【課題】誘電体膜を成膜する際に、基板の被成膜面にイオンビームを照射して、被成膜面に形成された膜の反応性を促進させることで、光透過率が高く、かつ、表面平滑性の高い成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜手段、反応手段３０及びイオンガン１１を稼働させながら、基板４を成膜手段と反応手段とイオンガンに対向するように移動させ、成膜手段による成膜、反応手段による反応及びイオンガンによるイオンビーム照射を繰り返し行い、薄膜と反応ガスとの反応の促進及び薄膜の一部エッチングにより積層した薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＡＳ耐性を長期間に亘って安定して維持する。
【解決手段】耐熱合金製の母材２１と、多数の気孔２３ａが形成され、母材２１を被覆する多孔質セラミックス層２３と、を備える耐高温部材１０であって、多孔質セラミックス層２３のうち少なくとも表面側には、複合酸化物２６が含浸した複合酸化物含浸部２５を具備していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】作製時の技術閾値が低く、アンテナの電波特性を良好に保ちつつ、耐環境性能にも優れる平面アンテナ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の平面アンテナは、誘電体で構成される基板１と、基板１上に形成された所定のパターンと、上記所定のパターン以外の基板１の表面を被覆する導体膜２と、保護膜６とを備える平面アンテナ１００であって、上記所定のパターンは、放射用スロットパターン３を含み、放射用スロットパターン３は、基板１の一方の主面に形成され、保護膜６は、放射用スロットパターン３、放射用スロットパターン３が形成された基板１の一方の主面を被覆する導体膜２、及び基板１の側面を被覆する導体膜２のそれぞれの上に形成されており、保護膜６は、膜厚が１〜２００ｎｍである。また、本発明の平面アンテナの製造方法は、スパッタリング法で導体膜２を形成する工程と、スパッタリング法で保護膜６を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１が表面に形成された被処理体Ｗに対して成膜処理を施す成膜方法において、第１の金属よりなる第１の薄膜６０を形成する第１の薄膜形成工程と、前記第１の薄膜を酸化して酸化膜６０Ａを形成する酸化工程と、前記酸化膜上に第２の金属を含む第２の薄膜６２を形成する第２の薄膜形成工程とを有する。これにより、比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成された高アスペクト比の微細構造内の側面及び底面に、金属層を形成する際のカバレッジに優れた成膜装置及び成膜方法の提供。
【解決手段】微細構造が形成された基板表面４に、スパッタリングによって金属層を形成する成膜装置１であって、基板４と金属層の母材をなすターゲット５とを対向させて、両方を収納する内部空間を有するチャンバー２と、チャンバー２内を減圧する排気手段と、チャンバー２内にスパッタガスを導入するガス導入手段と、ターゲット５のスパッタ面５ａ前方に磁場を発生させる第一磁場発生手段６と、ターゲット５に負の直流電圧を印加する直流電源７と、ターゲット５から基板４へ向かう方向に磁場Ｂを発生させる第二磁場発生手段１０と、が少なくとも備えられたことを特徴とする成膜装置１。 （もっと読む）

【目的】純金属の有する色彩を造形物の色彩として有効に活かすと共に、純金属の酸化を防ぎ、純金によるイオン効果や抗菌作用を得ることができる造形物に関し、そのような造形物を効率良く製造することができる製造方法に関する。
【解決手段】成型等により得られた透明な材料による透明造形物の片面に、一層又は複数層の純金属薄膜層を有し、一層又は複数層の最外殻の薄膜層は純金の薄膜層とすることにより、純金属の有する色彩を造形物の色彩として有効に活かすと共に、純金属の酸化を防ぎ、純金によるイオン効果や抗菌作用を得ることができる造形物を提供することができるのである。 （もっと読む）

【課題】巻取り体の端面からのガス供給装置を設置することなく、大気開放時にゴミの流入を防止し、且つ、巻取り部材を非接触状態で維持する非接触巻取り体の製造方法。
【解決手段】５．０×１０^−４Ｐａ以下の圧力条件に保たれた真空容器の内部で、基板の端部に直接突起形状を複数設ける工程、または、少なくとも片面に突起形状を複数設けたテープ状フィルムを該基板の両端に共巻する工程を有し、次いで、前記真空容器を前記圧力条件〜大気圧条件に大気開放する工程を有する非接触巻取り体の製造方法において、該大気開放する工程が、真空状態から１．０×１０^−３Ｐａ／秒〜０．１Ｐａ／秒の速度で１Ｐａ〜１０Ｐａの圧力範囲に装置内を調整する第１の圧力調整工程と、次いで、１．０×１０^１Ｐａ／秒〜５．０×１０^２Ｐａ／秒以下の速度で大気開放する第２の圧力調整工程を有することを特徴とする非接触巻取り体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶ウエハに新たな炭化珪素単結晶層を形成する工程において、ｃ軸方向に貫通する転位３を、基底面（０００１）に沿った第１方向の欠陥に変換させ、第１方向に交差し、かつ基底面（０００１）に沿った第２方向に欠陥の伝播方向を制御することで、単結晶基板中に含まれる貫通らせん転位３を基底面内欠陥４に構造転換し、基底面内欠陥４を結晶の外部に排出させ、元の炭化珪素単結晶基板よりも貫通らせん転位密度の小さい炭化珪素単結晶層。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造を有する基板表面の膜厚分布の改善を図ることができる成膜装置及び成膜方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、被成膜面上の一方向である第１の方向に沿って形成された凹凸構造を有する基板Ｗを成膜対象とし、ステージ３と、成膜源４と、検出部１０と、成膜源制御部１６とを具備する。成膜源４は、成膜材料Ｔから成膜粒子を生成させ、ステージ３に支持された基板Ｗに第２の方向から成膜粒子を照射する。検出部１０は、ステージ３の回転角度を検出する。成膜源制御部１６は、検出部１０の検出結果に基づいて、第１の方向と、第２の方向を被成膜面に投影した第３の方向とが平行となる回転角度のときは、成膜速度が第１の成膜速度となり、第１の方向と第３の方向とが垂直となる回転角度のときは、成膜速度が第１の成膜速度より小さい第２の成膜速度となるように成膜源４を制御する。 （もっと読む）

【課題】単一のスパッタ装置によって金属材料を凹部に埋め込む際にその埋め込み性を向上させることができるスパッタ方法及び該スパッタ方法に用いられるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】
基板Ｓの凹部内に金属材料を埋め込むスパッタ方法では、基板Ｓにバイアス電圧を印加しつつターゲット１８をスパッタする第１の工程と、基板Ｓにバイアス電圧を印加しない状態でターゲットをスパッタする第２の工程とを有し、第１の工程と第２の工程とは真空槽１１内で順に実行される。第１の工程では、ターゲット１８から放出された金属粒子とプラズマ中の荷電粒子とが衝突する圧力でターゲット１８をスパッタして電荷を帯びた金属粒子を生成し、電荷を帯びた金属粒子を凹部の内部に向けてバイアス電圧により引き込む。第２の工程では、基板Ｓに付着する金属粒子が凹部内に流動するように基板Ｓの温度を第１の工程よりも高くしてターゲット１８をスパッタする。 （もっと読む）

【課題】１つのチャンバで組成の異なる膜をスパッタリングする場合であっても、基板面内のビアホールにおけるボトムカバレッジの均一性を確保することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】同一の形状であり、かつ異種の材料からなるターゲットを、それぞれ複数のスパッタリングカソード２０３ａ，２０３ｂ，２０４ａ，２０４ｂに取り付け、さらに、ターゲットにおける同種のものを、スパッタリング対象の基板８の回転中心を対称とした位置に設けられたスパッタリングカソード２０３ａ，２０３ｂ，２０４ａ，２０４ｂに搭載する。これにより、基板８における内周と外周との両方において、基板８上方に異種のターゲットが対称位置に配置され、回転時の基板８面内に対するスパッタ粒子の入射角度を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の孔や溝が形成された基板にスパッタにより薄膜を成膜するに際し、前記孔や溝の内部にスパッタ粒子を堆積させることができ、成膜性の向上を図ることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、真空容器１０内に配されたターゲット１３に電圧を印加し、前記ターゲットと該ターゲットに対向して配された基板２との間の空間にプラズマを生成させ、前記プラズマにより前記ターゲットから叩き出されたスパッタ粒子を前記基板上に堆積させることにより前記基板上に薄膜を形成する成膜方法において、前記ターゲットと前記基板との間に、該ターゲットから見て前記基板を遮るように、メッシュ状の中間電極１８を配し、該中間電極にマイナス電位のパルス電圧を印加すること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、パーティクルの発生を抑制可能な製造方法、及びこの製造方法を用いる半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】
２つの金属層の間に金属化合物層が挟まれてなるバリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、チタン及びタンタルのいずれか一方の金属元素から構成されるターゲットを希ガスの雰囲気でスパッタして、複数の金属層を下地配線上に積層する過程において最下層となる第１金属層に酸化処理を施す。次いで、最下層となる第１金属層の表面に第１金属酸化物層を形成した後に、層間において構成元素が異なるように、一つ以上の金属層を含む下地の表面に対して酸化処理、窒化処理、及び酸窒化処理のいずれかの処理を施す。こうした処理より第２金属化合物層を形成する。上記金属化合物層は、金属酸化物層の他、金属窒化物層や金属酸窒化物層であってもよい。 （もっと読む）

【課題】埋め込み金属との密着性及び埋め込み特性の改善を図ることができるのみならず、エレクトロマイグレーション耐性も向上させることが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】表面に凹部８を有する被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する形成方法において、被処理体の表面に埋め込み用の金属膜１６して凹部を埋め込む埋め込み工程と、金属膜を覆うようにして被処理体の表面の全面に拡散防止用の金属膜１８を形成する拡散防止膜形成工程と、被処理体をアニールするアニール工程とを有する。これにより、埋め込み金属との密着性及び埋め込み特性の改善を図ることができるのみならず、エレクトロマイグレーション耐性も向上させる。 （もっと読む）

【課題】薄膜自体に膜応力がある場合においても、マスクブランクの平坦度が所望の平坦度となり、マスクのパターン位置精度や、パターン転写の際、パターン位置ずれやパターン欠陥が発生することがないマスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】電子デバイス用基板の主表面上に薄膜を形成してマスクブランクを製造するマスクブランクの製造方法であって、
前記薄膜を形成する側の主表面の表面形状が凸形状である基板に対し、クロムを主成分とする材料からなり、引張応力を有する前記薄膜をスパッタリング法で形成することにより、前記薄膜の成膜前よりも主表面の平坦度が高いマスクブランクを得ることを特徴とするマスクブランクの製造方法および転写用マスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は高アスペクトのビアや凸凹形状のレンズのような３次元形状の基板に対して、小型装置にて面内の高い膜厚均一性かつ高スループットが達成できるスパッタリング装置を提供するものである。
【解決手段】真空容器と、前記真空容器内に配置されたターゲットと、前記真空容器内にガスを導入しながら排気するガス調整手段と、前記ターゲットに対向して配置され、かつ、基板を載置する回転可能な基板保持台によって構成され、スパッタガスまたは、スパッタガスと反応性ガスを導入することにより、前記ターゲットにてターゲット材料または、ターゲット材料の反応生成物を基板上に堆積することができるスパッタリング方法において、前記ターゲットを前記基板に対してずらして配置し、かつ、イオンを前記基板に対して、垂直および斜め方向から入射する複数のイオン発生機構を配置する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによる成膜レートを低くし、被処理体の表面に形成されたアスペクト比が３以上の孔または溝の内壁面および内底面に被覆性が良好な金属薄膜を形成し、少ない電力でも、ターゲットにおける自己保持放電を発生させる成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲット３に電圧Ｖおよび電流Ｉを印加しチャンバ２内でターゲットから放電が発生した後、スパッタガスの導入を止めてターゲットのイオンにより自己保持放電を発生させ、被処理体Ｗの表面の孔または溝内を含む被処理体の表面全面に金属薄膜を形成する工程において、ターゲットに印加する電流Ｉを一定とし、放電が不安定になった時に電圧Ｖを増大させるとともに、関係式（１）および（２）を満たすことを特徴とする。Ｉ＞Ｉ_０・・・（１）、Ｐ＞Ｐ_０・・・（２）（Ｉ_０：自己保持放電を開始する電流の最小値、Ｐ：ターゲットの電力、Ｐ_０：自己保持放電を開始する電力の最小値） （もっと読む）

【課題】金属膜を埋め込む工程を有する電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のマグネットが多角形格子の格子点の位置にかつ隣接するマグネットが異極性となるように配置された磁石ユニットによりターゲット表面に磁場を形成させながら、ＰＣＭスパッタリング法により、凹部が形成された被処理体に窒化チタンを含むバリア層を成膜する第１の工程と、前記バリア層上に直接低融点金属層を、前記低融点金属層が流動可能な温度条件下で充填する第２の工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオン照射方式により製造した磁気記録媒体において、サーボ信号の出力を向上させることを課題とする。
【解決手段】基板の少なくとも一方の表面上に、磁気情報の記録再生を行うための磁気記録領域と、前記磁気記録領域を磁気的に分離するための非記録領域とが、基板の面内方向において規則的に配置された磁気記録層を有する磁気記録媒体であって、前記非記録領域は、透磁率が２Ｈ／ｍ以上、１００Ｈ／ｍ以下であり、さらに前記非記録領域の表面は、前記磁気記録領域の表面に対して凹部を形成し、かつ、前記凹部の深さは０．５ｎｍ以上２．０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】 リフトオフ加工を前提とするスパッタリング装置において、リフトオフ後にバリが残るという不具合を確実かつ安定的に解消する。
【解決手段】 本発明に係るスパッタリング装置１０の真空槽１２内は、差圧シールド２６内の空間２４と、それ以外の空間４０とに、隔離されている。そして、差圧シールド２６内の空間２４に、ターゲット１４が配置されており、それ以外の空間４０に、基板３４が配置されている。さらに、高いエネルギを持つプラズマ２２は、差圧シールド２６内の空間２４に閉じ込められる。これにより、基板３５上に付着した被膜粒子がプラズマ２２の影響を受けて当該基板３５上で移動するというスパッタリング法特有の性質が抑制される。この結果、基板３４上に形成された逆パターンのアンダーカット部への被膜粒子の回り込みが防止され、ひいてはリフトオフ後にバリが残るという不都合が解消される。 （もっと読む）