【課題】 メッキラインで使用するメッキ治具内の電子回路基板のメッキ厚をほぼ均一にし、メッキ不良品の製造を防止する。
【解決手段】 メッキすべき電子回路基板をメッキ治具２３に取り付けて保持し、前記メッキ治具２３をメッキラインのメッキ治具搬送装置２１へ取り付けた後、このメッキラインにて前記メッキ治具２３内の電子回路基板の抵抗値を測定し、この測定された測定値が予め設定された抵抗設定値以下のときはメッキ処理を行い、一方、前記測定値が前記抵抗設定値より大きいときは前記メッキ治具２３をメッキラインから除外することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接点の繰り返し開閉動作においても銀被覆層が剥離せず、かつ長期間の使用においても接触抵抗の上昇が抑えられた、長寿命の可動接点が得られる、銀被覆ステンレス条およびその製造方法を提供する。
【解決手段】鉄またはニッケルを主成分とする合金からなる基材と
前記基材の表面の少なくとも一部に形成されたニッケル、コバルト、ニッケル合金およびコバルト合金の何れか１つからなる下地層と、
前記下地層の上に形成された銅または銅合金からなる中間層と、
前記中間層の上に形成された銀または銀合金からなる最表層とを備え、
被覆層としての前記下地層、前記中間層および前記最表層に含まれる銅の総量が被覆面積１ｍ^２あたり０．０２５ｍｏｌ以下であることを特徴とする可動接点用銀被覆複合材料。 （もっと読む）

【課題】すずめっきの耐熱剥離性を改善したＣｕ−Ｓｎ−Ｐ系合金すずめっき条を提供する。
【解決手段】１〜１２質量％のＳｎ及び０．０１〜０．３５質量％のＰを含有する銅基合金を母材とするＣｕ−Ｓｎ−Ｐ系合金すずめっき条において、めっき層と母材との境界面におけるＣ濃度を０．１０質量％以下に調整する。母材は、更にＺｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ａｌ及びＡｇの群から選ばれた少なくとも一種を合計で０．００５〜３．０質量％の範囲で含有することができる。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーである一元系のスズめっきにおいて、素材との密着性を維持しつつ、ウィスカーの発生を防止できるように、スズめっき皮膜を形成する。
【解決手段】被めっき材に、スズめっき皮膜を形成した後、該スズめっき皮膜の上に、有機酸銀めっき浴を用いた、無電解めっきあるいは電解めっきにより、銀皮膜を形成する後処理工程を設け、スズめっき皮膜の結晶配向に関して、（３２１）面に対する（２１１）面、（２２０）面、および、（１０１）面の配向を優先させるように、結晶配向を制御する。 （もっと読む）

【課題】 細くて長い有底筒体でも、確実に内面に均一にメッキをすることができるメッキ方法およびメッキ装置を提供し、細長くて底面の内面にも厚いメッキ被膜が形成されたハイブリッド車用電池缶を得られるようにする。
【解決手段】 被メッキ物１０の開口部１０ａ側から陰極を兼ねた保持具１３の一端部を挿入して被メッキ物１０の内面に接触させて被メッキ物１０を保持し、保持具１３の他端部を回転自在に支持して保持具１３の一端部を回動運動させることにより、被メッキ物１０をメッキ槽１１内で開口部１０ａを上にしてメッキ液１４に浸漬する位置Ａおよびメッキ槽１４の外で被メッキ物１０の開口部１０ａが底部１０ｂより低くなる位置Ｂまでの間を往復運動させ、被メッキ物１０のメッキ液１４への浸漬と被メッキ物１０内のメッキ液の排出とを繰り返しながらメッキを行う。 （もっと読む）

【課題】良質で均一な金属膜を簡易かつ高い生産性で半導体ウェハ上に形成できる電気めっき装置を提供すること。
【解決手段】１つのめっき浴内でめっき液を循環させ、カソードであるウェハ１４ａ〜１４ｃとアノード１３ａ〜１３ｃである電極との間を通電させて該ウェハ１４ａ〜１４ｃに対して電気めっきを施す電気めっき装置１であって、ウェハ１４ａ〜１４ｃの表面近傍のめっき液を攪拌して乱流化するパドル１８と、めっき浴中のめっき液全体を攪拌する攪拌子１９と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 金属ワイヤの伸線加工性を向上させ、表面性状の良好な金属ワイヤを得ることができる金属ワイヤの製造方法及びソーワイヤを提供する。
【解決手段】 金属ワイヤ１０を製造する場合には、まずＣｕ及びＺｎを含むと共にシアンを含まない非シアンめっき浴によって、金属素線１１の表面上にブラスめっき内層１２ａを形成し、引き続き非シアンめっき浴によって、ブラスめっき内層１２ａ上にブラスめっき外層１２ｂを形成する。このとき、ブラスめっき外層１２ｂのＣｕ含有比をブラスめっき内層１２ａのＣｕ含有比よりも高くする。続いて、ブラスめっき層１２を４１９℃±３０℃の温度で加熱する。そして、ブラスめっき層１２に対して電解による化成皮膜処理を施すことにより、ブラスめっき層１２の表面に燐酸鉄皮膜１３を形成した後、伸線加工を施す。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル回路基板などに適した。耐屈曲性および密着性に優れるフィルム金属積層体を提供する。
【解決手段】可とう性を有する高分子フィルム上に下地金属層を形成し、その上に上部金属導電層を形成したフィルム金属積層体において、前記下地金属層がリンを１０質量％以上含有するニッケル合金からなるフィルム金属積層体。前記Ｎｉ−Ｐ合金は前記フィルムとの密着性に優れ、かつ密着性向上のための熱処理時に硬度が増加しないため、良好な密着性と耐屈曲性を有する。 （もっと読む）

本発明は１または複数の薄膜をシートの上部表面、特に好ましくは連続的に動作するロールからロールへ移動するシートへ電気めっきする方法を提供する。本発明の１特徴では、元素または複数の層中の層の厚さのモル比は多元素層の同調が予め定められたモル比の範囲または同調された厚さを有する多元素を得るために行われることができるように検出される。さらに別の特徴では、本発明はロールからロールへ移動するシートが動くとき電気めっき装置を使用して薄膜を導電表面へ連続的に電気めっきし、ロールからロールへ移動するシートの一部へ電気めっきされた薄膜の厚さを検出し、それに対応して厚さの信号を発生する。これに関して、連続的に電気めっきするとき、薄膜の厚さはロールからロールへ移動するシート部分に続くロールからロールへ移動するシートのそれに続く部分についての厚さ信号を使用して予め定められた厚さ値へ調節される。 （もっと読む）

【課題】摩擦係数が低く（低い挿入力）、電気的接続の信頼性（低い接触抵抗）を維持でき、同時にはんだ付け性を付与できる接続部品用導電材料を得る。
【解決手段】Ｃｕ板条からなる母材３の粗面化した表面に、平均の厚さが０．１〜３．０μｍのＮｉ被覆層４と、平均の厚さが１．０μｍ以下のＣｕ被覆層５と、平均の厚さが０．２〜３．０μｍのＣｕ−Ｓｎ合金被覆層６と、Ｓｎ被覆層７がこの順に形成された接続部品用導電材料１。材料１の表面１ｂに対する垂直断面１ａにおいて、Ｓｎ被覆層７の最小内接円の直径［Ｄ１］が０．２μｍ以下、最大内接円の直径［Ｄ２］が１．２〜２０μｍ、材料１の最表点１ＡとＣｕ−Ｓｎ合金被覆層６の最表点６Ｂとの高度差［ｙ］が０．２μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】外部応力に伴うウィスカの成長を効果的に抑制することができるめっき膜及びその形成方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１０を構成する基材１１の表面及び裏面には、錫又は錫合金からなる錫めっき膜１３が形成されている。錫合金としては、例えば錫−銅合金（銅の含有量：２質量％）、錫−ビスマス合金（ビスマスの含有量：２質量％）等が挙げられる。基材１１は、例えばＣｕ合金等から構成されている。錫めっき膜１３内には、複数の結晶粒１２が不規則に配列している。更に、錫めっき膜１３中に、複数の空隙部１４が存在する。その後に曲げ加工等が行われても、錫めっき膜１３中に空隙部１４が存在しているため、外部応力が緩和される。このため、外部応力に伴うウィスカの成長が抑制される。 （もっと読む）

【課題】銅と同等以上の抵抗率の導電層（シード層）を有した基板に対して、より均一な膜厚で、全面に亘って膜質の良好なめっき膜を成膜できるようにする。
【解決手段】基板保持部で保持した基板表面の周縁部に当接して該周縁部をシールするシール材９０と、基板保持部で保持した基板の表面に形成した導電層に接触して通電させるカソード接点８８と、内部にめっき液に浸漬させるアノード９８を収納し、基板保持部で保持した基板と対向する開口端部に多孔質構造体１１０を配置してめっき液室１００を区画形成したハウジング９４を有し、めっき液室１００は仕切り板１５０で複数の部屋１５４ａ，１５４ｂに仕切られ、アノード９８は複数に分割された分割アノード９８ａ，９８ｂから構成されて、各分割アノード９８ａ，９８ｂはめっき液室１００の各部屋１５４ａ，１５４ｂの内部に独立しためっき電流が流せるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ拡散メッキ鋼板においては、表面の接触抵抗値が高い場合がある、電池の特性を悪くする場合がある、といった問題がある。本発明は、これらの不良の原因である、Ｎｉ拡散メッキ層、特に表層付近に濃化する不純物を極限まで低下させる方法に関する。
【解決手段】メッキ液中の不純物に加えて、鋼板の不可避的不純物あるいは材質発現のために添加する元素が、拡散焼鈍中にＮｉメッキ層の微小欠陥部や結晶粒界部を通じて表層に濃化する。本発明は、対極を純Ｎｉとした無光沢ワット浴による電気メッキ後、拡散焼鈍処理を行い、Ｎｉ拡散メッキ鋼板とした後、調質圧延を行うＮｉ拡散メッキ鋼板の製造方法において、拡散焼鈍後、調質圧延前に酸水溶液による処理を行い、上記Ｎｉ拡散メッキ鋼板のＮｉ拡散メッキ層表層に濃化した不純物を除去することを特徴とする高純度Ｎｉ拡散メッキ鋼板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】異物埋収性の向上を図ることができ、ひいては非焼付性の向上を図る。
【解決手段】基材を構成する軸受合金２の表面に被覆層６を設けたすべり軸受において、被覆層６は、摺動面側の表面から見て樹脂領域部３と軟質金属領域部４とが混在した複合化領域部５を有する構成とする。軟質金属領域部４は、軟質金属が主体の領域で、樹脂領域部３に比べて柔らかいため、異物埋収性に優れる。表面から見てこのような軟質金属領域部４と樹脂領域部３とが混在しているため、樹脂領域部３のみに比べて異物埋収性を向上でき、ひいては非焼付性の向上を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板（チップ）間を接合するメッキ金属が均一に析出され、生産性が良い接合構造体を提供する。
【解決手段】カソード１９ａ，１９ｂ及びこの近傍に配置されるアノード２０ａ，２０ｂを有する第１のチップ４を複数備えたウエハ２と、カソード３４ａ，３４ｂを有し第１のチップ４と接合して接合構造体を形成する第２のチップ５を複数備えたウエハ３とを、電解メッキ液に浸漬した状態で第１のカソード１９ａ，３４ａとアノード２０ａとの間、並びにカソード１９ｂ，３４ｂとアノード２０ｂとの間を通電し、析出したメッキ金属により接合部２３を一括に形成し、それぞれに接合構造体を得る。 （もっと読む）

【課題】 上面を開放されためっき槽を備えためっき装置において、撹拌棒による撹拌とは異なる方法により、めっき液をリフレッシュすることができるようにする。
【解決手段】 めっき槽１内において、アノード電極７と半導体ウエハ９との間にはめっき液流入兼整流構成体１０が垂直に配置されている。めっき液流入兼整流構成体１０は、貫通孔１６およびめっき液流入孔１７を有するめっき液流入板１２の両面に多数の微小孔を有する第１、第２の整流板１３、１４が設けられ、第１の整流板１３の外面に貫通孔２３を有する電場遮蔽板１５が設けられた構造となっている。そして、めっき液流入板１２の貫通孔１６内に流入されためっき液２２の大部分は、第１の整流板１３の微小孔を介して第１の整流板１３に対して垂直な横方向に流出され、半導体ウエハ９の表面に当接される。なお、めっき槽１を密閉構造とし、水平にして複数積層するようにすることもできる。 （もっと読む）

【課題】はんだと導体の界面に脆性の高い金属間化合物層が成長するのを抑制し、高温保持環境下においてもはんだ接続部の接合強度が低下することのないはんだめっき導体及びその製造方法を提供するものである。
【解決手段】本発明に係るはんだめっき導体は、導体１の周りにはんだめっき層４を設けたものであり、導体１とはんだめっき層４の間に、内層側のＮｉ層２と、外層側のＮｉとＳｎ（又はＮｉとＳｎとＣｕ）の金属間化合物層３とで構成される０．４〜３．０μｍの中間層を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 シリンダのサイズを問わずにブツやピット等の欠陥を生じることなくシリンダの全長に亘ってより均一な厚みの銅メッキを施すことができ、シリンダの両端部近傍が直胴部に比べて厚くメッキされるのを大幅に抑止して、事後的にメッキの厚みを均一化する研磨等の処理を不要乃至簡略化することのできるシリンダ用メッキ方法及び装置を提供する。
【解決手段】 長尺シリンダの外周表面に不溶性電極を用いてメッキを施すようにしたシリンダ用メッキ方法であって、前記不溶性電極を多数の分割電極に分割するとともに前記シリンダの長手方向の少なくとも両端部近傍に対応する前記不溶性電極部分をそれぞれ少なくとも３つの分割電極群に分割し、各分割電極群が１個以上の分割電極を有し、該分割電極群の電位を制御して該シリンダの両端部外周表面のメッキ層の厚みを調整するようにした。 （もっと読む）

【課題】表面の凹凸量が７μｍ以下であるフィルドビアを形成できるめっき方法を提案する。
【解決手段】 可撓性を有する絶縁性接触体が直接接触することにより、バブリングやめっき液を基板に噴射する攪拌方法に比べて拡散層（めっき成分や添加剤濃度が薄い領域）を薄くすることができる。このため、バイアホール内部（凹内）を除く被めっき表面には、攪拌方法よりめっき液成分中に含まれている抑制剤が多くつきやすい。それに対し、バイアホールの内部（凹内）はバイアホール（凹）の深さ分拡散層の厚さが厚いので、攪拌方法と同様に抑制剤が付き難い。それ故、バイアホール内部（凹部）はそれ以外の部分に比してめっき膜の成長速度が速くなり、入り込み量の小さいめっき層ができる。 （もっと読む）

【課題】 連続的にめっきすることによって所望の厚みまで形成される積層構造の銅めっき被膜において、最終めっき近傍の層厚を適切な厚みにコントロールすることによって、銅めっき表面にニッケル等に異種金属層を形成することなく、封止樹脂を硬化させるための熱履歴によって剥離が発生しないＣＯＦを提供することが可能な金属被覆ポリイミド基板を提供する。
【解決手段】 ポリイミドフィルム表面にスパッタリング法によって形成した金属層の表面に、複数の電解槽により銅めっき被膜が施され、さらに前記銅めっき被膜表面に錫めっき被膜が施された金属被覆ポリイミド基板であって、前記銅めっき被膜表面に膜厚ｔの錫めっきを施すに際し、該銅めっき表層から少なくとも深さ３ｔまでの領域に同一の電解槽で電気銅めっきが施されたことを特徴とする。 （もっと読む）