【課題】Ｓｎめっき被膜の摺れや脱落を防止することにより、ロールのメンテナンス性に優れ、生産性を向上させることができるＳｎめっき被膜及びそれを有する複合材料を提供する。
【解決手段】樹脂層又はフィルム４を積層した銅箔又は銅合金箔１の他の面に形成され、電着粒の大きさが1.0μｍ以上であるＳｎめっき被膜２である。 （もっと読む）

【課題】半田接合時に生じる熱応力を均一に吸収し、セルの反りの発生を防止することが可能な太陽電池用インターコネクタ材及び太陽電池用インターコネクタ材の製造方法、並びに、この太陽電池用インターコネクタ材によって構成された太陽電池用インターコネクタを提供する。
【解決手段】太陽電池モジュール３０においてセル３１間同士を接続する太陽電池用インターコネクタ３２として使用される太陽電池用インターコネクタ材であって、質量百万分率で、Ｚｒ及びＭｇのうち少なくとも１種を３〜２０ｐｐｍ、Ｏを５ｐｐｍ以下、を含み、残部がＣｕ及び不可避不純物からなり、平均結晶粒径が３００μｍ以上とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
加工機械に設置する金属ローラ表面の改質を行い、フィルム等基材の離型性（ローラ離れ）と指向性の向上を図り、皺のない高品質のフィルム等基材を得るための金属ローラを提供する。
【解決手段】
金属ローラ母材２表面がめっき処理されており、表面粗さがＪＩＳ−Ｂ０６０１：２００１規定による算術平均粗さＲａで、０．０５〜２５μｍのめっき層３を有する金属ローラ１であって、該金属ローラ１の円周方向に測った少なくとも２種の表面粗さＲａで、０．６〜１５μｍの差異を有する帯状層Ａ・Ｂが、ローラ軸４の軸方向に交互に並んで配置形成される。 （もっと読む）

【課題】電着組成物、及び、該組成物を用いた半導体基板のコーティング方法の提供。
【解決手段】本発明は、電着組成物、特に、集積回路内の配線を形成するために、「貫通ビア」型構造の形成用の半導体基板を銅でコーティングするための電着組成物に関する。本発明によれば、該溶液は、１４〜１２０ｍＭの濃度の銅イオンと、エチレンジアミンとを含み、エチレンジアミンと銅とのモル比は１．８０〜２．０３であり、該電着溶液のｐＨは６．６〜７．５である。本発明はまた、銅シード層を堆積させるための上記電着溶液の使用、及び、本発明に係る電着溶液を用いた銅シード層の堆積方法に関する。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物を使用することなく、目的組成を有する均一で光沢のあるめっき層を広い電流密度範囲で形成することができる銅‐亜鉛合金電気めっき浴およびこれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩または酒石酸アルカリ金属塩と、硝酸イオンとを含む銅‐亜鉛合金電気めっき浴である。前記硝酸イオンの濃度は０．００１〜０．０５０ｍｏｌ／Ｌであることが好ましく、また、前記銅‐亜鉛合金電気めっき浴のｐＨは８〜１４の範囲であることが好ましく、さらに、銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、硝酸イオンに加え、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種を含むことが好ましく、前記アミノ酸としてはヒスチジンを好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】活物質との密着性に優れた粗化表面を有する高強度の銅箔及びその製造方法、並びにリチウムイオン二次電池用集電銅箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｒ０.１〜０.５質量％、Ｓｎ０.１〜０.５質量％、Ｚｎ０.１〜０.５質量％を含有させた銅合金箔を用いた銅箔であって、前記銅合金箔の表面部にＣｒからなる微粒子層を有し、前記微粒子層の表面に表面粗さＲｚが１μｍ以上５μｍ未満の銅めっき層を有する。 （もっと読む）

【課題】高感度の電気伝導度を必要とし、ＯＮ−ＯＦＦの反復回数の激しい接点のスパークによる、接点面の損傷及び酸化等による劣化を防止する為に、その耐久性の向上を目的として、前記接点部に施工される電解ロジュウムめっきに関して、改良されたＲｈ−Ｒｅ合金めっき浴および合金めっき被膜を提供する。
【解決手段】Ｒｈめっき浴にＲｅを添加したＲｈ−Ｒｅ合金めっき浴組成とし、当該めっき浴から電解により合金比率Ｒｈ：Ｒｅが１．０：０．１〜１．０、かつ膜厚が０．１〜１０．０ミクロンとなるＲｈ−Ｒｅ合金めっき薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】加熱処理後の表面性状が良好で、かつ後工程におけるはんだ付け性が良好な接続部品用金属材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銅または銅合金の角線材を母材とし、その最表面に実質的に銅およびスズで構成される銅スズ合金層が形成されている接続部品用金属材料において、前記最表面の銅スズ合金層は、さらに亜鉛、インジウム、アンチモン、ガリウム、鉛、ビスマス、カドミウム、マグネシウム、銀、金、アルミニウムの群から選ばれる少なくとも１種を、総量で前記スズの含有量に対する質量比で０．０１％以上１％以下含有することを特徴とする接続部品用金属材料。耐熱性を向上させるために、母材からの金属拡散を防止するバリア性を持つニッケル等の下地めっきを母材表面に施してもよい。 （もっと読む）

【課題】高い生産性を有しＮｉめっきの均一性に優れた容器および容器用Ｎｉめっき鋼板を提供する。
【解決手段】プレス成型により容器内面となる面に厚さ０．５μｍ以上、４μｍ以下のＦｅ−Ｎｉ拡散層を有し、さらにその上に厚さ０．２５μｍ以上、４μｍ以下のＮｉ層を有し、容器外面となる面に付着量０．０５ ｇ／ｍ²以上、１．５ｇ／ｍ²未満のＮｉを有し、そのＮｉが内部に拡散しており、表層のＮｉ／（Ｆｅ＋Ｎｉ）質量比が０．９以下の鋼板である。またその鋼板をＮｉ層、Ｆｅ−Ｎｉ拡散を有する面が内面となるようにプレスし、容器外面に厚さ０．５μｍ以上、５μｍ以下のＮｉめっきを施した容器である。これにより、高い生産性を有し、Ｎｉめっきの均一性に優れた容器および容器用Ｎｉめっき鋼板を提供する。 （もっと読む）

【課題】ピンホールの数が抑制された極薄めっき層およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＡｕめっき層１０は、厚さが５０ｎｍ以下であり、Ｆｅの含有率が０．３２ａｔ．％以上である。Ａｕめっき層１０にＦｅが含まれることで、このめっき層を構成する結晶が微細且つ緻密になり、厚みが５０ｎｍ以下であっても出現するピンホールの数が抑制され、かつ十分な耐摩耗性を有する。また、この様な極薄のＡｕめっき層は、所定量のＦｅイオンが添加されためっき液に被めっき材を浸漬して通電させることで形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、被締結物である鋼材等に対して、ねじの下穴を開けるためのドリル部位をタッピンねじの先端に一体化して形成されたドリリングタッピンねじの防錆被覆の改良に関する。
【解決手段】ドリリングタッピンねじの表面に、ニッケル又はコバルトの１種または２種を、質量％で、合計で0.1%以上7%以下含有し、残部が亜鉛及び不可避不純物からなる亜鉛系合金めっき層を有することを特徴とするドリリングタッピンねじとその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高価な貴金属や有害な鉛を使用せず、ウィスカの発生を防止できると同時に、従来の錫めっきに比べて摩擦係数が低く、多ピン化したコネクタ用端子として使用したとき小さな挿入力で挿着することが可能な錫めっき銅合金材を提供する。
【解決手段】 銅合金母材上に銅−錫合金被覆層３を備え、その上に最表面として錫被覆層４を有する錫めっき銅合金材であって、銅−錫合金被覆層３と錫被覆層４の界面に複数の山と谷とが形成されている。その界面の断面において、山の頂点の高さとその両側の谷の平均高さとの差の平均値が０.２μｍ以上０.７μｍ以下であり、谷の周期の平均値が１.５μｍ以上５.０μｍ以下であって、且つ錫被覆層の厚みの平均値が０.２μｍ以上０.７μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高温焼鈍の際に十分な固溶Ｃを確保し、これを炭化物として析出させることなく、室温でも多量の固溶Ｃ量を確保する手法、あるいは、フェライト中での固溶限がＣに比較し、十分多いＮを活用するという従来の手法とは全く異なる手法を用いて、フェライト中の固溶Ｃを高め、優れた焼付け硬化性と耐時効性の両立手法を確立することを課題とする。
【解決手段】本発明は、質量％でＣ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｐ、Ｓ、Ａｌ、Ｎ、Ｏを規定量含有し、残部が鉄および不可避的不純物からなる鋼板であり、鋼板組織が主としてフェライトとベイナイト組織からなり、焼付け処理後のＢＨが６０ＭＰａ以上であり、引張最大強さが５４０ＭＰａ以上であることを特徴とする時効性劣化が極めて少なく優れた焼付け硬化性を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】硫化に対する耐性が強く、かつ、単純な手法で得られる軟質合金めっき皮膜が形成されためっき部材を提供する。
【解決手段】本発明のめっき部材は、基材に銀めっきとインジウムめっきとを施し、熱拡散によってインジウムを銀中に拡散させることによって形成することができる。インジウムの膜中における含有率は、重量％で０．１％以上６０％未満が望ましい。硬度の調整のために、銅、亜鉛、ガリウム、ゲルマニウム、錫、アンチモン、金、又は、ビスマスから選ばれる１種以上の金属を、膜中の含有率（重量％）で１％以下加えることができる。 （もっと読む）

【課題】線膨張係数を任意に変化させることを可能としたキャリア付き極薄銅／合金複合箔または極薄合金箔を使用することで、金属張板、プリント配線板または積層板において生じる反りや、銅箔を実装するパッケージとの接続箇所における半田クラック等の問題を抑制すること。
【解決手段】回路基板と積層するキャリア付きＦｅ−Ｎｉ合金箔、またはキャリア付き銅箔とＦｅ−Ｎｉ合金箔の複合箔であって、前記Ｆｅ−Ｎｉ合金箔の線膨張係数をＦｅ成分とＮｉ成分との配合比を変えることで前記回路基板の線膨張係数にあわせる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置におけるナノスケールの微細構造物を用いた配線部分に金属をボイドなく埋め込み、電気的な不良を抑制して半導体装置の歩留りを向上させる。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜に設けられたヴィアホール又はトレンチに金属めっき膜を埋め込む工程において、まず、最初のめっき液の容積、補充しためっき液量、処理したウェーハ枚数、流した電流値及び排出しためっき液量の各データを収集する。次いで、取得した電流値に基づいてめっき処理の累積電荷量を算出する。また、全めっき液の容積を算出する。そして、取得した、全めっき液の容積、排出しためっき液量および累積電荷量に基づいて、めっき液に含まれる抑制剤の分解物量を算出する。分解物量が予め設定された閾値以下である場合にのみ半導体基板のめっき処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】耐ウイスカー性を改善すること、耐食性や挿抜耐久性等の接触信頼性及びはんだ濡れ性にも優れた良好なフレキシブルフラットケーブル用の平角導体を得ることを目的とする。更に、錫系合金めっきを用いて単層でウィスカー抑制効果の高いめっきを施すことにより、めっき工程を簡易にすること、めっき厚さを管理しやすくすることを目的とする。
【解決手段】少なくとも一部の下地銅或いは銅合金配線２上に、錫−パラジウム合金めっき層３が形成され、前記錫−パラジウム合金めっき層３において、めっき層３の厚さが０．３〜１．０μｍ且つ、パラジウム含有量が３〜２５質量％であることを特徴とするケーブル用平角導体。 （もっと読む）

【課題】プリント配線基板内に庇が発生しない程度のレーザー光エネルギーで良好なレーザー穴開け性を持ち、電気機器の小型化、軽量化に伴う高度に集積化されるプリント配線板の製造を可能とするレーザー穴開け用銅箔を提供すること。
【解決手段】銅箔のレーザーが照射される面にＣｕとＮｉ及びＣｏからなる合金微細粗化粒子層を施し、その上にＣｏ又はＮｉによる平滑カバーめっき層を設け、銅箔の樹脂に接着される側の面にＣｕとＣｏ又はＣｕとＮｉ及びＣｏからなる合金微細粗化粒子層が付着され、該合金微細粗化粒子層の表面にシランカップリング処理が施されている、レーザー穴開け用銅箔である。 （もっと読む）

【課題】活性化された酸素を含む照射処理をした後でも、レジストパターンが開口しているシード層、あるいは、金属構造体の表面に対し、メッキの堆積が均一で、且つ、制御性よく行えるようにする。
【解決手段】Ｏ₂プラズマ（ＲＦパワー：１００Ｗ）による照射処理を６分間行うことで、レジストパターン１０４の開口領域におけるシード層１０３の表面に付着している有機物（残渣）が除去された状態とする。この有機物の残渣の処理において、シード層１０３の上にシード層１０３を構成している金の酸化物などからなる表面層１０３ａが形成される。この表面層１０３ａを、塩酸溶液などの酸の溶液（ｐＨ３以下）による浸漬処理（表面処理）を１分間行うことで除去する。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＣとして用いる錫系めっき銅または銅合金の平角導体に関するもので、熱処理を行ったＳｎ系めっきＣｕ平角導体は、コネクタと長期間嵌合して使用してもウイスカーの発生が、銅配線間等での短絡等が生じることがない程度に抑制されるようにすることにある。
【解決手段】Ｃｕ平角導体の端子部が熱処理されることによって、前記Ｃｕ平角導体の表面から順次、Ｃｕ_３Ｓｎ金属間化合物相（以下、Ｂ相）、Ｃｕ_６Ｓｎ_５金属間化合物相（以下、Ａ相）および純Ｓｎ或いはＳｎ合金層が形成されたＳｎ系めっきＣｕ平角導体であって、前記純Ｓｎ或いはＳｎ合金層の最大厚さが１．０μｍで、かつ平均厚さが０．３〜１．０μｍであると共に、前記Ｂ相とＡ相の生成割合の比がＡ相／Ｂ相として１．５以上であるＦＦＣ用のＳｎ系めっきＣｕ平角導体とすることによって、解決される。 （もっと読む）