【課題】分割マスクとその分割マスクを含むマスクフレーム組立体の組立装置を提供する。
【解決手段】蒸着用パターンが設けられたスティック本体と、スティック本体の長手方向に沿って延びた第１クランピング部と、スティック本体の長手方向と幅方向との間の斜め方向に沿って延びた第２クランピング部と、を備える分割マスク及びその分割マスクを含むマスクフレーム組立体の組立装置である。これにより、マスクフレーム組立体の組立時、第１、２クランピング部を利用して、長手方向だけでなく、幅方向にも引張力を与えることができるので、ウェーブの発生を抑制して精密なマスクフレーム組立体を作りうる。 （もっと読む）

【課題】有機層の性能の変動が抑制された、高品質な有機機能性素子を効率的に製造し得る有機機能性素子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】気化された有機層形成材料をノズルから吐出させることにより、該ノズルに対して相対的に移動する基材２１上に有機層を形成する蒸着工程を含む有機機能性素子の製造方法であって、前記ノズルの開口部９ａａと前記基材との間に介在され、互いに並列し且つ前記基材の移動方向に対して交差する方向に配置された複数の線部材３１を有する蒸着量調整部材を用い、基材移動方向と垂直な開口部幅方向において、該開口部の中央部から両端部へ向かう程、前記線部材同士の間隔が大きくなるように前記線部材を配置し、前記線部材間において前記開口部から吐出された有機層形成材料を通過させつつ、前記蒸着工程を行う。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性（移動度、オフ電流、閾値電圧）及び信頼性（閾値電圧シフト、耐湿性）が良好で、ディスプレイパネルに適した電界効果型トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極と、ゲート絶縁膜と、半導体層と、半導体層の保護層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、ソース電極とドレイン電極が、半導体層を介して接続してあり、ゲート電極と半導体層の間にゲート絶縁膜があり、半導体層の少なくとも一面側に保護層を有し、半導体層が、Ｉｎ原子、Ｓｎ原子及びＺｎ原子を含む酸化物であり、かつ、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が２５原子％以上７５原子％以下であり、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｚｎ）で表される原子組成比率が５０原子％未満であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法により良好にＮａ添加されたＧａ添加濃度１〜４０原子％のＣｕ−Ｇａ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットのＦ，Ｓ，Ｓｅを除く金属成分として、Ｇａ：１〜４０ａｔ％、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、Ｎａがフッ化ナトリウム、硫化ナトリウム、セレン化ナトリウムのうち少なくとも１種の状態で含有され、酸素含有量が１００〜１０００ｐｐｍである。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、保護膜等の形成時に酸化処理層を必要とせずに、薄膜トランジスタの電気特性を安定させることが可能である酸化物半導体層を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、酸化物半導体層と、ソース・ドレイン電極と、保護膜とを備えた薄膜トランジスタ構造であって、前記酸化物半導体層は、金属元素全体に占めるＺｎの含有量が５０原子％以上であり、ソース・ドレイン電極および保護膜側に形成される第１酸化物半導体層と、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素と、Ｓｎとを含み、基板側に形成される第２酸化物半導体層との積層体であり、かつ、前記第１酸化物半導体層と、前記ソース・ドレイン電極および保護膜とが、直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ構造。 （もっと読む）

【課題】分割マスク及びこれを利用したマスクフレーム組立体の組立方法を提供する。
【解決手段】パターンが形成された本体部と、本体部の一側から延びた少なくとも一つ以上のサイドクランピング部と、前記少なくとも一つのサイドクランピング部の最外郭のサイドクランピング部に隣接して配される斜めクランピング部と、を備え、斜めクランピング部とサイドクランピング部とがなす角度（θ）は、０°より大きく９０°より小さい（０°＜θ＜９０°）分割マスク及びこれを利用したマスクフレーム組立体の組立方法。 （もっと読む）

【課題】複数のスティック型分割マスクが採用されるマスクフレーム組立体を提供する。
【解決手段】フレームに互いに交差して設けられ、その交差位置は互いに溶接で固定された支持バー及び分割マスクを備え、その溶接点の周囲には分割マスクの一部を切除した部分切除部が形成されるマスクフレーム組立体。かかる構造によれば、支持バーで分割マスクの下反りを防止でき、基板と分割マスクとの密着性も向上させることができるマスクフレーム組立体が具現される。 （もっと読む）

【課題】基材と蒸着源との距離を短くしつつ、発光色の変動が抑制された、高品質な有機ＥＬ素子を効率的に製造し得る有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】気化された有機層形成材料をノズルから吐出させることにより、該ノズルに対して相対的に移動する基材上に有機層を形成する蒸着工程を含み、前記有機層からなり基材移動方向に対して垂直な方向の幅Ａ（ｍｍ）を有する発光領域を形成する有機ＥＬ素子の製造方法であって、前記ノズルの開口部における前記基材移動方向と垂直方向の長さをＷ（ｍｍ）、前記開口部と前記基材との距離をｈ（ｍｍ）とするとき、Ｗ≧Ａ＋２×ｈ（但し、ｈ≦５ｍｍである。）を満たすようにして前記蒸着工程を行なうことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を備えた配線構造のスイッチング特性およびストレス耐性が良好であり、特にストレス印加前後のしきい値電圧変化量が小さく安定性に優れた配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板上に少なくとも、ゲート絶縁膜、及び酸化物半導体層を有し、前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、ＺｎおよびＳｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素（Ｚ群元素）から構成される第１の酸化物半導体層、並びに、Ｉｎ、Ｇａ、ＺｎおよびＳｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｇｅ、ＷおよびＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素（Ｙ群元素）を含む第２の酸化物半導体層を有する積層体であると共に、前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層と前記ゲート絶縁膜との間に形成されている。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料を溶媒に溶かしてなる液体材料から溶媒を確実に除去して蒸着を行うことで、この溶媒による基板の汚染を防止し、高品質の蒸着膜を得ることができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】有機液体材料Ｌを、蒸発装置２で有機溶媒を除去した上で蒸発させて蒸発材料とし、これを真空容器４内の基板Ｋに導き蒸着させる真空蒸着装置１であって、蒸発装置２が、有機液体材料Ｌが充填されて蒸発溶媒の排出口２２が形成された蒸発容器２０と、有機溶媒のみが蒸発して蒸着材料が蒸発しない温度に設定し得る蒸発用ヒータ１８と、排出口２２に第２開閉弁１２を介して接続された蒸発室用真空ポンプ１５と、流量調整弁１６とを有し、蒸発装置２が、流量調整弁１６を閉にすると共に、蒸発容器２０内の有機溶媒のみを蒸発用ヒータ１８で蒸発させた後、第２開閉弁１２を開にして上記ポンプ１５で蒸発容器２０内の蒸発溶媒を吸引し、有機溶媒を除去し得るもの。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットを用いたときの成膜速度（スパッタレート）が高められ、好ましくはスプラッシュの発生を防止できるＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明のＡｌ基合金スパッタリングターゲットは、Ｔａを含有するものである。好ましくは、ＡｌおよびＴａを含むＡｌ−Ｔａ系金属間化合物の平均粒子直径は０．００５μｍ以上１．０μｍ以下で、且つ、Ａｌ−Ｔａ系金属間化合物の平均粒子間距離は０．０１μｍ以上１０．０μｍ以下を満足するものである。 （もっと読む）

【課題】筒状体の内周面への成膜に適したものであって、かつγ電子によるダメージを抑制することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲットホルダ９は、スパッタ膜の材料としてのターゲット８を保持するためのものであって、相対的に負電位が印加されるように構成されている。筒状体ホルダ２は、筒状体１を保持するためのものであって、相対的に正電位が印加されるように構成された導電部２ｂを有する。導電部２ｂは、筒状体１が筒状体ホルダ２に保持された状態において筒状体１の内部空間へ露出するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】筒状体の内周面に均一な膜厚で、かつ均一なドープ濃度で共蒸着膜を形成可能な成膜装置および成膜方法。
【解決手段】成膜装置３０は、筒状体１の内周面に共蒸着膜を形成するための成膜装置であって、筒状体１を保持するための筒状体ホルダ２と、第１の蒸着材料１１を充填するための内部空間を有する第１の蒸着容器１２と、第２の蒸着材料１２を充填するための内部空間を有する第２の蒸着容器２２とを備えている。筒状体ホルダ２と第１および第２の蒸着容器１２、２２とは、筒状体１の延在する方向に互いに相対的に移動可能であり、筒状体１の延在する方向に延びる仮想の軸線Ａ−Ａを中心として互いに相対的に回転可能である。 （もっと読む）

【課題】低抵抗、高透過率および適切な表面凹凸を有する透明導電膜を、低温でより少ないプロセスで得られる太陽電池用透明導電膜の形成方法、それによって形成された透明導電膜、およびその透明導電膜を形成するための形成装置を提供する。
【解決手段】一つの真空チャンバー１内で、スパッタリング法により基板７の表面に透明導電膜を形成する方法であって、基板７の表面上に、拡散板１６を通してレーザー光Ｌを照射しながら成膜する。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｇａ，Ｓｎの内の１種または２種を合計で０．１〜１．５質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜４００μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】光量を高めた特殊な光源や感度の高い特殊な検出器を用いることなく、成膜される光学薄膜の膜厚を、高い精度で計測する光学式膜厚モニターを備えた成膜装置を得ることである。
【解決手段】モニター基板と、真空チャンバーの外に設置され、透明窓を介してモニター基板にモニター光を投射する発光手段と、モニター基板から反射され、真空チャンバーの外に導出されるモニター光を受光する受光手段と、受光手段で計測したモニター光の強度変化から、被成膜部材に形成される薄膜の膜厚を算出する手段とを有する光学式膜厚モニターを備えた成膜装置であって、モニター基板が、平面に半導体でなる膜厚が１００ｎｍ未満の第１の薄膜を備えているものである。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ２０のゲート電極１５、ソース、ドレイン電極３３、３４のうち、いずれか一つ以上の電極はバリア膜２５を有し、バリア膜２５が成膜対象物２１又は半導体層３０に密着している。ＮｉとＭｏを１００原子％としたときに、バリア膜２５は、Ｍｏを７原子％以上７０原子％以下含有し、ガラスからなる成膜対象物２１や半導体層３０に対する密着性が高い。また、バリア膜２５表面にＣｕを主成分とする金属低抵抗層２６が形成された場合に、Ｃｕが半導体層３０に拡散しない。 （もっと読む）

【課題】有機半導体真空蒸着膜の形成に当たり、蒸着膜を高結晶化させるための新規かつ有効な手段を提供する。
【解決手段】有機半導体の蒸着膜を構成すべき有機半導体分子を基板に真空蒸着させるに当たり、室温における蒸気圧が１Pa以下であるが有機半導体分子よりも高い蒸気圧を示し、真空蒸着条件下において蒸発又は昇華すると共に加熱された基板上において揮発性を示す不活性分子を共蒸発物として用いる真空蒸着成膜方法。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含有し、さらにＧａ，Ｓｎの内の１種または２種を合計で０．１〜１．５質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜２５０μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットの大型化に伴い、ターゲットに大電力が投入されてもスプラッシュを抑制することができると共に、耐食性および耐熱性に優れ、低電気抵抗の膜を形成可能な導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｉｎ：０．１〜１．５質量％を含有し、さらにＣｅ，Ｅｕの内の１種または２種を合計で０．０５〜０．８質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜２５０μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 （もっと読む）