【課題】輝度を向上させることが可能なマイクロレンズアレイシートおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】光を透過する基板２と、前記基板２に配置されるとともに当該基板２と直交する光軸Ｚに沿う断面に弓形となる部位を含む第１層４および当該第１層４を覆う第２層５を備える複数のマイクロレンズ３と、を有するマイクロレンズアレイシート１であり、マイクロレンズ１の外壁面６には、マイクロレンズ３の前記光軸Ｚに沿う中心軸Ｘから幅Ｈ_ｃを有する基板側の端部である側部Ｓと、前記光軸Ｚと直交して前記側部Ｓを通る基端面Ｍから光軸方向へ高さＨ_ａを有する頂部Ｔと、前記側部Ｓと頂部Ｔの間に連続的に配置されて前記基端面Ｍと前記中心軸Ｘとの交点である基準点Ｐから長さＨ_ｎ（ｎ＝１：Ｎ）を有するＮ個の曲面部Ｋ_ｎと、が形成され、以下の２つの式：
Ｈ_ａ＞Ｈ_ｃ
Ｈ_ａ≧Ｈ_ｎ≧Ｈ_ｃ （ｎ＝１：Ｎ）
を満たす。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にテクスチャが形成される場合でも、透明導電膜など、当該表面に形成される膜厚をより均一にすることができる成膜方法、及び太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】幾何学的な凹凸が形成された基板２００に蒸着源２０から供給される蒸着材料２５を蒸着させ、基板２００の表面に透明導導電膜を形成する。蒸着源２０の直上寄りに位置する基板２００の端部２００ａと蒸着材料供給部２１との距離ｄ１、及び基板２００の端部２００ｂと蒸着材料供給部２１との距離ｄ２が略同一となるように、基板２００を傾斜させた状態に位置させる。 （もっと読む）

【課題】短時間かつ低コストな高アスペクト比凹凸形状の薄膜形成方法を提供すること。
【解決手段】基板表面に成膜する過程で当該基板を加熱することでマイグレーション現象により複数の成膜粒子を移動集合させて薄膜単位を形成し、これら複数の薄膜単位により基板表面に高アスペクト比凹凸形状の薄膜パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】単一のスパッタリングチャンバを用いて基板に形成された開口部内へのＡｌ材料の埋め込みを適切に行えるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１００は、スパッタリングチャンバ３０と、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電によりプラズマを形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０から放出されたプラズマ２２を磁界の作用によりシート状に変形可能な磁界発生手段２４Ａ、２４Ｂと、を備える。シートプラズマ２７は、スパッタリングチャンバ３０内の基板３４ＢとＡｌターゲット３５Ｂとの間を通過するように誘導され、シートプラズマ２７中の荷電粒子によってＡｌターゲット３５ＢからスパッタリングされたＡｌ材料が基板３４Ｂの開口部に堆積する際に、Ａｌ堆積膜２００のカバレッジ性が、プラズマ放電電流ＩＤ、ターゲットバイアス電圧ＶＢ、および、ターゲット−基板間距離Ｌに基づいて調整される。 （もっと読む）

【課題】 バリア膜形成による配線の抵抗値増大及びボイドの発生を防ぐことができる半導体装置、その製造方法及びその製造方法に用いるスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】 Ｓｉ酸化物を含む絶縁膜１にＣｕの配線が設けられている半導体装置であって、絶縁膜１に設けられた溝状の開口部１ａの内面に形成されたバリア膜４と、開口部１ａ内であってバリア膜４上に形成されたＣｕからなる配線本体２と、を備え、バリア膜４が、バリア膜４が、少なくとも絶縁膜１上に形成されたＢａ酸化物及びＳｒ酸化物の少なくとも一方を含有するＣｕ合金下地層を有し、該Ｃｕ合金下地層と絶縁膜１との界面にＢａＳｉ酸化物及びＳｒＳｉ酸化物の少なくとも一方が偏析している。 （もっと読む）

【課題】耐溶着性、耐摩耗性、および耐熱性の何れについても優れた性能が得られる硬質被膜を提供する。
【解決手段】ボールエンドミル１０の刃部１４の表面にコーティングされた硬質被膜２０は、（Ａｌ_a Ｃｒ_(1-a-b) Ｙ_b ) Ｃ_c Ｎ_(1-c) 〔但し、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ原子比で、０．４≦ａ≦０．８、０．０１≦ｂ≦０．０５、０≦ｃ≦０．５の範囲内〕から成るＩ層２０ａと、ＣｒＣ_d Ｎ_(1-d) 〔但し、ｄは原子比で、０≦ｄ≦０．５の範囲内〕から成るII層２０ｂとが、１ｎｍ以上の積層周期Ｔp で交互に１周期以上積層され、総膜厚Ｔtotal が０．１μｍ〜１０μｍの範囲内とされている。ＡｌＣｒＮ系のＩ層２０ａは高硬度で優れた耐摩耗性が得られ、ＣｒＮ系のII層２０ｂは低摩擦係数で優れた耐溶着性が得られる一方、Ｉ層２０ａにＹ（イットリウム）が所定の原子比で添加されることにより、高温での耐酸化性が向上して優れた耐熱性が得られるようになる。 （もっと読む）

【課題】単一のスパッタリングチャンバを用いて基板に形成された開口部内へのＡｌ材料のコンタクト埋め込みを適切に行えるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１００は、Ａｌからなるターゲット３５Ｂおよび開口部が形成された基板３４Ｂを格納可能なスパッタリングチャンバ３０と、カソードユニット４１およびアノードＡ間の放電によりプラズマを形成可能なプラズマガン４０と、プラズマガン４０から放出されたプラズマを磁界の作用によりシート状に変形可能な磁界発生手段２４Ａ、２４Ｂと、を備える。シートプラズマ２７は、スパッタリングチャンバ３０内の基板３４Ｂとターゲット３５Ｂとの間を通過するように誘導され、シートプラズマ２７中の荷電粒子によってターゲット３５ＢからスパッタリングされたＡｌ材料が基板３４Ｂの開口部に堆積する際に、Ａｌ材料からなる堆積膜のカバレッジ性が、プラズマ放電電流ＩＤおよび基板バイアス電圧ＶＡに基づいて調整されている。 （もっと読む）

本発明は、構造化被覆部を基板上に形成する方法であって、被覆される表面を有する基板を準備するステップと、少なくとも１種類の蒸着被覆物質、具体的には、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、または、二酸化チタンを、熱蒸着法および加法的構造化法によって上記被覆される基板表面上に積層することによって、該表面上に構造化被覆部を形成するステップとを含む、方法に関する。本発明は、さらに、被覆済み基板および被覆済み基板を備えた半完成品にも関する。
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【課題】本発明は、その表面が摩耗した場合でも凹凸面を維持することのできる摺動用構造部材及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基材の表面に形成された不規則な凹凸上に、異種材料の膜が交互に積層された多層膜を設けてなることを特徴とする摺動用構造部材及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の高いホール内に、被覆性の良好な、コンタクト抵抗の低いバリア層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】タンタルまたはタンタルナイトライド等のライナー材料をホール内にスパッタ堆積する。ロングスロースパッタリング、自己イオン化プラズマ（ＳＩＰ）スパッタリング、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）再スパッタリング及びコイルスパッタリングを１つのチャンバ内で組み合わせたリアクタ１５０を使う。ロングスローＳＩＰスパッタリングは、ホール被覆を促進する。ＩＣＰ再スパッタリングは、ホール底部のライナー膜の厚さを低減して、第１のメタル層との接触抵抗を低減する。ＩＣＰコイルスパッタリングは、ＩＣＰ再スパッタリングの間、再スパッタリングによる薄膜化は好ましくないホール開口部に隣接しているような領域上に、保護層を堆積する。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比の微細ホールに対して高いボトムカバレッジ率で、かつ、膜厚分布の面内均一性よく成膜できる高い生産性の成膜方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１内で基板Ｗを保持し、チャンバ内が、１０〜３０Ｐａの高圧力領域に保持されるようにスパッタガスを導入し、基板に対向近接配置されたターゲット２に直流電圧を印加すると共に、基板に高周波バイアス電圧を印加し、ターゲット側の直流プラズマと基板側の高周波バイアスプラズマとが重畳されたプラズマをターゲット及び基板間に発生させてターゲットをスパッタして成膜する。ターゲットの下方に磁場を局所的に形成する磁石ユニット６をターゲット中央から径方向外方にオフセット配置し、成膜中、少なくともターゲットの中央部を除くその外周が侵食されるように磁石ユニットを回転移動する。 （もっと読む）

【課題】可視光領域にて高い偏光度、ｐ偏光透過率、ｓ偏光反射率を示し、光学特性の角度依存性や波長依存性が低いワイヤグリッド型偏光子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】底部から頂部に向かうにしたがって幅がしだいに狭くなる複数の凸条１２が、凸条１２間に形成される平坦部１３を介して互いに平行にかつ所定のピッチＰｐで表面に形成された光透過性基板１４と、凸条１２の第１の側面１６の全面およびこれに隣接する平坦部１３の一部を被覆し、かつ凸条１２の第２の側面１８を被覆しないまたは第２の側面１８の一部を被覆する金属層２０とを有するワイヤグリッド型偏光子１０；凸条１２の長さ方向に対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向に対して第１の側面１６の側に２５〜４０゜の角度をなす方向から金属または金属化合物を、蒸着量が４０〜６０ｎｍとなる条件で蒸着して金属層２０を形成する製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線材とバリアメタル層の密着性を向上させる。
【解決手段】表面に凹部が形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成されたＴｉ及びＮを含み、酸素（Ｏ）及び貴金属成分を除く全成分中におけるＴｉ含有量が５０ａｔ％を超える微結晶状態の第１の層３０ｂと、第１の層３０ｂ上に形成され、層間絶縁膜に形成された凹部を埋め込むＣｕ金属層７０と、を具える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 ビアホールの微細化及び高アスペクト比化が進むと、銅からなるシード層でビアホールの内面を連続的に覆うことが困難になる。
【解決手段】 半導体基板(10)の上に絶縁膜(20)が形成されている。絶縁膜に凹部(21)が形成されている。凹部の内面を第１の導電膜(22)が覆う。島状組織(25)が、第１の導電膜の表面に離散的に分布する。島状組織は、銅に対して、第１の導電膜の濡れ性よりも高い濡れ性を有する。凹部が、銅または銅合金からなる導電部材(31)で充填されている。 （もっと読む）

【課題】銅層形成の下地となるシード層のオーバーハングが抑制された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に凹部を形成する工程と、凹部の内面に、バリアメタル層を形成する工程と、バリアメタル層上に、ＲｕとＣｕを含むシード層を形成する工程と、シード層上に銅層を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】平坦でないワーク被成膜面であっても膜厚分布のばらつきを抑えることができるプラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法を提供する。
【解決手段】処理室１０内に生起されたプラズマ中で、凹凸を有するワーク３０に成膜を行うプラズマ成膜装置であって、処理室１０内に設けられ、ワーク３０を保持可能なワーク保持部１２と、処理室１０内でワーク保持部１２に対向して設けられ、ワーク３０の凹部３２の内側に位置させることが可能な凸部２３を有する電極２１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】金属による高い側壁被覆率を達成することが可能なプラズマ蒸着方法を提供する。
【解決手段】本発明は、対象物の凹部中に金属をプラズマ蒸着する方法に関する。この方法は、ＡｒとＨｅおよび／またはＮｅの混合物をスパッタガスとして用い、Ｈｅおよび／またはＮｅ：Ａｒの比率を少なくとも約１０：１とすることによって、凹部中の底面における金属の再スパッタを達成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性、表面平坦性に優れた非極性面や半極性面を主面とするIII 族窒化物半導体を製造すること。
【解決手段】ａ面サファイア基板１０の表面１０ａに、ＩＣＰエッチングで長手方向がサファイア基板１０のｍ軸方向に平行なストライプ状に凹部１１を形成する（図１（ａ））。次に、サファイア基板１０を、反応性マグネトロンスパッタに導入し、厚さ７５〜１２５ÅのＡｌＮ膜１２を形成する（図１（ｂ））。次に、サファイア基板１０をＭＯＣＶＤ装置に搬入し、水素とアンモニアを含む雰囲気中で、１０２０〜１０６０℃まで昇温する。続いて、凹部１１の側面１１ａにＧａＮ結晶１３をエピタキシャル成長させる（図１（ｃ））。成長が進むと、サファイア基板１０の表面１０ａはＧａＮ結晶１３に覆われていき、平坦なＧａＮ結晶１３が形成される（図１（ｄ））。このＧａＮ結晶１３の主面はｍ面である。 （もっと読む）

本発明は、対称的な鋸歯状構成材の機能表面、特に歯車（１）の歯面（３）をコーティングする方法及び装置に関し、コーティング材を荷電粒子の形で構成材の方向に放出し、また該構成材に対して回転するコーティング源（２）を有する。本発明によれば、構成材機能表面の高品質なコーティングは、照射方向に対して平坦な向きの機能表面を有する円周状エリア内で、コーティングビームから構成材を遮蔽する遮蔽物（４）が構成材（１）とコーティング源（２）との間のビームの通り道に照射方向を横切るように配置されることで、技術的には単純な方法で達成される。 （もっと読む）

【課題】Ｖ溝といった斜めの壁を有する溝において、高品位に成膜可能なスパッタリング装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】本発明のスパッタリング装置は、回転可能なカソード１０２と、回転可能なステージ１０１と、回転可能な遮蔽板１０５とを備える。遮蔽板１０５は、スリット状の開口部１０８を有し、該開口部１０８を介してスパッタ粒子が通過可能であり、開口部１０８は、遮蔽板１０５の回転方向の幅より該回転方向に垂直な方向の幅が広い。また、基板支持面に配置された基板１０４には少なくとも１つのＶ溝が形成されており、該Ｖ溝の長手方向は、遮蔽板１０５の回転方向に垂直な方向に一致するように形成されている。 （もっと読む）