【課題】結晶性の良いＩＩＩ族窒化物を格子整合基板上に成長させる。
【解決手段】ＧａＮ膜を有する窒化物半導体素子１０は、表面が平坦化されたＺｎＯ基板１１の表面上に、ＧａＮ層１２が形成される。ＧａＮ層１２は、３００℃以下の温度でＧａＮをエピタキシャル成長させる第１の成膜工程と、上記第１の成膜工程により成膜されたＧａＮ上に、５５０℃以上の温度でＧａＮをエピタキシャル成長させる第２の成膜工程とにより成膜される。 （もっと読む）

【課題】 酸化物超電導層上に厚いＡｇ安定化層を有し、優れた超電導特性を有する安定化層付き酸化物超電導線材とその製造方法の提供。
【解決手段】 テープ状の基材１上に成膜法により多結晶中間薄膜２と酸化物超電導層３を形成し、次いでこの酸化物超電導層上に成膜法によりＡｇＯ層１０を成膜して被処理線材１１を作製し、次いでこの被処理線材を酸素雰囲気中において熱処理し、ＡｇＯ層をＡｇ安定化層に変換するとともに、この変換により生じる酸素を酸化物超電導層に供給する酸素アニール工程を施して酸化物超電導線材１２を製造することを特徴とする安定化層付き酸化物超電導線材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高硬度鋼の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】超硬基体の表面に、（ａ）いずれも（Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎからなる上部層と下部層で構成し、前記上部層は０．５〜１．５μｍ、前記下部層は２〜６μｍの平均層厚をそれぞれ有し、（ｂ）上記上部層は、いずれも一層平均層厚がそれぞれ５〜２０ｎｍ（ナノメ−タ−）の薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、上記薄層Ａは特定の組成式：［Ｃｒ_{1-（Ａ＋Ｂ）}Ａｌ_ＡＳｉ_Ｂ］Ｎを満足する（Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ層、上記薄層Ｂは特定の組成式：［Ｃｒ_{1-（Ｃ＋Ｄ）}Ａｌ_ＣＳｉ_Ｄ］Ｎを満足する（Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ層、からなり、（ｃ）上記下部層は、単一相構造を有し特定の組成式：［Ｃｒ_{1-（Ｅ＋Ｆ）}Ａｌ_ＥＳｉ_Ｆ］Ｎを満足する（Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ層、からなる硬質被覆層を蒸着形成してなる。 （もっと読む）

【課題】 電子ビーム蒸着法をはじめとする真空蒸着法を使用して基板上にＭｇＯ膜を成膜するためにターゲット材として使用する単結晶ＭｇＯ蒸着材であって、蒸着時の成膜速度を低減することなく、スプラッシュの発生を防止し、優れた膜特性例えばＰＤＰ用保護膜として使用した場合の放電特性などを向上させること。
【解決手段】 酸化マグネシウム単結晶よりなる蒸着材であって、前記蒸着材の最大投影面の円相当径をＤ（ｍ）、前記最大投影面に垂直方向の厚みをｔ（ｍ）、蒸着材の体積をＶ（ｍ^３）としたときに、Ｄ／ｔが４以上、ｔが０．４×１０^−３ｍ以上、Ｖが５×１０^−９ｍ^３以上であり、かつ、前記最大投影面の合計面積の９０％以上が、（１００）面、（１１０）面、及び（１１１）面の少なくとも１種で構成されたものである。 （もっと読む）

【課題】切削工具や鍛造金型や打ち抜きパンチなどの治工具などに形成する、硬度と耐酸化性に優れた硬質皮膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】［（Ｎｂ_1-d ，Ｔａ_d）_aＡｌ_1-a］（Ｃ_1-XＮ_X）または［（Ｎｂ_1-d ，Ｔａ_d）_a（Ａｌ_1-aＳｉ_ｂＢ_ｃ）］（Ｃ_1-XＮ_X）からなる硬質皮膜であって、０．４≦ａ≦０．６、０＜ｂ＋ｃ≦０．１５、０≦ｄ≦１、０．４≦Ｘ≦１、（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄおよびＸは互いに独立して、原子比を示す：なおｂおよびｃは、一方が０であってもよいが、両方が０になることはなく）であることを特徴とする硬質皮膜。カソード放電型アークイオンプレーティング法で皮膜を形成する工程とスパッタリング法で皮膜を形成する工程を繰り返して形成する。 （もっと読む）

【課題】 耐熱合金の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】 表面被覆超硬合金製切削工具が、超硬基体の表面に、（ａ）いずれも（Ｔｉ，Ａｌ，Ｂ）Ｎからなる上部層と下部層で構成し、前記上部層は０．５〜１．５μｍ、前記下部層は２〜６μｍの平均層厚をそれぞれ有し、（ｂ）上記上部層は、いずれも一層平均層厚がそれぞれ５〜２０ｎｍ（ナノメ−タ−）の薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、上記薄層Ａ及びＢは、特定な組成式を満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｂ）Ｎ層、からなり、（ｃ）上記下部層は、単一相構造を有し、組成式：［Ｔｉ_{1-（Ｘ＋Ｙ）}Ａｌ_ＸＢ_Ｙ］Ｎ（ただし、原子比で、Ｘは０．５０〜０．６０、Ｙは０．０１〜０．１０を示す）を満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｂ）Ｎ層、からなる硬質被覆層を蒸着形成してなる。 （もっと読む）

【課題】 高反応性被削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】超硬基体の表面に、（ａ）いずれも（Ｔｉ，Ａｌ，Ｔａ）Ｎからなる上部層と下部層で構成し、前記上部層は０．５〜１．５μｍ、前記下部層は２〜６μｍの層厚をそれぞれ有し、（ｂ）上記上部層は、いずれも５〜２０ｎｍ（ナノメ−タ−）の層厚を有する薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、上記薄層Ａは特定の組成式：［Ｔｉ_{1-（Ａ＋Ｂ）}Ａｌ_ＡＴａ_Ｂ］Ｎを満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｔａ）Ｎ層、上記薄層Ｂは特定の組成式：［Ｔｉ_{1-（Ｃ＋Ｄ）}Ａｌ_ＣＴａ_Ｄ］Ｎを満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｔａ）Ｎ層、からなり、（ｃ）上記下部層は、単一相構造を有し、特定の組成式：［Ｔｉ_{1-（Ｅ＋Ｆ）}Ａｌ_ＥＴａ_Ｆ］Ｎを満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｔａ）Ｎ層、からなる硬質被覆層を蒸着形成してなる。 （もっと読む）

【課題】 少ない装置かつ簡単な製造工程で電子素子の表面に種子層を形成することのできる電子素子めっき種子層の製造方法を提供する。
【解決手段】 ガイド板で一つ以上の電子素子を挟持板の挟持孔に導入する。各挟持孔は、電子素子の両端を挟持板から露出させるように電子素子をしっかりと挟持する弾性部材を有する。最後に、半導体製造工程（例えば、スパッタリング法や、蒸着法等）を以ってめっき用種子層として電子素子の両端の表面に金属フィルムを形成する。 （もっと読む）

【課題】温度上昇や被加工物の高硬度化による摩耗増大を抑制することのできる最適な耐摩耗皮膜及び耐摩耗皮膜を被覆した被覆切削工具及び耐摩耗皮膜の製造方法を提供することである。
【解決手段】耐摩耗皮膜の金属成分が（ＳｉＸＭ１−Ｘ）、非金属成分が（ＮＹＧ１−Ｙ）で示され、但しＸの値は金属成分のみの原子％を１００とした場合、１５原子％以上、９５原子％以下であり、Ｙの値は非金属成分のみの原子％を１００とした場合、１０原子％以上、９９．９原子％以下であり、ＭはＴｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｙ、Ｃｕ、Ｎｉから選択される１種以上であり、ＧはＣ、Ｏ、Ｂ、Ｃｌ、Ｓ、Ｐ、Ｈ、Ｆから選択される１種以上であり、該耐摩耗皮膜はＳｉ含有量が１０原子％未満の結晶粒子とＳｉ含有量が１０原子％以上の非晶質相とが存在することを特徴とする耐摩耗皮膜である。 （もっと読む）

【課題】 耐熱合金の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】 表面被覆超硬合金製切削工具が、超硬基体の表面に、（ａ）いずれも（Ｃｒ，Ａｌ，Ｂ）Ｎからなる上部層と下部層で構成し、前記上部層は０．５〜１．５μｍ、前記下部層は２〜６μｍの平均層厚をそれぞれ有し、（ｂ）上記上部層は、いずれも一層平均層厚がそれぞれ５〜２０ｎｍ（ナノメ−タ−）の薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、上記薄層Ａ及びＢは、特定な組成式を満足する（Ｃｒ，Ａｌ，Ｂ）Ｎ層、からなり、（ｃ）上記下部層は、単一相構造を有し、組成式：［Ｃｒ_{1-（Ｘ＋Ｙ）}Ａｌ_ＸＢ_Ｙ］Ｎ（ただし、原子比で、Ｘは０．５０〜０．７０、Ｙは０．００５〜０．０５を示す）を満足する（Ｃｒ，Ａｌ，Ｂ）Ｎ層、からなる硬質被覆層を蒸着形成してなる。 （もっと読む）

【課題】パルスレーザアブレーション蒸着（ＰＬＤ−パルスレーザ蒸着）の方法、及び移動する基材をコーティングするために、移動ターゲットのアブレーションによって最適な表面品質を生ずること。
【解決手段】本発明は、金属、ガラス、又はプラスチック製の部材をコーティングする方法に関し、可能な限り均一な品質を有する表面を作り出すために、前記部材を移動ターゲットからアブレーションされた材料プラズマファン中を移動させつつ、部材がレーザアブレーションによってコーティングされる。本発明はまた、当該方法によって生産される製品に関する。 （もっと読む）

【課題】 耐熱合金の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】 表面被覆超硬合金製切削工具が、超硬基体の表面に、（ａ）いずれも（Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｒ）Ｎからなる上部層と下部層で構成し、前記上部層は０．５〜１．５μｍ、前記下部層は２〜６μｍの層厚をそれぞれ有し、（ｂ）上記上部層は、いずれも５〜２０ｎｍ（ナノメ−タ−）の層厚を有する薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、上記薄層Ａ、上記薄層Ｂ、上記下部層は、特定な組成式を満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｒ）Ｎ層、からなる硬質被覆層を蒸着形成してなる。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素皮膜の厚膜化に伴う応力集中によるクラック発生を抑制し、非晶質炭素皮膜の耐剥離性を改善し、耐摩耗性の向上した非晶質炭素皮膜被覆部材を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金からなる基体に非晶質炭素皮膜を被覆した部材において、該基体のＷＣ平均粒径が０．８μｍ以下であり、該基体の結合相の平均粒径が２００μｍ以下であり、該基体の飽和磁化値をＲ、２０２×Ｃｏ％／１００の値をＳ、とした時、飽和磁化比Ｒ／Ｓが、０．６５≦Ｒ／Ｓ≦０．９であること、を特徴とする非晶質炭素皮膜被覆部材である。 （もっと読む）

分子線エピタキシャル成長法によりＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体のヘテロ接合を有する半導体薄膜を形成するエピタキシャル成長方法であって、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層を形成する第１の工程と、前記ＩＩＩ族元素の分子線と前記第１のＶ族元素の分子線の照射を停止し、前記第１のＶ族元素の供給量が前記第１の工程における供給量の１／１０以下となるまで成長を中断する第２の工程と、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第２のＶ族元素の分子線とを照射して前記第１の化合物半導体層上に前記第１の化合物半導体とは異なる第２の化合物半導体層を形成する第３の工程と、を備えるようにした。
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【課題】高価でエネルギー消費量の大きいプラズマ発生源を用いることなく、光触媒作用に優れた窒素ドーピングされた酸化チタンを簡便かつ安価に製造する。
【解決手段】窒素がドーピングされている酸化チタンを製造するに際して、その窒素の供給源として一酸化窒素ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】 高硬度鋼の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】 表面被覆超硬合金製切削工具が、超硬基体の表面に、（ａ）いずれも（Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎからなる上部層と下部層で構成し、前記上部層は０．５〜１．５μｍ、前記下部層は２〜６μｍの層厚をそれぞれ有し、（ｂ）上記上部層は、いずれも５〜２０ｎｍ（ナノメ−タ−）の層厚を有する薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、上記薄層Ａ、Ｂは、それぞれ特定な組成式からなり、（ｃ）上記下部層は、単一相構造を有し、組成式：［Ｔｉ_{1-（Ｅ＋Ｆ）}Ａｌ_ＥＳｉ_Ｆ］Ｎ（ただし、原子比で、Ｅは０．５０〜０．６０、Ｆは０．０１〜０．０９を示す）を満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ層、からなる硬質被覆層を蒸着形成してなる。 （もっと読む）

【課題】 難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】 表面被覆超硬合金製切削工具が、超硬基体の表面に、（ａ）いずれも（Ｔｉ，Ａｌ，Ｖ）Ｎからなる上部層と下部層で構成し、前記上部層は０．５〜１．５μｍ、前記下部層は２〜６μｍの層厚をそれぞれ有し、（ｂ）上記上部層は、いずれも５〜２０ｎｍ（ナノメ−タ−）の層厚を有する薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、それぞれ特定な組成式を満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｖ）Ｎ層、からなり、（ｃ）上記下部層は、単一相構造を有し、組成式：（Ｔｉ_{1-（Ｅ＋Ｆ）}Ａｌ_ＥＶ_Ｆ）Ｎ（ただし、原子比で、Ｅは０．５０〜０．６５、Ｆは０．０１〜０．０９を示す）を満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｖ）Ｎ層、からなる硬質被覆層を蒸着形成してなる。 （もっと読む）

【課題】
光触媒膜として窒素酸化物等の有害ガスの分解、除去などの環境浄化への応用やガスセンサー素子への応用が図れる、厚さが数百ｎｍ（ナノメートル）程度の非常に薄い膜状で、結晶配向により結晶欠陥を低減させた硫黄添加二酸化チタン膜の形成方法。
【解決手段】
イオン注入法により二酸化チタン単結晶膜に硫黄を添加し、イオン注入に伴い発生する結晶乱れをイオン注入後の熱処理により回復させ、結晶配向した硫黄添加二酸化チタン膜を得る。又、二硫化チタンを焼成して作製したターゲット材を用いてパルスレーザー蒸着を行うことによっても結晶配向した硫黄添加二酸化チタン膜を得る。 （もっと読む）

基板(1)表面上の少なくとも主要層(3)、埋込層(4)、及び外部表面層(5)を有する硬質被覆層システム。表面層(5)はAlCrZを有し、ZはN、C、B、CN、BN、CBN、NO、CO、BO、CNO、BNO又はCBNOを表す。新規な被覆三層システム及び対応する被覆された工具と部品で、埋込層は次の材料又はその組合せの何れか１つを有する:金属窒化物、炭化物又は炭窒化物、金属ケイ素窒化物、炭化物又は炭窒化物であり、金属はIVB、VB又はVIB族の遷移金属、又は少なくとも１つの金属又は炭素、好ましくはダイアモンド状炭素層を有する材料の多層、又は材料、又は材料の組合せか多層。主要層は、窒化物、炭化物又は炭窒化物、又は窒化物、炭化物又は炭窒化物材料の多層を有する。主要層は、直接又は差し挟む付着層を介し加工製品上に堆積できる。付着層は上記遷移金属又は金属窒化物、好ましくはAlCr、AlTi、Cr、Ti、AlCrN、AlTiN、TiN又はCrNが可能である。
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i)基板を提供する段階、ii)スパッタリングターゲットを形成するように選択された材料をプラズマ溶解し、溶解材料の溶滴を生じさせる段階、iii)基板上に液滴を蒸着させ、基板上に材料の被覆層からなるスパッタリングターゲットを生じさせる段階を有するスパッタリングターゲットを製造するための方法。いくつかの適用では、基板は一時的な基板で、iv)被覆された一時基板を永久的なターゲット支持材料に前記被覆層を介して接合し、v)前記一時基板を取り外し、永久的なターゲット支持材料上に材料の被覆層からなるスパッタリングターゲットを生じさせることが、望ましい。プラズマ蒸着ステップは、大気圧下、又は直流プラズマ溶射、直流転送アーク蒸着、誘導プラズマ溶射などの軟真空を使用する条件下で行われる。この方法は簡単で、結果としてのターゲット上にその後の作業を必要としない。 （もっと読む）