【課題】半導体ウェーハの堆積および平坦化に関し、特に、局所堆積を使用して薄膜をより効果的に堆積させると共に、局所平坦化を可能にする装置および手法を提供する。
【解決手段】ウェーハ１０４の表面に金属層１０８を堆積させる電気メッキ装置１００が提供される。一例においては、陽極として帯電可能な近接ヘッド１０２を、ウェーハ１０４の表面に極めて近接して配置する。メッキ流体１１６を、前記ウェーハ１０４と前記近接ヘッド１０２との間に提供し、局所金属メッキ１０８を形成する。 （もっと読む）

【課題】一つの半導体基板に形成された複数品種の半導体素子に対し、それぞれの品種に対応したメッキ処理を施すこと。
【解決手段】複数の品種に対応して複数の半導体素子形成領域が画定された半導体基板上に、前記複数の半導体素子形成領域に対応し且つ相互に独立したメッキ処理治具を当接し、前記複数の半導体素子形成領域のそれぞれに対して独立にメッキ処理を施す。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板（Ｓ）の表面において電気化学反応を実施するためのデバイスであって、電解質（Ｅ）を含有するように意図された容器（１０）、容器内に配設された支持体（２０）であって、支持体（２０）上に半導体基板を取り付けるように適合された支持体（２０）、容器（１０）内に配設された対向電極（３０）、光線を放出するための発光源（５１）および半導体基板（Ｓ）の前記表面の全面に光線を均一化して、半導体基板（Ｓ）の表面を活性化するための手段（５２）を備えた照明手段（５０）、ならびに半導体基板および対向電極に連結して、電気化学反応を可能にする電位で前記半導体基板（Ｓ）の前記表面を分極するための連結手段を備えた給電源（４０）を備えることを特徴とする、デバイスに関する。本発明はまた、対応する半導体基板の表面において、電気化学反応を実施するための方法にも関する。
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【課題】半導体ウェーハの堆積および平坦化に関し、特に、局所堆積を使用して薄膜をより効果的に堆積させると共に、局所平坦化を可能にする装置および手法を提供する。
【解決手段】陽極として帯電可能な近接ヘッド１０２を、ウェーハ１０４の表面に極めて近接して配置する。メッキ流体を、前記ウェーハと前記近接ヘッドとの間に提供し、局所金属メッキを形成する。近接ヘッドが方向１２０でウェーハ全体を進む際に、シード層１０６上に堆積層１０８が形成される。堆積層は、近接ヘッドとシード層との間に定められたメニスカス１１６に含有される電解質１１０によって促進される電気化学反応を介して形成される。 （もっと読む）

【課題】大きな設備改造を行うことなく、レトルト後塗膜密着性に優れたスズめっき鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】冷延鋼板に前処理、スズめっき、リフロー処理、及び化成処理を施す缶用スズめっき鋼板の製造方法において、スズめっき工程において、少なくとも缶内面となる側にめっき量が１．５ｇ／ｍ^２以上となるようにスズめっきを施し、次いでリフロー工程において、該スズめっきの溶融時間が０．１〜０．７秒となるようリフローを行い、次いで重クロム酸ナトリウム水溶液中に０．５〜４．０秒無電解で浸漬した後、該スズめっき上に重クロム酸ナトリウム水溶液中で０．８〜６．５Ｃ／ｄｍ^２の通電量で陰極電解による化成処理を行うことを特徴とするレトルト密着性に優れるスズめっき鋼板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】レトルト後塗膜密着性に優れたスズめっき鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】冷延鋼板に、スズめっき、リフロー処理、および、化成処理を施す缶用スズめっき鋼板の製造方法であって、スズめっき工程において、鋼板の缶内面となる側に１．５〜１３．０ｇ／ｍ^２のスズめっきを施し、リフロー工程において、水蒸気濃度が０〜４０ｇ/ｍ³の雰囲気でリフロー処理を行い、重クロム酸ナトリム水溶液中に０．５〜４．０秒無電解で浸漬した後、重クロム酸ナトリム水溶液中で０．８〜６．５Ｃ/ｄｍ²の通電量で陰極電解による化成処理を行う。さらに好ましくは、リフロー工程において、スズめっきの溶融時間が０．１〜０．７秒となるリフロー処理を行う。 （もっと読む）

【課題】加工後の耐食性に優れたクロムめっきステンレス鋼板を提供する。
【解決手段】質量％で、Ｃｒ：１０．５〜３０．０％を含有するステンレス鋼板基材の表面に、外層が水和クロム酸化物層で内層が金属クロム層から成る防食めっき層を有し、前記防食めっき層の厚みが０．０１〜０．１０μｍであることを特徴とし、好ましくは、防食めっき層は、大気開放状態の３０℃,３．５％ＮａＣｌ溶液中で測定されるカソード電流密度が、銀／塩化銀標準電極基準−０．６Ｖの条件において、２．５μＡ／ｃｍ^２以下である加工後耐食性に優れたクロムめっきステンレス鋼板。 （もっと読む）

【課題】事前メッキリードフレームにおいて高価なメッキ層の厚さを減少させることができるリードフレーム及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、リードフレーム及びその製造方法に関するものである。本発明のリードフレームは、下地金属層（１０）と、該下地金属層上に、銅層または銅を含む銅合金層で形成され、表面粗度が与えられた銅メッキ層と、該銅メッキ層上に、ニッケル、パラジウム、金、銀、ニッケル合金、パラジウム合金、金合金及び銀合金から選択された少なくとも一つの物質からなる金属薄膜を少なくとも一つ含む上部メッキ層（１００）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明はめっき処理物の生産性の向上と量産化を図るとともに、ピンホールがなく、硬度が高く、耐磨耗性が高く、被処理物に対して均一に電着し、耐食性が高い、という特性を有するめっき皮膜を得ることを目的とする。
【解決手段】被処理物２を収容する反応槽１を介挿する循環路８内で表面処理流体を循環させることでめっき処理を行うめっき処理方法において、前記表面処理流体は、少なくとも電解液３５と、界面活性剤４０と、超臨界又は亜臨界状態の二酸化炭素２７と、を含有するエマルジョン状態の流体であり、循環路８内における前記表面処理流体を３０ｃｍ／ｓｅｃ以上の流速で循環させ、該表面処理流体が被処理物２に対して電気化学的反応を起こすことにより、めっき処理を行うことを特徴とするめっき処理方法及びこれにより得られるめっき処理物。 （もっと読む）

【課題】安定した接触抵抗を有するとともに、剥離し難く、また、コネクタとして用いる場合に挿抜力を小さくかつ安定させることができる導電部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ系基材１の表面に、Ｆｅ系下地層２を介して、Ｎｉ系薄膜層３、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層４、Ｓｎ系表面層５がこの順に形成されるとともに、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層４はさらに、Ｎｉ系薄膜層３の上に配置されるＣｕ_３Ｓｎ層６と、Ｃｕ_３Ｓｎ層６の上に配置されるＣｕ_６Ｓｎ_５層７とからなり、これらＣｕ_３Ｓｎ層６及びＣｕ_６Ｓｎ_５合金層７を合わせたＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層４の凹部８の厚さＸを０．０５〜１．５μｍとする。 （もっと読む）

【課題】 特に、ＮｉＸ層を有する電気接点において、膜厚方向に異なる膜特性を有する電気接点及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 電気接点１は、ＮｉＰ層２と、ＮｉＰ層２の表面に貴金属層３を備えて構成される。ＮｉＰ層２は、主層２ａと、その上面２ｃに形成された表面層２ｂとの積層メッキ構造である。前記主層２ａに含まれる元素Ｐの含有量は、前記表面層２ｂに含まれる元素Ｐの含有量に比べて多く、主層２ａはアモルファス層であり、表面層２ｂは結晶層である。これにより、耐摩耗性を良好にできるとともに、ＡｕやＡｇ等の貴金属層３をＮｉＰ層２に重ねてメッキするときの密着性を良好にできる。あるいは、図１に示すＮｉＰ層２を用いた電気接点であれば、結晶で形成された表面層２ｂの半田付け性を良好にできる。 （もっと読む）

【課題】めっきピンホールに起因した鉄錆の発生を効果的に抑制した高耐食性めっき鋼材を提供する。
【解決手段】Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕに代表される、鋼材より電気化学的に貴な金属によってめっきされた鋼材であって、鋼材、めっき界面に鋼材より水素過電圧の大きな金属又は合金の層を有することを特徴とする。鋼材より水素過電圧の大きな金属は、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｂｉから選ばれる1種であるか、またはＢ，Ｓ，Ｐ，Ｖ，Ｍｏ，ＲＥ（希土類元素）から選ばれる1種と、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉから選ばれる1種との合金であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】良好な耐熱性と挿抜性を併有するめっき材料を提供する。
【解決手段】導電性基材１の表面に、周期律表４族、５族、６族、７族、８族、９族、もしくは１０族に含まれるいずれか１種の金属またはそれを主成分とする合金から成る下地めっき層２と、ＣｕまたはＣｕ合金から成る中間めっき層３と、ＳｎまたはＳｎ合金から成る表面めっき層４とがこの順序で形成されており、かつ、表面めっき層４の厚みが中間めっき層３の厚みの１.９倍以上の厚みであるめっき材料。 （もっと読む）

【課題】電流密度を均一にすることができ、尚且つメッキ液の流動効率を高めることができる遮蔽板及び電解メッキ装置を提供する。
【解決手段】本発明の電解メッキ装置は、メッキ液が収容されるメッキ槽１０と、メッキ槽内にメッキ液を供給するマニホールド４０と、メッキ槽内に配置された陽極２０と、陽極２０に対向して配置され、基板３５を固定する陰極３０と、陽極２０と陰極３０とに電気的に接続された電源部６０と、電流密度を均一にするために陽極２０と陰極３０との間に介在し、ハニカム状の複数の孔５５が形成された遮蔽板５０とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板用途に適しており、エッチングによる配線形成工程におけるエッチング残りが少なく、回路配線の形状安定性に優れたプリント配線板用圧延銅箔を提供する。
【解決手段】本発明に係るプリント配線板用圧延銅箔は、銅または銅合金からなる原箔の両面にそれぞれ複数の被覆層を有するプリント配線板用圧延銅箔であって、前記原箔の一方の表面上に前記原箔の表面粗さRz以上で前記表面粗さRzの1.5倍以下の平均厚さを有する平滑めっき層が形成され、前記平滑めっき層上に粗化銅めっき層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の膜厚によらず、めっき膜の膜厚分布の均一性を向上する。
【解決手段】半導体装置製造装置は、基板保持部８と、給電部３と、アノード６と、複数の誘電体１３とを具備する。基板保持部８は、カソード５有する基板２０を保持可能である。給電部３は、カソード５の周辺部に電力を供給する。アノード６は、カソード５と対向する位置に設けられている。複数の誘電体１３は、カソード５とアノード６との間に設けられている。複数の誘電体１３は、カソード５表面に平行な平面に複数の誘電体１３を射影したとき、射影のパターンが平面内で略均一であり、射影の面積が可変であるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】めっき時の基体の反りを抑制し基体の汚れを有効に除去するめっき装置およびめっき方法を提供する。
【解決手段】本発明のめっき装置は、めっき層を形成すべき基体を保持する保持板１２と、前記基体１０にめっき液２２を供給するめっき液供給部５０と、前記基体１０のめっきを行う第１の面３６に対向する第２の面３８を、前記めっき液２２よりも高い温度に加熱する加熱手段１８とを具備し、前記基体の表面にめっき層を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路デバイス基板におけるビア構造をメタライズするための方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路デバイス基板は、前面、背面、ビア構造を備え、ビア構造は、基板の前面に開口部、基板の前面を内向きに伸びる側壁部、および底部を備え、前記方法は以下からなる：
半導体集積回路デバイス基板に、（ａ）銅イオン源、および（ｂ）レベラー化合物からなる電解銅沈積組成物を接触させて、前記レベラー化合物はジピリジル化合物およびアルキル化剤の反応生成物からなり；
電流を電解銅沈積組成物に供給し銅金属をビア構造の底部および側壁部に沈積し、これによって銅充填ビア構造を得る。 （もっと読む）

【課題】微小な内径で且つアスペクト比が大きい細管の内壁に均一なめっき皮膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】細管１０の内壁１０ａへの接触を防止する非導電性部材１４が外周面に固定されている電極線１２を前記細管１０内に挿入し、前記細管１０内壁と前記電極線１２との間隙にめっき液を満たした状態で前記電極線１２を前記細管１０の管軸方向に往復移動させると共に前記めっき液を前記電極線１２と同じ方向に交互に流動させる。そして、前記電極線１２を＋極、前記細管１０を−極として直流電流を流して細管１０の内壁１０ａにめっき皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板用金属材料の表面にエッチング処理によって粗化処理を行う場合に、廃却物が生じるマスキング工程（レジスト塗布工程）を省略することができかつ半田を載せるための下地となる平滑なＳ面が得られる基板用金属材料の製造方法の確立と、それによって得られる基板用金属材料の提供。
【解決手段】厚さ７０μｍ以上の金属材料素材の片面に金属めっき処理を行い、前記金属めっき処理によって形成された層をバリア層として他方の面を粗化処理する。 （もっと読む）