供給することで、めっき槽８中のめっき液７を対流させる対流ノズル１３を備えた電気めっき装置６であって、電流遮蔽板１１とカソード電極９間に、対流させためっき液７をさらに撹拌させる撹拌手段１０を設けた。 （もっと読む）

【課題】触媒に含まれる貴重な貴金属の省資源化ができると共に、基体を粗面化しないでも密着性に優れる精密な３次元的な導電性回路を形成する。
【解決手段】第１の基体１の表面にＯＨ基１ａを生成した後にチオール反応性アルコキシシラン化合物からなる機能性分子接着剤２を塗布して加熱乾燥する。アルコール洗浄によって未反応の機能性分子接着剤２を除去後に、ポリグリコール酸からなる被覆材３を部分的に被覆して第２の基体４を形成する。第２の基体４の表面に触媒５を付与後に、被覆材３の表面に残存する触媒を水洗除去する。被覆材３で被覆されていない部分に、浴組成が酸性または中性のいずれかの無電解めっきＡを行なった後で被覆材をアルカリ水溶液で除去する。機能性分子接着剤２が第１の基体１の表面のＯＨ基と化学結合してチオール基を生成し、このチオール基が触媒５を介して無電解めっきＡと強固に化学結合する。 （もっと読む）

【課題】半導体の誘電性欠陥においてバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】導電母線および集電ラインのための導電パターンと、半導体の前面上の導電パターンの間のスペースを覆う誘電層とを有し、当該誘電層が１以上の欠陥を含有する半導体において、少なくとも誘電層を１種以上の酸化剤と接触させ、並びに、導電パターン上に金属層を選択的に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】フープ材１に切り起こしがあってもフープ材１の位置案内が可能で、またフープ材１の上下方向の微妙な変化にも対応できる搬送フープ材１の位置案内装置８をもたらす。
【解決手段】フープ材１幅方向Ｍの一端側案内ユニット１８と、他端側案内ユニット１９を備え、一端側案内ユニット１８は、一端側回転軸２１を中心に揺動可能で先端にて一端側を位置案内する一端側案内部１６と、該回転軸２１の搬送方向前後に一端側案内部１６を押圧する一端側コイルバネ２２、２２を備え、他端側案内ユニット１９は、他端側回転軸２８を中心に揺動可能で先端にて他端側を位置案内する他端側案内部１７と、他端側案内部１７を押圧する他端側コイルバネ２９、２９とを備え、一端側回転軸２１と他端側回転軸２８は幅方向に移動可能に支持されている。 （もっと読む）

【課題】セラミック基板上に金属パターンをメッキする際にセラミック基板に生じ得る化学的な被害を最小化する方法を提供する。
【解決手段】基板１０１上にシード層１０２を形成する段階と、上記シード層１０２上に熱可塑性樹脂からなりオープン領域を備えるパターン層１０３を形成する段階と、上記オープン領域を通して上記シード層１０２上にメッキ層１０４を形成する段階と、上記パターン層１０３に熱を加えて上記パターン層１０３を除去する段階とを含むメッキ層の形成方法。十分なメッキ厚さを確保しながらメッキ過程で基板、特に、セラミック基板に生じ得る化学的な被害を最少化することが出来る。 （もっと読む）

【課題】微細配線の形成に適した支持体付銅箔を提供する。
【解決手段】支持体となる金属箔と剥離層と極薄銅箔層とからなり、極薄銅箔層の露出面に高さ０．５μｍ以上の突起が１０個/ｃｍ^２以下であることを特徴とする支持体付銅箔である。
また、支持体となる金属箔と剥離層と極薄銅箔層とからなり、極薄銅箔層の露出面の表面粗さがＲｚで０．１〜１．０μｍ、光沢度が４００〜７００であることを特徴とする前期の支持体付銅箔であり、極薄銅箔層の厚さは０．１〜５μｍ、剥離層はモリブデンまたはタングステンを含有する。
この支持体付銅箔は、支持体となる金属箔上に、モリブデンまたはタングステンを含有する金属酸化物からなる剥離層を形成し、剥離層上に極薄銅層を光沢銅めっきにより形成することにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ粒子のメッキ浴への懸濁量を少なくしながらも、ＳｉＣ粒子が十分に共析した複合メッキ膜を得る。
【解決手段】先ず、ＳｉＣ粒子に対して酸洗浄を行い、これにより該ＳｉＣ粒子に含まれる酸素を０．６重量％以下とする（第１工程）。次に、好ましくは、このＳｉＣ粒子を水等で洗浄し、該ＳｉＣ粒子の表面に付着した界面活性剤を除去する（第２工程）。このように前処理が施されたＳｉＣ粒子を、メッキ浴中に１０〜２５０ｇ／リットルの割合で懸濁した（第３工程）後、この状態で、前記メッキ浴を用い、ワークに対して電気メッキ処理や無電解メッキ処理を行う（第４工程）。該第４工程により、金属相中にＳｉＣ粒子が共析した複合メッキ膜が前記ワークの表面に形成される。 （もっと読む）

【課題】 多色射出成形等により得られた複合成形体の樹脂部分がめっきされており、めっきに起因する損傷がない複合成形体とその製造方法の提供。
【解決手段】 熱可塑性樹脂を含む熱可塑性樹脂組成物からなる成形体と熱可塑性エラストマーからなる成形体を有する、多色射出成形等により得られた複合成形体であって、前記熱可塑性樹脂組成物からなる成形体の露出面が、クロム酸浴によるエッチングを使用しないめっき法でめっきされているものである、めっき面を有する複合成形体。 （もっと読む）

【課題】遮蔽板による電流遮蔽構造を簡易に調整・変更でき、めっき厚の均一化が図れる電解めっき装置及び電解めっき方法を提供する。
【解決手段】めっき液（１３）が充填されるめっき処理槽（１２）内に少なくとも一個以上のアノード（１４）が垂直に設けられ、電解めっき処理される導体部（１５）を有するテープ状製品（３）が、その面を垂直にして前記アノード（１４）に対向しつつ前記アノード（１４）に沿って搬送され、前記アノード（１４）と前記テープ状製品（３）との間に、開口を有する絶縁性の遮蔽板（２０）を設けた電解めっき装置において、前記遮蔽板（２０）は、主遮蔽板（１８）と、当該主遮蔽板（１８）の開口（１８ａ）を調整する従遮蔽板（１９）とを重ね合わせて構成されている。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑止しつつ均一なめっき膜を形成するめっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】本発明による電気めっき装置は、ホルダ２０、めっき槽１０、電源７０、スイッチ回路２３とを具備する。ホルダ２０は、被めっき体４０を有する半導体ウエハ３０を保持する。めっき槽１０アノード電極５０を含むめっき液１００を保持する。電源７０は、被めっき体４０とアノード電極との間に定電圧を供給する。スイッチ回路２３は、電源７０に対して、被めっき体４０と並列に接続される。ホルダ２０は、スイッチ回路２３を介して電源７０に接続されるダミーカソード電極２２とを備える。ダミーカソード電極２２は、ホルダ２０がめっき液１００内に浸漬される際、被めっき体４０より先にめっき液１００に接触する位置に露出して設けられる。スイッチ回路２３は、ダミーカソード電極２２がめっき液１００に接した後に、電源７０とダミーカソード電極２２との接続を遮断する。 （もっと読む）

【課題】微粒子がめっき膜中に均一に分散されるとともに、ピンホール、ボイド、及びノジュールの発生が抑制される複合めっき膜の形成方法、並びに、ワイピング耐性、耐インク性、及び吐出安定性に優れたインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】高圧流体と、微粒子を含むめっき液とを混合して攪拌した混合流体に、めっきを施すべき被めっき体を接触させて複合めっき膜を形成する。インクジェット記録ヘッドを製造する場合、ノズルプレート１１のインク吐出側とは反対側の面にめっき用保護膜１４を形成し、好ましくは、超臨界二酸化炭素と、撥液性微粒子及び界面活性剤を含むめっき液とを混合して攪拌した混合流体にノズルプレートを接触させてインク吐出側の面に複合めっき膜１６を形成する。めっき後、ノズルプレートからめっき用保護膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の平坦性を保ちつつ、太幅配線におけるめっき膜の膜質を良好に保つ。
【解決手段】細幅凹部と太幅凹部とをめっき膜で埋設する際に、細幅配線をめっき膜で埋設する第１のめっき膜成長ステップ（Ｓ１０２）および太幅配線をめっき膜で埋設する第２のめっき膜成長ステップ（Ｓ１０８）を含み、Ｓ１０２の後、平坦化を促進するために逆バイアスステップで添加剤を除去する処理（Ｓ１０４）を行う場合、逆バイアスステップの後第２のめっき膜成長ステップの前に、第１のめっき膜成長ステップと同じ方向に、第２のめっき膜成長ステップよりも低い電流量で電流を流して、細幅凹部と太幅凹部上にめっき膜を成長させるスローステップ（Ｓ１０６）を挿入する。 （もっと読む）

【課題】各種用途に有効に適用可能で且つ軽量化を図ることができる線材を提供する。
【解決手段】アルミニウム線に銅めっき又はそのクラッド被覆することにより、ミニチュアモーター巻線用、スピーカーボイスコイル用、自動車などの配線用単線、撚り線、バッテリー接続用ケーブル、送電線に用いる。ニッケルめっき被覆、亜鉛めっき被覆、錫めっき被覆又はこれら金属のクラッド被覆をすることによりヒューズなどの電機部品に用いる。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れた金属膜を有し、且つ、湿度変化による密着力の変動が少ない表面金属膜材料、及び該表面金属膜材料を有機溶剤の使用を低減しつつ作製することができる表面金属膜材料の作製方法を提供すること。
【解決手段】（ａ）基板上に、シアノ基を有するポリマーからなる粒子を含有する水分散物を塗布し、乾燥する工程と、（ｂ）前記基板上に存在する該粒子をエネルギー付与により熱融着させて、熱融着層を形成する工程と、（ｃ）該熱融着層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、（ｄ）該めっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、を有することを特徴とする表面金属膜材料の作製方法、この作製方法により得られた表面金属膜材料。 （もっと読む）

【課題】密着性の良好な金属膜を形成することができ、パターン間の絶縁信頼性に優れる金属膜を形成しうるめっき用積層フィルム、それを用いた表面金属膜材料の作製方法及び表面金属膜材料を提供する。
【解決手段】樹脂フィルムに、めっき触媒又はその前駆体と相互作用を形成する官能基と重合性基とを有するポリマー又はその前駆体を含有するめっき受容性層を備え、該めっき受容性層が下記１〜４の条件のうち少なくとも一つ以上満たすめっき用積層フィルム。
条件１：２５℃５０％相対湿度環境下における飽和吸水率が０．０１〜１０質量％
条件２：２５℃９５％相対湿度環境下における飽和吸水率が０．０５〜２０質量％
条件３：１００℃煮沸水に１時間浸漬した後の吸水率が０．１〜３０質量％
条件４：２５℃５０％相対湿度環境下において、蒸留水５μＬを滴下し、１５秒静置後の表面接触角が５０度〜１５０度 （もっと読む）

【課題】ＣＦＯ等のファインピッチ化に好適なエッチング性に優れ、特にエッチング残渣が残らない金属被覆ポリイミドフィルム基板を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルムの表面に、スパッタリング法又は蒸着法により形成したＮｉ−Ｃｒ合金からなる第１金属層と、スパッタリング法又は蒸着法により形成した銅からなる第２金属層と、電気めっき法及び／又は無電解めっき法により形成した銅めっき被膜とを、この順に積層した構造を有する金属被覆ポリイミドフィルム基板であって、銅からなる第２金属層の結晶子径が４２０〜５５０Åに制御してある。 （もっと読む）

【課題】電着組成物、及び、該組成物を用いた半導体基板のコーティング方法の提供。
【解決手段】本発明は、電着組成物、特に、集積回路内の配線を形成するために、「貫通ビア」型構造の形成用の半導体基板を銅でコーティングするための電着組成物に関する。本発明によれば、該溶液は、１４〜１２０ｍＭの濃度の銅イオンと、エチレンジアミンとを含み、エチレンジアミンと銅とのモル比は１．８０〜２．０３であり、該電着溶液のｐＨは６．６〜７．５である。本発明はまた、銅シード層を堆積させるための上記電着溶液の使用、及び、本発明に係る電着溶液を用いた銅シード層の堆積方法に関する。 （もっと読む）

【課題】微細な凹凸パターンを有する被処理基板を電解メッキにより金属層で充填する電解メッキプロセスを含む半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】被処理基板を、銅塩を含む電解メッキ液に浸漬し、被処理基板上に銅層を成膜する第１の成膜工程と、電解メッキ液中にて、さらに銅層を成膜する第２の成膜工程と、を含み、第１の成膜工程は、被処理基板が前記電解メッキ液に浸漬されてから１０秒間以内の期間実行され、被処理基板は、ミリメートル（ｍｍ）で表した基板直径Ｄにｒｐｍで表した回転数Ｎを使ってＤ×Ｎ×πで定義した周速が６０００×πｍｍ／分以下となるような第１の回転数Ｎで回転され、被処理基板にメッキ電流が１０ｍＡ／ｃｍ²以下の第１の電流密度で供給され、第２の成膜工程では被処理基板は、第１の回転数よりも大きな第２の回転数で回転され、被処理基板にメッキ電流が第１の電流密度よりも大きな第２の電流密度で供給される。 （もっと読む）