【課題】工程数を増やすことなく安価にカーボンナノチューブからなる横方向の配線を提供することである。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板または導電層（第１の導電層）１０１と、第２の導電層１０７と、触媒層１０６と、導電体１０４とを備えている。第２の導電層１０７は、第１の導電層１０１とは間隔を開けて第１の導電層１０１と略平行に配置されており、カーボンナノチューブからなる。触媒層１０６は、第２の導電層１０７の側面に設けられ、カーボンナノチューブを形成するための触媒を含んでいる。導電体１０４は、第１の導電層１０１に対して垂直に配置され、第１の導電層１０１に電気的に接続されているとともに触媒層１０６を介して第２の導電層１０７に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 潤滑特性に優れる硬質皮膜と、金属塑性加工用工具を提供する。
【解決手段】 他材と接する基体表面に被覆される硬質皮膜において、その硬質皮膜の表面には炭素同士の結合を有する炭素原子が１０原子％以上、好ましくは３０原子％以下存在し、かつ前記炭素原子の割合は、硬質皮膜の表面から基体表面に向かって漸減している硬質皮膜である。この炭素原子には、ｓｐ^２の結晶構造を有した炭素原子と、ｓｐ^３の結晶構造を有した炭素原子の両方が含まれていることが望ましい。そして、このとき、硬質皮膜の種類は金属炭化物または金属炭窒化物とすることが好ましく、具体的にはチタン炭化物またはチタン炭窒化物であることがさらに良い。また、上記の基体表面と硬質皮膜の間には、金属窒化物、具体的にはチタン窒化物からなる皮膜を形成することが好ましい。そして、これらの硬質皮膜を作業面に被覆してなる金属塑性加工用工具である。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗を減らし、ギャップフィル特性を向上させることにより、コンタクトプラグ上に低抵抗金属配線を形成する金属配線形成方法を提供する。
【解決手段】金属配線形成方法は、半導体基板の上部の第２の絶縁膜１６にコンタクトホール１８を形成する段階、上記第２の絶縁膜の表面に沿ってＴｉＮ膜を含む第１のバリアメタル膜２０を形成するが、上記ＴｉＮ膜が上記第２の絶縁膜の側壁及び上部の表面より上記コンタクトホールの下部にさらに薄く形成されるように上記第１のバリアメタル膜を形成する段階、上記コンタクトホールを含む上記第１のバリアメタル膜上に第１の金属層を形成する段階、上記第１の金属層がリフローされ平坦化されながら上記コンタクトホールが満たされるように熱処理を行う段階、上記第１の金属層上に第２の金属層を形成する段階及び上記第２の金属層をパターニングして上部金属配線２４ａを形成する段階を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄く、高硬度のコーティングを形成する方法、およびこのコーティングを含むデバイスに関する。
【解決手段】本発明の方法は、マグネトロンカソードスパッタリングにより、１Ｐａのアルゴン分圧下で基材の少なくとも１つの表面上にチタン薄膜を堆積し、次いで、マグネトロンカソードスパッタリングにより、１Ｐａの分圧を維持しながら、窒素をカソードスパッタリング室内に導入することにより、得られた薄膜上に窒化チタン薄膜を堆積し、さらに、活性同時スパッタリングモードのマグネトロンカソードスパッタリングにより、得られた薄膜上に、チタン、ジルコニウム、ホウ素および窒素に基づくナノ構造化コンポジット材料の薄膜を堆積することにある。
本発明の方法は、機械部品の表面硬度を改良するために、多くの分野、特に機械分野に適用可能である。 （もっと読む）

【課題】 加飾性、金属光沢性があり、光透過性と光吸収性が両立され、さらには導電性を有する光学薄膜積層体を提供することを課題とする。
【解決手段】 基材の一方の面に薄膜積層体を備える光学薄膜積層体であって、該薄膜積層体が高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層を少なくとも１層以上積層した積層構造であり、且つ、前記基材の薄膜積層体が形成されている面と反対側の面に導電性薄膜層が形成されていることを特徴とする光学薄膜積層体とした。また、前記導電性薄膜層が形成されている面の表面の表面抵抗率が１．００×１０^−４Ω／□未満であることを特徴とする光学薄膜積層体とした。 （もっと読む）

【課題】より微細で繊細な細線や細管に装着でき、より軽量で微細で繊細な能動細線、能動細管を構成させることができる形状記憶合金製マイクロアクチュエータの製造方法及び細線への薄膜の積層工程において用いるスパッタリング装置の提供を課題とする。
【解決手段】被装着体である細線（細管を含む）の表面に装着することで細線を屈曲可能な能動細線に構成させる形状記憶合金製マイクロアクチュエータ１の製造方法であって、被装着体の代わりとなるダミー細線１０を用い、ダミー細線の外側周面に対して拡散防止用金属薄膜２０を積層する工程、拡散防止用金属薄膜の上から形状記憶合金組成薄膜３０を積層する工程、形状記憶合金組成薄膜に対して形状記憶熱処理を施す工程、形状記憶合金組成薄膜に対して所定のレジストパターンＰを形成する工程、形状記憶合金組成薄膜と拡散防止用金属薄膜をエッチングする工程、ダミー細線を溶解除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】可視光の透過率が低く、反射明度および反射彩度が十分に大きい金属光沢を有し、光吸収機能の得られる光吸収層を備える光学薄膜積層体を提供する。
【解決手段】基材２上に、光学薄膜層３が設けられ、光学薄膜層３が、高屈折率薄膜層４，７と低屈折率薄膜層５と純金属薄膜層６から選択される少なくとも一種からなる光吸収層を備えていることを特徴とする光学薄膜積層体１とする。 （もっと読む）

【課題】蒸着法で緻密かつバリア性に優れたＴｉＮｘ膜を形成する。
【解決手段】本発明においては、アルゴン又はアルゴン及び窒素の混合ガスのプラズマ中で、負のバイアス電位が印加された基板Ｗ上に、蒸発源３にて蒸発させたチタンの蒸発粒子を蒸着させる。蒸発源３において形成されたチタンの蒸発粒子は、アルゴン又はアルゴン及び窒素の混合ガスのプラズマによってイオン化され、負のバイアス電位が印加された基板の表面に蒸着される。これは、イオンプレーティング法に準ずる成膜手法であり、通常の蒸着法に比べて、基板上に形成される膜密度の向上が図られる。このようにして形成されたＴｉＮｘ膜は、Ａｌ膜とＡｕ膜の間の反応を防止するバリア膜として十分なバリア性能を発揮するため、低コンタクト抵抗の電極膜に好適に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】成膜工程中に装置構成部品に付着する成膜材料の剥離脱落を安定的かつ有効に防止し、成膜装置のクリーニングや構成部品の頻繁な交換などに伴う膜製品の生産性の低下や成膜コストの増加を抑制すると共に、微細なパーティクルの発生を抑制することを可能にした真空成膜装置用部品を提供する。
【解決手段】真空容器内で蒸発させた薄膜形成材料を基板上に蒸着せしめて薄膜を形成する真空成膜装置を構成する真空成膜装置用部品において、上記真空成膜装置用部品１の表面粗さが算術平均粗さＲａで５μｍ以下であることを特徴とする真空成膜装置用部品１である。 （もっと読む）

【課題】被膜内部および被膜表面のマクロ粒子を減少させて、被膜の穴、ボイド、ポアの量を低減することで、クレーター摩耗、逃げ面摩耗、フリッティングを低減し、かつ、フリッティングやスポーリングを生じないで厚いＰＶＤ被膜を堆積させることができる、被膜付き切削工具の製造方法を提供する。
【解決手段】基材を用意する工程と、該基材上に陰極アーク蒸発ＰＶＤ堆積法で被膜を堆積させる工程とを含み、該被膜は窒化物、酸化物、硼化物、炭化物、炭窒化物、炭酸窒化物またはこれらの組合せである、被膜付き切削工具を製造する方法において、
上記堆積工程において、該被膜に別個の中間イオンエッチングを１回以上施す。 （もっと読む）

【課題】高速ミーリング切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、Ｔｉ化合物層あるいは（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層からなる下部層を形成し、その上に、ダイナミックオーロラＰＬＤ法により、（００１）面配向のＹＳＺからなる密着層を形成し、さらに、該密着層上に、（０００１）面配向の（Ｃｒ，Ａｌ）_２Ｏ_３あるいはＣｒ_２Ｏ_３からなる上部層を形成した表面被覆切削工具。
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【課題】ビアホールやトレンチの形状がばらついても、ビアホールやトレンチの側壁に所定の膜厚でバリア膜とシード膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜に形成された凹部の側壁に所定膜厚の導電膜を備える半導体装置の製造方法であって、半導体基板上に形成された絶縁膜に凹部を形成する工程を有する。ここで凹部とは、ビアホールとトレンチの総称である。そして、前記凹部が形成された絶縁膜上に、スパッタリング法により、前記凹部に成膜すべき導電膜の膜厚、前記凹部の深さ及び前記凹部を上面から見たときの当該凹部側壁の投影面積に基づいて算出された、前記凹部が形成された絶縁膜の上面に成膜すべき膜厚で、導電膜を形成する工程を有する。即ち、ビアホールやトレンチの投影面積に基づきこれらの形状のばらつきを勘案して、成膜を行うのである。 （もっと読む）

【課題】従来のＡｌＣｒＮ膜よりも耐摩耗性を向上させることが可能な切削工具用硬質皮膜の提供。
【解決手段】基材上に形成される硬質皮膜であって、第一皮膜層と第二皮膜層とを交互に各２層以上積層して成る第一多層皮膜層を含み、前記第一皮膜層は金属及び半金属成分が原子％で、Ａｌ_{(１００−ｘ−ｙ−ｚ)}Ｃｒ_(ｘ)Ｖ_(ｙ)Ｂ_(ｚ)（ただし、２０≦ｘ≦４０，２≦ｙ≦１５，５≦ｚ≦１５）で表され、非金属元素としてＮを含むと共に、不可避不純物を含むものであり、前記第二皮膜層は金属及び半金属成分が原子％で、Ａｌ_{(１００−ｕ−ｖ−ｗ)}Ｃｒ_(ｕ)Ｖ_(ｖ)Ｂ_(ｗ)（ただし、２０≦ｕ≦４０，０≦ｖ≦５，０≦ｗ≦５）で表され、非金属元素としてＮを含むと共に、不可避不純物を含むものであり、ｙとｖとがｙ≧ｖの関係を満たし、更に、ｚとｗとがｚ−５≧ｗの関係を満たす硬質皮膜。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の裏面端部や側面に付着した膜（汚染物質）を除去することを可能にする汚染物質除去方法等を提供する。
【解決手段】本発明の汚染物質除去方法は、表面に薄膜が形成された被処理基板７の裏面縁部及び側面に対して、真空中において、指向性を有するビームを照射することを含む。 （もっと読む）

【課題】湿潤条件下で鋼、ステンレス鋼およびＨＲＳＡの突切り、溝切りおよびねじ切りに有用な切削工具インサート、塑性変形に対する向上した耐性および耐摩耗性を有する切削工具インサート、および塑性変形に対する向上した耐性が、刃先の靭性の低下を犠牲にして得られたのではない切削工具を提供する。
【解決手段】基材および被膜を含んでなる、鋼およびステンレス鋼の突切り、溝切りおよびねじ切りのための切削インサートであって、前記基材は、ＷＣ、７．５〜１０．５重量％のＣｏ、０．７〜１．１重量％のＣｒおよび１００〜３００ｐｐｍのＴｉを含む。Ｔｉは、Ｔｉ／Ｔａ重量比０．８以上にＴａで部分的に置換可。被膜は、異なるＡｉ／Ｔｉ比を持つ２つの（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層：厚さ０．３〜２．５μｍでｙ＝０．４〜０．６７の内部Ａｌ_yＴｉ_1-yＮ層と厚さ０．５〜５．０μｍでｗ＝０．１５〜０．３５の外部Ａｌ_wＴｉ_1-wＮ層を含む。 （もっと読む）

【課題】
ホワール音対策で円周溝１３を設けると、油膜強度を確保する面積が減少し、外周面が摩耗しやすくなるため浮動ブッシュ２に充分な耐摩耗性を確保する。
【解決手段】
回転軸１と、その回転軸１と摺動接触する円筒形状の浮動ブッシュ２と、その浮動ブッシュ２の外周側において浮動ブッシュ２と摺動接触する軸受９とからなる浮動ブッシュ軸受において、浮動ブッシュ２の外周面に表面硬化処理を施す。本発明によれば、表面硬化処理として例えばＴｉＮコーティングを施すことにより、表面硬度が向上して、耐摩耗性の向上が可能となる。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルが薄い場合でもＡｌ配線のモフォロジ及びエレクトロマイグレーションを改善することができる半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】まず、半導体基板１１上にＳｉＯ_２層間膜１３（酸化膜）を形成する。次に、ＳｉＯ_２層間膜１３上にＴｉ膜１８を形成する。次に、Ｔｉ膜１８上にＴｉＮ膜３２を形成する。次に、ＴｉＮ膜３２上にＡｌ配線３３を形成する。ここで、Ｔｉ膜１８を形成する工程において、圧力が０．３Ｐａ以下の雰囲気中で物理気相成長法を用いる。これにより、Ｔｉ膜１８とＳｉＯ_２層間膜１３との間にＴｉＯ_２膜３１が形成される。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】ＴｉＮ、ＴｉＣＮ、ＴｉＣの１種又は２種以上からなるＴｉ化合物：３５〜５０％、Ａｌ及び／又はＡｌ_２Ｏ_３：８〜１６％、ＷＣ：１〜６％、残部：ｃ−ＢＮ（いずれも質量％）からなる圧粉体の超高圧焼結材料で構成され、分散相を形成するｃ−ＢＮ相と連続相を形成するＴｉ化合物相との界面に超高圧焼結反応生成物が介在した組織を有するインサート本体の表面に、硬質被覆層として、（Ｔｉ_{１−Ｘ−Ｙ}Ａｌ_ＸＳｉ_Ｙ）Ｎ層（原子比で、Ｘ＝０．４〜０．６、Ｙ＝０．０１〜０．１）からなる下部層と、上部層とを蒸着形成し、該上部層は、ＴｉＮ層と（Ｔｉ_{１−α−β}Ａｌ_αＳｉ_β）Ｎ層（原子比で、α＝０．４〜０．６、β＝０．０１〜０．１）との交互積層構造として構成する。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】ＴｉＮ、ＴｉＣＮ、ＴｉＣの１種又は２種以上からなるＴｉ化合物：３５〜５０％、Ａｌ及び／又はＡｌ_２Ｏ_３：８〜１６％、ＷＣ：１〜６％、残部：ｃ−ＢＮ（いずれも質量％）からなる圧粉体の超高圧焼結材料で構成され、分散相を形成するｃ−ＢＮ相と連続相を形成するＴｉ化合物相との界面に超高圧焼結反応生成物が介在した組織を有するインサート本体の表面に、硬質被覆層として、（Ｔｉ_１−ＸＡｌ_Ｘ）Ｎ層（原子比で、Ｘ＝０．４〜０．６５）からなる下部層と、上部層とを蒸着形成し、該上部層は、ＴｉＮ層と（Ｔｉ_１−ＹＡｌ_Ｙ）Ｎ層（原子比で、Ｙ＝０．４〜０．６５）との交互積層構造として構成する。 （もっと読む）

【課題】配向性の高いＡｌ膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。また、配向性の高いＴｉ膜を成膜可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】スパッタリングを行う成膜室内に、Ｈ_２ガスを導入してから、または、Ｈ_２ガスを導入しながら、Ｔｉ膜の成膜を行う。成膜中におけるＨ_２ガスの分圧は、１×１０^−４Ｐａ〜１×１０^−２Ｐａであることが好ましい。また、Ｔｉ膜の成膜は、半導体基板を２００℃〜２５０℃の温度に加熱した状態で行うことが好ましい。 （もっと読む）