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Fターム[4K024DA07]の内容

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Fターム[4K024DA07]に分類される特許

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【課題】 オゾン、空気中の水分に対して優れた耐久性を有し、画像形成装置の耐用期間全般にわたって、感光体ドラム表面を安定的に帯電させることができ、しかも製造コストの低いコロナ電極を備える帯電装置を提供する。
【解決手段】 帯電装置24に用いられるグリッド電極56であって、表面に金めっき層を設け、その金めっき層に加圧ローラによる加圧加工を施す。 (もっと読む)


【課題】金属めっきにより、該めっき金属結晶粒が一方向に長く伸び、かつ耐熱耐酸化性金属基材表面と垂直な方向にほぼ(100)面の方向に配向させた耐熱耐酸化性金属−金属めっき複合基材及びその製造法を提供する。
【解決手段】耐熱耐酸化性金属基材1の表面に金属めっき層2が設けられ、金属めっき層2の結晶粒が一方向に長く伸び、かつ耐熱耐酸化性金属基材表面と垂直な方向にほぼ[100]方向に配向している金属めっき複合基材。 (もっと読む)


【課題】基板である鉄鋼材料の表面に、下地膜を準備することなく、大面積を有する表面への成膜が容易に可能な生産性や費用効果が高い電気めっき法を用いることにより、鉄鋼材料の表面上に、結晶c軸の高い配向性を有する磁性膜を生成する方法を提供する。
【解決手段】鉄鋼材料の表面上に結晶c軸配向性を持つ磁性膜を電気めっきで作製する膜生成方法であって、めっき液はpHが5〜9のCo2+イオンを含む溶液であり、該めっき液中で前記鉄鋼材料に電流密度0.5〜100mA/cm2で電気めっきをすることを特徴とする膜生成方法である。 (もっと読む)


(a)基質を、貴金属/IVA族金属ゾルを含有する活性剤と接触させて処理基質を得、(b)該処理基質を、(i)Cu(II)、Ag、AuもしくはNi可溶性金属塩またはそれらの混合物、(ii)0.05〜5モル/lのIA族金属水酸化物および(iii)該金属塩の金属のイオンに対する錯生成剤の溶液を含有してなる組成物と、接触させる、工程からなり、該錯生成剤としてイミノコハク酸またはその誘導体が用いられる不導性基質に金属被覆を施す方法。 (もっと読む)


【課題】コストパフォーマンスに優れ、プロセス構築が比較的平易という電気めっき法の長所を生かし、かつ、電流分布により黒色度が不均一になることのない、プラズマディスプレィ前面板用黒色化シールドメッシュの製造方法を提供する。
【解決手段】 プラズマディスプレィの前面板における電磁波シールドのために使用する、黒色化シールドメッシュの製造方法であって、(1)透明樹脂シート1上に銅箔2を貼り合わせる工程と、(2)前記銅箔2のエッチングにより銅メッシュパターンを形成する工程と、(3)前記銅メッシュパターン表面上へ電気めっきにより鉄−炭素合金4を被覆することによる黒色化を行う工程とを順次有することを特徴とするプラズマディスプレィ前面板用黒色化シールドメッシュの製造方法。 (もっと読む)


【課題】従来のブラスト加工とエッチングを合わせたエンボスロールの形成方法では、ロール上にブラスト加工時の研磨剤が残留してエッチングのムラやシミ、めっきのムラやシミが発生して、均一な凹凸形状を作製することが困難であった。
【解決手段】均一な凹凸形状の形成のために、従来のようなブラスト加工を用いるかわりに、粒界エッチング処理を実施することにより、ブラストの研磨剤残渣によるシミの発生やムラが起きることなくノジュールのないめっきを実現し、所望の凹凸形状を形成することが可能となった。 (もっと読む)


【課題】エッジ部を有する樹脂成形品に電気めっきを行うに当たって均一な厚みの電気めっき膜を形成することができ、めっき金属粉落下による外観不良を防止できる樹脂めっき成形品の製造方法及びこの方法に用いられる被めっき樹脂成形品を提供。
【解決手段】モールディン形状の本体部10と、エッジ部11の近傍にエッジ部11に対して非接触で配置される犠牲部15とを一体に有する被めっき樹脂成形品としての樹脂成形品1を形成する工程と、樹脂成形品1に無電解めっきを施した後に、樹脂成形品1を陽極電極を備えた電気めっき槽に浸漬し、陽極電極に陽極電圧を印加し、樹脂成形品1に陰極電圧を印加することにより、電気めっきを行うめっき工程と、犠牲部15を樹脂成形品1から除去する除去工程とをもつ。犠牲部15は、本体部10の非意匠面19から延設されていることが好ましい。 (もっと読む)


【解決手段】アルミニウム又はアルミニウム合金表面の酸化皮膜を除去するための除去液であって、アルミニウムと置換可能な金属の塩又は酸化物と、該金属のイオンの可溶化剤と、アルカリとを含有してなり、pHが10〜13.5であるアルミニウム酸化皮膜用除去液。
【効果】本発明の除去液は、アルミニウム又はアルミニウム合金の表面の侵食を可及的に抑制しつつ、アルミニウム又はアルミニウム合金の表面の酸化皮膜を低温で、迅速に溶解除去して、除去液に含まれる金属の塩又は酸化物に由来する金属皮膜を形成することができ、アルミニウム又はアルミニウム合金の厚みが非常に薄い場合であっても、アルミニウム又はアルミニウム合金を確実に残存させつつその表面を活性化することができる。 (もっと読む)


【課題】ポリアミド樹脂成形体が、水分や塩化カルシウム等と接触しないようにすることができる防振装置を提供する。
【解決手段】エンジン等の振動体の振動を減衰するゴム弾性体3と、それを支持するポリアミド樹脂ブラケット2とが一体化された防振装置であって、ポリアミド樹脂ブラケット2において、ゴム弾性体3と非接触の部分の表面が、めっき膜1により被覆されている。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路デバイス基板上にフィチャーの底面そして実質的にその上に金属をもたない側壁の部分上に金属からなる輪郭をもつフュチャー内に最初の金属堆積を形成することにより銅めっきをし、銅でフィチャーを埋め込むため最初の金属堆積上に銅を無電解的に堆積するための方法。半導体集積回路デバイス基板上にフィチャー内に銅に濡れる金属からなる堆積を形成し、頂部部分表面上に銅ベースの堆積を形成し、そして銅でフィチャーを埋め込むため銅に濡れる金属からなる堆積上に銅を堆積することによって銅をめっきするための方法。 (もっと読む)


【課題】深さの異なるビアに銅めっきを充填する際、浅いビアがほぼ充填した段階で表面に付着した光沢剤を薬品あるいはプラズマで除去し、再度、前処理および、めっきを行なうことにより、複雑な工程を行なうことなく、浅いビアと深いビアをフラットに埋めるめっき方法。高密度の回路を形成するには深さの異なるビアを配置し、かつ、両方の深さのビアをフラットに充填する必要がある。しかしながら、従来技術では、深い部分だけ別にめっきをする必要があったが、工程的に複雑となり、生産性、コスト、品質に悪影響を及ぼす。
【解決手段】ビアフィルめっき液の特性、表面のめっき析出を抑え、ビア内の析出を促進するという特性を利用し、浅いビアが埋まった時点で光沢剤効果をリセットすることにより、複雑な工程を追加することなく、深さの異なるビアをフラットに充填する。 (もっと読む)


【課題】メッキの際のマスキングの面倒を少なくして作業効率のアップ及びコストの削減を図る。
【解決手段】背面にベース1が一体化された金属セラミック複合部材4の金属板3の接合面側に、金属板3上のメッキ予定箇所に対応した開口21を有する枠状のマスキング部材20を被せて、開口21の周囲を金属セラミック複合部材4に密着させることでシールし、金属板3を下に向けた姿勢で、マスキング部材20を通して金属セラミック複合部材4にメッキ液110を下側から接触させることにより、金属板3上のメッキ予定箇所にメッキを施す。 (もっと読む)


【課題】従来のクロム酸のような化学薬品を使用せず、乾式法により樹脂成形品に樹脂表面粗化をすると共に導電性を付与することで、このような化学薬品による樹脂成形品の樹脂表面の薬品劣化を防止し、一方このような環境負荷が大きい化学薬品を使用せず、環境負荷物質の削減を図り、また樹脂めっき品の表層剥離を防止してその安全性は確保する。
【解決手段】樹脂成形品の表面をプラズマ処理で洗浄及び表面改質活性化する樹脂表面洗浄・活性化工程S1と、次に、樹脂成形品の表面に金属をスパッタリングにより成膜する金属薄膜成膜工程S2と、続いて、樹脂成形品に成膜した金属薄膜上にスパッタリングによりニッケル又は銅等の導電化膜を成膜する導電化膜成膜工程S4と、最後にこの樹脂成形品を電気めっきする電気めっき工程とから成る。 (もっと読む)


【課題】本発明は、非導電性基板表面、特にポリイミド表面に直接金属層を形成する方法を改良することに関する。
【解決手段】本発明に係る方法は、過酸化物を含む酸性のエッチング液を用いて基板表面をエッチングする工程と、前記被エッチング基板表面を、過マンガン酸塩を含む酸性の処理溶液に接触させる工程と、前記処理された基板表面を、過酸化物を含む酸性の活性化溶液にて活性化する工程と、前記活性化された基板表面を、少なくとも一種のチオフェン誘導体及び少なくとも一種のスルホン酸誘導体を含む酸性の触媒溶液に接触させる工程と、酸性の電気めっき槽にて上記処理された基板表面に金属層を形成する工程とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 導電性及び光透過性を有するようにパターニングされた電磁波遮蔽部材に有用な導体層パターン付き基材を転写法を用いて生産性よく製造するためのめっき用導電性基材を提供する。
【解決手段】 凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凸部の上端から0.5〜3μm低い位置よりも低い位置の凹部表面に絶縁層が形成されており、凸部の導電性基材の露出部分の幅が1μm〜40μmであって、凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さが、10μm以上であるめっき用導電性基材。凸部の露出部分が先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として下部よりも上部で幅が小さくなっていることが好ましい。
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【課題】 不溶性の不活性結合物を形成するキレート剤を添加しなくても、エッチング液に溶解した鉛などが被めっき物である鉛含有銅合金に電析(再付着)することがないめっきの前処理法を提供する。
【解決手段】 不溶性の不活性結合物を形成するキレート剤を添加していないアルカリ性のエッチング液に被めっき物である鉛含有銅合金を浸漬し、このた状態で前記鉛含有銅合金をプラス極またはマイナス極のどちらか一方とした電解と、前記鉛含有銅合金をプラス極またはマイナス極のどちらか他方とした電解を交互に行う(PR電解)。 (もっと読む)


【課題】ワークの電流密度を均一にすること、電流密度を高くすることができ、めっき槽を長くして1槽とすることができ、めっき槽を極端に長くした場合にもワークに皺を生ずることのない長尺シートのめっき装置を提供する。
【解決手段】ワーク供給装置とワーク巻き取り装置との間に前処理槽、めっき槽、後処理槽等の処理槽を配置して構成し、処理槽の上部に多数のクランパー17、17によりワークの上端を挾持して給電しながら搬送する搬送装置を設け、該搬送装置によるワークの搬送速度をワーク巻き取り装置2によるワークの搬送速度と同期させ、めっき槽4のワーク出口側に2個一組のシールローラー6、6からなる液漏れ防止装置を設け、シールローラー6、6をワーク面に平行な面内で垂直方向に対してシールローラー6、6の上端がワークの進行方向の前方寄りになる方向に僅かに傾斜させた。 (もっと読む)


【課題】摩擦係数が低く(低い挿入力)、電気的接続の信頼性(低い接触抵抗)を維持でき、同時にはんだ付け性を付与できる接続部品用導電材料を得る。
【解決手段】Cu板条からなる母材3の粗面化した表面に、平均の厚さが0.1〜3.0μmのNi被覆層4と、平均の厚さが1.0μm以下のCu被覆層5と、平均の厚さが0.2〜3.0μmのCu−Sn合金被覆層6と、Sn被覆層7がこの順に形成された接続部品用導電材料1。材料1の表面1bに対する垂直断面1aにおいて、Sn被覆層7の最小内接円の直径[D1]が0.2μm以下、最大内接円の直径[D2]が1.2〜20μm、材料1の最表点1AとCu−Sn合金被覆層6の最表点6Bとの高度差[y]が0.2μm以下である。 (もっと読む)


【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金素材とめっき皮膜の密着性を良好に維持しながら、めっき皮膜の耐食性を向上させることができる、アルミニウムまたはアルミニウム合金素材のめっき前処理方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムまたはアルミニウム合金素材に脱脂処理およびエッチング処理を施した後、素材を硝酸溶液に浸漬して第1回目の硝酸浸漬処理を行った後にジンケート処理液に浸漬して第1回目のジンケート処理を行い、その後、素材を硝酸溶液に浸漬して第2回目の硝酸浸漬処理を行った後にジンケート処理液に浸漬して第2回目のジンケート処理を行い、その後、素材を硝酸溶液に浸漬して第3回目の硝酸浸漬処理を行った後にジンケート処理液に浸漬して第3回目のジンケート処理を行う。 (もっと読む)


【課題】Si基材上に均一にAuメッキ層を形成したり、ナノメータレベルの連続した金メッキ細線を形成したりする。
【解決手段】Si基材1上にAuメッキ層2を形成するAuメッキ方法であって、Si基材1上に、C、S及びAuを含み半導電性を有するC−S−Au膜よりなる下地層3を形成する下地層形成工程と、電気メッキによるAuメッキを施して下地層3上にAuメッキ層2を形成するAuメッキ工程とを備えている。Si基材1の表面に下地層3を形成してから、レジスト膜を部分的に形成して、レジスト膜以外の部分に下地層3のC−S−Au膜が表出したC−S−Au膜表出部を所定パターンで形成し、レジストの加工パターンをマスクとして、C−S−Au膜表出部上にAuメッキ層2を形成すれば、ナノメータレベルの連続したAuメッキ細線を形成することができる。 (もっと読む)


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