【課題】曲げ加工時にクラックの発生が抑制され、更には、モールド樹脂との密着性に優れたリードフレームを提供する。
【解決手段】素材金属１０の表面に下地めっき層を介して貴金属めっき層１３が形成されたリードフレームにおいて、下地めっき層を、素材金属１０上に極性反転成分を有しない直流電流又はパルス電流を用いてめっきされた平滑Ｎｉめっき層１１と、平滑Ｎｉめっき層１１の上に極性反転パルスを含む電流を用いてめっきされた粗面化Ｎｉめっき層１２とによって形成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、裏廻りの発生を効果的に抑えることのできる電解処理装置の提供。
【解決手段】電解液が貯留され、内部をアルミニウムウェブＷが搬送される電解槽１と、アルミニウムウェブＷの電解槽１中における搬送経路Ｐに沿って搬送経路Ｐの上方に配設され、直流または交流が印加される電極２と、搬送経路Ｐの下方に位置するように、電解槽１の内部における電極２の下方に配設された絶縁シート３と、絶縁シート３の下方に設けられ、絶縁シート３に向かって電解液を噴上げる噴上げノズル７と、を備える電解処理装置。 （もっと読む）

【課題】限界電流を増加させ金属イオンの析出速度を向上させることができ、特に被めっき基板の表面に形成された深い穴や溝に対して、入り口の閉塞により内部に空隙が生じさせないで、内部を金属めっき膜で埋めるのに好適なめっき方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき液２０に、被めっき基板１７とアノード１８を接触させ且つ対向させて配置し、めっき電源２１から電圧を印加し、該被めっき基板１７の表面に形成された該溝及び／又は穴を埋め込むめっき方法において、溝及び／又は穴の深さを代表長とした場合の、穴の内部におけるめっき液のレイリー数が、溝及び／又は穴の深さをＬ、幅Ｄとしたときに、そのアスペクト比をＡ（Ｌ／Ｄ）として９６．８×Ａ⁴以上、８．６４×１０⁵未満の値をとるように該めっき液に該被めっき基板の基板表面から基板裏面方向にかかる加速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁板と帯状体との間隔を狭めても帯状体の傷付きや搬送不良が生じることのない電解処理装置および電解処理方法を提供する。
【解決手段】電解液が貯留され、内部をアルミニウムウェブＷが搬送される電解槽１と、アルミニウムウェブＷの電解槽１中における搬送経路ａに沿って搬送経路ａの上方に配設され、直流または交流が印加される電極２と、電解液よりも比重が小さく、搬送経路ａに沿って搬送経路ａの下方に浮遊した状態で配設された絶縁板３と、を備える電解処理装置。 （もっと読む）

本発明は、被酸化性金属または被酸化性金属合金または金属酸化物の層を、亜鉛または亜鉛合金で予め被覆された金属ストリップ上に真空中で蒸着すること、被覆された金属ストリップを巻回すること、亜鉛または亜鉛合金層のすべてまたは一部において、被酸化性金属または被酸化性金属合金の拡散によって形成された合金の層を上部に含むコーティングを有するストリップを得るために、巻回された金属ストリップに静的拡散処理を適用することを含む金属ストリップを被覆する方法に関する。本発明は、また、前記方法を実行するための装置に関する。 （もっと読む）

【課題】ロジウムめっき物と同等の硬度、接触抵抗、色調などの特性を有するめっき物を、ロジウムめっき物よりも経済的に提供することを目的とする。
【解決手段】基材上に、電気めっきにより形成されてなるルテニウムとパラジウムとの合金のめっき膜を有するルテニウム−パラジウム合金めっき物であって、該めっき膜がルテニウムが３５重量％以上、６５重量％以下、残部がパラジウムからなることを特徴とするルテニウム−パラジウム合金めっき物。 （もっと読む）

【課題】めっき膜の成膜が進んでも、被めっき面の表面電位と所望する表面電位との誤差が生じることを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、半導体基板１に形成されたシード膜２０を、めっき液３２に接触させる工程と、シード膜２０にカソード電極５４を接続し、シード膜２０とめっき液３２中のアノード電極４０との間で電流を流すことにより、シード膜２０上にめっき膜２２を形成する工程と、を備え、めっき膜２２を形成する工程において、めっき液２０中に挿入された参照電極３４とカソード電極５４との間の電位差、またはカソード電極５４とアノード電極４０の電位差を、時間の経過と共に徐々に下げる工程を有する。 （もっと読む）

【課題】めっき処理した半導体基板のめっき膜の形成ばらつきを抑えることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】めっき処理槽１内に設置されたアノード電極設置槽２に設けられたフィルタ（Ｃ）８の表面に滞在する気泡を、フィルタ（Ｃ）８を振動させることによって離脱させ、電界めっき膜の形成に大きく影響を及ぼす電界の変化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 コネクタ、端子、リレ−、スイッチ等の導電性ばね材として好適な、耐磨耗性に優れたすずめっき条。
【解決手段】 銅合金条の表面に、下地めっき、Ｓｎめっきの順で電気めっきを施し、その後リフロー処理を施しためっき条であり、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の平均窒素濃度が０．０１〜０．１質量％、Ｃｕ−Ｓｎ合金層の厚みが０．４〜２．０μｍ、純Ｓｎ厚みが０．５μｍ以上であり、かつ母材のビッカース硬さ、リフロー後に得られるＣｕ−Ｓｎ合金層の厚み（μｍ）、及びＣｕ−Ｓｎ合金層の平均窒素濃度（質量％）が下記の関係にある耐磨耗性に優れる銅合金すずめっき条であり、下地がＣｕの場合、Ｓｎ層厚み０．５〜１．５μｍかつＣｕ層厚み０〜０．８μｍであり、Ｎｉの場合、Ｓｎ層厚み０．５〜１．５μｍかつＮｉ層厚み０．１〜０．８μｍであることが好ましい。
（Ｃｕ−Ｓｎ合金層厚み）＞２．６３−０．００８０×（母材のビッカース硬さ）−９×（平均窒素濃度） （もっと読む）

【課題】はんだ性及び接触信頼性を損なうことなく、内部応力に起因するウイスカの発生を抑制するとともに、外部応力に起因するウイスカの発生をも抑制するめっき層及びその形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】めっき層に厚みが必要なリード部には、めっきを厚めに皮膜し、めっき層の厚みがリード部ほど必要でなく、むしろ外部応力に起因するウイスカの抑制効果を重視する必要のある接点部のめっき層は薄くする。めっき液浸漬処理後に高温処理をおこなうが、このときめっき層に供給する熱量は、リード部ははんだ性を確保するのを第一義にし、ウイスカ対策は内部応力の除去が達成できる溶融状態未満の熱処理をおこない、接点部は、溶融しためっき材料の表面張力による形状変化はむしろ利点として作用するので、一旦めっき層を溶融させて内部応力の除去を完璧にできるリフロー処理をおこなう。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ等の被めっき体（基板）にめっきを行う場合に、高電流密度の条件であっても平坦な先端形状のバンプを形成したり、良好な面内均一性を有する金属膜を形成したりすることができるめっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】めっき液Ｑを保持するめっき槽１０と、めっき槽１０内のめっき液Ｑに浸漬させて配置されるアノードと、被めっき体Ｗを保持しアノードと対向する位置に配置するホルダと、格子部３２ｂを有する板状部材からなり、アノードとホルダで保持した被めっき体との間に配置され該被めっき体と平行に往復移動してめっき液を攪拌するパドル３２と、パドル３２を駆動するパドル駆動部４２を制御する制御部４６を有する。 （もっと読む）

【課題】 簡便にビアを形成することができるスルーホールフィリング方法を提供する。
【解決手段】 基板の表面、裏面およびスルーホール内の側面に給電用金属膜を形成した後、基板の表面および裏面を陰極として金属メッキ膜を形成する。その後、表面を陰極として裏面を陽極としてメッキ金属層を形成する工程と、表面を陽極として裏面を陰極としてメッキ金属層を形成する工程とを繰り返し行う。その結果、表面および裏面に比べて相対的に早くスルーホール内にメッキ金属を析出させることができる。 （もっと読む）

【課題】金属模様または金属文字を有する曲面または平面体の製造方法およびそれによる曲面または平面体を提供する。
【解決手段】金属製曲面または平面体の模様または文字の被作成表面の全面に印刷インキまたは塗料によりマスキングをする第１工程と、該マスキング面にレーザー照射により模様または文字を形成する第２工程と、該形成された模様または文字部に電解メッキまたは無電解メッキによる金属メッキを、前記マスキング面より盛り上がるように施す第３工程と、必要により、前記金属メッキされた模様または文字部以外の面に化粧コートをする第４工程よりなる金属模様または金属文字を有する曲面または平面体の製造方法、およびそれによる曲面または平面体。 （もっと読む）

【課題】均一なメッキ厚さを得ることにより、メッキの信頼性が向上し、高品質のメッキ製品を生産することができるメッキ装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を一括でメッキする装置において、複数の基板２８が投入されるメッキ槽１２と、複数の基板２８のメッキ面それぞれと対向するように結合されるアノード１８と、複数の基板２８がそれぞれ隔離されるようにメッキ槽１８を区画する分離隔壁２０と、を含み、複数の基板２８が各々独立的に独立したメッキ領域にてメッキされるようにして、アノード１８から遊離された金属イオンが、そのアノード１８に隣接したアノード１８と対向している基板２８に到達することを防止することを特徴とするメッキ装置。 （もっと読む）

【課題】構成材料と犠牲材料の両方の着電に基づいて多層３次元構造を形成する。
【解決手段】めっきされる基板２に、マスク６および支持体８を含む第１の物品４ａを接触させ、第１の金属イオン源が存在している状態で、第１の金属（例えば犠牲金属）１２を堆積し、マスク１６および支持体１８を含む第２の物品１４を基板２に接触させ、第２の金属イオン源が存在している状態で、第２の金属（例えば構成金属）２０を堆積し、層を平坦化する。そして、異なるパターンの電気めっき物品４ａ、４ｂ、１４ａ、１４ｂを用いて上記した方法を繰り返し、多層構造２４を生成する。犠牲金属１２の全てをエッチングすることによって、エレメント２６を得る。 （もっと読む）

【課題】プレス加工時等の加工性を良好に保ちつつ、接点の繰り返し開閉動作においても銀被覆層が剥離せず、かつ長期間の使用においても接触抵抗の上昇が抑えられて長寿命の可動接点が得られる、可動接点用銀被覆複合材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】可動接点用銀被覆複合材料１００は、鉄またはニッケルを主成分とする合金からなる基材１１０と、基材１１０の表面の少なくとも一部に形成されたニッケル、コバルト、ニッケル合金およびコバルト合金の何れか１つからなる下地層１２０と、下地層１２０の上に形成された銅または銅合金からなる中間層１３０と、中間層１３０の上に形成された銀または銀合金からなる最表層１４０とを備え、下地層１２０が厚さ０．０４μｍ以下となっている。 （もっと読む）

【課題】マスクベルトのようなマスク部材を使用して被めっき材の一部にめっきを施す場合にめっき膜厚の均一性を向上させることができる、めっき方法およびその装置を提供する。
【解決手段】搬送される被めっき材としての帯板状の条材２０の両面のめっきを施さない部分（非めっき領域）に一対の無端環状マスクベルト２２を順次密着させて覆いながら、連続的に条材２０に向けてめっき液を流して、条材２０の一部にめっきを施す際に、条材２０の搬送方向と逆方向に所定の角度だけ傾けて、好ましくは条材の搬送方向と逆方向から１５°〜５０°だけ傾けて、条材２０に向けてめっき液を流す。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置との電気的接続の信頼性を厳しく要求されることの多いフレキシブルプリント配線板の先端および後端におけるボンディングパッドの表面などに施されるＡｕめっきやＡｕ／Ｎｉ２層めっき等の厚さが厚くなる方向でばらつくことを解消する。
【解決手段】 このダミーテープ１３は、フレキシブルプリント配線板１１を巻回してなるロール１５の先端および後端にそれぞれ接合され、導体パターン１２と電気的に接続されるダミー導体パターン９を備えており、かつそのダミー導体パターン９が、フレキシブルプリント配線板１１における電解めっきの対象となる導体パターン１２の導体断面積よりも大きな断面積を有するものとなるように、導体パターン１２の厚さよりも予め厚く形成されている。 （もっと読む）

【課題】熱衝撃耐性が高く、平滑な基板との密着性に優れる金属膜又は金属パターンを簡便な工程により形成しうる表面金属膜材料の作製方法、及び金属パターン材料の作製方法を提供すること。
【解決手段】（ａ１）基板上に、めっき触媒又はその前駆体と相互作用する官能基、及びメソゲン基を有し、該基板に直接化学結合したポリマーからなるポリマー層を形成する工程と、（ａ２）該ポリマー層にめっき触媒又はその前駆体を付与する工程と、（ａ３）該めっき触媒又はその前駆体に対してめっきを行う工程と、を有することを特徴とする表面金属膜材料の作製方法、及び、該表面金属膜材料の作製方法で得られた金属膜をパターン状にエッチングする工程を有する金属パターン材料の作製方法。 （もっと読む）

【課題】積層型磁器コンデンサのような電子部品の電極に対する錫電解めっきにおいて、めっき膜の平滑性を高めて酸化を抑制し、チップ部品同士の「くっつき」を少なくして製品歩留りを高め、電流効率を高めて生産性を向上させる錫電解めっき液、錫電解めっき方法、および錫電解めっき電子部品の提供。
【解決手段】分岐したアルキル基を持つノニオン界面活性剤を単独で、又はカチオン界面活性剤とともに、さらにはアルキルイミダゾールとともに含有する錫電解めっき液。これを用いた錫電解めっき方法、その方法で得られた錫電解めっき電子部品。 （もっと読む）