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Fターム[4K024CA06]の内容

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Fターム[4K024CA06]に分類される特許

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【課題】安価でありながら、安定した接触抵抗を長期間に亘って維持して電気的信頼性および耐久性に優れると共に、端子挿入時の挿入力が充分に小さいコネクタ用電気接点材料を製造する技術を提供する。
【解決手段】基材上に、Ni、Sn、Al、Zn、Cu、Inまたはこれらの合金からなる金属層を形成する金属層形成工程と、金属層形成工程後に形成された酸化物層を除去する酸化物層除去工程と、酸化物層が除去された金属層の表面を酸化処理(または水酸化処理)して導電性酸化物層(または導電性水酸化物層)を形成する導電性酸化物層(または導電性水酸化物層)形成工程とを有しているコネクタ用電気接点材料の製造方法。基材上に、Ni、Sn、Al、Zn、Cu、Inまたはこれらの合金からなる金属層が形成されており、金属層の上に導電性酸化物層または導電性水酸化物層が形成されているコネクタ用電気接点材料。 (もっと読む)


【課題】前面電流トラックを形成したドープ半導体ウェハの銅めっきに関する改善された銅めっき方法を提供する。
【解決手段】前面、裏面およびPN接合を含む半導体を提供し、下層を含む導電トラックのパターンを前記前面が含み、かつ前記裏面が金属接点を含んでおり;前記半導体を一価銅めっき組成物と接触させ;並びに導電トラックの下層上に銅をめっきする。 (もっと読む)


【課題】穴あき耐食性に優れる熱間プレス部材の得られる熱間プレス用鋼板およびそれを用いた熱間プレス部材の製造方法を提供する。
【解決手段】鋼板表面に、順に、60質量%以上のNiを含み、残部がZnおよび不可避的不純物からなり、付着量が0.01〜5g/m2のめっき層Iと、10〜25質量%のNiを含み、残部がZnおよび不可避的不純物からなり、付着量が10〜90g/m2のめっき層IIとを有することを特徴とする熱間プレス用鋼板。 (もっと読む)


【課題】塗装後耐食性を確保できる温間プレス部材の製造方法を提供する。
【解決手段】鋼板表面に、10〜25質量%のNiを含み、残部がZnおよび不可避的不純物からなり、付着量が10〜90g/m2のZn-Ni合金めっき層を有する鋼板を、200〜800℃の温度範囲に加熱後、該温度範囲内で温間プレス成形を行うことを特徴とする温間プレス部材の製造方法。 (もっと読む)


【解決課題】エピタキシャル薄膜成長用の配向基板において、基板表面の配向度及び平滑性が従来のものよりも改善されたものを提供する。
【解決手段】本発明は、配向化された銅からなる配向化金属層に補強材である金属基材をクラッドしてなるエピタキシャル膜形成用配向基板において、前記配向化金属層は、配向度Δφ、Δωがいずれも5〜9°である配向性を有する金属であり、前記配向化金属層の表面上に、ニッケルめっき膜からなり100〜5000nmの厚さの配向性改善層を備え、前記配向化金属層表面における配向度(Δφ及びΔω)と、前記配向性改善層表面における配向度(Δφ及びΔω)との差が、いずれも0.1〜3.0°であることを特徴とするエピタキシャル膜形成用配向基板である。 (もっと読む)


【課題】抗酸化特性およびエッチング特性が良好であり、さらに、高温高圧環境でも剥離性に優れた極く薄い銅箔と、厚さが均一であり、ピンホールがほとんどない担体とを備える、担体としてベリーロープロファイル銅箔付きの極く薄い銅箔を提供すること。
【解決手段】ベリーロープロファイル銅箔を担体とした極く薄い銅箔の製造方法が、担体の両面が平坦で,粗さが1.5μm以下,厚さが18〜35μmのベリーロープロファイル銅箔を;リブテン,ニッケル,クロムとカリウム金属イオンからなるめっき液でめっきして剥離層とし;剥離層の上に、Cu2P2O73H2O;10〜60g/L,K4P2O7:100〜400 g/L,PH=6〜10,浴温10〜600 Cからなるめっき液を電流密度1〜5A/dm2でめっきして剥離層の保護膜を形成し、;更に銅濃度50〜100g/L,硫酸濃度90〜125g/L,浴温40〜700 C,のめっき液を電流密度10〜50A/dm2でめっきして、厚さ1〜6μm以下の極く薄い銅箔とからなること。 (もっと読む)


【課題】塗膜の形成によらずに耐熱性の良い絶縁皮膜を形成したステンレス鋼材であって、特に絶縁性に優れ、かつ工業的に比較的低コストにて製造可能なものを提供する。
【解決手段】質量%で、C:0.0001〜0.15%、Si:0.001〜1.2%、Mn:0.001〜2.0%、P:0.001〜0.05%、S:0.0005〜0.03%、Ni:0〜2.0%,Cu:0〜1.0%、Cr:11.0〜32.0%、Mo:0〜3.0%、Al:1.0〜6.0%、Nb:0〜1.0%、Ti:0〜1.0%、N:0〜0.025%、B:0〜0.01%,V:0〜0.5%、W:0〜0.3%、Ca、Mg、Y、REM(希土類元素)の合計:0〜0.1%、残部Feおよび不可避的不純物からなるステンレス鋼を基材として、その基材表面上に、Al酸化物層を介して、厚さ1.0μm以上のNiOとNiFe24の混合層が形成されているステンレス鋼材。 (もっと読む)


【課題】ファインパターンの回路形成性、高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性や耐薬品性に優れる表面処理銅箔を提供する。
【解決手段】表面粗さRaが0.2μm以下、又はRzが1.5μm以下である母材銅箔の少なくとも片面表面に、付着量が0.05〜1.0mg/dmのNiまたNi−Pの一次処理層が設けられ、該一次処理層の上に付着量が0.01〜0.10mg/dmのZnまたはZn−Vの二次処理層が設けられ、該二次処理層の上に接触角θ(親水性)が15°から35°を有するクロメート処理層が形成され、該クロメート処理層の上に付着量0.002〜0.02mg/dmのシランカップリング処理層が施されている表面処理銅箔である。また、前記表面処理銅箔と熱硬化性樹脂基板とを積層する銅張積層板の製造方法は、前記表面処理銅箔と熱硬化性樹脂基板とを式1に示すLMP値が10660以下の条件で加熱積層し、前記表面処理銅箔の最表面シランカップリング処理層の官能基を、熱硬化性樹脂の官能基と反応させる銅張り積層板の製造方法である。
式1:LMP=(T+273)*(20+Logt)
ここで、20は銅の材料定数、Tは温度(℃)、tは時間(hr)、Logは常用対数である。 (もっと読む)


【課題】 板厚1mm以上の金属条にめっき加工を施す際に、先めっき方式の一般的なめっきライン(連続送り方式)で採用されているロール給電を用いると金属条に対して給電用金属ロールが片当たりを起こし、めっき材表面に擦れ痕、キズ、通電不良によるスパークなどの発生、または給電自体の破損などの問題があり、先めっきによる厚板端子は実施
されていなかった。
【解決手段】 板ばねエッジ型給電を用いて材料への接触をエッジにし、接触面積を減らすことで、ロールマークを含む傷による外観不良が発生することなくめっきする。 (もっと読む)


【課題】銅箔と低融点半田である錫−ビスマス半田との半田濡れ性が改善され、錫−ビスマス半田により太陽電池セルと銅箔とをフラックスを使用せずに半田付けでき、しかも銅箔表面が酸化変色しない表面処理銅箔を提供することを課題とする。
【解決手段】銅箔表面に付着量が0.010〜0.030mg/dmのIn層を形成してなる表面処理銅箔である。
また、前記In層の上に半田層が設けられている表面処理銅箔である。 (もっと読む)


【課題】電気的接続の信頼性を損なうことなく電気抵抗率を従来よりも低減できる埋め込み配線を有する半導体装置用基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、上記目的を達成するため、埋め込み配線を有する半導体装置用基板であって、前記埋め込み配線は、金属多結晶体からなり、平均結晶粒径が異なる少なくとも2層の領域を前記基板の厚さ方向に有し、前記埋め込み配線の開口面を含む層の平均結晶粒径が、前記埋め込み配線の他の層の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置用基板を提供する。また、本発明は、上記半導体装置用基板を用いたことを特徴とする半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】熱間プレス時にスケールやZnOの生成が十分に抑制されて耐酸化性に優れるとともに、めっき層中の元素に起因する液体金属脆性割れが起こることのない耐液体金属脆性に優れた熱間プレス用鋼板およびそれを用いた熱間プレス部材の製造方法を提供する。
【解決手段】鋼板表面に、融点が800℃以上であり、片面当たりの付着量が10〜90g/m2のめっき層を有することを特徴とする熱間プレス用鋼板。 (もっと読む)


【課題】めっき処理後、かつ、化成処理後に高い白色度を有した化成処理鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】2-ベンゾチアゾリルチオ基を持つ有機化合物の1種又は2種以上を合計で0.01〜3mass ppm含有する電気亜鉛めっき浴中で、前段と後段の二段処理からなる電気亜鉛めっき処理を行い、次いで、クロメートフリー化成処理を施す。前記前段では、電流密度を10A/dm2以上で陰極電解処理する。前記後段では、電流密度を10A/dm2未満で陰極電解処理し、鋼板表面に片面当たり0.1g/m2以上のめっき層を形成する。 (もっと読む)


【課題】離型性、耐熱性、加工性に優れ、大面積化が可能であり、製造コストが低廉であり、低環境負荷である成形金型用Ni−W電鋳液、成形金型の製造方法、成形金型および成形品の製造方法を提供する。また、環境負荷の小さい成分を含有する成形金型用Ni−W電鋳液およびこれを用いた成形金型の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】表面に凹凸状のパターンを有する成形品の成形加工に用いられる成形金型を電鋳によって作製する際に用いられる成形金型用Ni−W電鋳液であって、少なくともスルファミン酸ニッケルとタングステン酸ナトリウムを合計で0.40mol/l含み、かつ、スルファミン酸ニッケルを0.04mol/l〜0.20mol/l含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】化成処理性に優れ、かつ塗装後耐食性にも優れるSi含有冷延鋼板とその有利な製造方法、ならびにそのSi含有冷延鋼板を用いた自動車部材を提供する。
【解決手段】Siを0.5〜3.0mass%含有し、好ましくはさらにC:0.01〜0.30mass%、Mn:1.0〜7.5mass%、P:0.05mass%以下、S:0.01mass%以下およびAl:0.06mass%以下を含有する冷間圧延後、連続焼鈍した鋼板を、好ましくは、硝酸と塩酸とを混合した酸、あるいは、硝酸と弗酸とを混合した酸を用いて酸洗して鋼板表層のSi含有酸化物層を除去し、かつ、鋼板表面の鉄系酸化物の表面被覆率を40%以下に低減した後、Niを含む水溶液中で電解処理を施して鋼板表面にNiを1〜100mg/mの範囲で析出させる。 (もっと読む)


【課題】高縦横比のビアホールを埋め込むのに好適な銅めっき溶液および銅めっき方法を提供する。
【解決手段】シード層を有する基板を浸漬し、水、銅供給源、電解物質、塩素イオン、第1添加剤、第2添加剤、および第3添加剤を含み、前記第1添加剤は、化学式1に示す化合物である銅めっき溶液を用いて銅めっきを行う。


(式中、Rは、水素原子または炭素原子数1〜6のアルキル基であり、mは、平均重合度であり6〜14の実数である。) (もっと読む)


【課題】金属製材料によって形成され、その表面を過度に粗面化することなく樹脂との接着性を向上させ、かつ接着性の向上に伴う熱性能の低下を抑制した放熱装置を提供する。
【解決手段】通電されて発熱する電子部品6に熱伝達可能に接触してその熱を放熱あるいは拡散させるとともに、電子部品6が配設される基板5上に接着剤4を介して接合される接合面3を備えた放熱装置1において、接合面3は、凹凸が形成された下層と、その下層の上に直径が0.5〜1.0μmのニッケルの結晶粒子が形成された上層とを備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高い導電率及び強度を有し、応力緩和特性及び曲げ加工性に優れ、Snめっきの耐熱剥離性にも優れた電気・電子部品用銅合金を提供する。
【解決手段】Fe:0.01〜0.2質量%、P:0.02〜0.15質量%、Mg:0.05〜0.2質量%、Sn:0.001〜0.2質量%、及びZn:0.05〜1.0質量%を含み、残部がCu及び不可避的不純物からなり、S:0.005質量%以下であり、Fe,Mg及びP含有量が下記式(1)、(2)を満たす。2.5≦([Fe]+[Mg])/[P]≦8.0・・・・(1)[Mg]/[Fe]≧0.85・・・・(2)[Fe]、[Mg]、[P]は、それぞれFe,Mg,P含有量を表す。 (もっと読む)


【課題】めっき膜厚の制御を精度よく行う。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜に設けられた複数の凹部をめっき処理により導電性材料で埋め込むめっき工程を含む半導体装置の製造方法において、めっき工程は、複数の凹部のうち所定幅以下の微細な凹部が導電性材料で埋め込まれる際に、所定の第1の基準電流密度を半導体基板全面における各複数の凹部の側壁の面積を含む第1の表面積Sと各複数の凹部の側壁の面積を含まない第2の表面積Sとの表面積比Sr=S/Sに基づき補正した第1の電流密度でめっき処理を行う工程(S104)を含む。 (もっと読む)


【課題】電気亜鉛めっき形成の前後に特別な処理を必要とすることなく、リン酸塩処理性に優れた電気亜鉛めっき鋼板を提供することにある。
【解決手段】被処理鋼板の上に、亜鉛めっき表面の三次元粗さパラメータのスキューネス(Ssk)が0.34以上であり、該Sskの算出の際のスプラインハイパスフィルター処理のカットオフ波長(λ)が10μmである電気亜鉛めっき層を具えることを特徴とする。 (もっと読む)


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