【課題】異方性導電接着剤や、相手金属と共晶を形成させる電極接合に適した硬度と形状を有する電極を形成させるために用いる電極形成用めっき浴及びそれを用いた電極形成方法を提供する。
【解決手段】（ａ）亜硫酸金アルカリ塩又は亜硫酸金アンモニウム塩が金濃度として１〜２０ｇ／Ｌと、
（ｂ）Ｔｌ化合物、Ｐｂ化合物又はＡｓ化合物からなる結晶調整剤が金属濃度として０．１〜１００ｍｇ／Ｌと、
（ｃ）亜硫酸ナトリウムが５〜１５０ｇ／Ｌと、
（ｄ）無機酸塩、カルボン酸塩又はヒドロキシカルボン酸塩が塩濃度として１〜６０ｇ／Ｌと、
（ｅ）所定の置換芳香族化合物が０．１〜２００ｍｍｏｌ／Ｌと、
を含有する電極形成用金めっき浴を用いて、めっきすることにより電極を形成させる。 （もっと読む）

【課題】超ファインピッチの配線としても幅方向の断面（横断面）の表面が平坦となる配線をセミアディティブ法で製造できるセミアディティブ用硫酸系銅めっき液及びこれを用いたプリント配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セミアディティブ用硫酸系銅めっき液であって、３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸又はビス（３−スルホプロピル）ジスルフィドから選択された少なくとも一種と環状構造を持つ４級アンモニウム塩重合体と塩素とを含み、銅濃度が２３〜５５ｇ／Ｌであり、硫酸濃度が５０〜２５０ｇ／Ｌである。 （もっと読む）

【課題】 例えばＣＯＦテープ用の銅箔などに要求される種々の技術的要件に十分対応可能な程度に表面を平滑化してなるプリント配線板用銅箔およびその製造方法を提供する。また、そのような表面の平滑化を実現した後に、所望の粗さに粗化処理を施して、絶縁性基板に対するさらなる良好な密着性（接着性）を確保することを可能とした、プリント配線板用銅箔およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板４の表面に対して張り合わされて用いられるように設定されたプリント配線板用銅箔であって、前記絶縁性基板４に対して張り合わされるように設定された面のＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１で定義される粗さ曲線のクルトシスＲｋｕを４以下にすると共にＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１で定義される粗さ曲線のスキューネスＲｓｋを０以下にする平坦化銅めっき層２を、原箔１上に設ける。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕ含有膜の表面に形成される金属含有膜の成膜性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、以下の工程を含むものである。基板（半導体素子や層間膜が形成された半導体基板など）にＲｕ含有膜を形成する工程（Ｓ１００）、Ｒｕ含有膜の表面と接するように、Ｒｕより酸化還元電位が低い金属を含有する膜を形成する工程（Ｓ１０２）、基板をめっき液に浸漬させて、当該膜にめっき液を接触させる工程（Ｓ１０４）、基板をめっき液に浸漬させた状態で、当該膜を電気分解により除去してＲｕ含有膜を露出させるとともに、露出したＲｕ含有膜の表面に金属含有膜を電解めっきにより形成する工程（Ｓ１０６）。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性の更なる向上が図れると共に、耐腐食性も向上可能で、耐久性に優れ長寿命化が図れる連続鋳造用鋳型を提供する。
【解決手段】上下方向に貫通した空間部を形成する冷却部材１０を有し、空間部に溶鋼を供給して冷却しながら鋳片を製造する連続鋳造用鋳型において、冷却部材１０の溶鋼接触面側の表面の一部又は全部に、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＳｉＣ、ＷＣ、及びＣｒＣのいずれか１又は２以上からなる硬質粒子を、０．１質量％以上３０質量％以下分散させたコバルト複合めっき１１が被覆されている。 （もっと読む）

【課題】優れた耐熱性を有するとともに、腐食が生じにくいめっき付き銅条材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ系基材の表面に複数のめっき層を有し、その表層部分を構成する平均厚さ０．０５〜１．５μｍのＳｎ又はＳｎ合金からなるＳｎ系めっき層４の上に、硬度が１０〜２０Ｈｖで平均厚さが０．０５〜０．５μｍに形成したＳｎ−Ａｇ被覆層５が形成され、該Ｓｎ−Ａｇ被覆層５は、Ｓｎ粒子１１とＡｇ_３Ｓｎ粒子１２とを含み、Ｓｎ粒子１１の平均粒径が１〜１０μｍで、Ａｇ_３Ｓｎ粒子１２の平均粒径が１０〜１００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】貫通シリコンビア形成時におけるビア内側壁の銅シード層のカバレッジが良好で均一な銅配線層を有するめっき物を提供することを目的とする。
【解決手段】基材上にバリア層として形成された、タングステン及びタングステンと合金化した際に銅に対するバリア性を有する金属（Ａ）との合金薄膜、その上に無電解置換銅めっきにより銅シード層、さらに前記無電解置換銅めっきを実施したのと同一のめっき液を用いた電気銅めっきにより銅配線層がこの順番で形成されてなる、貫通シリコンビアを有するめっき物。 （もっと読む）

【課題】合金化処理を必要とせず、かつ、伸線工程を経ずともゴムとの接着性に優れたゴム補強用線条体−ゴム複合体の製造方法、およびそれにより得られたゴム補強用線条体−ゴム複合体を提供する。
【解決手段】ゴム補強用線条体に対し、銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種とを含有し、ｐＨが１０〜１２である銅−亜鉛合金電気めっき浴を用いてめっき処理を施し、次いで、めっき処理が施されたゴム補強用線条体に直接ゴムを被覆する。 （もっと読む）

【課題】基板上に存在する、アスペクト比（深さ／開口径）が５以上の導電処理した非貫通穴に短時間で銅を良好に充填する方法を提供する。
【解決手段】基板上に存在する、アスペクト比（深さ／開口径）が5以上の導電処理した非貫通穴に銅を充填する方法であって、酸性銅めっき浴として、水溶性銅塩、硫酸、塩素イオン、ブライトナー及びジアリルアミン類と二酸化硫黄との共重合体を含む酸性銅めっき浴を用いて、周期的電流反転銅めっきして非貫通穴に銅を充填することを特徴とする銅充填方法。 （もっと読む）

【課題】挿入抵抗および接触電気抵抗を小さくすることができるめっき材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣｕまたはＣｕ合金からなる基材上に、少なくともＣｕ−Ｓｎ合金中間層と、Ｓｎ表面層とをこの順序で有することを特徴とするめっき材料において、前記Ｃｕ−Ｓｎ合金中間層の表面粗さを表すパラメータである十点平均粗さＲｚμｍと最大高さＲｙμｍとの関係が、Ｒｙ／Ｒｚ＜１．３を満たし、かつ、前記十点平均粗さＲｚと、前記Ｓｎ表面層の平均厚さｔμｍが、Ｒｚ（６−π）／６≦ｔ≦Ｒｚ（６−π）／６＋０．３を満たす関係にある。 （もっと読む）

【課題】耐食性の確保と加工による損傷を回避するSnめっき鋼板を提供する。
【解決手段】製缶後の缶内面側に相当する鋼板面に、該鋼板の表面より順次、金属Sn量で、0.5〜2g/m²のSnめっき層、その上層にS量で5〜100mg/m²のSnS層、その上層に3〜10g/m²の金属Snめっき層、その上層に化成処理層が存在することを特徴とする果実缶用Snめっき鋼板。 （もっと読む）

【課題】基材上に中間層を介して添加元素を含むＢｉ又はＢｉ合金から形成されるオーバレイ層を被着した摺動部材において、オーバレイ層中の添加元素の拡散を低減し、なじみ性を良好に維持することができる摺動部材を提供する。
【解決手段】基材２に中間層３を介してオーバレイ層４を被着した摺動部材において、オーバレイ層４を、Ｂｉ又はＢｉ合金に低融点の金属からなる添加元素を添加して形成し、中間層３を、Ａｇ又はＡｇ合金に添加元素を添加して形成する。中間層３に添加する添加元素の量を、オーバレイ層４中に含まれる量の５倍以上にする。 （もっと読む）

【課題】 添加剤の種類が少ない銅めっき浴を用いて、導電処理した基板上の非貫通穴へ銅を良好に充填する方法を提供する。
【解決手段】 導電処理した基板上にある非貫通穴へ銅を充填する方法であって、水溶性銅塩、硫酸、及びブライトナーとレベラーとの両方の作用を有する重合体からなるフィリング添加剤とを含有するむ酸性銅めっき浴で前記基板をめっき処理することを特徴とする銅充填方法。 （もっと読む）

【課題】特に、残留応力を低減しためっき層を形成することにより、応力腐食を防ぎ、耐食性に優れ、安定した電気接点を提供する。
【解決手段】引張り応力めっき層３ａと、圧縮応力めっき層３ｂの積層めっき膜によりめっき層を形成して、下地層３あるいは貴金属めっき層４とする。さらに、引張り応力めっき層３ａと、圧縮応力めっき層３ｂを複数積層しためっき構造とする。これにより、めっき内部に残留応力を低減しためっき層を得ることができ、さらに熱処理を行うことにより、残留応力をさらに除去することができる。めっきに用いるめっき浴の種類、またはめっき浴に添加する光沢剤の種類、めっき中の電流密度を変えることにより、引張り応力めっき層、および圧縮応力めっき層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】電解銅箔と液晶ポリマー等の高耐熱性及び高周波特性に優れる樹脂基材との密着性を向上させ、且つ、安定化した銅張積層板製造に使用可能なロープロファイル銅箔の提供を目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため、銅箔の表面に微細銅粒子が析出形成した粗化処理面を備える粗化処理銅箔において、当該粗化処理面は、頭頂部角度θが８５°以下の突起形状の微細銅粒子２を含むものであることを特徴とする粗化処理銅箔を採用する。また、この銅箔を製造するために、硫酸銅系銅電解液を用いる電解法で、銅箔の表面に微細銅粒子が析出形成した粗化処理面を形成し粗化処理銅箔とする際に、当該硫酸銅系銅電解液として、ホルムアミジンジスルフィド濃度又はチオ尿素のいずれかを含む所定の組成の銅電解液を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】耐折曲げ性に優れ、特に、液晶画面駆動用半導体を実装するための半導体実装用として、耐折曲げ性に優れる銅被覆ポリイミド基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、スパッタリング法又は蒸着法によって金属シード層及びその上に銅層を形成し、さらにその上に電気めっき法、又は電気めっき法と無電解めっき法を併用する方法で銅めっき皮膜を形成してなる銅被覆ポリイミド基板であって、該銅めっき皮膜は、ダイナミックＳＩＭＳ法によるイオウの相対二次イオン強度が１０００カウント以下であることを特徴とする。また、電気めっき法で、不溶解性陽極を用い、かつ全量に対して鉄イオンを０．１〜１０ｇ／Ｌを含有する銅めっき液を用いるとともに、さらに、分解分の補充として添加する光沢剤の添加量を、そのイオウ量で、銅めっき液１ｍ^３かつ１時間当たり０．００５〜０．１ｍｇに制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】凹部の側面にメッキ層を形成する場合、凹部内に存在するメッキ液の入れ替えが困難であるため、いわゆるエッジ効果により、凹部側面のうち、凹部の底部に近い部分におけるメッキ層の厚みよりも、凹部の開口部に近い部分におけるメッキ層が小さくなってしまう。
【解決手段】主面上に凹部を有する絶縁性基体と、前記凹部の側面上に配設された配線導体と、前記配線導体上に配設され、前記凹部の側面から前記凹部の中心軸に向かって（１，１，０）方向に配向したＮｉを主成分とするメッキと、を備えた配線基板とする。 （もっと読む）

銅イオン源と、式Ｉの化合物から選ばれる少なくとも一種の抑制剤とを含む、空隙サイズが３０ナノメーター以下であるサブミクロンサイズの窪みを充填するための組成物。
【化１】


［式中、
−Ｒ¹基は、それぞれ独立して、エチレンオキシドと少なくとも一種の他のＣ３〜Ｃ４アルキレンオキシドのコポリマーであって、ランダムコポリマーであるものから選ばれ、−Ｒ²基は、それぞれ独立して、Ｒ¹またはアルキルから選ばれ、−ＸとＹは独立して、また各繰返単位のＸが独立して、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン及びＺ−（Ｏ−Ｚ）_m（但し、Ｚ基はそれぞれ独立してＣ２〜Ｃ６アルキレンから選ばれる。）から選ばれるスペーサー基であり、−ｎは０以上の整数であり、−ｍは１以上の整数である。］ （もっと読む）

【課題】基材にＡｇ又はＡｇ合金から形成したオーバレイ層を被着した摺動部材において、優れたなじみ性を得ることができる摺動部材を提供する。
【解決手段】基材２にＡｇ又はＡｇ合金から形成したオーバレイ層３を被着する。オーバレイ層のＸ線回折の強度が、１％≦（２００）／｛（２００）＋（１１１）＋（２２０）＋（３１１）＋（２２２）｝≦２０％、且つ、１％≦（２００）／（１１１）≦３０％を満たすように形成する。 （もっと読む）

【課題】銅めっき皮膜のエッチングファクターを向上させることにより、ファインピッチの微細回路を形成することが可能な銅張り積層板と銅張り積層板に成膜する銅めっき皮膜の成膜方法を提供する
【解決手段】１槽の銅めっき槽２８または複数の銅めっき槽１２、１３、１４中の銅めっき液に、ＰＥＧとＳＰＳとＪＧＢおよびクエン酸塩等のように、めっきされる銅に炭素および酸素を共析させる添加剤を添加し、該銅めっき液に樹脂フィルム１浸漬させることにより、樹脂フィルム１の少なくとも表面に、上流側の上記銅めっき層から下流側の上記めっき層に向けて、段階的または漸次、上記炭素および酸素の共析量が多くなる１層の銅めっき層８または複数層の銅めっき層４、５、６を形成する。 （もっと読む）