【課題】生産性を低下させることなく、摺動面に保油用の穴部を適切な面積率で得ることのできる方法を提供する。
【解決手段】Ｎｉを主成分とする表面層を有する被処理物にＣｒ及びＭｏの合金メッキ処理を施す電気メッキ方法において、メッキ浴１Ｌあたり、Ｃｒイオンを１３０〜１５１ｇ、Ｍｏイオンを２１〜２６ｇ、硫酸を２．７〜３．１ｇ、メタンジスルホン酸を２．０〜５．０ｇ含むメッキ浴を用い、電流密度と浴温とをパラメータとする領域において、電流密度が２５Ａ／ｄｍ^２及び浴温が４７．５℃の点Ａと、２５Ａ／ｄｍ^２及び６２．５℃の点Ｂと、６５Ａ／ｄｍ^２及び６２．５℃の点Ｃと、６５Ａ／ｄｍ^２及び５７．５℃の点Ｄと、５０Ａ／ｄｍ^２及び５７．５℃の点Ｅと、３５Ａ／ｄｍ^２及び５０．０℃の点Ｆと、３５Ａ／ｄｍ^２及び４７．５℃の点Ｇとで囲まれた範囲内の電流密度及び浴温でメッキ処理する。 （もっと読む）

【課題】銅箔の光沢面とレジストとの密着性が優れ、また同光沢面で樹脂基板と密着させた場合の接着力を向上させることにより、ロープロファイル化されたプリント配線基板用銅箔を低コストで提供する。
【解決手段】電解銅箔１の光沢面４に、電解研磨によって形成された不規則かつ不定長の脈状起伏を備えていることを特徴とする電解銅箔１。電解液として硫酸・硫酸銅浴を用い、電解銅箔１の光沢面４に電解研磨処理を行うことを特徴とする電解銅箔１光沢面４の電解研磨方法。電解銅箔１の粗面側２にアノード３を配置し光沢面４側にカソード５を配置して、電解処理を行うことにより、銅箔粗面２に平滑めっき処理を行うとともに、銅箔光沢面４に逆電解研磨処理を行うことを特徴とする電解銅箔１光沢面４の電解研磨方法。 （もっと読む）

【課題】 特に、接触子を支持基板に適切に半田接合でき、さらに、接触信頼性を向上でき、長寿命化を図ることが出来る接触子及びその製造方法、ならびに、接続装置及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 接触子２０は、固定部２１と、固定部２１から延出形成された弾性腕２２とを有する導電性の芯部３０の表面側に表面層３８が形成された積層構造である。固定部２１に形成された前記表面層３８は、前記芯部３０側から白金族層３６及び、Ａｕ層３７の順に積層されており、前記弾性腕２２に形成された前記表面層３８は、白金族元素とＡｕとを有する合金で形成されている。 （もっと読む）

【課題】透明基材及びその上に形成された細線パターンからなる電磁波シールド材を提供する。
【解決手段】透明基材上に予め物理現像核層を設け、次いで、ハロゲン化銀乳剤層を塗布し、物理現像核層とハロゲン化銀乳剤層をこの順序で有する感光材料を任意の細線からなるパターンで露光し、可溶性銀錯塩形成剤と還元剤の存在下でアルカリ液中にて物理現像処理を行い、前記物理現像核層上に任意の細線からなるパターンで金属銀を析出させ、次いで前記物理現像核層の上に設けられた層を除去して物理現像された金属銀細線を表面に露出させた後、前記物理現像された金属銀細線を触媒核として金属を電解めっきまたは電解めっきと無電解めっきを施す。 （もっと読む）

【課題】製造工程数を増加させることなく配線上にキャップメタル膜を選択的に形成することにより、配線間リーク電流の増大及び配線間ショートを抑制する。
【解決手段】絶縁膜に埋め込まれた配線を有する半導体装置の製造方法において、基板上に形成された絶縁膜に溝を形成する工程と、前記溝に導電膜を埋め込む工程と、それぞれに電解液が注入された複数の貫通孔を有する基体を前記導電膜の表面に接触させながら、前記電解液と電気的に接続されたアノードと前記基体表面に露出したカソードとの間に電位差を付与することで、前記導電膜が埋め込まれた前記絶縁膜を表面処理する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】めっき液に含まれる構成成分の濃度を演算し、めっき液の調整を適正に行い、めっき処理の品質を維持する。
【解決手段】めっき液に一または複数の添加剤を加えて半導体ウエハにめっき処理を行う工程（ステップＳ１）と、めっき処理の処理状態を示す一または複数のパラメータを測定する工程（ステップＳ３）と、パラメータからめっき液に含まれる構成成分の濃度を演算する工程（ステップＳ４）と、演算された構成成分の濃度が予め定めた閾値以内に収まるように、めっき液の調整処理を行う工程（ステップＳ６）と、を備える。 （もっと読む）

【目的】密着性を向上させることができるカーボン素材のめっき方法等を提供すること。
【解決手段】カーボン素材のめっき方法は、（１）カーボン素材をカチオン系界面活性剤溶液に浸漬することにより、当該カーボン繊維の表面をカチオン化するカチオン処理工程と、（２）カチオン処理工程を経たカーボン素材ＡをＰｄとＳｎのコロイド溶液に浸漬することにより、ＰｄとＳｎをカーボン素材Ａの表面に吸着させるＳｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程と、（３）Ｓｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程を経たカーボン素材Ｂを酸溶液に浸漬することにより、Ｓｎ−Ｐｄ触媒浸漬工程で吸着させたＰｄ及びＳｎのうちＳｎを溶かし、カーボン素材ＢにＰｄのみを吸着させるアクセレーター処理工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】樹脂基材等への密着性を確保できる銅箔及び銅箔製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る銅箔１は、一方の表面に第１の凹部１５を有する銅箔材１０と、第１の凹部１５の深さの平均値より小さい深さの平均値を有する第２の凹部２５を、第１の凹部１５に対応する位置に有して一方の表面上に設けられる銅めっき層２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】無駄を省いた状態で、所望とする微細なパターンに電着による膜が形成できるようにする。
【解決手段】まず、容器１５１内に電着液１５２を収容し、電着液１５２の中で、白金からなる対向電極１５３に基板１０１の金属パターン１０４形成面を対向させて配置する。この状態で、定電圧源１５４により、対向電極１５３に正電圧を印加し、シード層１０２に負電圧を印加する。ここで、金属パターン１０５に必要な配線を接続することで、シード層１０２に対する負電圧の印加を行う。このようなカチオン電着により、金属パターン１０４および金属パターン１０５の露出している面（上面）に、電着液１５２中の電着成分が付着（析出）し、電着絶縁膜１０６が形成される。 （もっと読む）

【課題】例えばルテニウム膜をシード層として該ルテニウム膜の表面にダイレクトめっきを行うのに先立って、たとえ３００ｍｍウェーハ等の大型の高抵抗基板であっても、ルテニウム膜表面の不動態層を確実に除去することで、その後のめっき時におけるターミナルエフェクトを改善し、しかも、めっき膜の膜質を改善し、微細配線パターンの内部にボイドのないめっき膜を埋込むことができる電解処理装置及び電解方法を提供する。
【解決手段】貴金属または高融点金属からなるシード層を有する基板Ｗの該シード層と対向する位置に配置されるアノード５２と、電解液６２で満たされた基板Ｗとアノード５２との間に、内部に電解液を含浸させて配置される多孔質体４６と、シード層表面の電場を制御してシード層表面に形成された不動態層を電解処理により電気化学的に除去する制御部５８を有する。 （もっと読む）

【課題】被めっき面が略鉛直面となる懸垂めっき法に代表されるめっき方法を使用して金属被覆樹脂基板を製造するに際して、樹脂基板エッジ部に発生する黒ずみを生じないめっき装置、めっき方法及び金属被覆樹脂基板を提供する。
【解決手段】被めっき面としての下地金属層を表面に備える樹脂基板を、前記被めっき面が略鉛直面となる電気めっき法を用いて前記被めっき面に金属層を設ける金属被覆樹脂基板の製造方法において、前記被めっき面と、前記被めっき面と対向する側に設置される電極との間に遮蔽板を配置しためっき装置により前記被めっき面に金属層を設けることを特徴とする金属被覆樹脂基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 直接金属化プロセスにおいて、基板の表面に炭素分散物の被覆を設ける改良された方法であって、前記基板が導電部と非導電部とを含む。前記方法が、炭素分散物を基板に接触させて前記基板を炭素を含有する前記分散物で被覆する工程と、前記基板のほぼ平らな面の少なくとも一部に亘って非吸収性ローラーを移動させて、前記基板のほぼ平らな面から過剰な炭素分散物を除去する工程、及び前記基板を真空吸引チャンバに通して前記基板の表面に残る過剰な炭素分散物を除去する工程の少なくとも１つの工程とを含む。前記方法は、マイクロエッチングに対する要求を最小限にするためにより清浄な銅の表面を提供し、また、炭素分散物が基板の表面に不要に再付着するのを防ぐ。
【解決手段】 （もっと読む）

【課題】耐食性およびろう付性に優れたＭｇ含有アルミニウム合金製の熱交換器用部材を製造する。
【解決手段】熱交換器用部材(2)の製造に際し、Ｍｇ：０．０５〜０．５５質量％およびＳｉ：０．２〜０．９質量％を含有し、残部がＡｌおよび不可避不純物からなるアルミニウム合金製の基体(2a)を、強アルカリ水溶液に亜鉛、酸化亜鉛、亜鉛化合物のうちの１種以上を溶解させた亜鉛処理液で表面処理することにより、前記基体(2a)の表面に厚さが１μｍ以下の亜鉛層(2b)を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属基材に直接貴金属をめっきして得られる金属材料において、少ない貴金属の使用量でもって、当該金属材料に所望の耐食性と低接触抵抗を付与する貴金属めっき方法を提供する。
【解決手段】貴金属めっき処理方法は、金属基材表面にめっき処理により貴金属粒子の凝集体の多数が島状に存在する領域を形成する工程（ａ）と、前凝集体記が島状に存在する領域に圧延処理を施して前記凝集体を二次元化する工程（ｂ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】配線板の製造工程における熱履歴、特にポリイミドフィルムと接着する際にかかる熱履歴と同程度の熱履歴が施された後に、圧延銅箔と同等またはそれ以上の柔軟性と屈曲性を発現する電解銅皮膜を提供すること。
【解決手段】電解析出で製造した電解銅皮膜において、式１に示すＬＭＰ値が９０００以上となる加熱処理を施すと、加熱処理後の結晶粒の最大長さが１０μｍ以上となる結晶粒子が７０％以上存在する結晶分布となる電解銅皮膜とその製造方法。
式１：ＬＭＰ＝（Ｔ＋２７３）＊（２０＋Ｌｏｇｔ）
ここで、２０は銅の材料定数、Ｔは温度（℃）、ｔは時間（hr）である。 （もっと読む）

【課題】気泡の抜けが比較的よく、広い設置面積を必要としないディップ方式を採用し、しかもアノードとして強磁性体を使用したとしても、磁気異方性の均一性に影響を与えることを極力防止しつつ、基板表面に磁性体膜を形成することができるようにする。
【解決手段】内部にめっき液Ｑを保持するめっき槽４０と、めっき槽４０の内部のめっき液Ｑに浸漬される位置に鉛直に配置されるアノード２２０と、基板Ｗを保持してアノード２２０と対向する位置に位置させる基板ホルダ２６と、めっき槽Ｑの外方に配置され、基板ホルダ２６で保持してアノード２２０と対峙した位置に位置させた基板Ｗの周囲に磁界を発生させる磁界発生装置１１４を有する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面に鉛フリーの材料からなるめっき層を有するめっき部材において、ウィスカの発生を抑制する。
【解決手段】基材１の表面に鉛フリーの材料からなる純Ｓｎめっき層２を有するめっき部材３において、純Ｓｎめっき層における（１０１）面と（１１２）面の配向指数を他の結晶方位面の配向指数よりも高い値とする。 （もっと読む）

【課題】 吸湿性が低く、優れた耐熱性を有する液晶ポリマーフィルムとラミネートして
、ピール強度が大きく、ファインパターン化が可能な基板用複合材とすることのできる表
面処理銅箔を提供すること。
【解決手段】 本発明は、銅箔に粗化粒子を付着して粗化面とした銅箔であって、その表
面粗さＲｚが１．５〜４．０μｍであり、明度値が３０以下である粗化処理面である表面
処理銅箔である。粗化粒子から形成される突起物は、その高さが１μｍ〜５μｍであり、
観察断面２５μｍの範囲に６〜３５個の個数で略均等に分布しているものが好ましい。ま
た、各突起物の最大幅が０．０１μｍ以上であり、２５μｍ範囲に存在する突起物の個数
で２５μｍを割った長さの２倍以下であるものが好ましい。 （もっと読む）

【解決手段】基板表面に金属あるいは合金のつや消し層の堆積のための電解質組成物であって次ぎを含む：
次ぎの金属あるいは合金を堆積するためのＶ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｒｅ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｂｉ、およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる堆積金属イオン；
ナトリウム、カリウム、アルミニウム、マグネシウム、あるいはホウ素からなる群の元素の少なくとも１つのハロゲン化物、硫酸塩、あるいはスルホン酸塩；および
非置換ポリアルキレンオキシド、置換ポリアルキレンオキシド、置換あるいは非置換ポリアルキレンオキシドの誘導体、フッ素化湿潤剤、パーフッ素化湿潤剤、第４級アミン、あるいはポリアルキレンオキシドで置換された第４級アミンからなる群から選ばれる１つあるいはそれ以上の分散形成剤。 （もっと読む）

【課題】シリンダブロックの着脱時に、このシリンダブロックのシリンダ内周面と電極との接触を容易に防止して、これらのシリンダ内周面及び電極の損傷を回避できると共に、作業効率を向上できること。
【解決手段】シリンダブロック１００のシリンダ内周面１０６にめっき前処理またはめっき処理を施すめっき処理装置１０において、シリンダブロックのクランクケース側外壁には、クランクケース面１１０に垂直で、且つシリンダボアの軸心Ｐ方向に平行な平面部１１６、１１７が対向して形成され、シリンダブロックのクランクケース面１１０に接してこのシリンダブロックを載置可能なワーク載置台１７に電極１２が突設されると共に、ワーク載置台において前記平面部１１６、１１７に正対可能な位置に、この平面部をスライドさせるスライド面４１Ａ、４２Ａを有する挿入ガイド４１、補助ガイド４２が、筒状電極１２と平行に立設されたものである。 （もっと読む）