【課題】
電気接点の貴金属めっき膜やその下地として用いられるＮｉめっき膜は、緻密で耐食性に優れることが要求されるが、めっき表面に析出する光沢剤量が多いと接触性能またはめっき膜の密着性が低下することが問題となっていた。
【解決手段】
電気接点のＡｕやＡｇの貴金属めっき膜や、これらの下地膜として用いられるＮｉめっき膜において、めっき膜に含まれる光沢剤量を膜内部に比べて膜表面で少なくする。これにより、めっき膜内部はめっき膜を構成する結晶粒の粒子径が小さい緻密な膜めっき膜でありながら、表面は接触性能またはめっき密着性に優れためっき膜が得られる。例えば、陽極を傾斜、または湾曲させて形状を変え、基板との距離を変化させることにより、基板表面の電流密度を制御し、めっき内で光沢剤量が異なるめっき膜が製造される。 （もっと読む）

【課題】導体パターンの微細化と、より強力な接合力の確保とを、共に達成可能とした表面処理銅箔およびその製造方法ならびに銅張積層板を提供する。
【解決手段】表面処理銅箔は、銅箔基材１と、前記銅箔基材１の上に、炭素繊維が混入されて当該炭素繊維の一部が表面から突出するように設けられた銅または銅合金からなる粗化処理層２と、前記粗化処理層２の上に、外部の絶縁性基材７に対する化学的な接合力を増強するために設けられた後処理層８として、防錆層３と亜鉛めっき層４とクロム化成処理層５とシランカップリング処理層６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】特定の感紫外線化合物を用いて設計どおりの微細金属パターンを有する基板を容易に大量生産も可能に得ることができる金属パターンを有する基板の製造方法を提供する。
【解決手段】金属薄膜２を有する基板１表面に式（Ｉ）に示す感紫外線化合物３を吸着させ、該化合物上に熱可塑性高分子４により層を設け、紫外線を照射し、得られた熱可塑性高分子層上に熱ナノインプリント法によって凹凸を形成し、熱可塑性高分子の残膜を除去し、凹み部分に電気めっきにより金属層を形成し、熱可塑性高分子層を除去し、凹み部分における金属薄膜を除去して、金属パターンを形成する。
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耐用年数を改善し、生産コストを低減し、プロセス性能を高めた信頼性およびコスト効率の高い電池または電気化学キャパシタ電極構造を形成するための方法および装置を提示する。一実施形態では、電池または電気化学セル用の三次元多孔質電極を形成するための方法が提供される。この方法は、拡散律速蒸着プロセスによって第１の電流密度で基板の上に柱状金属層を蒸着することと、第１の電流密度より大きな第２の電流密度で柱状金属層の上に三次元金属多孔質樹枝状構造を蒸着することとを含む。
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【課題】安定した接触抵抗を有するとともに、剥離し難く、また、コネクタとして用いる場合に挿抜力を小さくする。
【解決手段】Ｃｕ系基材１の表面に、Ｎｉ系下地層２を介して、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層３、Ｓｎ系表面層４がこの順に形成されるとともに、Ｃｕ−Ｓｎ金属間化合物層３はさらに、Ｎｉ系下地層２の上に配置されるＣｕ_３Ｓｎ層５と、Ｃｕ_３Ｓｎ層５の上に配置されるＣｕ_６Ｓｎ_５層６とからなり、これらＣｕ_３Ｓｎ層５及びＣｕ_６Ｓｎ_５合金層６を合わせたＣｕ−Ｓｎ金属間化合物層３の凹部７の厚さＸが０．０５〜１．５μｍとされ、かつ、Ｎｉ系下地層２に対するＣｕ_３Ｓｎ層５の面積被覆率が６０％以上である。 （もっと読む）

【課題】ウィスカー発生が抑制された、Ｃｕ−Ｚｎ合金のＣｕ／Ｎｉ二層下地リフローＳｎめっき条を提供すること。
【解決手段】平均濃度で１５〜４０質量％のＺｎを含有する銅合金を母材として、表面から母材にかけてＳｎ相、Ｓｎ−Ｃｕ合金相、Ｎｉ相の各層でめっき皮膜が構成されるＳｎめっき条において、該Ｓｎ相の表層のＺｎ濃度を０．１〜５．０質量％に調整する。母材は、更にＳｎ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ａｌ及びＴｉから選ばれた任意成分を合計で０．００５〜３．０質量％の範囲で含有することができる。又、母材は１５〜４０質量％のＺｎ、８〜２０質量％のＮｉ、０〜０．５質量％のＭｎを含有し残部がＣｕ及び不可避的不純物より構成される銅基合金でもよく、更に上記任意成分を合計で０．００５〜１０質量％含有することができる。 （もっと読む）

【課題】液晶性ポリマー（ＬＣＰ）を基材に用いた高精細且つ高周波用途に適したフレキシブルプリント基板の作製方法を提供すること。
【解決手段】液晶性ポリマー（ＬＣＰ）からなる樹脂フィルムに脱脂処理をしたのち、導電体金属を蒸発源として金属薄膜の膜厚が１μｍ以下となるようにＬＣＰフィルム上に蒸着させた後、電気メッキを１μｍ以上３０μｍ以下形成して、ポリマーフィルムと金属膜との密着性を高めたフレキシブルプリント基板を作製する。 （もっと読む）

リン化合物及び場合によりハンダ付け性を高めた化合物を含有する新しい溶液、並びに金属又は金属合金表面のハンダ付け性及び耐食性を増加するための方法におけるその使用を記載している。
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【課題】 黒クロムめっき膜からの六価クロムの溶出濃度を０．０５ｐｐｍ以下とし、かつ、有毒ガスの発生を防止し、黒クロムめっき膜の耐食性を維持することができるクロムめっき膜の処理方法を提供する。
【解決手段】 六価クロムが残留するクロムめっき膜に対する処理工程を、還元剤を１〜１００ｇ／Ｌの範囲で含有し、液温が２０〜４０℃の範囲である第１処理浴にクロムめっき膜を浸漬する１段目の還元処理工程と、還元剤を１〜２０ｇ／Ｌの範囲で含有し、液温が８０℃以上である第２処理浴に、１段目の還元処理工程が完了したクロムめっき膜を浸漬する２段目の還元処理工程とからなる２段の還元処理工程とする。 （もっと読む）

【課題】 導電性ばね材として好適な、はんだ濡れ性、挿抜性に優れたすずめっき条。
【解決手段】 銅合金条の表面に、Ｃｕめっきを最後に行う下地めっき、Ｓｎめっきの順で電気めっきを施し、その後、リフロー処理を施しためっき条であり；
リフロー処理によりＳｎめっき相の下にＣｕ−Ｓｎ合金相が形成され、めっき表面に対する垂直断面における、Ｓｎ相とＣｕ−Ｓｎ合金相との界面で、粗さ曲線のための平均線より高い山の頭頂部とその直上のＳｎめっき最表面との高度差の平均値ｈが０．１〜０．３μｍであり、めっき表面において、最長径５．０μｍ以下、深さ０．１〜０．４μｍのピンホールが５００μｍ×５００μｍ平方に２０個以下である銅合金すずめっき条であり、好ましくはＣｕ−Ｓｎ合金相表面の粗さ曲線要素の平均高さＲｃが０．２７μｍ以下であり、粗さ曲線要素の平均長さＲｓｍが４．０μｍ以上である銅合金すずめっき条。 （もっと読む）

【課題】装置内のコンタクト領域の汚染を抑制することを目的として、方法、装置、および、装置のさまざまな構成要素、例えば、ベースプレート、端縁シール、およびコンタクトリングアセンブリを提供する。
【解決手段】汚染が発生し得る状況として、電気メッキプロセス後に装置から半導体ウェハを取り出す時が挙げられる。特定の実施形態によると、疎水性コーティング、例えばポリアミドイミド（ＰＡＩ）コーティング、および、時にポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）コーティング７１２が設けられるベースプレートを用いる。また、コンタクトリングアセンブリのコンタクト端部は、端縁シールのシール端縁からの距離を大きくして配置されるとしてよい。特定の実施形態によると、コンタクトリングアセンブリの一部および／または端縁シールにも同様に、疎水性コーティングを設ける。 （もっと読む）

【課題】視界性が良好でありかつ美観を損なうことのないフィルムアンテナ基材であって、次工程、検査工程、耐久性試験下などにおいてもアンテナエレメントが基材から容易に剥離せず、密着性の良いフィルムアンテナ基材を提供する。
【解決手段】透明樹脂層を含む透明基材上に金属配線層からなるアンテナエレメントが積層されているフィルムアンテナ基材において、上記金属配線層の断面形状は、断面形状全体又は断面形状の上部が台形状であって、当該金属配線層は、少なくとも上面の一部又は上記台形状の一部が透明樹脂層からは露出し、少なくとも最大幅の部分から下の部分が上記透明樹脂層に埋設されてなるフィルムアンテナ基材。金属配線層の断面形状の台形部分の高さが０．１〜１０μｍ、断面形状の台形部分の側辺の角度が３０〜８０°の範囲内であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】良好な耐熱性と挿抜性を併有するめっき材料を提供する。
【解決手段】導電性基材１の表面に、周期律表４族、５族、６族、７族、８族、９族、もしくは１０族に含まれるいずれか１種の金属またはそれを主成分とする合金から成る下地めっき層２と、ＣｕまたはＣｕ合金から成る中間めっき層３と、ＳｎまたはＳｎ合金から成る表面めっき層４とがこの順序で形成されており、かつ、表面めっき層４の厚みが中間めっき層３の厚みの１.９倍以上の厚みであるめっき材料。 （もっと読む）

【課題】導体膜を有する配線基板において、導体膜の表面に傾斜や凹凸を設けることなく、導体膜に発生する膨れやピンホールの発生を適切に防止する配線基板を提供する。
【解決手段】表面に、導体よりなる下地層１１、銅よりなる銅層１２、１３、金よりなる金層１４を順次積層して形成してなる導体膜１０を有する配線基板１であって、銅層１２、１３は、下地層１１の側から銅メッキよりなる第１の層１２、銅メッキよりなる第２の層１３を順次形成してなるものであり、第１の層１２の内部には、下地層１１と第１の層１２との間に発生するガスを抜くためのガス抜き通路１５が、第１の層１２における下地層１１側の面から第２の層１３側の面まで形成されており、ガス抜き通路１５は、第１の層１２における第２の層１３側の面にて、第２の層１３によって閉塞されている。 （もっと読む）

【課題】電流密度を均一にすることができ、尚且つメッキ液の流動効率を高めることができる遮蔽板及び電解メッキ装置を提供する。
【解決手段】本発明の電解メッキ装置は、メッキ液が収容されるメッキ槽１０と、メッキ槽内にメッキ液を供給するマニホールド４０と、メッキ槽内に配置された陽極２０と、陽極２０に対向して配置され、基板３５を固定する陰極３０と、陽極２０と陰極３０とに電気的に接続された電源部６０と、電流密度を均一にするために陽極２０と陰極３０との間に介在し、ハニカム状の複数の孔５５が形成された遮蔽板５０とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温で使用でき、かつ、耐久性に優れたＰｔ被覆線を提供すること。
【解決手段】ＰｔＩｒ合金からなる心材に厚さ１μｍ以上のＰｔ被覆層を形成し、心材のＩｒの酸化・消耗を効果的に抑制することによって、強度低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】端子の製造過程を簡素化できる、端子用金属線材、及び、端子の製造方法を提供する。
【解決手段】端子用金属線材３０は、雄端子３１の材料として切断して使用される。端子用金属線材３０には、複数の第１線材領域（第１線材領域３１ｆ、及び、第１線材領域３１ｇ）と、複数の第２線材領域３１ｓとが形成されている。第１線材領域は、金（第１の材料）によってめっきされ、且つ、金が露出している。第２線材領域３１ｓは、金とは異なる材料であるニッケル（第２の材料）によってめっきされ、且つ、ニッケルが露出している。 （もっと読む）

【課題】めっき密着強度、成形性、耐衝撃性、低線膨張率のいずれもが優れためっき用樹脂組成物、及び樹脂めっき製品を提供する。
【解決手段】本発明のめっき用樹脂組成物は、共役ジエン系ゴムからなるゴム状重合体（ｄ）に、特定の単量体成分をグラフト重合してなるグラフト共重合体（Ａ）と、特定の共重合体（Ｂ）とを含有し、前記グラフト共重合体（Ａ）と共重合体（Ｂ）の合計１００質量％に対する、前記ゴム状重合体（ｄ）の割合が１０〜２０質量％であり、かつ、前記グラフト共重合体（Ａ）と共重合体（Ｂ）の合計１００質量部に対して、融点が２５〜１００℃である酸化防止剤（Ｃ）が１〜８質量部配合されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コンタクトピンと電極板との間の通電不良を防ぐことができるめっき装置を提供する。
【解決手段】めっき装置は、通電可能な凹状電極板２００と、上下可動に支持され、凹状電極板２００と通電するコンタクトピン１９０と、コンタクトピン１９０が下に移動して挿通する上面開口を有し、凹状電極板２００の上に形成された、液体を溜める凹部とを備える。 （もっと読む）

【課題】コネクタシェルに対して、所望の部分については確実に金めっきが施されるとともに、所望の部分以外の部分についてはできる限り金めっきが施されないようにして、部分的金めっきを行なうことができるめっき方法を提供する。
【解決手段】同軸コネクタシェル１１をめっき槽内に配して下地めっき処理を施し、下地めっき処理が施された同軸コネクタシェル１１に、半田付け部や接触結合部等の第１の部分を除いた第２の部分を樹脂材によりマスキングするモールド処理を施して樹脂モールド成型体を得、樹脂モールド成型体をめっき槽内に配して、同軸コネクタシェル１１の第１の部分、クロスハッチングが付されて示されるように金めっき処理を施し、その後、樹脂モールド成型体から金めっきがなされた第１の部分を有する同軸コネクタシェル１１を取り出す。 （もっと読む）