【課題】被めっき物を短尺品とせず、安定した部分めっき品質を確保でき、高速で連続的に部分めっきできる連続部分めっき方法、該方法を実施するための連続部分めっき装置、および、部分めっき用の回転ベルトを提供する。
【解決手段】
合成樹脂をバインダーに用いて磁気粉末を配向分散して形成されたマグネットシート１３に軟質エラストマー被膜層１４を備えてなるマスキング用磁性体シート１５を、ベーステープ１７上に接着して部分めっき用エンドレス回転ベルト１０（１０ａ）を構成し、両回転ベルト１０，１０間に金属薄板条５を磁力によって挟んだ状態を維持したまま搬送させながら、前記金属薄板条５表面のうち前記回転ベルト１０で覆われていない部分に連続部分めっきするものである。 （もっと読む）

【課題】工具との潤滑性が良く、加工性に優れたニッケルメッキステンレス鋼線を提供することである。
【解決手段】ステンレス鋼線の素材へニッケルメッキした後の伸線加工によりメッキ層の表面に形成される凹部（Ａ部）に、潤滑剤を保持する作用のある無機塩を溜め込んだものとすることにより、ニッケルメッキ層の凹部以外の表面のほぼ平坦な部分（Ｂ部）に無機塩がほとんど付着していなくても、凹部に溜め込まれた無機塩の潤滑剤保持作用で後工程での伸線やコイリングの際の工具との潤滑性が良くなり、加工性が向上するようにしたのである。 （もっと読む）

【課題】連続して摺動することなく、かつ、摺動面に強制潤滑ができないような箇所であっても、摺動面間に常に油膜が形成されるようにした摺動部材及び摺動部材の製造方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に被膜が形成された摺動部材であって、前記被膜の表面には、該被膜の一部として積層した複数の花弁状の薄肉片が形成されている。 （もっと読む）

【課題】メッキの際のマスキングの面倒を少なくして作業効率のアップ及びコストの削減を図る。
【解決手段】背面にベース１が一体化された金属セラミック複合部材４の金属板３の接合面側に、金属板３上のメッキ予定箇所に対応した開口２１を有する枠状のマスキング部材２０を被せて、開口２１の周囲を金属セラミック複合部材４に密着させることでシールし、金属板３を下に向けた姿勢で、マスキング部材２０を通して金属セラミック複合部材４にメッキ液１１０を下側から接触させることにより、金属板３上のメッキ予定箇所にメッキを施す。 （もっと読む）

【課題】めっき終端および電解めっきを使用する形成方法を提供する。
【解決手段】多層電子コンポーネントは、複数の内部電極と交互に配置された複数の誘電層を含む。内部アンカタブおよび／または外部アンカタブも、誘電層と選択的に交互に配置することができる。内部電極およびアンカタブの諸部分は、それぞれのグループで電子コンポーネントの周辺部に沿って露出される。各露出された部分は、所与のグループ内の他の露出された部分から所定の距離以内にあり、露出された内部導電要素のうちの選択された要素の間での薄膜めっきされた材料の堆積および制御されたブリッジングによって、終端構造を形成できるようになっている。電解めっきを、任意選択のクリーニングステップおよび焼鈍ステップと共に使用して、銅、ニッケル、または他の導電材料の直接めっきされた部分を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】電解メッキ法を用いて金属薄膜を形成する半導体装置の製造方法において、半導体基板にクラックが発生することを抑制する。
【解決手段】給電層２が形成された半導体基板１を支持基板３上に固定し、一端が半導体基板１上の給電層２と接触し、他端が支持基板３上に固定されるように導電性テープ５を貼付する。そして、導電性テープ５の半導体基板１と接触してない部分８にコンタクトピン７を接触させて電解メッキを行い、メッキ１０を形成する。これにより、コンタクトピン７の接触圧に起因する半導体基板１のクラック発生を抑制し、良好な金属薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】コネクタ端子の接点部などに微細に硬質金めっきをすることが可能な部分めっき方法を提供すること。
【解決手段】めっき液を接触させた被めっき材３４のめっきする部分に、波長が３３０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下であるレーザ光を照射して部分めっきをする。このとき、めっき液中に被めっき材３４を搬送すると良い。このめっき液中を搬送される被めっき材３４の動きにレーザ光を一定時間同期させて被めっき材３４のめっきする部分に照射する。被めっき材３４の同一のめっきする部分を一定時間照射した後は、レーザ光を走査開始位置に復帰させるようにする。 （もっと読む）

【課題】添加剤を含むめっき液でめっき処理を行う際に、添加剤の消費を低減する。
【解決手段】めっき処理装置２００は、めっき槽２０１中に配置された被処理基板１００とアノード２２０との間に、中性濾過膜２１０と陽イオン交換膜２０８との積層体２０４を、被処理基板１００側に中性濾過膜２１０が位置するように配置して、積層体２０４によりめっき槽２０１を被処理基板１００および添加剤を含む第１室２０２ａとアノード２２０を含む第２室２０２ｂとに隔離した構成を有する。 （もっと読む）

【課題】耐食性と表面導電性を兼ね備えた性能を発現する亜鉛系めっき鋼板を提供すること。
【解決手段】ＪＩＳ Ｂ ０６５１で定義される触針式表面粗さ測定機で得られる、ＪＩＳ Ｂ ０６０１で定義される亜鉛めっき層表面の算術平均粗さＲａが０．３μｍ以上２．０μｍ以下、最大山高さＲｐが４．０μｍ以上２０．０μｍ以下である亜鉛系めっき鋼板において、Ｒｐの８０％以上の山部の評価長さ２０μｍの範囲を電子線三次元粗さ解析装置で測定して得られる算術平均粗さＲａ（山）が、触針式表面粗度測定機で得られる平均線を中心として±２０％の高さの部分の評価長さ２０μｍの範囲の電子線三次元粗さ解析装置で測定して得られる算術平均粗さＲａ（平均）に対して７０％以上とする。 （もっと読む）

【課題】 めっき時間が短かく、プラスチックの全面に電気銅めっきした場合であっても無めっきの個数が少なく、また、銅張り積層板等のスルーホールにめっきを行った場合であっても、泥状の粗雑な皮膜の銅めっきとならない優れためっき方法を提供すること。
【解決手段】 被めっき物に触媒を付与し、次いで、銅塩、錯化剤およびアルカリ性物質を含み、前記触媒に対する還元能を有するめっき浴でストライクめっきを行い、その後、電気銅めっきを行うことを特徴とするダイレクトプレーティング方法。 （もっと読む）

本発明は金属積層板の製造方法に関し、より詳しくは絶縁体からなる基材フィルムの片面または両面に特殊な構造を有する銀錯体化合物を利用して導電性層を形成してこの導電性層の外側に金属を電解メッキして金属積層板を製造する方法に関するものである。また、本発明は大量生産が可能であり、工程が簡単で不良率が少なくて製造単価が低廉な金属積層板を製造する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】非貫通孔を金属で充填するのに好適な新規な電解めっき方法の提供。
【解決手段】界面活性剤、光沢剤、平滑化剤などの添加剤を含むめっき液を用いた電解めっき方法において、被めっき部材の表面および非貫通孔内における添加剤の吸着および離脱を制御するパルスめっき工程と、これに引続いて非貫通孔内を充填する直流めっき工程とからなる、非貫通孔を金属で充填する電解めっき方法。 （もっと読む）

【課題】電子部品のリード曲折や打痕が発生しない整列電解めっきでありながら、めっき未着や電極交換の工程を削減可能なめっき方法を提供する。
【解決手段】整列板１９に整列されたヘッダー１０の絶縁リード１６およびアースリード１８と実質的に直交する方向に平行に、かつ相反する方向に平行移動するワイヤー状電極１と接触補助線２を配設し、ワイヤー状電極１と絶縁リード１６およびアースリード１８が非接触状態を経て接触状態となることにより、接触が一点に集中することがなくなりめっき未着が発生せず、非接触状態の際に剥離電流を給電してワイヤー状電極１におけるめっき組成分の析出を防止する。 （もっと読む）

本発明は、摩耗または腐食に対する保護のための、および／または、装飾的な目的のための、硬質クロムメッキとしてのクロム層の析出方法、さらに、このタイプのクロム層を析出可能とする電気メッキ浴槽に関する。
また、本発明は、それにより形成される硬質クロム表面層に関する。 （もっと読む）

【課題】ウィスカの発生及びはんだ付け性の劣化を確実に防止するとともに量産性を向上させることの可能な電気接続用端子及びその加熱処理方法並びに加熱処理装置を提供する。
【解決手段】一端側のめっき層のみを、電磁波加熱によりリフローすることにより形成したので、ウィスカの発生を防止することができ、ウィスカによる各端子１０間の短絡を確実に防止することができる。また、各端子１０の他端側のめっき層の厚さ寸法にばらつきが発生しないので、他端側のはんだ付け性を劣化させることがなく、接触不良を確実に防止することができる。さらに、めっき層の加熱範囲を広くすることができるので、例えばレーザビームのように加熱範囲を移動させる必要がないことから、めっき層のリフローに要する時間を短縮することができ、電気接続端子の量産性を向上させることができる。 （もっと読む）

めっき処理において少なくとも１つの適合可能なアノード（４０）を利用して物品（１０）にめっきを塗布する方法および装置を提供する。コーティングされる物品の領域のおおよその形状に適合するように、アノードに適切なワイヤまたは他の材料が成形される。アノードは電源（４４）によって駆動され、物品はカソードとして機能する。アノードおよび物品は、両方ともめっき槽（３８）に浸漬される。物品およびアノードは、物品の中心軸（２２）を中心に互いに対して回転される。アノードと物品との間の相対的な移動によって、アノードを通過する物品の選択領域に均一なめっき（４６）が塗布される。別のアノード（５０）を物品に対して固定して設け、他のアノードと同時に物品の別個の選択領域をめっきすることができる。
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【課題】銅箔のドラム表面から転写するスジに影響されるＳ面ではなく、表面の凹凸を減少させた、平滑なＭ面を有する表面処理電解銅箔を提供することを目的とする。
【解決手段】電解銅箔のドラムに接した面と反対側の面であるＭ面に表面処理を施し、該Ｍ面のＲｚ：１．０μｍ以下、Ｒａ：０．２μｍ以下とした表面処理電解銅箔である。
本発明銅箔は、銅濃度が５０〜８０ｇ／ｌ、硫酸濃度が３０〜７０ｇ／ｌ、液温が３５〜４５℃、塩素濃度が０．０１〜３０ｐｐｍ、有機硫黄系化合物・低分子量膠・高分子多糖類の添加濃度が合計で０．１〜１００ｐｐｍ、ＴＯＣが４００ｐｐｍ以下である硫酸銅浴を用い、電流密度が２０〜５０Ａ／ｄｍ^２の条件で電解銅めっきを行って銅箔を製造し、該銅箔のＭ面に表面処理を施し、該Ｍ面のＲｚ：１．０μｍ以下、Ｒａ：０．２μｍ以下とした表面処理電解銅箔の製造方法で製造する。 （もっと読む）

【課題】銅箔とポリイミドとの密着性が向上し、耐酸性を維持させながらエッチングし易い、プリント配線板、ＣＯＦ及びＦＰＣ用の表面処理銅箔を提供することを目的とする。
【解決手段】銅層の少なくとも一方の面上に燐含有ニッケル−モリブデンからなる表面処理層又は燐−ニッケル−モリブデンを少なくとも含有する表面処理層を形成した表面処理銅箔である。
また、銅層の少なくとも一方の面上に形成された燐含有ニッケル層又はニッケル合金層上に、モリブデン又はモリブデン合金層を形成した表面処理銅箔である。 （もっと読む）

【課題】銅シード層を設けた半導体ウェハーの、トレンチ・ビアの入り口付近に過剰に付着した銅シード層を溶解し、その後電気銅めっき、無電解銅めっきによるネッキングを防止し、トレンチ・ビア内部の完全な埋め込みが可能となる前処理剤を提供することを目的とする。
【解決手段】アンモニウムイオン濃度が０．１ｇ／Ｌ以上で、ｐＨが１１以上であることを特徴とするシード層を有する半導体ウェハーの前処理剤。該前処理剤は、金属イオンを含有しないことが好ましく、更に界面活性剤を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 外観性、溶接性、耐錆性、耐食性に優れた容器用鋼板およびその缶体を提供する。
【解決手段】 平均中心粗さ（Ｒａ）０．１５〜０．５μｍ鋼板の缶内面側に、下層から１〜２０μｍの接着剤層、１〜１００μｍのアルミ箔、または印刷インキ、並びに１〜２０μｍの有機樹脂層を付与した容器用鋼板およびその缶体。また、平均中心粗さ（Ｒａ）０．１５〜０．５μｍ鋼板の缶内面側に、下層からＮｉまたはＦｅ−Ｎｉ合金としてのＮｉを１０〜１０００ｍｇ／ｍ² 、Ｓｎを３００〜１５００ｍｇ／ｍ² 、クロメート皮膜を金属Ｃｒとして４〜１４０ｍｇ／ｍ² 、Ｚｒ皮膜を金属Ｚｒとして１〜５００ｍｇ／ｍ² の１種以上から構成される中間処理層、１〜２０μｍの接着剤層、１〜１００μｍのアルミ箔、または印刷インキ、並びに１〜２０μｍの有機樹脂層を付与した容器用鋼板およびその缶体。 （もっと読む）