【課題】
基板へのはんだ付け性が良好で、保管時、リフロー時、およびFPCまたはFFCへのかん合時に、端子部にウィスカが発生しない、鉛フリーのコネクタに必要な金属条を提供しする。
【解決手段】
金属条の母材金属上にNiめっきを施し、その上にCuめっき、さらにその上にSnめっきを施す。前記Cuめっきの厚さは、（Cuめっき＋Snめっき）に対するCuめっきの割合が3〜7mass％となるようにする。前記SnめっきにZn, Al, Si, Mg, Tiのうちの1種以上の金属を1mass％以下含有させる。前記の特徴を有するコネクタをSnの融点以上の温度で熱処理することにより、Niめっき層とSnめっき層との間にCu-Sn化合物層を形成する。 （もっと読む）

【課題】冷却部材からのＣｒめっき層の剥がれを抑制、更には防止して、冷却部材を保護することにより、従来よりも長寿命化を図ることが可能な連続鋳造用鋳型を提供する。
【解決手段】上下方向に貫通した空間部１１を形成する冷却部材１２を有し、空間部１１に溶鋼を供給して冷却しながら鋳片を製造する連続鋳造用鋳型１０において、冷却部材１２の溶鋼接触面側１３で、溶鋼の湯面位置を基準として冷却部材１２の上端までまたは上方向に少なくとも１００ｍｍまで、かつ下方向に少なくとも１００ｍｍまでの範囲内には、複数層のＣｒめっき層１４、１５が設けられ、しかも積層されたＣｒめっき層１４、１５のうち少なくとも最表層のＣｒめっき層１４に、５０ＭＰａ以上３００ＭＰａ以下の圧縮の残留応力が加えられている。 （もっと読む）

【課題】めっき槽内の電流密度分布を均一に調整し且つめっき液の流れを調整してめっき膜厚均一性とめっき表面の均一性を高めるめっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】めっきユニット３０内に保持されるめっき液Ｑをアノード１０側と基板Ｗ側に遮断するように設置され抵抗体Ｒを保持する抵抗体ホルダ６０と、抵抗体Ｒを経由しない電気経路を遮断するシール１７０と、基板Ｗと抵抗体Ｒとの間の隙間Ｓ１にめっき液を噴射して流通させるめっき液噴射口１８３Ａ，Ｂと、抵抗体Ｒ及び抵抗体ホルダ６０で区画されたアノード領域Ａ２及び基板領域Ａ１内にそれぞれめっき液を循環させるめっき液循環系２５０，２６０とを具備する。オーバーフロー槽４０に、基板領域Ａ１とアノード領域Ａ２からそれぞれオーバーフローするめっき液を遮断する仕切り部材を設ける。 （もっと読む）

【課題】電解銅箔の防錆処理層にクロムを用いることなく、プリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等の良好な表面処理銅箔の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するため、絶縁樹脂基材に対する電解銅箔の張り合わせ面に防錆処理層とシランカップリング剤層とを備える表面処理銅箔において、当該防錆処理層３は、重量厚さ５ｍｇ／ｍ^２〜５０ｍｇ／ｍ^２のニッケル合金層と、重量厚さ５ｍｇ／ｍ^２〜４０ｍｇ／ｍ^２のスズ層とを順次積層したものであり、当該防錆処理層３の表面にシランカップリング剤層４を備えることを特徴とする表面処理銅箔５を採用する。また、本件発明に係る表面処理銅箔５（粗化処理を備えないものに限る）の絶縁樹脂基材に対する張り合わせ面上に、換算厚さが１μｍ〜５μｍの極薄プライマ樹脂層６を備えたことを特徴とする極薄プライマ樹脂層付表面処理銅箔１等を採用する。 （もっと読む）

【課題】めっき後の超音波洗浄の洗浄力を確保しつつ、リードフレームの表面に残留する洗浄水の量を減らすことでめっき被膜の表面に厚い酸化膜が形成されるのを防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】リードフレームの表面にめっき被膜を形成するめっき工程と、めっき工程の後に、リードフレームを温度が５０℃以下の洗浄水に浸して超音波洗浄を行う第１の超音波洗浄工程と、第１の超音波洗浄工程の後に、リードフレームを温度が６０℃以上の洗浄水に浸して超音波洗浄を行う第２の超音波洗浄工程と、第２の超音波洗浄工程の後に、リードフレームの水切り及び乾燥を行う工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ディスク、シール要素、ブレードリテイナ、その他のロータ部品をタービンエンジンの高い運転温度での酸化及び腐食から保護する方法の提供。
【解決手段】 タービンエンジンロータ部品（３０）の被覆方法は、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム及びオスミウムからなる群から選択される１種以上の白金族金属をロータ部品上に堆積し、ロータ部品（３０）を５００℃〜８００℃の温度に加熱する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、粗化のために厚くめっきをすることなく、めっき後に凸凹の大きな表面の得られる銅合金箔を提供することにある。
【解決手段】冷間圧延した表面が凹状の形状を有し、好ましくは、冷間圧延によって圧延直角方向及び圧延平行方向の表面粗さがＲａ≧０．２μｍであることを特徴とする粗化処理用圧延銅箔である。また、粗化処理後、圧延直角方向及び圧延平行方向の表面粗さがＲａ≧０．４μｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】各種電子機器、通信機器などに用いられるプリント配線板のパターンめっき方法に関するものであり、セミアディティブ法のプロセスにおいて、パターン密度の不均一なパターンにおいて、パターン密度の疎密に起因して、めっき膜厚が不均一になるという課題を有していた。
【解決手段】めっきにより配線パターンを形成する工程において、カソード電極７のアノード電極３と対向する面にめっきレジストパターンが形成された配線パターン基板４を配置し、前記アノード電極３と前記配線パターン基板４との間に前記配線パターンを疎部１０に対応する箇所に絶縁シート６が形成されたメッシュ状のネット５を、前記配線パターン基板４全体を覆うように装着し、電解めっきを行なうことを特徴とするパターンめっき方法である。 （もっと読む）

【課題】深さの異なるビアに銅めっきを充填する際、浅いビアの開口面積を深いビアの開口面積より広くし、複雑な工程を行なうことなく、浅いビアと深いビアをフラットに埋めるめっき方法。高密度の回路を形成するには深さの異なるビアを配置し、かつ、両方の深さのビアをフラットに充填する必要がある。しかしながら、従来技術では、深い部分だけ別にめっきをする必要があったが、工程的に複雑となり、生産性、コスト、品質に悪影響を及ぼす。
【解決手段】ビアの単独の開口面積を浅いビアを深いビアより広く設計することにより、深さの異なるビアをフラットに充填する。さらに、必要に応じ、深いビアの開口面積を開口側をビア底側より広く、また、接続面積を要する部分は、深いビアについては、狭い面積のビアを並列に配置することにより対応する。 （もっと読む）

【課題】電解液やメッキ液が均一に分散されて均一な研磨面あるいはメッキ面が得られるようにする。
【解決手段】被研磨物や被メッキ物に圧接されて相対的に摺動されるパッドにおいて、被研磨物や被メッキ物に圧接される研磨層３を、超極細繊維で構成するとともに、下地層４に貫通孔４を形成し、貫通孔４を介して供給される電解液やメッキ液が、超極細繊維からなる研磨層３で均一に分散され、電流密度が均等になるようにしている。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼を除く母材ワイヤの表面に、導電性を確保するため厚さ１μｍ以上のＣｕメッキ層を有する炭酸ガス溶接用ソリッドワイヤを提供する。
【解決手段】Ｃ：０．３〜０．６ｗｔ％、Ｓｉ：１．０〜２．０ｗｔ％、Ｍｎ：０．６０ｗｔ％以下、Ｎｉ：０．６０ｗｔ％以下、Ｃｒ：７．５〜９．５ｗｔ％、Ｍｏ：０．４ｗｔ％以下、その他Ｆｅおよび不可避的不純物からなる母材ワイヤ２の表面に、厚みが０．３〜１．４μｍのＮｉメッキ層４を介して、厚みが１．０μｍ以上のＣｕメッキ層６を被覆してなる、炭酸ガス溶接用ソリッドワイヤ１。 （もっと読む）

【課題】ウエフアーのめっき膜の厚さを均一にする。
【解決手段】アノード電極３２と、前記アノード電極３２と対向するカソード電極１８を備えたウエフアーホルダー１０と、前記ウエフアーホルダー１０が装着されるカソードホルダー３と、該カソードホルダー３に設けられ、前記ウエフアーホルダー１０に保持されたウエフアーＷの外周部Ｗ１側に位置する第1カソード補助電極５と、を備えた電気めっき装置であって；前記第1カソード補助電極５の外側に間隔をおいて第2カソード補助電極６を設ける。
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【課題】コイリング特性に優れたばね用ステンレス鋼線を提供する。
【解決手段】引張強さ１５００〜３０００Ｎ／ｍｍ² の高強度ステンレス鋼線を用いた芯材と、該芯材の表面を覆うニッケルメッキ層とからなるニッケル被覆鋼線であって、前記ニッケルメッキ層は、内メッキ層，外メッキ層の複数層からなる層状メッキ組織からなり、前記内メッキ層は、前記外メッキ層と前記芯材との間に介在して両者を結合し、前記芯材の径方向にのびる柱状組織をなし、前記前記外メッキ層は、伸線による冷間加工に伴う細径化により微小片に破壊され、前記外メッキ層は、該破壊された前記微小片により内メッキ層を覆うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ウェハーの被めっき面全面でのめっき膜厚が均一となるウェハーめっき処理技術を提供する。
【解決手段】
めっき槽の開口部にウェハーを配置し、ウェハー外周側とカソード電極とを接触させ、めっき液を供給し、ウェハーに到達しためっき液がウェハーの被めっき表面の外周方向に流動させるようにして、めっき槽内にウェハーと対向させて配置したアノード電極と前記カソード電極とによってめっき電流を供給して、ウェハーにめっき処理を行うウェハーめっき方法において、前記アノード電極は、ウェハーの被めっき面と略同一形状とし、アノード電極の周縁へ複数の周縁電流供給部を設けるとともに、アノード電極の中央へ中央電流供給部を設け、前記周縁電流供給部から供給する周縁めっき電流と、中央電流供給部から供給する中央めっき電流とを調整するものとした。 （もっと読む）

【解決手段】基体上に形成された錫めっき皮膜であって、該錫めっき皮膜が２層以上の多層で構成され、上記多層のうちの１層が、上記基体に接して設けられた厚さ０．１〜２０μｍのバリア層であり、かつ他の１層が、基体から離間する側の表面部に設けられた厚さ０．１〜２０μｍの表面層であり、上記バリア層と基体との界面に形成される金属間化合物の均一性の変動係数ＣＶ値が４０％以下である錫めっき皮膜。
【効果】本発明の錫めっき皮膜は、錫−鉛合金めっきの代替として有用であり、錫皮膜において問題となるウィスカの発生を効果的に抑制したものである。そして、本発明の錫めっき皮膜は、一般的な錫めっき皮膜の作製工程とほとんど差がない簡便な、効率的な錫電気めっきで形成することができる。 （もっと読む）

めっき処理において少なくとも１つの適合可能なアノード（４０）を利用して物品（１０）にめっきを塗布する方法および装置を提供する。コーティングされる物品の領域のおおよその形状に適合するように、アノードに適切なワイヤまたは他の材料が成形される。アノードは電源（４４）によって駆動され、物品はカソードとして機能する。アノードおよび物品は、両方ともめっき槽（３８）に浸漬される。物品およびアノードは、物品の中心軸（２２）を中心に互いに対して回転される。アノードと物品との間の相対的な移動によって、アノードを通過する物品の選択領域に均一なめっき（４６）が塗布される。別のアノード（５０）を物品に対して固定して設け、他のアノードと同時に物品の別個の選択領域をめっきすることができる。
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【課題】被めっき面への気泡の滞留を確実に防止することができる電解めっき装置および電解めっき方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００を支持する保持体１０４とめっき液１０２とを水平方向に相対的に移動させる。これにより、半導体基板１００の表面に、半導体基板１００の表面に沿った力を作用させることができる。このため、半導体基板１００の被めっき面に存在する気泡を排出することができ、均一なめっき膜を安定して形成することができる。なお、保持体１０４とめっき液１０２との相対的な移動は、例えば、保持体１０４を水平方向に移動させる、あるいは、半導体基板１００の中心以外に位置する軸心周りに保持体１０４を回転させることにより行うことができる。 （もっと読む）

【課題】複数層のめっきパターンを、作業の煩雑さを伴うことなく、階層間で十分に均質化された組成となるように形成することのできるめっき方法を提供する。
【解決手段】レジストパターン１３の合計面積と、レジストパターン１７の合計面積と、レジストパターン１８の合計面積とを全て等しくしたので、各めっきパターンＡ〜Ｃのめっき処理を行う際のめっき領域Ｒ１３，Ｒ１７，Ｒ１８の面積を常に一定とすることができる。したがって、電流値を変更することなく容易にめっき電流密度を一定に保つことができ、その結果、ほぼ同等の組成を互いに有するめっきパターンＡ〜Ｃを極めて効率的に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】凹凸形状の微細加工に適し、製造効率を向上させた複合金属箔、複合金属箔の製造方法、成形金属箔及び成形金属箔の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】凹凸形状を有する複合金属箔ならびに成形金属箔の製造において、作製すべき複合金属箔ならびに成形金属箔の凹凸形状に対応する凹凸形状をキャリア基材表面に形成する工程と、前記凹凸形状が形成されたキャリア基材の表面に沿うようにして気相成長法を用いて被覆金属層を形成する工程とを含む製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】優れた耐漏液性能と重負荷放電性能（長期保存後の放電性能）とを兼ね備えた電池缶形成用鋼板、その製造方法、電池缶およびアルカリ乾電池を提供する。
【解決手段】缶内面となる面の最表層Ｆｅ濃度が１０原子％以上７０原子％以下の範囲にあるＦｅ−Ｎｉ合金めっき層またはＦｅ−Ｎｉ拡散合金層２と、その下層に形成された厚さ０．２μｍ以上の再結晶Ｎｉ層３と、さらにその下層に形成されたＦｅ−Ｎｉ拡散合金層４とを有する。 （もっと読む）