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Fターム[4K024CB12]の内容

電気メッキ方法、物品 (25,708) | メッキ装置、操作 (2,405) | 液の供給 (414) | 撹拌、気体の混入 (92)

Fターム[4K024CB12]に分類される特許

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【課題】非貫通スル−ホ−ルを有するプリント配線板の無電解めっき方法において、従来、振動させたり、揺動させたりしてめっきをしていたが、貫通スルーホールや非貫通スル−ホ−ル中に発生した水素気泡を完全に取り除くことは困難で、そのためにスルーホール内にめっき液の供給が十分行われるとはいえず、その部分のスルーホール内に目的のめっきが形成されなかった。
【解決手段】 本発明は、めっき液に浸漬した前記プリント配線板に振動を与えながら無電解めっきする際に、合わせて流量に強弱をもたせたバブリングを前記プリント配線板の下方から加えることを特徴とするプリント配線板のめっき方法を提供することである。 (もっと読む)


【課題】均一なめっき膜が形成される電気めっき装置等を提供する。
【解決手段】陰極11を装着する陰極設置部12及び陽極13を設ける陽極設置部14と、めっき液21を収容するめっき浴槽20と、めっき液21を流動させる流動部30と、めっき浴槽20内を所定の圧力に保持する圧力調整部40とを有し、圧力調整部40によりめっき浴槽20内をめっき液21の蒸気圧Pbと等しい圧力に保持し、又は蒸気圧Pb以上、且つ(蒸気圧Pb+15kPa)以下に保持し、さらに陽極13を上流側とし陰極11を下流側とし、又は陽極13と陰極11とをめっき液21の流れに対して平行に配置し、めっき液21を流動させながら電気めっき処理が行われる電気めっき装置100。 (もっと読む)


【課題】半導体等の被処理基板にメッキを施すメッキ装置において、被処理基板の円形被処理領域全域を簡単な機構で隈なく攪拌する装置を提供する。
【解決手段】上部に開口を有するメッキ槽1とメッキ槽内に配置されたアノード5とアノード5と被処理基板23の間に液流を形成するポンプ2を備え、さらに直線ガイド13、131とこれに沿って往復運動する直動板12と直動板12に固定された弾性を有する攪拌板15と攪拌板15の両端を、転がり軸受16を介してガイドする円弧状ガイドによって構成された攪拌ユニットを備え、円形開口を有する被処理基板マスク部材18の開口に配置された被処理基板23の被処理領域を、攪拌板15を左右に弓形に撓ませながら往復運動させることにより攪拌するようにした。 (もっと読む)


【課題】溝配線等をめっき成膜する際の配線内のボトムアップ量やめっき膜に含まれる不純物量を一定に保持するめっき成膜装置、成膜方法を提供する
【解決手段】めっき成膜装置10は、被成膜基板の表面にCu膜を成膜するためのめっき槽12と、一定量のめっき液を滞留させるめっき液タンク16と、めっき槽12とめっき液タンク16との間でめっき液を循環させるためのめっき液循環ライン18と、めっき液循環ライン18を流れるめっき液に水素を供給する水素供給ライン20を備える。めっき液を循環させながらめっき液に水素を供給して、被成膜基板の表面にCu膜をめっき成膜する (もっと読む)


【課題】導電性微細物に効率よく電解めっき膜を形成することができる、電解めっき膜形成微細物の製造方法およびそれに用いる製造装置を提供する。
【解決手段】電解めっき液5に導電性微細物6を分散させた混合液を循環流路に流して循環させるとともに、その循環流路の一部に上記混合液の流れる方向に沿って設けられた、対向する陽極31と陰極32の間に電圧を印加することにより、上記導電性微細物6が上記陰極32に接触した際に、その導電性微細物6に電解めっき膜が形成されるようにした。 (もっと読む)


【課題】細孔を所定の配列で複数有する構造物について、その複数の細孔に均一性の高いめっきを一括的に施すことを可能とするめっき方法の提供。
【解決手段】所定の配列で複数の細孔が形成された構造物をめっき処理対象とし、そのめっき処理対象構造物における複数の細孔それぞれの内周面に一括的に電解めっきによるめっき処理を施すについて、平面状に形成のフレーム部13からめっき対象の細孔の配列に対応させてその細孔の数だけ棒状電極12を突設して形成した電極ユニット11を用い、この電極ユニットの各棒状電極それぞれをめっき対象の細孔のそれぞれに挿入した状態で一括的めっき処理を行うようにしている。 (もっと読む)


【課題】支持体上に少なくとも一種の金属により形成された導電層を有する透明導電膜の金属部にメッキを行う電解メッキ方法において、メッキムラのない電解メッキ方法であり、また、その電解メッキ方法を用いた電解メッキ装置、透明導電膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に少なくとも一種の金属により形成された導電層を有する透明導電膜の金属部にメッキを行う電解メッキ方法であって、任意の二カ所の金属部a、bにおいて、単位面積当たりのそれぞれの表面抵抗値Ra、Rbの関係がRa>Rbであるとき、陽極と前記金属部a、bとのそれぞれの距離Xa、Xbの関係がXa<Xbであることを特徴とする電解メッキ方法。 (もっと読む)


【課題】均一なめっき皮膜を有するめっき部材の製造方法を提供する。
【解決手段】一端に開放口9を有する泡沫形成槽3内に界面活性剤を含むめっき液2を供給し、フィルタ5を通してNガスを吹き込み、発泡しためっき液泡沫8を開放口9から流出させ、連続的なめっき液気泡層10として流下させつつ、外部に設ける被めっき部材(陰極)11に供給し、めっき液気泡層10内で電気めっきを行う。 (もっと読む)


【課題】めっき槽内の電流密度分布を均一に調整し且つめっき液の流れを調整してめっき膜厚均一性とめっき表面の均一性を高めるめっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】めっきユニット30内に保持されるめっき液Qをアノード10側と基板W側に遮断するように設置され抵抗体Rを保持する抵抗体ホルダ60と、抵抗体Rを経由しない電気経路を遮断するシール170と、基板Wと抵抗体Rとの間の隙間S1にめっき液を噴射して流通させるめっき液噴射口183A,Bと、抵抗体R及び抵抗体ホルダ60で区画されたアノード領域A2及び基板領域A1内にそれぞれめっき液を循環させるめっき液循環系250,260とを具備する。オーバーフロー槽40に、基板領域A1とアノード領域A2からそれぞれオーバーフローするめっき液を遮断する仕切り部材を設ける。 (もっと読む)


【課題】コネクター表面の金皮膜としての特性を保持し、かつ、金めっき皮膜を所望の箇所に析出しつつ所望でない箇所には析出することを抑制する、硬質金めっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】硬質金めっき液およびそのめっき方法であって、シアン化金、コバルト塩およびヘキサメチレンテトラミンを含む金めっき液を用いることにより、高い析出選択性を有する金めっき液を提供する。 (もっと読む)


工業プロセスでのコーティングとしてのナノ結晶金属もしくはアモルファス金属またはそれらの合金の使用方法が提供される。三つの特定の前記方法が詳説されている。好適な一実施形態は、多数の部品をナノ結晶金属もしくはアモルファス金属またはそれらの合金で大量電着する方法、およびそれによって製造される部品を提供する。別の好適な実施形態は、連続電着処理におけるナノ結晶コーティングまたはアモルファスコーティングの被覆方法、およびそれによって製造される製品を提供する。本発明の別の好適な実施形態は、部品の再加工および復元もしくはそのいずれかの方法、およびそれによって製造される部品を提供する。
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【課題】めっき膜に生じる異常析出を、単位時間当たりの基板処理枚数に影響を極端に及ぼさない範囲で、効果的に防止・抑制することができるめっき方法及びめっき装置を提供すること。
【解決手段】金属イオンを含んだめっき液Qに半導体ウェーハ3とアノード5とを浸漬し、半導体ウェーハ3とアノード5間に電流を流すことで半導体ウェーハ3の被めっき面3aに金属めっきを行う。半導体ウェーハ3とアノード5間への電流供給をそのめっき膜厚が1〜20μmとなるまで連続して行なった後に1秒〜2分間停止する工程を、複数回繰り返し行う。その間、被めっき面3a近傍部分のめっき液Qをパドル9によって攪拌する。 (もっと読む)


【課題】基板に形成した非貫通穴をめっき法により導体で埋める際の処理時間を大幅に短縮でき、半導体装置の製造コストを削減できる基板処理方法、半導体装置及び基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Wに非貫通穴100を形成し、非貫通穴100内部にめっき法により導体(めっき膜105)を充填する基板処理方法である。めっき液Qに固体粒子103を含有する。このメッキ液Qで電解めっきを行なうと、めっき膜105の成膜と同時に固体粒子103がめっき膜105中に取り込まれ、めっき膜105の体積が嵩上げされる。 (もっと読む)


【課題】外殻部にDyが濃縮された主相結晶粒をR−Fe−B系希土類焼結磁石体の内部にも効率よく形成し、残留磁束密度の低下を抑制しつつ保磁力を向上させる。
【解決手段】本発明によるR−Fe−B系希土類焼結磁石の製造方法では、軽希土類元素RL(NdおよびPrの少なくとも1種)を主たる希土類元素Rとして含有するR2Fe14B型化合物結晶粒を主相として有する少なくとも1つのR−Fe−B系希土類焼結磁石体を用意する。次に、有機溶媒およびDyイオンを含むめっき液中で電解めっきを行うことにより、R−Fe−B系希土類焼結磁石体の表面にDyを電析させる。その後、Dyが表面に電析したR−Fe−B系希土類焼結磁石体を加熱することにより、R−Fe−B系希土類焼結磁石体の内部にDyを拡散させる。 (もっと読む)


【解決手段】電気めっき液中に凹陥部又は貫通孔を有する被めっき物を、アノード周囲のめっき液を連続的にエア攪拌すると共に、このエア攪拌により生じたエア気泡が被めっき物周囲に移行して該周囲のめっき液に巻き込まれないように上記アノードと被めっき物との配置を設定して、被めっき物周囲のめっき液を、エア気泡を随伴させることなく噴流攪拌及び/又は機械攪拌しながら電気めっきする。
【効果】ビアホールやスルーホールなどを有する被めっき物に対する電気めっきにおいて、エア攪拌によってめっき液中に分散される気泡が被めっき物に付着、保持されることを防止でき、その結果、ボイド等のめっき不良の発生を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】良質で均一な金属膜を簡易かつ高い生産性で半導体ウェハ上に形成できる電気めっき装置を提供すること。
【解決手段】1つのめっき浴内でめっき液を循環させ、カソードであるウェハ14a〜14cとアノード13a〜13cである電極との間を通電させて該ウェハ14a〜14cに対して電気めっきを施す電気めっき装置1であって、ウェハ14a〜14cの表面近傍のめっき液を攪拌して乱流化するパドル18と、めっき浴中のめっき液全体を攪拌する攪拌子19と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】従来のプリント基板のめっき装置の問題点であった、めっき液の温度上昇を防ぐための、冷却装置の設置によるコスト発生をなくし、プリント基板のめっき装置の設置方法を提供する。
【解決手段】空気攪拌用のエアブロワ15を、一般的に高温になりやすいめっき槽1から、エアブロワ配管用のパイプ21の延長により、温度の影響のない場所もしくは隔離された常温の部屋に設置する。薬液2内に送り込まれる空気10’は吸入時温度が低く、パイプまたはその配管部で配送されている時点で放熱し、常温に戻る。 (もっと読む)


【課題】本発明は、めっき液に界面活性剤を加えることなく、被めっき基板に形成された微細な溝や穴にめっき液を浸入させることができ、めっき欠け、めっき抜けの発生がない高品質のめっきを行うことができるめっき方法及び装置を提供する。
【解決手段】被めっき物に電解又は無電解めっきを行なうめっき方法であって、めっき液中の溶存気体を脱気した後、又はめっき液中の溶存気体を脱気しながらめっきを行なう、及び/又は、前処理液中の溶存気体を脱気した後、又は前処理液中の溶存気体を脱気しながら前処理を行い、その後めっきを行う。 (もっと読む)


【課題】ウエハ等のめっき処理において、めっき処理面へ付着する気泡を除去する。
【解決手段】噴流式めっき装置100で、電界めっきに使用されためっき液をめっき液再生機構50で再生するに際し、めっき液をフィルタ室80へ入る直前に自己共鳴管90を通過させる。自己共鳴管90を通過しためっき液は、振動流となり、めっき液に付与された振動で、めっき液中のマイクロバブルBが互いに結合して大きな気泡Cとなり、自然に脱気しやすい状態となる。かかる状態のめっき液をフィルタ80aで濾過して、マイクロバブルBを含まないめっき液の再生を図る。 (もっと読む)


【課題】 上面を開放されためっき槽を備えためっき装置において、撹拌棒による撹拌とは異なる方法により、めっき液をリフレッシュすることができるようにする。
【解決手段】 めっき槽1内において、アノード電極7と半導体ウエハ9との間にはめっき液流入兼整流構成体10が垂直に配置されている。めっき液流入兼整流構成体10は、貫通孔16およびめっき液流入孔17を有するめっき液流入板12の両面に多数の微小孔を有する第1、第2の整流板13、14が設けられ、第1の整流板13の外面に貫通孔23を有する電場遮蔽板15が設けられた構造となっている。そして、めっき液流入板12の貫通孔16内に流入されためっき液22の大部分は、第1の整流板13の微小孔を介して第1の整流板13に対して垂直な横方向に流出され、半導体ウエハ9の表面に当接される。なお、めっき槽1を密閉構造とし、水平にして複数積層するようにすることもできる。 (もっと読む)


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