【課題】製造効率が向上し、傷付き及び焼切れが防止され、均一な厚さで金属めっき層が形成された光透過性電磁波シールド材の製造方法を提供する。
【解決手段】シランカップリング剤とアゾール系化合物との混合物または反応生成物、および貴金属化合物を含む無電解めっき前処理剤を透明基板上に塗布、乾燥させ、透明基板上に前処理層を形成する工程、前処理層上にドット状のめっき保護層を形成する工程、めっき保護層が形成されずに露出した前処理層上に、無電解めっきすることによりメッシュ状の金属導電層を形成し、透明基板、めっき保護層及び金属導電層を有する積層体を得る工程、及び長尺状の積層体を、陽極及び陰極を浸漬させためっき液中に連続的に浸漬させた後、長尺状の積層体にめっき液を介して陽極及び陰極から通電して電気めっきを行うことにより金属導電層上に金属めっき層を形成する工程、を含む光透過性電磁波シールド材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｓｎ−Ｂｉ合金メッキ膜を形成する電解メッキ工程において、製造コストを抑えて、被メッキ処理物の表面に所望する組成のＳｎ−Ｂｉ合金メッキ膜を形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】金属ケース３０内に投入された金属固体Ｓｎ３２と金属ケース３０とが直接接触するのを防ぐための絶縁シート３３を、金属固体Ｓｎ３２と金属ケース３０との間に設ける。さらに、金属ケース３０内に不活性ブロック３４を配置して、この不活性ブロック３４の上に絶縁シート３３（及びアノードプレート３１）を介して複数の金属固体Ｓｎ３２を配置し、また、金属ケース３０をアノードバック３５内に配置する。 （もっと読む）

【課題】抵抗が小さく信頼性の高いＣｕ配線またはＣｕプラグを備えた半導体装置を提供することにある。
【解決手段】基板上に形成された層間絶縁膜４に溝部１０を形成した後、溝部１０の内壁を含む層間絶縁膜３上にバリアシード膜６を形成し、バリアシード膜６を電極として、電解メッキ法により溝部１０内に銅７を埋め込む。バリアシード膜６は、絶縁体または半導体の特性を有する高融点金属の酸化物または窒化物からなる単層の膜であって、該膜に銅以外の低抵抗金属が含有されている。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉアノード表面の不動態化を抑制して、電流効率および成膜レートの低下を防止する。安定したＮｉめっき膜を供給することで品質向上に寄与し、また、安定した生産能力を維持できる電解Ｎｉめっき装置を提供する。
【解決手段】平均グレインサイズが１０μｍ以下であるニッケル（Ｎｉ）アノードを備えることを特徴とする電解Ｎｉめっき装置。 （もっと読む）

【課題】配線基板又は半導体回路におけるブラインドビアやトレンチの穴埋め状況を効率よくモニターしながら電気めっきする方法は存在しなかった。
【解決手段】モニター用器具として、デイスク電極８とそれを中心として回転する回転リング７とから構成される回転リングデイスク電極６を設け、この両電極間にＰ−Ｒパルス電流１１を印加し、このときのリング電極電位をＳＰＳ（促進剤）が酸化しない電位領域に固定し、リング電極を流れる電流信号を測定して添加剤と一価銅とが作る促進錯体をモニターする配線基板または半導体回路の電気銅めっき液のモニター方法。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの熱界面材料として熱発生デバイスに結合して用いられるインジウム金属およびその合金の電気化学的な析出のための改善されたインジウム組成物及びインジウム組成物で製造した物品の提供。
【解決手段】イミダゾールなどの窒素含有化合物を共重合化合物とするエピハロヒドリンコポリマーを水素抑制剤化合物として含む１以上のインジウムイオン源からなる組成物、および該組成物から基体上にインジウム金属を電気化学的に析出させて製造した物品。 （もっと読む）

【課題】電気銅めっきを行う際に、めっき液中のアノード側で発生するスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する電気銅めっき用含リン銅アノード、該含リン銅アノードを使用する電気銅めっき方法、これらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ及び電気銅めっき用含リン銅アノードの製造方法を提供する。
【解決手段】電気銅めっきを行うアノードであって、アノードとして含リン銅を使用し、該含リン銅アノードのマイクロビッカース硬度が４０以上であることを特徴とする電気銅めっき用含リン銅アノード４及び該含リン銅アノードを使用する電気銅めっき方法並びにこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハ３。 （もっと読む）

【課題】表面により高いシート抵抗をもつ基板に対しても、基板の全表面により均一な膜厚のめっき膜を形成できるようにする。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板保持部と、基板保持部で保持した基板Ｗと接触して通電させるカソード接点８８を備えたカソード部３８と、基板保持部で保持した基板Ｗの表面に対向するように配置され、メッシュ状または全面に穴の開いた複数の不溶解アノード板１１２ａ，１１２ｂを所定間隔離間させて積層したアノード９８を有し、基板保持部で保持した基板Ｗとアノード９８との間にめっき液を満たして基板Ｗの表面にめっきを行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用テープキャリアの端末部を含む全長に均一な厚みのめっきを施す。
【解決手段】半導体装置用テープキャリア(1)の両端に絶縁性の案内用テープが接続され
た被めっきテープ材(10)を、めっき槽(2)のめっき液(3)中に浸漬させながら搬送する。めっき槽(2)の被めっきテープ材(10)の搬送経路に沿って陽極(5)を移動可能に設置し、めっき槽(2)のめっき液(3)中に浸漬されている陽極(5)が、めっき槽(2)のめっき液(3)中を搬
送されている半導体装置用テープキャリア(1)の部分に対向し、且つめっき槽(2)のめっき液(3)中に浸漬されている陽極(5)の長さが、めっき槽(2)のめっき液(3)中に浸漬されている半導体装置用テープキャリア(1)の部分の長さに比例するように、陽極(5)を被めっきテープ材(10)の搬送経路に沿って移動する。 （もっと読む）

【課題】基板上の水平電気めっき電着方法及び水平無電めっき方法を提供すること。
【解決手段】水平電気めっきの設備の一種で、その主要は一組みのめっき液当て板、一組の第一電極、一組のネット状、面状または針状第二電極、電極再生とめっき液回収システムを含む。基板が水平に定位に送り込まれた場合、前述めっき液緩流当て板と接触陰極をもって基板を挟み持って導電を行い、更にめっき液の注入を通じて上側の陽極と接触し、電気めっきの環境を形成して陰極側の基板の片面電気めっきを行い、または電着液の注入を通じて上側の陰極と接触し、電着の環境を形成して陽極側の基板の片面彩色フィルター顔料、染料または導電性フォトレジスト電着を行う。 （もっと読む）

本発明は式：Ｎ（Ｒ¹）₄Ｘ・（ｍ−ｎ−ｏ）Ａｌ（Ｃ₂Ｈ₅）₃・ｎＡｌＲ²₃・ｏＡｌＲ³₃（Ｉ）（式中、Ｒ¹は、Ｃ₁〜Ｃ₄アルキル基であり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ又はＢｒであり、ｍは、１〜３、好ましくは１．７〜２．３に等しく、ｎは、０．０〜１．５、好ましくは０．０〜０．６に等しく、ｏは、０．０〜１．５、好ましくは０．０〜０．６に等しく、Ｒ²、Ｒ³は、Ｃ₁又はＣ₃〜Ｃ₆アルキル基であり、ここでＲ²はＲ³と等しくない）で示される化合物を有機溶媒中に含有する非プロトン性溶媒でのアルミニウムの電着のための電解質に関する。本発明のさらなる目的は前記電解質を製造する方法、被覆方法、及び被覆材料部品である。 （もっと読む）

【課題】電気銅めっきを行う際に、めっき液中のアノード側で発生するスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供する。
【解決手段】電気銅めっきを行うに際し、アノードとして含リン銅を使用し、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２以上である場合に、前記含リン銅アノード４の結晶粒径を１０〜１５００μｍとし、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２未満である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を５〜１５００μｍとしたアノードを用いて電気銅めっきを行うことを特徴とする電気銅めっき方法。 （もっと読む）

【課題】ルテニウム膜の表面の不動態層（酸化ルテニウム）を除去した後、連続して電解めっきを行うことができ、しかもルテニウム膜の表面の不動態層（酸化ルテニウム）を除去する時のターミナルエフェクトを改善できるようにする。
【解決手段】基板上のルテニウム膜をカソードとした電解処理により該ルテニウム膜表面に形成された不動態層を電気化学的に除去する電解処理装置２２と、基板上のルテニウム膜の表面に電解銅めっきを行う電解銅めっき装置２４と、電解前処理部２２と電解銅めっき装置２４とを収容する装置フレーム１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】シード層が薄膜化され、シード層のシート抵抗値が１０Ω／□以上になったり、電気抵抗が極端に大きなバリア層の表面に直接めっきを行ったりする場合であっても、基板への給電部であるカソード接点やその周辺部品を発熱から守ることができるようにする。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板ホルダ３６と、基板ホルダ３６で保持した基板Ｗと接触して通電させるカソード接点４４を備え該基板ホルダ３６と一体に回転するカソード部３８と、基板Ｗの表面に対向するように配置されたアノード６６と、カソード接点４４を冷却する冷却機構５８を有する。 （もっと読む）

【課題】各種電子機器、通信機器などに用いられるプリント配線板のパターンめっき方法に関するものであり、セミアディティブ法のプロセスにおいて、パターン密度の不均一なパターンにおいて、パターン密度の疎密に起因して、めっき膜厚が不均一になるという課題を有していた。
【解決手段】めっきにより配線パターンを形成する工程において、カソード電極７のアノード電極３と対向する面にめっきレジストパターンが形成された配線パターン基板４を配置し、前記アノード電極３と前記配線パターン基板４との間に前記配線パターンを疎部１０に対応する箇所に絶縁シート６が形成されたメッシュ状のネット５を、前記配線パターン基板４全体を覆うように装着し、電解めっきを行なうことを特徴とするパターンめっき方法である。 （もっと読む）

【課題】 チップ状電子部品の外部電極上に任意で均一な厚みのめっき膜を形成することが可能なめっき方法を提供する。
【解決手段】 めっき液吹き付けノズル２５内に陽極２９を配置し、チップ状電子部品１１の表面の少なくとも一つの外部電極１４にノズルが対向するようにかつ電子部品の表面の下側半分をめっき液２３からマスキングした状態に保持手段２０で保持し、電子部品の前記外部電極の表面の一部に陰極プローブ２６を接触させ、陽極とプローブとの間に電圧を印加しながらノズルから外部電極にめっき液を吹き付けてめっきし、その後、外部電極の表面の前記と異なる位置に陰極プローブを接触させて再びめっきする。このため、チップ状電子部品の外部電極の表面のうち先の陰極プローブの接触位置の近傍にめっき膜の未着部分が生じるのを防止でき、任意で均一な厚みのめっき膜を形成することができる。 （もっと読む）

本発明は金属積層板の製造方法に関し、より詳しくは絶縁体からなる基材フィルムの片面または両面に特殊な構造を有する銀錯体化合物を利用して導電性層を形成してこの導電性層の外側に金属を電解メッキして金属積層板を製造する方法に関するものである。また、本発明は大量生産が可能であり、工程が簡単で不良率が少なくて製造単価が低廉な金属積層板を製造する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ウエフアーをウエフアーホルダーに確実に保持すると共に、十分に通電できるようにする。
【解決手段】めっき液を収容するめっき槽と、該プめっき槽１の底部１ａに貫設された、嵌合穴３ａを有するカソードホルダ３と、前記嵌合穴の上端に設けられたカソード補助電極５と、前記カソードホルダーの下面側から前記嵌合穴に着脱される、上下動可能なウエフアーホルダー１０と、前記ウエフアーホルダーの上面に設けられた電極収容凹部１２と、前記電極収容凹部に固定され、ウエフアーフォルダーに載置されたウエフアーのバックサイドＷＢを押圧するスプリングコンタクト式カソード電極１８と、前記ウエファーホルダーの上面に設けられたパッド収容凹部１４と、前記パッド収容凹部に固定され、前記ウエフアーホルダーに載置されたウエファーのバックサイドに吸着する吸着パッド１６と、を備えている。
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【課題】ウエフアーのめっき膜の厚さを均一にする。
【解決手段】アノード電極３２と、前記アノード電極３２と対向するカソード電極１８を備えたウエフアーホルダー１０と、前記ウエフアーホルダー１０が装着されるカソードホルダー３と、該カソードホルダー３に設けられ、前記ウエフアーホルダー１０に保持されたウエフアーＷの外周部Ｗ１側に位置する第1カソード補助電極５と、を備えた電気めっき装置であって；前記第1カソード補助電極５の外側に間隔をおいて第2カソード補助電極６を設ける。
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本発明は、摩耗または腐食に対する保護のための、および／または、装飾的な目的のための、硬質クロムメッキとしてのクロム層の析出方法、さらに、このタイプのクロム層を析出可能とする電気メッキ浴槽に関する。
また、本発明は、それにより形成される硬質クロム表面層に関する。 （もっと読む）