【課題】Ｐｄ−Ａｕ合金めっき液に関して、めっき液としての安定性に優れ、かつ、電流密度に対して安定した共析率のめっき皮膜を得ることが可能なパラジウム金合金（Ｐｄ−Ａｕ合金）めっき液を提供すること。
【解決手段】本発明によるパラジウム金合金めっき液は、可溶性パラジウム塩と、可溶性金塩と、メタ重亜硫酸カリウム、メタ重亜硫酸ナトリウムおよびメタ重亜硫酸アンモニウムからなる群より選択される１以上のものと、サッカリンおよびサッカリンナトリウムからなる群より選択される１以上のものとの組合せからなる結晶調整剤とを含んでなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 環境に悪影響を及ぼさず、半田付け性が向上、またリフロー処理時の偏肉も小さいリードフレーム材を提供する。
【解決手段】
導電性基体の表面に、Ｓｎ単体、またはＳｎとＡｇ、Ｂｉ、Ｃｕの群から選ばれる少なくとも１種とからなる合金から成る第１めっき層と、Ｉｎから成る第２めっき層とがこの順序で積層された二層構造のめっき層を設け、第１めっき層のＳｎまたはＳｎ合金の厚さｔ_１が２〜５μｍ、第２めっき層Ｉｎの厚さｔ_２が０．０５〜１μｍで、前記第１めっき層の厚さｔ_１と前記第２めっき層の厚さｔ_２の比が、０．０２５≦ｔ_２／ｔ_１≦０．２であることを特徴とする、リードフレーム材。 （もっと読む）

【課題】Ａｕめっき浴中に浸漬した保液部材に被めっき部材の凸部を接触させてその凸部頂面部に選択的に電解めっきを施す方法において、凸部頂面部領域に、より集中してめっき層を形成できるようにする。
【解決手段】電解めっきを、従来よりも高い電流値のパルス電流、すなわち、最大電流密度２０〜２６０Ａ／ｄｍ^２、平均電流密度５〜２６Ａ／ｄｍ^２のパルス電流を用いて行うことにより、凸部頂面部２に電流を集中させることができ、凸部頂面部２にＡｕめっき層が優先的に形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体上のバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。次いで、光誘導めっきによって、その金属シード層上に金属層が堆積させられる。 （もっと読む）

【課題】めっき層のサイドエッチングによって設計値よりも配線のトップ幅が狭くなってしまうことを防止でき、めっき層の厚さ方向に異なる位置のエッチング速度を制御して、従前では困難とされていたサブトラクティブ法による微細回路形成を可能にできる銅張積層板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１１の導電性を有する表面に、一層または複数層の銅めっき層１６、１７、１８が形成され、かつ当該一層または複数層の銅めっき層は、少なくとも上記基材に接触している底部１８が銅よりもエッチングレートの大きい金属を含有している銅張積層板とした。好ましくは、上記エッチングレートの大きい金属を含有している銅合金部を、上記銅めっき層の表面から上記底部の方向に向けて上記エッチングレートの大きい金属を漸次または段階的に多く含有させて構成した。 （もっと読む）

【課題】真鍮など、金銅メッキ後の熱処理によってピンクゴールド色を損なってしまう銅含有金属素材を用いた場合でも、ピンクゴールド色を損なわないメッキ部材を提供する。
【解決手段】銅を含有する金属部材に金銅メッキを施してなるメッキ部材であって、前記金属部材と金銅メッキからなる層との間に、金銅メッキ中の金原子および銅原子の拡散を防止する鉄またはニッケルからなる金属層を備える。 （もっと読む）

先の出願に記載された２以上の電極を備える電気化学析出装置にて用いられる方法が開示される。この方法によれば、０．０２〜０．８Ｓ／ｃｍの範囲の伝導度の硫酸銅ベースの電解液にて、５０〜９００Åの厚さの抵抗銅シード層を有する半導体ウエハに、ＷＦＮＵが２．５％より小さい値で均一な銅フィルムが形成される。
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【課題】金銅メッキ（ピンクゴールドメッキ）後の熱処理を不要とするメッキ部材を提供する。
【解決手段】メッキ部材の製造方法は、金属部材に金銅メッキを施すメッキ工程と、前記メッキ工程後の金属部材を、ベンゾトリアゾール類、トリアゾール類、チアジアゾール類、ジチオカルバメート類、アリザニン類、およびキニザリン類から選ばれる少なくともいずれか一種の化合物を含有する溶液に浸漬する浸漬工程と、前記浸漬工程後の金属部材を乾燥する乾燥工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】耐腐食性が向上した銅‐亜鉛合金めっき層を形成することができ、かつ、目的組成を有する均一で光沢のある銅‐亜鉛合金めっき層が幅広い電流密度で得ることができる銅‐亜鉛合金電気めっき浴を提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロリン酸イオンとを含有する銅‐亜鉛合金めっき浴において、浴中に含まれる銅イオンおよび亜鉛イオンの総容積モル濃度Ｍ（ｍｏｌ／Ｌ）と添加するピロリン酸イオンの容積モル濃度Ｐ（ｍｏｌ／Ｌ）の比（Ｐ／Ｍ）が２．０〜３．２の範囲である。総容積モル濃度Ｍ（ｍｏｌ／Ｌ）は０．０３〜０．５０（ｍｏｌ／Ｌ）の範囲であることが好ましく、また、ｐＨは５〜１０の範囲であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】太陽光発電および太陽電池のような半導体上にニッケルを光誘導めっきする方法において、均一であり、かつドープされた半導体基体への許容できる接着性を有する、厚みの薄いニッケル堆積物を提供する。
【解決手段】めっきプロセスを開始するために、半導体に初期光強度８０００ルクス〜２０，０００ルクス、または例えば１０，０００ルクス〜１５，０００ルクスの光を、典型的には、０．２５秒〜１５秒間、より典型的には２秒〜１５秒間、最も典型的には５秒〜１０秒間適用し、続いて、残りの期間、光の強度を典型的には、初期光強度の２０％〜５０％、または例えば３０％〜４０％低減させる。 （もっと読む）

【課題】 銅等の金属配線の電気抵抗低減および安定化を実現し、銅等の金属配線の信頼性を向上させることが可能な金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供することである。また、配線構造を形成する過程で配線あるいはデバイス構成材料中に取り込まれた不純物を除去し、配線膜の比抵抗値の上昇を防止し、信頼性を高めることのできる金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供する。
【解決手段】 半導体ウエハー上にめっき法あるいは気相堆積法により形成された金属配線膜を常圧より高圧の二酸化炭素または不活性の気体ないし流体中に一定時間曝して処理する金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された配線およびこの配線を有するデバイスとした。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、摺動面に保油用の穴部を適切な面積率で得ることのできる方法を提供する。
【解決手段】Ｎｉを主成分とする表面層を有する被処理物にＣｒ及びＭｏの合金メッキ処理を施す電気メッキ方法において、メッキ浴１Ｌあたり、Ｃｒイオンを１３０〜１５１ｇ、Ｍｏイオンを２１〜２６ｇ、硫酸を２．７〜３．１ｇ、メタンジスルホン酸を２．０〜５．０ｇ含むメッキ浴を用い、電流密度と浴温とをパラメータとする領域において、電流密度が２５Ａ／ｄｍ^２及び浴温が４７．５℃の点Ａと、２５Ａ／ｄｍ^２及び６２．５℃の点Ｂと、６５Ａ／ｄｍ^２及び６２．５℃の点Ｃと、６５Ａ／ｄｍ^２及び５７．５℃の点Ｄと、５０Ａ／ｄｍ^２及び５７．５℃の点Ｅと、３５Ａ／ｄｍ^２及び５０．０℃の点Ｆと、３５Ａ／ｄｍ^２及び４７．５℃の点Ｇとで囲まれた範囲内の電流密度及び浴温でメッキ処理する。 （もっと読む）

【課題】シアン化合物を含むことなく、耐腐食性の良好なめっき被膜の得られる銅−亜鉛合金電気めっき浴およびスチールコード用ワイヤを提供する。
【解決手段】銅塩と、亜鉛塩と、ピロりん酸アルカリ金属塩と、アミノ酸またはその塩から選ばれた少なくとも一種と、を含有する銅−亜鉛合金電気めっき浴において、浴中に含まれる銅イオンおよび亜鉛イオンの総容量モル濃度Ｍに対する、アミノ酸またはその塩の容量モル濃度Ａの比（Ａ／Ｍ）が、５％以下である銅−亜鉛合金電気めっき浴である。 （もっと読む）

【課題】透明基材及びその上に形成された細線パターンからなる電磁波シールド材を提供する。
【解決手段】透明基材上に予め物理現像核層を設け、次いで、ハロゲン化銀乳剤層を塗布し、物理現像核層とハロゲン化銀乳剤層をこの順序で有する感光材料を任意の細線からなるパターンで露光し、可溶性銀錯塩形成剤と還元剤の存在下でアルカリ液中にて物理現像処理を行い、前記物理現像核層上に任意の細線からなるパターンで金属銀を析出させ、次いで前記物理現像核層の上に設けられた層を除去して物理現像された金属銀細線を表面に露出させた後、前記物理現像された金属銀細線を触媒核として金属を電解めっきまたは電解めっきと無電解めっきを施す。 （もっと読む）

【課題】 鋳型のパターン形状が精密に転写されており、かつ、導体層と樹脂層との密着性に優れた回路配線基板を効率良く製造する。
【解決手段】 凹凸パターンを有する鋳型に、金属イオン含有ポリアミド酸溶液を塗布し、乾燥させてポリアミド酸層を形成した後、これを鋳型から剥離して凹凸面を有するポリアミド酸フィルムとする。このポリアミド酸フィルム中の金属イオンを還元して凹凸面の表面に金属析出層を形成させる。この金属析出層の上に、無電解めっきおよび／又は電気めっきを施して導体層を形成した後、ポリアミド酸フィルムが部分的に露出するまで導体層および金属析出層を削り、パターン化導体層を形成する。ポリアミド酸フィルムのポリアミド酸は熱処理によってイミド化してポリイミド樹脂層とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程数を増加させることなく配線上にキャップメタル膜を選択的に形成することにより、配線間リーク電流の増大及び配線間ショートを抑制する。
【解決手段】絶縁膜に埋め込まれた配線を有する半導体装置の製造方法において、基板上に形成された絶縁膜に溝を形成する工程と、前記溝に導電膜を埋め込む工程と、それぞれに電解液が注入された複数の貫通孔を有する基体を前記導電膜の表面に接触させながら、前記電解液と電気的に接続されたアノードと前記基体表面に露出したカソードとの間に電位差を付与することで、前記導電膜が埋め込まれた前記絶縁膜を表面処理する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【目的】密着性を向上させることができるカーボン素材のめっき方法等を提供すること。
【解決手段】カーボン素材のめっき方法は、（１）カーボン素材をカチオン系界面活性剤溶液に浸漬することにより、当該カーボン繊維の表面をカチオン化するカチオン処理工程と、（２）カチオン処理工程を経たカーボン素材ＡをＰｄとＳｎのコロイド溶液に浸漬することにより、ＰｄとＳｎをカーボン素材Ａの表面に吸着させるＳｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程と、（３）Ｓｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程を経たカーボン素材Ｂを酸溶液に浸漬することにより、Ｓｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程で吸着させたＰｄ及びＳｎのうちＳｎを溶かし、カーボン素材ＢにＰｄのみを吸着させるアクセレーター処理工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】樹脂基材等への密着性を確保できる銅箔及び銅箔製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る銅箔１は、一方の表面に第１の凹部１５を有する銅箔材１０と、第１の凹部１５の深さの平均値より小さい深さの平均値を有する第２の凹部２５を、第１の凹部１５に対応する位置に有して一方の表面上に設けられる銅めっき層２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】圧延銅箔と同等またはそれ以上の柔軟性・屈曲性を有する電解銅箔を提供する。
【解決手段】電解銅箔に式１に示すＬＭＰ値が９０００以上となる加熱処理を施した後の結晶構造がＥＢＳＰの分析で面に対する赤系・青系のいずれかの色調が８０％以上を占める電解銅箔。式１：ＬＭＰ＝（Ｔ＋２７３）＊（２０＋Ｌｏｇｔ）ここで、２０は銅の材料定数、Ｔは温度（℃）、ｔは時間（Ｈｒ）。また、該加熱処理を施した後のＸ線回析における（１１１）面の強度に対し、（３３１）面の相対強度が１５以上である電解銅箔。 （もっと読む）

【課題】前処理工程としてエッチング処理を行うことなく、ざらつきを有した樹脂基材の表面であっても、平滑なめっき処理表面を得ることができる樹脂基材のめっき処理方法を提供する。
【解決手段】不飽和結合を有する樹脂基材の処理表面にオゾン水処理を行う工程Ｓ１２と、該処理表面に、金属触媒を吸着させる触媒吸着処理を行う工程Ｓ１４と、該触媒吸着処理後の処理表面に、無電解めっき処理を行う工程Ｓ１５と、該無電解めっき処理後の処理表面に、中心線平均粗さＲａが０．１〜０．５μｍの範囲となるように、半光沢金属めっき処理を行う第一の電気めっき処理工程Ｓ１６と、該第一の電気めっき処理工程後の処理表面に、中心線平均粗さＲａが０．０３μｍ以下の範囲となるように、光沢金属めっき処理を行う第二の電気めっき処理工程Ｓ１７と、を少なくとも含む。 （もっと読む）