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Fターム[4K024CB21]の内容

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【課題】 曲げ加工時にクラックの発生が抑制され、更には、モールド樹脂との密着性に優れたリードフレーム及びそのめっき方法を提供する。
【解決手段】 素材金属10の表面に下地めっき層を介して貴金属めっき層13が形成されたリードフレーム及びそのめっき方法において、下地めっき層を、素材金属10上に極性反転成分を有しない直流電流又はパルス電流を用いてめっきされた平滑Niめっき層11と、平滑Niめっき層11の上に極性反転パルスを含む電流を用いてめっきされた粗面化Niめっき層12とによって形成した。 (もっと読む)


【課題】水平型電気めっきラインを用い、めっき浴中への金属帯を構成する金属の溶出を防止できる電気めっき金属帯の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のめっきセルを有する水平型電気めっきラインを用いて金属帯に電気めっき処理を施して電気めっき金属帯を製造するに当り、複数のめっきセルのうち少なくとも第1番目のめっきセルで金属帯の両面に電気めっき処理を施すことを特徴とする電気めっき金属帯の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 フィルムの導電面にめっき処理を行う際に、めっき表面粗度ムラを防止し、厚みが均一で異常突起や凹み欠陥が少ないめっき被膜付きフィルムを得る。
【解決手段】 感光ウエブ18を矢印方向に搬送しながら、感光ウエブ18に付着した水分をエアーナイフ装置42、44で除去し、感光ウエブ18をカソード給電ロール50Aに接触させた後、電解めっき糟60Aに搬送して直流電源66Aにより給電する。そして、感光ウエブ18のめっき液を洗浄した後、同様の工程を複数回繰り返すことで、感光ウエブ18の金属銀部に銅めっきを形成する。その際、カソード給電ロールAと感光ウエブ18を挟んで対向する位置に、感光ウエブ18をカソード給電ロールAに押圧する弾性ロール52Aが配設されている。弾性ロール52Aにより感光ウエブ18がカソード給電ロールAに押圧され、ニップ部の接触が安定化するため、めっき表面粗度ムラが防止される。 (もっと読む)


【課題】高電流密度でのめっきにおいても、めっき焼けの発生を抑制でき、被めっき体の被めっき箇所に均一な膜厚のめっきを施すことのできるめっき装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】被めっき体3の両面を挟持する遮蔽板1と、遮蔽板1を間に配設する一対の陽極4と、遮蔽板1および被めっき体3の下部に配設され、めっき液の供給噴出を制御するための内部に中間板を設け、更に開口部分にスリット状の噴出部を有するノズル部2と、それらを内蔵しめっき液を貯留するための上部に流出部6を設け、下部に流入孔7を設けためっき槽5とを備えためっき装置である。 (もっと読む)


【課題】 たとえば電子部品の外部電極などの被めっき物を、めっきするためのバレルめっき方法において、短時間のめっき処理で、平滑性の高いめっき膜厚を得るためのバレルめっき方法を提供すること。
【解決手段】 被めっき物をバレル内に入れ、前記バレルを回転させながら、電気めっきにより前記被めっき物の表面にめっきするバレルめっき方法であって、第1電流にて、所定のめっき膜厚を形成する第1工程と、その後、前記第1電流よりも電流密度の大きい第2電流に切り替えて、前記第2電流にて、所定のめっき膜厚を得る第2工程と、を有するバレルめっき方法。 (もっと読む)


【課題】フィルドビア以外の絶縁層表面に形成された銅からなる導体層のめっき厚を調整して、フィルドビアの欠陥発生がなく、精度の良い配線層が形成可能な配線基板の製造方法及び配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基材11の両面に導体層21が形成された両面銅張り積層版にビア用孔12を形成し、ビア用孔12を導電化処理した後電気銅めっきによりビア用孔12をフィリングしてフィルドビア23を、絶縁基材11上の導体層21上に銅からなる導体層22を形成した後、引き続き、導体層22を同じ電気銅めっき液からなる硫酸酸性液でPR(パルスリバース)電解エッチングを行って導体層表面研磨を行い、配線層24a及び21aを形成し、配線層24aと配線層21aがフィルドビア23にて電気的に接続された配線基板10を作製するというものである。 (もっと読む)


【課題】多品種、少量生産、生産台数の変動が大きく、製品寿命が短いものを製造する小規模で且つフレキシブルに機能の変更、或いは装置の更新ができる製造ラインに好適な半導体基板製造装置を提供すること。
【解決手段】ロード/アンロード部120と、めっき膜成膜ユニット113等の複数の処理ユニット、半導体基板をユニット間で搬送する搬送機構(ロボット131〜134)を備えた半導体基板製造装置において、各ユニットの搭載部分にはガイドを有し、各ユニットはガイドに沿って移動することにより、半導体製造装置へ搭載又は半導体製造装置から取り外し、他のユニットと交換することができるようになっており、半導体製造工程で必要なユニットを自在に組み合わせて半導体製造装置を構成し、また半導体製造装置内の異なる処理を行うユニットどうしの交換をできるようにした。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェハ上の導電層を取り除く従来の方法は、化学的機械研磨(CMP)を含むが、CMPは半導体構造に対して有害な作用を与える可能性がある。これに対し電気研磨および/または電気めっきプロセスを使用して金属層を取り除きまたは溶着する装置および方法を提供する。
【解決手段】1つの例示的な装置が、ウェーハの斜面部分すなわち縁部部分上の金属残留物を取り除くための縁部クリーニングアセンブリを有するクリーニングモジュールを含む。この縁部クリーニング装置は、ウェーハの主表面に液体と気体を供給するように構成されているノズルヘッドを含み、および、ウェーハ上に形成されている金属薄膜に対して液体が半径方向内方に流れる可能性を低減させるように、液体が供給される位置の半径方向内方に気体を供給する。 (もっと読む)


【課題】メタンスルホン酸を含有するめっき浴を用い、高電流密度のめっき条件でも優れためっき均一性の得られる錫めっき鋼帯の製造方法を提供する。
【解決手段】搬送される鋼帯に電気錫めっきを施す錫めっき鋼帯の製造方法において、10〜80 g/lの錫イオン、15〜70 g/lの遊離メタンスルホン酸、0.1〜10 g/lの光沢剤および0.1〜5 g/lの酸化防止剤を含有するめっき浴を使用し、かつめっき時の電流密度をC A/dm2、鋼帯の搬送速度をR m/min、めっき浴中の鉄イオン濃度を[Fe] g/lとしたとき、めっき浴中の錫イオン濃度[Sn] g/lを下記の式1を満足するように調整する。
[Sn]≧(7.2+0.3×C−0.05×R+0.65×[Fe]) ・・・式1 (もっと読む)


【課題】第1に、銅箔の厚みが均一化され、もって平均化されたエッチングが実現されて、例えば回路幅の過不足・バラツキ・誤差・不良等が解消され、高密度,微細,精細な回路が形成されると共に、第2に、しかもこれが簡単容易に実現され、コスト面やスペース面にも優れた、メッキ基板のエッチング装置を提案する。
【解決手段】このエッチング装置3は、回路基板の製造工程で使用され、水平搬送されるメッキされた基板材Aに対し、エッチング液を噴射してエッチングする。そして、基板材Aの前後端部Fおよび左右端部Gを、集中的にエッチングするエリア13が、エッチング装置3の上流側に付設されている。このエリア13は、左右の幅方向Kに配設された複数本のスプレー管14,15と、スプレー管14,15に取付けられ、基板材Aの前後端部Fや左右端部Gにエッチング液を噴射するスプレーノズルと、を備えている。 (もっと読む)


【課題】金属部材に施した部分めっき領域内でのめっき金属層を可及的に一定厚さとし得る部分めっき装置及び部分めっき方法を提供する。
【解決手段】所定表面が露出するようにマスク部材14が被着されたリードフレームに電解めっきを施し、前記所定表面を所望金属から成るめっき金属層で覆う部分めっき装置において、該マスク部材14には、前記リードフレームに被着されたとき、前記所定表面が臨む空間部18が形成されるように凹部16が形成されていると共に、空間部18内に電解めっき液が供給される供給口20aと、空間部18内の電解めっき液を排出する排出口20bとが凹部16の底部に形成され、且つ空間部18内に供給口20aから噴き込まれた電解めっき液が空間部18内に露出する前記所定表面に対して斜め方向から噴き付けられるように、前記リードフレームの所定表面に対して斜め方向に電解めっき液を噴射する噴射ノズル22が供給口20aの近傍に配設されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】溶接時におけるアーク安定性に優れた銅メッキマグ溶接用ソリッドワイヤを提供する。
【解決手段】マグ溶接用ソリッドワイヤを、銅メッキ液内に浸漬させてメッキ層の厚さを0.2〜1.0μmの範囲になるようにし、メッキ層内にFe、アルカリ金属(Na)、及びアルカリ土類金属(Mg, Ca)含量の総和が100〜1000ppmの範囲内であり、アルカリ金属(Na)及びアルカリ土類金属(Mg, Ca)含量の総和は10〜500ppmの範囲を満たすように、高速銅メッキしてなる。本発明によれば、溶接時において優れた送給特性とアーク安定性を同時に満たす、マグ溶接用銅メッキソリッドワイヤを、高速銅メッキにもかかわらず得ることができる。 (もっと読む)


【課題】電気研磨および/または電気めっきプロセスにおいて、ウェーハを移動させるロボットアセンブリにおいて、エンドエフェクタ真空カップ内の粒子を取除き、真空通路に酸などが入るのを防止する装置および方法を提供する。
【解決手段】エンドエフェクタ306は、真空弁322を介して真空源と、窒素弁320を介して加圧窒素源と連結されている。真空弁322がオンされると、ウェーハをエンドエフェクタ306に押し付けて保持するように、真空カップ302内の圧力を低下させる。真空弁322がオフされ、かつ、窒素弁320がオンされると、エンドエフェクタ306は、真空カップ302内の圧力が増大されウェーハを開放する。ウェーハが保持されていない時、または移動されていない時は窒素弁320をオン状態のままにして、真空カップ302内において周囲環境圧力に近いか、またはこの周囲環境圧力よりも高い圧力を維持する。 (もっと読む)


【課題】電子部品に施されている錫めっき皮膜の変色や、電子部品を電子機器に組立る時に発生する錫めっき皮膜の変色を防止できる、耐変色特性及び耐凝集特性に優れた鉄系金属材料を提供すること。
【解決手段】中間層として、リンを5重量%〜15重量%の割合で含有しかつ厚さが0.05μm〜2μmのニッケルめっき皮膜を有するところに構成特徴があり、前記リン−ニッケルめっき皮膜は、その下地めっきとして、厚さが0.05μm〜1.0μmの純ニッケルめっきまたは、厚さが0.1μm〜1.0μmの純銅めっきのいずれかを有するもの、前記錫めっき鉄系金属材料が、錫めっき付き鉄系リードフレームまたは鉄系連続端子のいずれかであるものを含む。
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【課題】 製造コストを増加させること無く、Cu-Ni-Si-Zn系合金Snめっき条の耐熱性を改善する。
【解決手段】 1.0〜4.5質量%のNi、Niの質量%に対し1/6〜1/4のSi、0.1〜2.0質量%のZnを含有し、さらに必要に応じ0.1〜2.0質量%のSnを含有する銅基合金を母材とし、表面から母材にかけて、Sn相、Sn−Cu合金相、Cu相の各層でめっき皮膜が構成されるSnめっき条において、Sn相の厚みを0.1〜1.5μm、Sn-Cu合金相の厚みを0.1〜1.5μm、Cu相の厚みを0.8μm以下とし、Sn相表面のSiおよびZn濃度をそれぞれ1.0質量%以下および3.0質量%以下とする。さらに必要に応じ、めっき層と母材との境界面におけるC濃度を0.1質量%以下、O濃度を1質量%以下とする。 (もっと読む)


【課題】配線溝等の凹部が形成された基板に電解めっき銅膜を形成した後、熱処理による銅の再結晶や歪みの緩和等の効果が大きく、歪により、銅、下地のバリア膜、Low−k材等の絶縁材の相互間に剥離が生じないめっき膜形成方法を提供すること。
【解決手段】配線溝等の凹部が形成された基板にめっき工程によりめっき膜を形成するめっき膜形成方法であって、前記めっき工程に先んじて、前記基板の最表面をめっき抑制剤で覆うめっき抑制剤付着工程を行うことを特徴とする。このように基板の最表面をめっき抑制剤で覆う処理をめっきの前処理として基板に対して行なうことによって、基板に形成された配線用溝(トレンチ)やビアホール等の凹部内面に選択的にめっきが行なわれるため、適切な時点でめっきを終了した場合には基板全体に渡って平坦性を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】アノード、カソード及び電解液を含む酸性電気めっき槽において、アノードで発生する気体によって添加剤が酸化することを防止する電極、および電気めっき方法を提供する。
【解決手段】電気めっきに使用するアノード1は、キャリヤ4とコーティング層5からなる陽極基材2、および、薄い織物6と格子または網7からなるスクリーン3等から構成される2相または3相以上とすること、また、電解液は70 mg/lを超える塩化物、及び陰イオン、酸素酸からなるポリアニオン、酸無水物の陽イオンまたはヘテロポリアニオンである、モリブデン、バナジウム、ジルコニウム、タンタル、タングステン、ハフニウムまたはチタンからなる群から選択された少なくとも一つの元素を5〜5000 mg/l、好ましくは200〜1200 mg/lの濃度で含む。 (もっと読む)


【課題】Pbフリーでありながらウイスカーの成長を抑制することのできる無鉛Snベースめっき膜及びその製造方法を提供し、該無鉛Snベースめっき膜を有する接続部品の接点構造を提供する。
【解決手段】金属が析出してなるめっき層が積層されてなり、該めっき層の積層界面が前記金属の結晶成長の不連続面Iとなっている無鉛Snベースめっき膜であって、前記めっき層として膜厚が0.5μm以下のめっき層Aを複数含み、全膜厚が1〜10μmである。 (もっと読む)


【課題】電解めっき層の膜厚を均一にできる電解めっき方法と、電解めっきラインを提供する
【解決手段】保持具に被めっき物を保持させる工程と、被めっき物をめっき液に浸漬する工程を行う。また、保持具を介して被めっき物に負電圧を印加し、めっき液内に配置された正電極に正電圧を印加するとともに、保持具を被めっき物とともに所定方向に回転しながら被めっき物の表面に電解めっき層を形成する工程を行う。回転しながら電解めっき処理を施すことにより、均一な膜厚でめっき層を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は電子部品等の端子材料等のフープめっきに係るものであり、特にめっき厚の異なる部位を同一フープ内に形成する差厚めっきの製造方法および製造装置に係るものであり、接触の信頼性と防錆等異なっためっき厚の要求に対応した低コストの差厚めっき方法とその製造装置を提供するものである。
【解決手段】本発明のめっきの製造方法は、陽電極12と、これに対向して配置された陰電極となるフープ状薄板20と、第1、第2の露出部20a,20bを残して覆うように形成したマスク21、各露出部20a,20bに対応する開口22aを有するスパージャー22とからなり、前記露出部20a,20bに当接するめっき液10aの流量を制御してめっき厚の異なる部位を容易に形成するものである。 (もっと読む)


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