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Fターム[4K029AA04]の内容

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 (1)
Si (1,129)
Al2O3 (296)
SiO2、シリカ (228)
ガラス (2,160)

Fターム[4K029AA04]に分類される特許

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基板(1)表面上の少なくとも主要層(3)、埋込層(4)、及び外部表面層(5)を有する硬質被覆層システム。表面層(5)はAlCrZを有し、ZはN、C、B、CN、BN、CBN、NO、CO、BO、CNO、BNO又はCBNOを表す。新規な被覆三層システム及び対応する被覆された工具と部品で、埋込層は次の材料又はその組合せの何れか1つを有する:金属窒化物、炭化物又は炭窒化物、金属ケイ素窒化物、炭化物又は炭窒化物であり、金属はIVB、VB又はVIB族の遷移金属、又は少なくとも1つの金属又は炭素、好ましくはダイアモンド状炭素層を有する材料の多層、又は材料、又は材料の組合せか多層。主要層は、窒化物、炭化物又は炭窒化物、又は窒化物、炭化物又は炭窒化物材料の多層を有する。主要層は、直接又は差し挟む付着層を介し加工製品上に堆積できる。付着層は上記遷移金属又は金属窒化物、好ましくはAlCr、AlTi、Cr、Ti、AlCrN、AlTiN、TiN又はCrNが可能である。
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【課題】潤滑性に優れ、高い耐摩耗性を有する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】基体2表面に周期律表第4a、5a、6a族元素、AlおよびSiから選ばれる1種以上の金属元素と、窒素、炭素および酸素から選ばれる1種以上の非金属元素との化合物からなる下層7と、組成が(Ti1−a)B(C1−c)(ただし、MはTiを除く周期律表第4a、5aおよび6a族金属元素、AlおよびSiの群から選ばれる1種以上、0≦a<1、0<b<3、0≦c<1)からなるとともに、最表面におけるB(ホウ素)の含有濃度mと前記最表面から0.2μmの深さ位置におけるB(ホウ素)の含有濃度mとの比(m/m)が0.1〜0.9の表面層8とを形成する。 (もっと読む)


【課題】 硬質被覆層が高速切削加工ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆サーメット製切削工具を提供する。
【解決手段】 表面被覆サーメット製切削工具が、WC基超硬合金またはTiCN基サーメットで構成された工具基体の表面に、(a)下部層が、1〜10μmの平均層厚を有し、かつ、組成式:(Ti1-X AlX )N(ただし、原子比で、Xは0.35〜0.70を示す)、を満足する(Ti,Al)N層、(b)中間層が、0.1〜2μmの平均層厚を有するCr層、(c)上部層が、1〜10μmの平均層厚を有し、かつ、組成式:(Al1−ZCr、(ただし、原子比で、Z:0.01〜0.1)、を満足すると共に、特定な構成原子共有格子点分布グラフを示す(Al,Cr)層、で構成された硬質被覆層を蒸着形成してなる。 (もっと読む)


白熱灯および蛍光灯の代用品としての発光ダイオードなどのためにダイヤモンド基板上に窒化ガリウムデバイスを形成する。一つの実施形態として、少なくとも2つの方法でダイヤモンド上に窒化ガリウムダイオード(もしくは他のデバイス)を形成する。第1の方法は、ダイヤモンド上に窒化ガリウムを成長させ、その窒化ガリウム層にデバイスを設けることを含んでいる。第2の方法は、ダイヤモンド上に窒化ガリウム(デバイスもしくはフィルム)を接合し、接合した窒化ガリウム上にデバイスを設けることをともなっている。これらのデバイスは、白熱光や蛍光よりもかなり効率がよく、他の技術よりも光密度もしくはエネルギー密度がかなり高い。同様の方法および同様の構造により他の窒化ガリウム半導体デバイスをつくることができる。 (もっと読む)


【課題】透明導電性物質層をイオンビームアシスト真空蒸着法によって成膜する場合、厳密な成膜速度の制御が難しいため、安定して高い導電性を得ることが難しかった。
【解決手段】イオンビーム量を、透明導電性物質層が着色しない範囲で連続的に変化させることで屈折率傾斜膜として、一つの透明導電性物質層の中に、最適な成膜速度とイオンビーム量の関係で成膜された膜厚部分を作ることを特徴とする光学薄膜を提供する。 (もっと読む)


本発明は、低合金鋼およびステンレス鋼に短穴をドリル加工する、靭性を要する使用に適した被膜付き切削工具インサートおよびその製造方法に関する。このインサートは基材と被膜とを含む。基材は、WCと、8〜11wt%のCoと、0.2〜0.5wt%のCrとから成り、WCの平均粒径が0.5〜1.5μm、CW比が0.80〜0.90である。被膜は、多結晶であって形態が非反復性であるTiN+Ti1−xAlN+TiN+Ti1−xAlNの多層構造を有し、x=0.4〜0.6であり、個々のTiN層およびTi1−xAlN層の厚さが1〜30nmでほぼランダムに変動しており、該多層被膜の全厚が1〜5μmある。個々の層はアーク蒸着法を用いて被着する。 (もっと読む)


【課題】金属の密着層のようにpn接合のショートおよび光の吸収を抑制するための膜厚制御性を必要とせず、かつ共振器端面と端面コート膜の密着性を向上させる密着層により、信頼性、生産効率の高い窒化物半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】III−V族窒化物半導体層を有した窒化物半導体レーザバー100の前面側の共振器端面113に、六方晶の結晶からなる密着層115を積層し、密着層115に端面コート膜116を積層し、同様に背面側の共振器端面114にも六方晶半導体層からなる密着層118を積層し、密着層118に端面コート膜117を積層した構成とする。 (もっと読む)


【課題】 純鉄系材料で、磁気特性を損なわずに、工具寿命を向上させることが可能な切削加工方法を提供することである。
【解決手段】 炭素含有量が0.01wt%以下の純鉄系材料を、母材として硬質材料を用いた切削工具により旋削する際に、すくい角が7度から42度の範囲にある、超硬合金またはサーメット等の切削工具を用い、150m/min以上の切削速度で切削加工を行なうようにしたのである。このような切削条件により、難削性の純鉄系材料を切削する際の工具摩耗量が半減し、工具寿命が向上する。それにより、工具交換頻度が少なくなり、生産性や製造コストおよび被削材の品質管理の面での大きな改善効果が得られる。 (もっと読む)


【課題】大面積、三次元形状に高密度の薄膜の硬質炭素膜の成膜法及び成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板表面に、粒径500nm以下の超微粒子を含んだガスクラスターのイオンビームを照射することにより、超微粒子若しくは超微粒子とガスの化合物を形成し、超微粒子がグラファイト、カーボンナノチューブ、Cn(但し、nは60、70、76、84等より選ばれた整数である。)で表される球状炭素類、ガスがアルゴンから成る硬質炭素膜の成膜方法を用い、ガスクラスターイオンビーム装置において、ガスボンベとガスクラスター発生部の間に、粒径500nm以下の超微粒子供給手段を備えるよう構成する。 (もっと読む)


【課題】 CBN焼結体工具の被覆膜を薄くすることで、焼入れ鋼の精密仕上げや溝入れ加工用の工具を提供する。
【解決手段】 本発明は、CBN焼結体を基材として、基材の表面にC、NおよびOの中から選択された少なくとも1種の元素とTiとAlとを主成分とした化合物からなる少なくとも1層の被覆膜を0.1μm以上1μm未満の厚さで有する工具用表面被覆高硬度材料である。溝入れ工具としてこの材料を使用すると、優れた性能を示す。被覆膜としては、中間層、耐摩耗膜および表面層などがある。
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【課題】 高温時の耐酸化性に優れるとともに、靭性にも優れかつ被膜の層間剥離を生じることがない被膜を有する表面被覆切削工具およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 被膜は、化学蒸着法により形成される第1被膜と物理蒸着法により形成される第2被膜および第3被膜とを含み、第1被膜は、基材1と第2被膜との間に位置するものであって、α型酸化アルミニウムを少なくとも一層含むものであり、かつ圧縮残留応力を有し、第2被膜は、周期律表のIVa族元素、Va族元素、VIa族元素、Al、およびSiからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素の化合物よりなり、かつ圧縮残留応力を有し、第3被膜は、第1被膜と第2被膜との間に位置するものであって、α型酸化アルミニウム、γ型酸化アルミニウムまたは非晶質酸化アルミニウムによって構成されるものであることを特徴とする表面被覆切削工具が提供される。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、高温時の耐酸化性に優れるとともに、靭性にも優れかつ被膜の層間剥離を生じることがない被膜を有する表面被覆切削工具を提供することにある。
【解決手段】 本発明の表面被覆切削工具は、物理蒸着法により形成される第1被膜と物理蒸着法により形成される第2被膜とを含み、該第1被膜は、上記基材と第2被膜との間に位置するものであって、γ型酸化アルミニウムによって構成されるものであり、該第2被膜は、周期律表のIVa族元素、Va族元素、VIa族元素、Al、およびSiからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素と、炭素、窒素、酸素、および硼素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素とからなる化合物の少なくとも1層によって構成されるものであり、かつ圧縮残留応力を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 高温時の耐酸化性に優れるとともに、靭性にも優れた被膜を有する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 表面被覆切削工具は、物理蒸着法により形成される第1被膜と物理蒸着法により形成される第2被膜とを含み、第1被膜は、基材と第2被膜との間に位置するものであって、α型酸化アルミニウムによって構成されるものであり、かつ0.2GPa未満の残留応力を有し、該第2被膜は、周期律表のIVa族元素、Va族元素、VIa族元素、Al、およびSiからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素と、炭素、窒素、酸素、および硼素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素とからなる化合物の少なくとも1層によって構成されるものであり、かつ圧縮残留応力を有する。 (もっと読む)


【課題】密着性が優れ、耐酸化性、耐摩耗性、特に潤滑特性、耐欠損性に優れた硬質皮膜を提供すること、及びその被覆方法を提供することである。
【解決手段】物理蒸着法により被覆される硬質皮膜において、該硬質皮膜は4a、5a、6a族、Al、B、Siから選択される1種以上の金属元素と、Sを含みC、N、Oから選択される1種以上の非金属元素によって構成され、該硬質皮膜は柱状組織構造を有し、該柱状組織構造の結晶粒はS成分に組成差を有する多層構造を有し、少なくとも該多層構造における層間の境界領域で結晶格子縞が連続している領域があり、各層の厚みT(nm)が0.1≦T≦100、であることを特徴とする硬質皮膜であり、その被覆方法は、アーク放電型イオンプレーティング法とマグネトロンスパッタリング法の蒸着源を同一チャンバー内で同時に放電させることにより形成する。 (もっと読む)


【課題】薄い最外層の干渉色層を備えた被覆切削工具インサートを提供する。
【解決手段】本発明は、超硬合金、サーメットまたはセラミックまたは高速度鋼、或いは立方晶窒化ボロンまたはダイアモンドのような超硬質材料のボディより成る切削インサートに関し、前記ボディが0.5ミクロン未満の厚さで、最外層の非酸化物発色層(周期律表の第一V,VまたはV1族の複数金属AI、Si及びBまたはそれらの混合物)を含む硬質で摩耗性の被膜を備え、それによって前記色は干渉によって作り出される。 (もっと読む)


【課題】 高温時の耐酸化性に優れるとともに、靭性にも優れかつ被膜の層間剥離を生じることがない被膜を有する表面被覆切削工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基材と、基材上に形成された被膜とを備える表面被覆切削工具であって、被膜は、化学蒸着法により形成される第1被膜と物理蒸着法により形成される第2被膜とを含み、第1被膜は、基材と第2被膜との間に位置するものであって、α型酸化アルミニウムを含むものであり、かつセラミック粒子を用いて機械的衝撃を与える処理によって付与された圧縮残留応力を有し、第2被膜は、周期律表のIVa族元素、Va族元素、VIa族元素、Al、およびSiからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素と、炭素、窒素、酸素、および硼素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素とからなる化合物のよりなる少なくとも一層によって構成されるものであり、かつ圧縮残留応力を有する。 (もっと読む)


耐酸化性物品の製造方法が開示される。該方法は、(a)支持体上へ白金族金属の層を沈着させることによって白金族金属沈着化支持体を形成させ、次いで(b)白金族金属沈着化支持体層上へ、Hf、Y、La、Ce、Zr及びこれらの混合物から選択される反応性元素を沈着させることによって該白金族金属沈着化支持体上へ表面改質領域を形成させる工程を含む。この場合、該表面改質領域は、白金族金属、Ni、Al及び反応性元素を、γ−Ni+γ’−NiAl相組成が形成されるような相対濃度で含有する。
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【課題】エピタキシャルウェーハを製造する際に、多孔質バッファ層を容易に形成し、安価に半導体エピタキシャル層を形成しうる手段を提供する。
【解決手段】単結晶ウェーハ上に単結晶半導体層を形成する段階と、単結晶半導体層上にナノサイズのドットを有するマスク層を形成する段階と、マスク層と共に単結晶半導体層の表面をエッチングして、ナノサイズの空孔部を有する多孔質バッファ層を形成する段階と、多孔質バッファ層を熱処理する段階と、多孔質バッファ層上にエピタキシャル成長法によりエピタキシャル物質層を形成する段階と、含むエピタキシャルウェーハの製造方法である。 (もっと読む)


【課題】 保持可能な基板の種類が限定されず、かつ当該基板の温度を効果的に制御することができる新規な基板保持装置を提供する。
【解決手段】 この発明に係る基板保持機構18は、例えば真空蒸着装置に適用されるものであり、図示しない液体冷却装置から冷却水が供給される水冷ジャケット34を有している。そして、この水冷ジャケット34の下面には、複数の押圧ユニット40,40,…が設けられており、それぞれの押圧ユニット40は、水冷ジャケット34を介して冷却水が注入される溶接ベローズ52を有している。この溶接ベローズ52の移動端(先端)には、中継冷却板56が結合されており、冷却水の圧力に応じて当該ベローズ52が伸縮すると、中継冷却板56によってヒートシンク70と共にウェハ16が下方に押し付けられ、固定される。 (もっと読む)


【課題】 高温においても劣化し難く所望の耐摩耗性を維持、発揮し得る耐摩耗性膜で被覆された耐摩耗性膜被覆物品を提供する。
【解決手段】窒素、酸素、炭素及びホウ素のうち少なくとも窒素及び酸素を含むクロムアルミニゥムの化合物の層を最上層として含む耐摩耗性膜Fで被覆されており、該耐摩耗性膜Fの室温でのマイクロビッカース硬度が2000以上である耐摩耗性膜被覆物品(例えばエンドミルEM)。 (もっと読む)


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