【課題】ウエハプロセスへの投入から大径の薄化ウエハを用いる場合でも、ウエハ反りおよびウエハ割れの少ない半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１に複数の半導体素子を形成する工程の前に、半導体基板１の外周を減厚して外周端部３を形成し、外周端部３に、前記半導体基板より熱膨張係数が大きく、かつ、半導体素子１を形成する工程内の熱処理工程で印加されるもっとも高い温度より融点が高い金属４を、半導体基板１の半導体素子が形成される両主面より突出しない膜厚で被着する半導体素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの表面の状態に応じてバーンインの最適化を図ることができる半導体製造装置、ターゲットの表面処理方法、及びプログラムを提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係るスパッタリング装置１は、半導体ウエハＷが配置されるテーブル３、及びテーブル３に対向する位置に設けられたターゲット４を収容する処理容器２と、処理容器２内に放電ガスを供給するガス供給部１０と、ターゲット４に電力を供給して放電させ、これによりプラズマを生成してイオン化した放電ガスでターゲットをエッチングするパルス電源部１２と、プラズマの生成後の放電電圧を測定する電圧測定部１３Ａと、ターゲット４のエッチングの進行状況に起因する電圧測定部１３Ａによる測定値の変化に基づいて、ターゲット４のエッチングを終了させる制御を行う制御部１４Ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜抵抗と配線部との接触抵抗が高抵抗化することを抑制できる薄膜抵抗を備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタ装置内において事前にチタンの表面を窒化させておくことで窒化チタンを形成しておき、その後、窒素の導入を停止した状態で窒化チタンをターゲットとしたスパッタにより、窒化チタン膜によって構成される第１金属層５を形成する。これにより、薄膜抵抗Ｒと接触する第１金属層５を形成する際に、スパッタ装置内に窒化ラジカルが基本的には存在していない条件で第１金属層５の成膜を行うことができるため、薄膜抵抗Ｒの露出部分に窒化物が形成されないようにできる。したがって、薄膜抵抗Ｒと配線部の一部を構成する第１金属層５との接触抵抗が高抵抗化することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】金属膜を埋め込む工程を有する電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のマグネットが多角形格子の格子点の位置にかつ隣接するマグネットが異極性となるように配置された磁石ユニットによりターゲット表面に磁場を形成させながら、ＰＣＭスパッタリング法により、凹部が形成された被処理体に窒化チタンを含むバリア層を成膜する第１の工程と、前記バリア層上に直接低融点金属層を、前記低融点金属層が流動可能な温度条件下で充填する第２の工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】切刃に対して高負荷が作用する乾式断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性と靭性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金焼結体からなる切削工具基体表面にＴｉＮ層からなる硬質被覆層を物理蒸着で形成した表面被覆切削工具において、ＴｉＮ結晶粒を上記平均層厚と等しい高さを有する柱状晶組織とし、さらに、上記ＴｉＮ層の水平断面における結晶粒組織を観察した場合の、粒径が１０〜１００ｎｍの結晶粒が占有する面積を測定面積のうちの９０％以上とし、かつ、電子線後方散乱回折装置で表面の結晶粒の結晶方位を測定した場合、隣り合う測定点との結晶方位の差が１５度以上となる結晶界面によって囲まれた直径０．２〜４μｍの区分が占有する面積を、測定された全体の面積のうち２０％以上とし、断続重切削加工において優れた耐欠損性と靭性を発揮させる。 （もっと読む）

【課題】（Ａｌ_yＣｒ_1-y）Ｘコーティング工作物、たとえば鉋がけ工具（Zerspanungswerkzeug）、切削工具および成型工具あるいは機械製造および金型製造のための部品、ならびに工作物上にこのような層を析出するための方法を提供し、その際先行技術にあった問題を回避する。
【解決手段】工作物あるいは部品であって、組成（Ａｌ_yＣｒ_1-y）Ｘの少なくとも１層を含む層システムを有し、Ｘ＝Ｎ、Ｃ、Ｂ、ＣＮ、ＢＮ、ＣＢＮ、ＮＯ、ＣＯ、ＢＯ、ＣＮＯ、ＢＮＯまたはＣＢＮＯでありかつ０．４≦ｙ＜０．６８であり、上記層中の層組成は、実質的に一定であるか、または層厚にわたって連続的あるいは段階的に変化する。 （もっと読む）

【課題】 過酷化する鍛造、ダイカスト等の環境下においても、潤滑剤付着性および耐久性に優れた被覆金型と、その製造方法を提供する。
【解決手段】 金型基材の表面にスパッタリング法によって皮膜を被覆した被覆金型であって、該皮膜は、窒化物、炭化物、炭窒化物のうちの１種以上でなる硬質膜と、その直上に被覆された窒化物、炭化物、炭窒化物のうちの１種以上でなる潤滑膜からなり、該潤滑膜は、表面粗さが算術平均粗さＲａ：０．０８μｍ以上、最大高さＲｚ：０．８４μｍ以上であり、金型基材の表面に対して略垂直方向に界面を有する針状粒子の集合体でなる、被覆金型である。
本発明に係る上記の皮膜は、そのスパッタリング時の成膜条件を制御することで達成できる。例えば、潤滑膜は、被覆時の基材バイアス電圧を−０Ｖ〜−６０Ｖとする。硬質膜は、基材バイアス電圧を−６０Ｖ超〜−１６０Ｖとすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】焼入れ鋼等の高硬度鋼の切削加工で、すぐれた耐欠損性、耐摩耗性を発揮する複相混合層からなる硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体の表面に、ｃＢＮ相とＴｉＮ相との複相混合層からなる硬質被覆層を形成した表面被覆切削工具において、該硬質被覆層中のｃＢＮ相の体積割合は４０〜８０％であり、残りは、非晶質ＴｉＮ相と結晶質ＴｉＮ相の混相からなり、混相に占める上記非晶質ＴｉＮ相の面積割合は３０〜８０％であって、非晶質ＴｉＮ相は、ｃＢＮ粒子の表面を被覆している。 （もっと読む）

【課題】被覆切削工具の提供。
【解決手段】本発明は、基材及びPVD被覆を含む被覆切削工具に関係し、PVD被覆は最外領域Cを含み、最外領域CはSi、及びAl, Y及び周期表の4, 5または 6族から選択される少なくとも二つの追加元素の窒化物, 炭化物 または ホウ化物またはそれらの混合物であり,及び領域CはSi平均含有率の組成勾配がない。領域Cは薄板状の, 非周期の, 多層構造を有し、お互いに異なる組成を有する個々の層X 及び Yを交互に入れ替えている。この被覆は、基材に最も近い領域A,中間領域 Bをさらに含み、ここで:
-領域Aには本質的にSiが無く,
-領域 BはSi平均含有率の組成勾配を含み,ここでSi平均含有率は領域Cに向かって増加していく。
本発明はまた上記の被覆切削工具を製造する方法にも関係する。 （もっと読む）

【課題】成膜工程中に付着する成膜材料の剥離を安定かつ有効に防止することを可能にした真空成膜装置用部品の製造方法を提供する。
【解決手段】真空成膜装置用部品１の製造方法は、部品本体２の表面にＷおよびＭｏから選ばれる高融点金属からなる溶射膜３を形成する工程と、溶射膜３を還元雰囲気中にて１０７３〜１３７３Ｋの温度で加熱し、溶射膜３の表面に存在する酸化被膜を除去しつつ脱ガス処理する工程とを具備する。脱ガス処理後の溶射膜は、ガス残存量が１０Ｔｏｒｒ・ｃｃ／ｇ以下とされている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭｏＮの特性とＴｉＡｌＳｉＮの特性とを兼備し、特に耐摩耗性に優れた被覆膜を備えた表面被覆切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、ＭｏＮ_z（ただし式中ｚは０．０１≦ｚ≦０．２）で表されるＭｏとＮとの固溶体、Ｍｏ₂Ｎ、ＭｏＮまたはこれらの混合体からなるＡ層と、Ｔｉ_1-x-yＡｌ_xＳｉ_yＮ（ただし式中ｘは０．３≦ｘ≦０．７、式中ｙは０．０１≦ｙ≦０．２５）からなるＢ層とが交互に各々２層以上積層されてなり、該Ａ層の層厚λａと該Ｂ層の層厚λｂとは、それぞれ２ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、その層厚比λａ／λｂは、基材側から被覆膜の最表面側にかけて増大し、かつ基材に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは０．１以上０．７以下であり、最表面側に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは１．５以上１０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＶＮの特性とＴｉＡｌＳｉＮの特性とを兼備し、特に耐摩耗性に優れた被覆膜を備えた表面被覆切削工具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材とその上に形成された被覆膜とを備え、該被覆膜は、ＶＮからなるＡ層と、Ｔｉ_1-x-yＡｌ_xＳｉ_yＮ（ただし式中ｘは０．３≦ｘ≦０．７、式中ｙは０．０１≦ｙ≦０．２５）からなるＢ層とが交互に各々２層以上積層されてなり、該Ａ層の層厚λａと該Ｂ層の層厚λｂとは、それぞれ２ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、その層厚比λａ／λｂは、基材側から被覆膜の最表面側にかけて増大し、かつ基材に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは０．１以上０．７以下であり、最表面側に最も近いＡ層とＢ層の層厚比λａ／λｂは１．５以上１０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高硬度材の高速切削加工で、すぐれた耐チッピング性と仕上げ面精度を発揮する表面被覆立方晶窒化ほう素基超高圧焼結材料製切削工具を提供する。
【解決手段】バインダー相であるＴｉＮを２０〜５０ｖｏｌ％含有するｃＢＮ工具基体の表面から１μｍ以内の深さ領域において、上記バインダー相は０．１〜５原子％のＳｉを含有し、さらに、該工具基体表面上に、（Ｔｉ_１−ＸＳｉ_Ｘ）Ｎ層（但し、Ｘは０．００１〜０．０５）を下部層として蒸着形成し、ｃＢＮ工具基体と下部層の付着強度を高め、この上にさらに、ＴｉＮ、ＴｉＣＮおよび（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎの何れかからなる上部層を蒸着形成する。 （もっと読む）

【課題】断続重切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐欠損性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】ＷＣ基超硬合金製工具基体表面にＴｉＮ層からなる硬質被覆層を物理蒸着で形成した表面被覆切削工具において、ＴｉＮ層は、平均層厚と等しい高さを有し、かつ、工具基体表面に対して直立方向に成長した縦長平板状のＴｉＮ結晶粒からなり、さらに、上記ＴｉＮ層の表面から０．１μｍの高さの水平断面におけるＴｉＮ結晶粒組織を観察した場合、短辺が５〜１００ｎｍ、アスペクト比が３以上である上記縦長平板状のＴｉＮ結晶粒の占める面積割合が、全水平断面積の３０％以上である。 （もっと読む）

硬質コーティング（２）および切削工具上で使用可能な窒化チタンアルミニウムを含む硬質コーティング（２）を作製する方法が開示される。コーティング（２）は約０重量パーセントと約１５重量パーセントの間の六方晶相およびｘが約０．５３〜約０．５８モルの範囲内である（Ａｌ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｎの組成を有する少なくとも１つの窒化チタンアルミニウム層（６）を含む。
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【課題】Cu-Ti系スパッタ膜を従来よりも低い温度で熱処理しても、配線表面にTi系自己拡散バリア膜を形成できるようにする。
【解決手段】極薄のTi系膜を第一の膜２として基材１上に形成した後、Ti系材料のTi系材料とCu系材料との傾斜構造を持つ複合膜を第二の膜３として形成し、その上にCu系電極となる第三の膜４を形成することにより、３層構造の前駆体を形成する。この前駆体を450℃以下で熱処理することで、Ti系バリア膜を有するCu系電極を形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は結晶性に優れたＴｉＮ系セラミック膜を提供することを課題とする。
【解決手段】蒸着プロセスを経て形成されるセラミック積層膜であり、該セラミック積層膜は基材上に、下地膜、窒化チタン膜、が順次積層されてなるものであり、上記下地膜は酸化亜鉛を主成分とする膜であり、上記下地膜の膜厚は１〜１５０ｎｍ、上記窒化チタン膜の膜厚は１〜５００００ｎｍであることを特徴とし、また、上記窒化チタン膜はＣｕＫα線を用いたＸ線回折測定において、４２°付近に窒化チタンの（２００）面に帰属される回折線が検出されること。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性に優れた複合フィルムを提供する。
【解決手段】基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた、少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層を有する第一のガスバリアフィルムと、基材フィルムと、該基材フィルム上に設けられた、少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層を有する第二のガスバリアフィルムと、前記第一のガスバリアフィルムと第二のガスバリアフィルムの間に設けられた接着層とを有し、該接着層が、ドライラミネート用の接着剤と金属アルコキシドを含んでいる、複合フィルム。 （もっと読む）

本発明は、アルミニウム-ケイ素合金または結晶質ケイ素からなり、研磨可能な層が付与された基材に関する。本発明はまた、前記基材を含む金属鏡、金属鏡を製造するための方法、および本発明の金属鏡の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】溶接ラインや溶接作業を止めることなく、長時間連続して溶接することができる耐スパッタ特性に優れたガスシールドアーク溶接トーチのシールドノズルを提供する。
【解決手段】ソリッドワイヤーが挿通され、ソリッドワイヤーに電流を供給するコンタクトチップを包容するように配設された筒状のガスシールドアーク溶接トーチのシールドノズル５であって、シールドノズル母材５ａ表面に、密着性セラミック被膜の母材表上被膜層５ｂを形成し、母材表上被膜層５ｂの上層に、硬質セラミック被膜の表面被膜層５ｄを形成する。なお、母材表上被膜層５ｂと表面被膜層５ｄの間に、密着性セラミックと硬質セラミックの混合物からなる中間被膜層５ｃを形成することが好ましい。 （もっと読む）