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Fターム[4K024BA01]の内容

電気メッキ方法、物品 (25,708) | 被メッキ材料 (2,588) | 金属、合金 (1,899)

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軽金属 (181)
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Cu (658)

Fターム[4K024BA01]に分類される特許

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【課題】表面により高いシート抵抗をもつ基板に対しても、基板の全表面により均一な膜厚のめっき膜を形成できるようにする。
【解決手段】基板Wの表面の周縁部に当接して該周縁部をシールするシール材90と、基板Wの表面に形成した導電層に接触して通電させるカソード接点88と、ハウジング94の内部にアノード98を収納し開口端部に多孔質体110を配置してめっき液室100を区画形成した電極ヘッド28と、基板Wと多孔質体110との間にめっき液を満たしたまま、電極ヘッド28を第1めっき位置から該第1めっき位置よりも基板Wと多孔質体110との距離が離れた第2めっき位置に移動させて停止させる駆動機構136と、基板Wの外周部に対向する位置に該基板Wと離間して配置され、基板Wと多孔質体110との間に満たしためっき液に浸漬される補助カソード部124を有する。 (もっと読む)


【課題】メッキ厚のばらつきの小さいメッキ処理ができる電子部品のメッキ装置を提供する。
【解決手段】短冊状に破断した長尺基板Sa,Sbを縦列状態に連続してメッキ槽34に投入する際に、一方電極にメッキ電流を供給するメッキ槽34の入口側ローラR1,R2への電流を出口側のローラR3,R4への電流よりも大きくする。このようにすることで、ローラR1,R2,R3,R4に供給されるメッキ電流がメッキ槽34の入口側と出口側のローラ間でバランスがとれ、連続する長尺基板Sa,Sbの表面電極と陽極電極間で生じるメッキ電流のばらつきを無くしメッキ膜厚のばらつきを抑えることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】擦りによる剥がれが起きにくい表面印刷および電気メッキの方法を提供する。
【解決手段】事前メッキを行ってメッキする金属または非金属製品の表面に先ず事前メッキ層を形成し、それによって金属または非金属表面を酸化されにくいようにし、次にインク印刷を行い、その後に非印刷部に電気メッキを印刷された層より高くなるように行い、結果として、油インク印刷はメッキ層において保護され、それによって擦りによる剥がれが起きにくくする。 (もっと読む)


【課題】被めっき体に形成されためっきの厚さをその場で瞬時に判定することができる。
【解決手段】この被めっき構造体は、めっきが形成される被めっき体11と、被めっき体11にスリット部12を介して対向し、被めっき体11から電気的に分離された島状の導電性を有するめっき膜厚判定用部材16を備えている。めっき21が、被めっき体11の表面からスリット部12を介してめっき膜厚判定用部材16まで成長したか否かを判定することによって、被めっき体11に形成されためっき21が、スリット部12の幅Wより厚く形成されたか否かをその場で瞬時に判定することができる。 (もっと読む)


【課題】銅からなる金属層の電解析出のための経済的で簡単な方法を見出す。
【解決手段】高い電流密度の箇所でも一様な光沢性、高い破断伸びと引っ張り強さ並びに一様な層厚分布を備えた微細結晶構造の金属層を、パルス電流乃至パルス電圧法を用いて、電解析出するための方法にして、a)陰極として複雑に形作られた被加工物上に、b)貴金属又は貴金属の酸化物で被覆され不活性で寸法安定な不溶解性陽極を使用して、c)c1)析出されるべき金属のイオン、c2)光沢性、破断伸び及び引っ張り強さの制御のための添加化合物、並びにc3)少なくとも1種の電気化学的に可逆な酸化還元系の化合物であって、その酸化形態によって析出されるべき金属のイオンを、対応する金属部分の分解によって形成するような酸化還元系の化合物、を含有する析出溶液から、上記金属層を電解析出し、c4)上記陽極は、穴を明けられているか、陽極メッシュであるか、エキスパンドメタルの形状である、電解析出方法。 (もっと読む)


【課題】遮蔽板による電流遮蔽構造を簡易に調整・変更でき、めっき厚の均一化が図れる電解めっき装置及び電解めっき方法を提供する。
【解決手段】めっき液(13)が充填されるめっき処理槽(12)内に少なくとも一個以上のアノード(14)が垂直に設けられ、電解めっき処理される導体部(15)を有するテープ状製品(3)が、その面を垂直にして前記アノード(14)に対向しつつ前記アノード(14)に沿って搬送され、前記アノード(14)と前記テープ状製品(3)との間に、開口を有する絶縁性の遮蔽板(20)を設けた電解めっき装置において、前記遮蔽板(20)は、主遮蔽板(18)と、当該主遮蔽板(18)の開口(18a)を調整する従遮蔽板(19)とを重ね合わせて構成されている。 (もっと読む)


【課題】セラミック基板上に金属パターンをメッキする際にセラミック基板に生じ得る化学的な被害を最小化する方法を提供する。
【解決手段】基板101上にシード層102を形成する段階と、上記シード層102上に熱可塑性樹脂からなりオープン領域を備えるパターン層103を形成する段階と、上記オープン領域を通して上記シード層102上にメッキ層104を形成する段階と、上記パターン層103に熱を加えて上記パターン層103を除去する段階とを含むメッキ層の形成方法。十分なメッキ厚さを確保しながらメッキ過程で基板、特に、セラミック基板に生じ得る化学的な被害を最少化することが出来る。 (もっと読む)


【課題】微細配線の形成に適した支持体付銅箔を提供する。
【解決手段】支持体となる金属箔と剥離層と極薄銅箔層とからなり、極薄銅箔層の露出面に高さ0.5μm以上の突起が10個/cm以下であることを特徴とする支持体付銅箔である。
また、支持体となる金属箔と剥離層と極薄銅箔層とからなり、極薄銅箔層の露出面の表面粗さがRzで0.1〜1.0μm、光沢度が400〜700であることを特徴とする前期の支持体付銅箔であり、極薄銅箔層の厚さは0.1〜5μm、剥離層はモリブデンまたはタングステンを含有する。
この支持体付銅箔は、支持体となる金属箔上に、モリブデンまたはタングステンを含有する金属酸化物からなる剥離層を形成し、剥離層上に極薄銅層を光沢銅めっきにより形成することにより製造することができる。 (もっと読む)


【課題】電着組成物、及び、該組成物を用いた半導体基板のコーティング方法の提供。
【解決手段】本発明は、電着組成物、特に、集積回路内の配線を形成するために、「貫通ビア」型構造の形成用の半導体基板を銅でコーティングするための電着組成物に関する。本発明によれば、該溶液は、14〜120mMの濃度の銅イオンと、エチレンジアミンとを含み、エチレンジアミンと銅とのモル比は1.80〜2.03であり、該電着溶液のpHは6.6〜7.5である。本発明はまた、銅シード層を堆積させるための上記電着溶液の使用、及び、本発明に係る電着溶液を用いた銅シード層の堆積方法に関する。 (もっと読む)


【課題】表面化粧構造体の表面処理方法およびそれによる表面化粧構造体を提供する。
【解決手段】ステンレススチール製薄板をプレス、深絞りまたは圧延により構造体を成型する第1工程と、該成型された構造体に、成型により表面に発生した5μm以下の微細クラックまたはピンホールが存在する場合に、少なくとも該微細クラックまたはピンホールが存在する部分に、洗浄処理を介して、つきまわり、均一電着性に富む金属(Cu、Sn、Ni、Inまたはそれらの合金)の電解メッキまたは非電解メッキを厚さ0.1〜3μm施す第2工程と、該電解メッキまたは非電解メッキ部をバッフィングまたはポリシングする第3工程と、または第3工程を省略して、さらに前工程後にケ−ス全体に印刷インキまたは塗料による表面化粧被覆を施す第4工程を有することを特徴とする表面化粧構造体の表面処理方法およびそれによる表面化粧構造体。 (もっと読む)


被コーティング物品及び関連する方法が記載される。幾つかの場合では、被コーティング物品は、高強度、高硬度、高輝度、高耐摩耗性、高耐腐食性、及び他の所望の構造的かつ機能的特性を示すことができる。幾つかの実施形態では、コーティングは、ニッケル−タングステン合金のような合金、及び/又は金属酸化物を含むことができる。
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【課題】簡単な手法の追加でウィスカの発生を抑制できるめっき基材の製造方法を得る。
【解決手段】母材1の表面にPbフリーのSnめっき層2を有するめっき基材3を製造するに際し、母材1の表面にPbフリーのSnめっき層2を形成した後、形成しためっき層2に冷間圧延処理を施す。冷間圧延によりめっき面での配向指数の偏りが平準化され、ウィスカの発生が抑制される。 (もっと読む)


【課題】基板表面へのめっき液の供給を増加できて高電流密度に対応でき、短時間で厚く均一なめっき膜厚が得られる電解めっき装置及び電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】吸着プレート10及びめっき槽本体50からなるめっき槽と、めっき液中に浸漬されるアノード30と、めっき液中に浸漬されアノード30の面に対向した位置に設置される半導体基板Wと、半導体基板Wとアノード30間に電流を供給する電源装置80と、めっき槽にめっき液を供給するめっき配管61−1,2,73−1〜6とを具備する。半導体基板Wとアノード30との間に半導体基板W側のめっき液とアノード30側のめっき液とを分離する隔壁70を設ける。めっき配管73−1〜6によって隔壁70と半導体基板Wとの間に半導体基板Wの表面と略平行方向のめっき液を通過させる。隔壁70の半導体基板Wに対向する面に凹凸形状(V溝71)を形成する。 (もっと読む)


【課題】高感度の電気伝導度を必要とし、ON−OFFの反復回数の激しい接点のスパークによる、接点面の損傷及び酸化等による劣化を防止する為に、その耐久性の向上を目的として、前記接点部に施工される電解ロジュウムめっきに関して、改良されたRh−Re合金めっき浴および合金めっき被膜を提供する。
【解決手段】Rhめっき浴にReを添加したRh−Re合金めっき浴組成とし、当該めっき浴から電解により合金比率Rh:Reが1.0:0.1〜1.0、かつ膜厚が0.1〜10.0ミクロンとなるRh−Re合金めっき薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】フィルムの搬送速度を上げても、フィルムの汚れを低減させることができるフィルム支持装置及びめっき被膜付きフィルムの製造装置を提供する。
【解決手段】めっき槽60Aと洗浄槽70Aとの間に感光ウエブ18を空中搬送させる支持装置200Aが配置されている。支持装置200Aには、感光ウエブ18の導電面18Aに接触する導電面支持ローラ202、204と、これらの間に感光ウエブ18の裏面18Bに接触する裏面支持ローラ206とが設けられている。導電面支持ローラ202、204と裏面支持ローラ206には、それぞれ洗浄装置210、212、214が配設されており、導電面支持ローラ202、204と裏面支持ローラ206の下部が洗浄液217に浸漬される洗浄液受け槽218、220、222と、洗浄液217の水面を一定に保つオーバーフロー堰226、228、230とが設けられている。 (もっと読む)


【課題】6価クロム化合物を用いることなく、3価クロムめっき皮膜の耐食性を大きく向上させることが可能な、3価クロムめっき皮膜用の処理液及び処理方法を提供する。
【解決手段】水溶性3価クロム化合物を含有する水溶液からなる3価クロムめっき皮膜用電解処理液、及び該電解処理液中において3価クロムめっき皮膜を有する物品を陰極電解することを特徴とする3価クロムめっき皮膜の電解処理方法。 (もっと読む)


【課題】基材に変形や組織変化を生じさせず、製造時間が短く、製造コストが安い簡単なプロセスで、高温酸化性および耐食性に優れる被膜を形成するコーティング方法を提供する。
【解決手段】コーティング方法は、Aイオン(Aは、CoまたはNiを示す。)を含む電解液中にMCrAlY粉末(式中、Mは、NiおよびCoから選択される少なくとも1種の元素を示し、AがCoであるときに少なくともNiを含み、AがNiであるときに少なくともCoを含む。)を分散させて得られた分散液中に、合金基材80を浸漬し、回動可能な筒状回転電極と筒状回転電極の表面を被覆する不織布層31とを有する回転電極装置10を用い、合金基材の表面が不織布層で被覆された筒状回転電極を転がしながら電解して、合金基材表面上に複合被膜層を形成する。 (もっと読む)


【課題】Cu合金からなる基台にSn合金層からなる摺動面を備えた軸受において、Cu−Snからなる金属間化合物が形成されるのを抑制してSn合金層が基台に充分な剥離強度を以って保持される軸受を提供すること。
【解決手段】Cu合金からなる基台11にホワイトメタル層13からなる摺動面10を有する軸受1であって、前記基台11は前記摺動面10側に微細凹凸部15が形成されるとともに強磁性金属又はその合金からなるめっき層12が被覆され、前記めっき層12を介してホワイトメタル層13が形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


本発明は、たとえばマイクロリアクタシステム又はマイクロ触媒システム内に設置するのに適しているナノワイヤ構造体に関する。ナノワイヤ構造体の製造のために、ナノ細孔内でナノワイヤを電気化学的に堆積するテンプレートベースの方法を用いる。異なる角度で照射を行い、それによってナノワイヤ網を形成する。テンプレートフィルムの溶解及び溶解したテンプレート材料の除去によって、ナノワイヤ網内で構造化空隙を露出させる。ナノワイヤの網目状結合はナノワイヤ構造体に安定性をもたらす。ナノワイヤ間においては、電気的接続が確立される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、メタノールを燃料とする燃料電池において用いる透過性の構成材において、メタノールの酸化反応により生じる蟻酸による孔径の変化及び劣化を防止し、クロスオーバーを防ぎ、燃料電池の高エネルギー密度化、高出力化と長寿命化を図る構成材としての孔開き金属箔を提供することを目的とする。
【解決手段】メタノールを使用する燃料電池の構成材であり、厚さ方向に複数の微細貫通孔を備える孔開き金属箔であって、平均厚さが3μm〜50μmであり、少なくとも表面が耐蟻酸性材料からなる孔開き金属箔を採用することにより、耐食性に優れ、長期的に性能を安定させることができる透過膜とする。 (もっと読む)


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