【課題】銅又は銅合金からなるリード基材のみならず、鉄―ニッケル合金からなるリード基材に形成された純錫メッキ層であってもウィスカの発生を抑制可能な電子部品の外部リード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】所定のリード基材１６上に２重のメッキ層を有する、電子部品の外部リード１４において、前記２重のメッキ層の一方の層が光沢錫メッキ層１８からなり、他方の層が無光沢錫メッキ層２０からなる電子部品の外部リード１４とする。 （もっと読む）

【課題】表面処理層にクロムを含まず、プリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等に優れる表面処理銅箔を提供する。
【解決手段】上記課題を達成するため、絶縁樹脂基材と張り合わせて銅張積層板を製造する際に用いる銅箔の張り合わせ面に表面処理層を設けた表面処理銅箔であって、当該表面処理層は、銅箔の張り合わせ面に亜鉛成分を付着させ、融点１４００℃以上の高融点金属成分を付着させ、更に炭素成分を付着させて得られることを特徴とする表面処理銅箔を採用する。そして、少なくとも、この表面処理銅箔の高融点金属成分及び炭素成分の形成には、物理蒸着法を用いる。 （もっと読む）

処理剤を用いる製品Ｌの電解処理用装置は、板形状をした製品の処理をより均一にするために用いられる。この装置は、上記装置内で製品Ｌを保持するための機械装置４０、４２と、一つ又は複数の流量装置１０であって、各々少なくとも一つのノズル１５を有しており且つ製品Ｌに向かい合った位置に置かれる流量装置１０と、一つ又は複数の対向電極３０であって、処理剤に不活性であり且つ少なくとも一つの処理表面と平行に置かれる対向電極３０と、一方では製品Ｌと他方では流量装置１０及び／又は対向電極３０との間において処理表面に対して平行な少なくとも一方向に相対運動を発生するための手段４４とを有する。製品Ｌは処理中処理剤内に浸漬され得る。
（もっと読む）

【課題】高温環境下に曝されても良好なはんだ付け性及び低接触抵抗を保持し且つ低挿抜性であるＳｎめっき材を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金の表面に下地Ｎｉめっき層、中間Ｓｎ−Ｃｕめっき層及び表面Ｓｎめっき層を順に有するＳｎめっき材であって、下地Ｎｉめっき層はＮｉ又はＮｉ合金で構成され、中間Ｓｎ−Ｃｕめっき層は少なくとも表面Ｓｎめっき層に接する側にＳｎ−Ｃｕ−Ｚｎ合金層が形成されたＳｎ−Ｃｕ系合金で構成され、表面Ｓｎめっき層はＺｎを５〜１０００質量ｐｐｍ含有するＳｎ合金で構成されるＳｎめっき材。 （もっと読む）

【課題】主として車載用・民生用の電気配線に使用されるＰＣＢ端子であって、コネクタへの挿入に際しての挿入力の低減と、基板側への半田付け部の半田濡れ性の向上に優れたＰＣＢ端子及びその製造方法の提供である。
【解決手段】本発明は、嵌合部の摩擦係数が０．２６以下で、半田付け部のエージング（ＰＣＴ：１０５℃、相対湿度１００％）後のゼロクロスタイムが５秒以下であることを特徴とするＰＣＢコネクタ用オス端子及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】膜厚の均一なめっき層を精度よく形成することができるめっき装置を提供すること。
【解決手段】めっき液に浸漬させたアノード７と、カソードとなる被めっき基板８との間に流れる電流に対して抵抗を付与する抵抗付与手段６が、前記アノード７と前記被めっき基板８との間に設けられていることを特徴とする。すなわち、抵抗付与手段６によって、アノード７と被めっき基板８との間を流れる電流に対して抵抗が付与され、そのため、被めっき基板８に対して膜厚の均一なめっきを施すことができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ工程後のめっき膜の欠陥数の低減された、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】微細パターンに形成された凹部と微細パターンと比較して幅広に形成された凹部とを含む基板上に、シード膜を形成する工程と、促進剤と抑制剤とを含むめっき液を用いて、凹部を埋設する電解めっき工程とを含む製造方法において、電解めっき工程が、第一の電流密度で微細パターンに形成された凹部を埋設する第一の電解めっき工程と、電解めっき工程と異なる極性の電流を第二の電流密度で通電する第一の逆バイアス工程と、第一の電流密度より大きい第三の電流密度で第二の電解めっきを行う工程と、第四の電流密度で通電する第二の逆バイアス工程と、第一の電流密度より大きい第五の電流密度で第三の電解めっきを行う工程とを含み、第二の逆バイアス工程における積算電流量の絶対値が第一の逆バイアス工程における積算電流量の絶対値よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】知られているターボ機械の部品の補修方法の欠点を有しておらず、チタニウム製のファンブレード根元部または脚部などの表面部分の表面再生に関する特定の課題を解決することができる補修方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、可動ターボ機械ブレードの表面部分を補修する表面再生の方法に関する。方法は、金属粒子が電気分解によって上記表面に堆積させられることを特徴とする。電気分解は、パッドによる電気分解、槽中またはマイクロ槽での電気分解、あるいはこれらの組み合わせを含む形式の電気分解である。
本発明は、摩擦によって摩耗したチタニウムまたはチタニウム合金製のブレード根元部の表面部分の表面再生に、有利に適用される。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド樹脂の表面に、過マンガン酸塩処理などによる樹脂の表面粗化処理および錫を含む触媒付着処理を必要とせず、均一かつ密着性に優れためっき皮膜を提供する。
【解決手段】ポリイミド樹脂を、陰イオン性界面活性剤、有機溶媒およびアルカリ成分を含む前処理溶液で処理し、その後、特定ｐＨ値の貴金属イオン含有溶液により処理し、無電解めっき処理を行う。 （もっと読む）

本発明は、板金部材を製造するための方法であって、熱延又は冷延鋼帯が溶融浸漬めっき又は電解めっきされ、めっきされた熱延又は冷延鋼帯はフレキシブルロール圧延処理され、フレキシブルロール圧延処理中、異なるロール圧力によって、鋼帯が肉厚の異なる板金となるようにフレキシブルロール圧延され、めっき時に、前記フレキシブルロール圧延後の板金肉厚に対応して、また、前記フレキシブルロール圧延時のロール圧力に対応して、異なる厚さのめっき層が形成され、その際、ロール圧力に応じ、ロール圧力の高まりが予測されると、めっき層厚さを厚く形成する処理、又は前記めっき層に対して、前フレキシブルロール圧延の前又は後に所望の放射率又は熱吸収率を付与するための機械的又は化学的表面処理、あるいはその両方の処理が施される。
（もっと読む）

【課題】良好な耐熱性と挿抜性を併有するめっき材料を提供する。
【解決手段】本めっき材料は、導電性基体１の表面に、周期律表４族、５族、６族、７族、８族、もしくは９族に含まれるいずれか１種の金属またはそれを主成分とする合金から成る下地めっき層２と、ＣｕまたはＣｕ合金から成る中間めっき層３と、ＳｎまたはＳｎ合金から成る表面めっき層とをこの順序で形成したものである。 （もっと読む）

【解決手段】図（ｃ）に示すように、パレット１２に載ったままの円筒部材１１に、めっき液噴射管１７を上から挿入し、このめっき液噴射管１７から噴射しためっき液で円筒部材１１の内部をめっき処理する。用済みのめっき液は、下部排液路１５を介して下へ排出すると共に、上部排液路１８を介して上へ排出する。
【効果】めっき処理中に噴射後のめっき液は上と下とに排出される。この結果、円筒部材１１の上部と下部のめっき膜厚は、同一になる。また、めっき処理後は、下部開口閉塞部材１４の上面からめっき液を抜くため、排出中のめっき液がパレット１２やシリンダブロックのスカート２２に付着する心配が無く、めっき液の無駄使いを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 最表面が金めっき層である導体層が搭載部に形成されていたとしても、接着剤を介して電子部品を搭載部に強固に固定することが可能で、信頼性に優れた電子装置の作製が容易な電子部品搭載用基板を提供する。
【解決手段】 絶縁基体１上の電子部品の搭載部１ａに、最表面が金めっき層２ａである導体層２が形成され、金めっき層２ａ上に電子部品５が搭載され接着剤６を介して固定される電子部品搭載用基板９であって、金めっき層２ａの下地めっき層２ｂが、一部が金めっき層２ａの表面に露出したセラミック粉末４を含有している。表面に露出したセラミック粉末４により接着剤６を金めっき層２ａの表面に強固に接着させることができるため、接着剤６を介して電子部品５を搭載部１ａに強固に接合することができる。 （もっと読む）

【課題】電気めっき法による磁性膜を製造する際に、磁性膜の成長が早く、かつ、異常析出の形成を防止する磁気記録装置の製造方法を提供する。
【解決手段】被めっき体１の基板１１上に磁性膜１３をめっき法で形成する磁気記録装置の製造方法において、前記磁気記録装置の製造方法は、磁性膜１３を析出させる析出工程と、磁性膜１３に発生する異常析出１４を除去する溶解工程とを有する。生産性の高いＤＣめっき法を用いて磁性膜１３を析出、成長させて、このときに、生ずることがある異常析出１４を除去する。これによって、高生産性と磁性膜の安定した特性の両方を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ下に電解メッキにより形成される柱状電極の高さのばらつきを軽減する。
【解決手段】 カップ状のめっき槽１の周壁上部の等間隔で離間する４領域には第１〜第４のめっき液流出ノズル９ａ〜９ｄが設けられている。そして、めっき槽１内の下部中央部に設けられためっき液噴出ノズル６からめっき液４をめっき槽１内に噴出させるとともに、第１〜第４のめっき液流出ノズル９ａ〜９ｄから順次めっき液４を水平に流出させる。これにより、半導体ウエハ１８の下面に対するめっき液４の主な流れ方向が順次変化し、半導体ウエハ１８の下面全体に対するめっき液４の流れが均一化され、めっきの均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】エッジ部を有する樹脂成形品に電気めっきを行うに当たって均一な厚みの電気めっき膜を形成することができ、めっき金属粉落下による外観不良を防止できる樹脂めっき成形品の製造方法及びこの方法に用いられる被めっき樹脂成形品を提供。
【解決手段】モールディン形状の本体部１０と、エッジ部１１の近傍にエッジ部１１に対して非接触で配置される犠牲部１５とを一体に有する被めっき樹脂成形品としての樹脂成形品１を形成する工程と、樹脂成形品１に無電解めっきを施した後に、樹脂成形品１を陽極電極を備えた電気めっき槽に浸漬し、陽極電極に陽極電圧を印加し、樹脂成形品１に陰極電圧を印加することにより、電気めっきを行うめっき工程と、犠牲部１５を樹脂成形品１から除去する除去工程とをもつ。犠牲部１５は、本体部１０の非意匠面１９から延設されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】鉛フリーのめっき材料を採用しながら、めっき層１６にウィスカが発生するのを抑制でき、かつはんだ付け性も良好なるめっき部材を得る。
【解決手段】基材１５の表面に鉛フリーの材料（Ｓｎ−Ｃｕ合金等）からなるめっき層１６を有するめっき部材において、前記めっき層１６は２層以上の層構造（ａ１〜ａ３）とされており、各層を形成するめっき粒子（Ｐ１〜Ｐ３）の平均粒径は各層ごとに異なっており、かつ単位体積２０を最大平均粒径のめっき粒子Ｐ３で充填したと仮定したときの単位体積に対するめっき粒子が占める割合をめっき粒子体積率１００％と定義したときに、前記めっき層１６のめっき粒子体積率を８０〜９０％とする。 （もっと読む）

【課題】
接着剤を用いないメッキ法２層銅ポリイミド積層フィルムにおいて、ポリイミドフィルムと該ポリイミドフィルム上の導電性金属層との界面における密着耐久性、即ち常態密着力、耐熱密着力および高温高湿密着力に優れたメッキ法２層銅ポリイミド積層フィルムとその製造方法を提供する。
【解決手段】
ポリイミドフィルムの片面または両面に、金属蒸着層を設け、その金属蒸着層上に銅からなる導電性金属層を積層し一体化したメッキ法２層銅ポリイミド積層フィルムであって、その導電性金属層をエッチングにより除去した後の表面改質深さ指数が２５以下であり、そしてその表面改質強度指数が１．１以上のメッキ法２層銅ポリイミド積層フィルム。
（もっと読む）

【課題】ポリアミド樹脂成形体を有する構造部材（樹脂ブラケット等）において、そのポリアミド樹脂成形体が、水分や塩化カルシウム等と接触しないようにすることができる構造部材およびそれを用いた防振装置を提供する。
【解決手段】ポリアミド樹脂を主成分とし繊維状補強材を含有するコア層２１が、ポリアミド樹脂を主成分とするスキン層２２により被覆された樹脂ブラケット２と、この樹脂ブラケット２の表面に被覆されているめっき膜１とを備え、上記樹脂ブラケット２のスキン層２２の表面が、スキン層２２内に含有された、酸，アルカリ，水または有機溶剤に溶解する溶解性成分６の溶解跡の穴部６ａの存在により粗面に形成されている。 （もっと読む）

【課題】
基板へのはんだ付け性が良好で、保管時、リフロー時、およびFPCまたはFFCへのかん合時に、端子部にウィスカが発生しない、鉛フリーのコネクタに必要な金属条を提供しする。
【解決手段】
金属条の母材金属上にNiめっきを施し、その上にCuめっき、さらにその上にSnめっきを施す。前記Cuめっきの厚さは、（Cuめっき＋Snめっき）に対するCuめっきの割合が3〜7mass％となるようにする。前記SnめっきにZn, Al, Si, Mg, Tiのうちの1種以上の金属を1mass％以下含有させる。前記の特徴を有するコネクタをSnの融点以上の温度で熱処理することにより、Niめっき層とSnめっき層との間にCu-Sn化合物層を形成する。 （もっと読む）