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Fターム[4K024CB06]の内容

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Fターム[4K024CB06]に分類される特許

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【課題】アノードの全体に均一に通電することができ、アノードを均一に溶解させることができ、アノードを安定して保持することができるアノードホルダ用通電部材およびアノードホルダを提供する。
【解決手段】めっき槽内に基板とアノードを対向させて縦型に配置するめっき装置に用いられ、アノード5に給電するためのアノードホルダ用通電部材1において、アノード5の裏面の略全面に接触可能な円板状の導電性材料からなる接触部材2と、接触部材2とめっき装置の給電部とを接続する導電性材料からなる接続部材3とを備え、接続部材3は、接触部材2がアノード5と接触する面の裏面の中心部から延びている。 (もっと読む)


【課題】 特に、NiX層を有する電気接点において、膜厚方向に異なる膜特性を有する電気接点及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 電気接点1は、NiP層2と、NiP層2の表面に貴金属層3を備えて構成される。NiP層2は、主層2aと、その上面2cに形成された表面層2bとの積層メッキ構造である。前記主層2aに含まれる元素Pの含有量は、前記表面層2bに含まれる元素Pの含有量に比べて多く、主層2aはアモルファス層であり、表面層2bは結晶層である。これにより、耐摩耗性を良好にできるとともに、AuやAg等の貴金属層3をNiP層2に重ねてメッキするときの密着性を良好にできる。あるいは、図1に示すNiP層2を用いた電気接点であれば、結晶で形成された表面層2bの半田付け性を良好にできる。 (もっと読む)


【課題】装置内のコンタクト領域の汚染を抑制することを目的として、方法、装置、および、装置のさまざまな構成要素、例えば、ベースプレート、端縁シール、およびコンタクトリングアセンブリを提供する。
【解決手段】汚染が発生し得る状況として、電気メッキプロセス後に装置から半導体ウェハを取り出す時が挙げられる。特定の実施形態によると、疎水性コーティング、例えばポリアミドイミド(PAI)コーティング、および、時にポリテトラフルオロエチレン(PTFE)コーティング712が設けられるベースプレートを用いる。また、コンタクトリングアセンブリのコンタクト端部は、端縁シールのシール端縁からの距離を大きくして配置されるとしてよい。特定の実施形態によると、コンタクトリングアセンブリの一部および/または端縁シールにも同様に、疎水性コーティングを設ける。 (もっと読む)


【課題】電流密度を均一にすることができ、尚且つメッキ液の流動効率を高めることができる遮蔽板及び電解メッキ装置を提供する。
【解決手段】本発明の電解メッキ装置は、メッキ液が収容されるメッキ槽10と、メッキ槽内にメッキ液を供給するマニホールド40と、メッキ槽内に配置された陽極20と、陽極20に対向して配置され、基板35を固定する陰極30と、陽極20と陰極30とに電気的に接続された電源部60と、電流密度を均一にするために陽極20と陰極30との間に介在し、ハニカム状の複数の孔55が形成された遮蔽板50とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】コンタクトピンと電極板との間の通電不良を防ぐことができるめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき装置は、通電可能な凹状電極板200と、上下可動に支持され、凹状電極板200と通電するコンタクトピン190と、コンタクトピン190が下に移動して挿通する上面開口を有し、凹状電極板200の上に形成された、液体を溜める凹部とを備える。 (もっと読む)


【課題】めっき膜における膜厚の均一性を向上させることができるめっき装置およびめっき方法、ならびに配線不良を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、基板Wの被めっき面W1が上向きとなるように基板Wを保持しつつ基板Wを回転させるホルダ3と、ホルダ3で保持された基板Wの周縁部W2に接触するカソード4と、ホルダ3で保持された基板Wの中央部W3に向けてめっき液Lを吐出し、かつアノードとしても機能するノズル6とを具備することを特徴とする、めっき装置1が提供される。 (もっと読む)


【課題】微小な内径で且つアスペクト比が大きい細管の内壁に均一なめっき皮膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】細管10の内壁10aへの接触を防止する非導電性部材14が外周面に固定されている電極線12を前記細管10内に挿入し、前記細管10内壁と前記電極線12との間隙にめっき液を満たした状態で前記電極線12を前記細管10の管軸方向に往復移動させると共に前記めっき液を前記電極線12と同じ方向に交互に流動させる。そして、前記電極線12を+極、前記細管10を−極として直流電流を流して細管10の内壁10aにめっき皮膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】複数のシリンダのシリンダ内周面に均一なめっき前処理を施すことができること。
【解決手段】複数のシリンダを備える多気筒シリンダブロックの各シリンダにおけるシリンダ内周面の一端側をシールして、このシリンダ内周面に処理液を導き、このシリンダ内周面に対向配置された電極の作用で、このシリンダ内周面をめっき前処理する多気筒シリンダブロックのめっき前処理装置(電解エッチング処理装置72、陽極酸化処理装置73)であって、シリンダブロック及び電極へ電気を供給する電源装置92、93と、シリンダ内周面と電極間へ処理液を送液する送液ポンプを84、87との少なくとも一方が、シリンダ毎に設置されたものである。 (もっと読む)


【課題】通電ロールと陽極電極との距離を従来よりも短くし、電気めっきを行う導電性帯状板の電圧損失を抑制することで、電源容量抑制による電源設備コストの削減並びに電気的エネルギーのランニングコストの削減を実現できる横型電気めっき装置を提供する。
【解決手段】導電性帯状板11を搬送する通電ロール12及び押圧ロール13と、導電性帯状板11表面に隙間を有して配置される陽極電極14、15を有し、導電性帯状板11と陽極電極14、15の間にめっき液16を供給して、導電性帯状板11に電気めっきを行う横型電気めっき装置10において、通電ロール12は、その軸方向両側の通電部21、22の外径Dが通電ロール12の他の部分の外径dよりも大きく、通電部21、22が導電性帯状板11の表面に当接し、通電部21、22の内側で通電ロール12と導電性帯状板11の表面とで形成される空間部23に、隙間を有して陽極電極14を配置した。 (もっと読む)


【課題】作業環境への反応ガスの放出を抑制できると共に、シリンダ内周面と電極間の隙間流路に反応ガスが滞留することを抑制して通電不良等の不具合を防止できること。
【解決手段】シリンダブロック1におけるシリンダ2のシリンダ内周面3の一端部をシール治具13がシールして、シリンダ内周面に処理液を導き、このシリンダ内周面に対向配置された電極12の作用で、シリンダ内周面をめっき前処理するシリンダブロックのめっき前処理装置であって、シリンダ内周面3と電極12間に隙間流路27が形成され、電極に電極内流路12Aが形成され、隙間流路27が、シール治具13に最も接近して設けられたスリット26を経て電極内流路12Aに連通され、隙間流路27内をシール治具13へ向かって流れる処理液が、スリット26を経て電極内流路12Aへ流出可能に構成されたものである。 (もっと読む)


【課題】ミクロンオーダー面積のバンプを電気めっき法により安定して形成する金属構造体の形成方法を提供する。
【解決手段】基板1の表面に、それぞれの面積がミクロンオーダーの複数の開口部3Aを有し、全ての開口部3Aの合計面積が基板1の面積の0.01%以下の、めっきマクス膜3を形成するマスク膜形成ステップと、基板1の外周部に、開口部3Aの合計面積の3000倍以上の面積を有する外部電極6を形成する外部電極形成ステップと、基板1の開口部3Aおよび外部電極6を陰極として電気めっき法によりバンプを成膜する電気めっきステップと、を有する。 (もっと読む)


【課題】めっき皮膜の剥離、特にめっき皮膜の端部の剥離を確実に防止できるシリンダブロックのめっき処理方法及び装置を提供すること。
【解決手段】シリンダブロック1におけるシリンダ内周面3の一端(クランクケース面5側)を、シール治具13を用いてシールして処理液を循環させ、シリンダ内周面3をめっき前処理またはめっき処理し、シール治具13によるめっき処理時のシール位置を、めっき前処理が施された箇所に設定するものである。 (もっと読む)


【課題】本発明は、加工精度の高い凸状部を低コストで形成することができる電解加工装置、電解加工方法、および構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】電源と、電解加工液を収納する電解槽と、前記電解槽の内部に設けられ、被加工物を載置する載置台と、軸方向の一方の端面を前記載置台に対向させて設けられた電解部と、前記電解部と前記載置台との少なくともいずれかを移動させる移動手段と、を備え、前記電解部の前記軸方向と略直交する方向の面上には、絶縁性を有する絶縁部が設けられていること、を特徴とする電解加工装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】シリンダ内周面の一端側付近に障害物が存在している複雑な形状のシリンダブロックであっても、シール治具のシール精度を確保して、シリンダ内周面を確実にシールできること。
【解決手段】シリンダブロック1におけるシリンダ2のシリンダ内周面3のクランクケース面5側端部をシール治具13がシールして、シリンダ内周面に処理液を導き、このシリンダ内周面をめっき前処理またはめっき処理するシリンダブロックめっき処理装置であって、シール治具13が電極12の先端に設置され、このシール治具のシール部材33を作動させるエアジョイント15がシール治具13と分離して配置され、電極12及びシール治具が、シリンダ内周面3のヘッド面4側端部からシリンダ2内へ挿入され、エアジョイント15がシリンダブロック1のクランクケース面5側から挿入されて、シール治具13と結合可能に構成されたものである。 (もっと読む)


【課題】電気めっき法を単純化してそのコストを減少させる。
【解決手段】本発明は、電気めっきにより被膜を工作物に被着させる装置及び方法に関する。電解質液(5)で満たされるのに適した容器(4)が提供され、アノード形成導体手段(6)が容器(4)内に配置されると共に電流発生器(10)に接続され、カソード形成工作物(1)がろくろ(3)のマンドレル(2)に取り付けられ、容器をろくろに対して案内すると共に移動させる案内・移動手段が設けられ、案内・移動手段により、工作物を電解質液内に全体的に又は部分的に浸漬させることができる。 (もっと読む)


【課題】例えばルテニウム膜をシード層として該ルテニウム膜の表面にダイレクトめっきを行うのに先立って、たとえ300mmウェーハ等の大型の高抵抗基板であっても、ルテニウム膜表面の不動態層を確実に除去することで、その後のめっき時におけるターミナルエフェクトを改善し、しかも、めっき膜の膜質を改善し、微細配線パターンの内部にボイドのないめっき膜を埋込むことができる電解処理装置及び電解方法を提供する。
【解決手段】貴金属または高融点金属からなるシード層を有する基板Wの該シード層と対向する位置に配置されるアノード52と、電解液62で満たされた基板Wとアノード52との間に、内部に電解液を含浸させて配置される多孔質体46と、シード層表面の電場を制御してシード層表面に形成された不動態層を電解処理により電気化学的に除去する制御部58を有する。 (もっと読む)


【課題】製造工程数を増加させることなく配線上にキャップメタル膜を選択的に形成することにより、配線間リーク電流の増大及び配線間ショートを抑制する。
【解決手段】絶縁膜に埋め込まれた配線を有する半導体装置の製造方法において、基板上に形成された絶縁膜に溝を形成する工程と、前記溝に導電膜を埋め込む工程と、それぞれに電解液が注入された複数の貫通孔を有する基体を前記導電膜の表面に接触させながら、前記電解液と電気的に接続されたアノードと前記基体表面に露出したカソードとの間に電位差を付与することで、前記導電膜が埋め込まれた前記絶縁膜を表面処理する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】気泡の抜けが比較的よく、広い設置面積を必要としないディップ方式を採用し、しかもアノードとして強磁性体を使用したとしても、磁気異方性の均一性に影響を与えることを極力防止しつつ、基板表面に磁性体膜を形成することができるようにする。
【解決手段】内部にめっき液Qを保持するめっき槽40と、めっき槽40の内部のめっき液Qに浸漬される位置に鉛直に配置されるアノード220と、基板Wを保持してアノード220と対向する位置に位置させる基板ホルダ26と、めっき槽Qの外方に配置され、基板ホルダ26で保持してアノード220と対峙した位置に位置させた基板Wの周囲に磁界を発生させる磁界発生装置114を有する。 (もっと読む)


【課題】 銅管表面に形成される防食層の膜厚を最適化することにより、伝熱管および熱交換器の防食能力の最適化を図る。
【解決手段】 銅管1′の外表面に、スズまたはスズ合金からなり、膜厚dが3μm〜500μmの防食層3を形成して、結露水によって侵食されることがなくなるようにするとともに、防食層3の膜厚dの最適化を図ることができるようにする。 (もっと読む)


【課題】通電電極を下地電極に接続する際のウエハに対する物理的ストレス軽減するめっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】本発明によるめっき装置は、半導体基板31上の下地電極層に密着可能な開口部220を有するカバー22と、下地電極層上の絶縁膜33を溶解する溶剤をカバー22によって覆われた領域に供給し、カバー22によって覆われた下地電極32上の絶縁膜33を除去する溶剤供給部40と、絶縁膜33が除去されることで露出した下地電極32に、開口部220を介して当接する通電電極21とを具備する。 (もっと読む)


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